FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIA

INGENIERIA ELECTRONICA CON MENCIN EN TELECOMUNICACIONES

CICLO IV

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
TEMA

TRANSISTORES

Mg. Flix Pucuhuayla Revatta

Mg. Flix Pucuhuayla Revatta

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN

El primer transistor el 23 de Dic. De 1947
Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden
Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de
material tipo n ( p) y una capa entre ellas de material tipo p ( n).

Existen transistores npn pnp

Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector)
La capa del emisor est fuertemente dopada
La del colector ligeramente dopada
Y la de la base muy poco dopada, adems ms delgada.

B
Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base
Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y
Activo.
Modo

Unin E-B

Unin C-B

Corte

Inverso

Inverso

Activo

Directo

Inverso

Saturacin

Directo

Directo

Transistores BJT en modo activo

E n

IC=IS(eVBE/VT)
IB=IC/

IE=IC+IB=IC/

En este modo la corriente de colector es determinada por la

ecuacin anterior.
La corriente de base es una fraccin de la corriente de
colector
El valor de es tpico de 100 a 200, y en dispositivos
especiales hasta de 1000.
La corriente del emisor es la suma de las corrientes

Considere un transistor npn con VBE=0.7 cuando Ic=1mA.

Encuentre VBE cuando la corriente del colector es 0.1mA y
10mA. (VT=25mV a temperatura ambiente)

Los transistores de cierto tipo se especifican para tener

valores de en el intervalo de 50 a 100, encuentre el
intervalo de valores de .

Considere un transistor npn con VE=-0.7 , una =50 .

Encuentre las corrientes de emisor, base y colector, adems
el voltaje de colector.

E
B

Smbolo

Transistor BJT npn

IE

+
VBE

IB

+
VBE

Modelos de primer orden en modo activo

E
B

Smbolo

Transistor BJT pnp

E
+

VBE

+
B

VEB

IB

C
Modelos de primer orden en modo activo

IE

Configuracin de BASE comn

La corriente de colector es
constante, por tanto el
colector se comporta como
una fuente de corriente
constante en la regin activa.

Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de base
comn.

Configuracin de EMISOR comn

A diferencia de la configuracin
anterior, el voltaje CE si tiene
influencia sobre la magnitud de
la corriente de colector.

Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de
emisor comn.

Configuracin de COLECTOR comn

Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de
impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al
contrario de las otras dos configuraciones.

Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta

configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.

Punto de Operacin
1.

El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la

operacin del mismo tanto en DC como en AC

2.

El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito

3.

Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de

operacin deseado.

4.

Cada diseo determinar la estabilidad del sistema

5.

El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del

transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal
aplicada.

Circuito de polarizacin fija.

Variando RB

Recta de carga
Ic/Rc

Variando RC

Vcc

Ic/Rc

Vcc

Polarizacin fija, y con RE

Polarizacin por divisor de voltaje

VE=(1/10)Vcc
Ri=(+1)RE

R2(1/10)RE

Icq=(1/2)ICSat

Saturacin: Mximos niveles de operacin

VCE=0
RCE=0
ICSat=Vcc/Rc

ICSat=Vcc/(Rc+ RE)

Polarizacin por retroalimentacin de voltaje

10V

4V

4.7k

=100
3.3k

10V

6V

4.7k

=100
3.3k

10V

4.7k

=100
3.3k

10V

2k

=100
1k
-10V

10V

5V

2k

=100
100k

Anlisis en AC de transistores BJT

Modelos del transistor:

Ic= Ie

Modelo re

Ic= I b
Ic= Ie

Configuracin de base
comn

Configuracin de
emisor comn

Modelo Hbrido Equivalente

Configuracin de
emisor comn
hie=re
hfe=
hoe=1/r0

Configuracin de base
comn
hib=re
hfb= -