ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

MAESTRA EN AUTOMATIZACIN Y CONTROL

ELECTRNICO INDUSTRIAL

REDES SNUBBER

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE POTENCIA

BYRON RICARDO ZAPATA CHANCUSIG

QUITO, JUNIO 2015

ndice
INTRODUCCIN.....................................................................................................1
CAPTULO 1...........................................................................................................2
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA......................................................................2
1.1.

Problema a resolver.................................................................................2

1.2.

Objetivos..................................................................................................2

1.3.

Alcance....................................................................................................2

CAPTULO 2...........................................................................................................3
ESTADO DEL ARTE..............................................................................................3
2.1. Estado del arte............................................................................................3
2.2. Redes Snubber............................................................................................6
2.2.1 Ventajas de las Redes Snubber..............................................................6
2.3. Tipos de redes Snubber..............................................................................6
2.3.1. Redes Snubber disipadas.........................................................................6
2.3.1.1. Redes Snubber RC.............................................................................6
2.3.1.2 Snubber LR polarizada........................................................................7
2.4 Snubber aplicado a transistores..................................................................8
2.4.1 Potencias de disipacin en el transistor................................................9
2.4.2 Aplicacin de redes snubber a transistores de potencia.......................9
2.4.2.1 Snubber de encendido o de disparo.................................................10
2.4.2.1.1 Anlisis matemtico de Snubber de encendido............................11
2.4.2.2 Snubber de apagado o de bloqueo...................................................12
2.4.2.2.1. Anlisis matemtico de Snubber de apagado..............................12
2.4.3. Redes Snubber aplicado a Mosfets........................................................15
2.4.4. Diodo en redes Snubber........................................................................15
CONCLUSIONES...................................................................................................17
REFERENCIAS......................................................................................................18

INTRODUCCIN
Las redes snubber han sido muy ocupadas en los circuitos de potencia
donde interviene la conmutacin debido a que con ellas se puede eliminar
factores como en la sobrecarga, sobre tensin y potencia de disipacin las
cuales afectan la funcionabilidad de los circuitos de potencia, daan
dispositivos e incluso pueden llegar a destruir totalmente al dispositivo,
ocasionando prdidas de los equipos conectados a los circuitos de potencia
y por ende se genera prdidas econmicas.
En la actualidad existe gran variedad de tipos de redes snubber debido a
que depende del tipo de dispositivo al cual tengan que proteger como es el
caso de IGBTs, Diodos, Transistores de potencia, Mosfets, y al circuito en el
que se generan las perturbaciones que afectan los circuitos de potencia.
El objetivo de este documento es dar a conocer proyectos en los que se ha
visto la necesidad de la aplicacin de algn tipo de red snubber para la
proteccin de los circuitos o semiconductores de potencia, tambin se
presenta el anlisis terico y matemtico para el diseo de redes snubber y
como objetivo final mediante la recopilacin de informacin terica y
matemtica se presentaran simulaciones donde se aplique las redes
snubber de apagado, encendido y conmutacin para semiconductores de
IGBTs, Diodos, Transistores de potencia y

Mosfets para analizar los

resultados cuando se aplica y no se aplica las redes snubber.

Para cumplir con el objetivo de este proyecto se utiliz metodologa de
investigacin, de diseo, simulacin y documentacin del proyecto.
En el captulo 1 de este documento se analizar el problema a resolver, se
dar a conocer los objetivos del proyecto y finalmente se presentara el
alcance del proyecto.
En el captulo 2 se presentara el estado del arte recopilando artculos, tesis
y documentos donde ha sido aplicadas la redes snubber, posteriormente se
presentara la teora y el anlisis matemtico de las redes snubber y
finalmente se presentara las conclusiones que ha surgido en la elaboracin
del proyecto.

CAPTULO 1
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
En este captulo se presentara los objetivos y el alcance del problema a
resolver.
1.1.

Problema a resolver

En los circuitos de potencia y principalmente en los semiconductores de

potencia

que

trabajan

con

conmutacin

existen

problemas

de

sobretensiones, sobrevoltajes, perdidas en conmutacin y otros factores que

pueden daar e incluso destruir al dispositivo, por los motivos mencionados
se ha planteado la idea de analizar, disear y simular circuitos basados en
redes snubber capaces de absorber la energa reduciendo el estrs causado
por los problemas de conmutacin, capaces de disminuir la potencia
disipada para extender el tiempo de vida de trabajo de los dispositivos de
potencia.
1.2.

Objetivos
Realizar el estudio sobre redes snubber en convertidores de potencia.
Diseo y simulacin de convertidores con redes snubber para diodos,
mosfets, igbts transistores.

1.3.

Alcance

En este proyecto se realizara lo detallado a continuacin:

Se presentara el estado del arte referente a las redes snubber.

Se analizara los distintos mtodos de diseo de redes snubber.
Realizacin de simulaciones aplicadas a diodos, mosfets, igbts y

transistores.
Se analizara el comportamiento de los convertidores con y sin redes

snubber.
No se realizara la implementacin de las redes Snubber.

CAPTULO 2
ESTADO DEL ARTE
En este captulo se presenta el estado del arte de trabajos anteriores
referentes a las redes snubber y sus aplicaciones y tambin se presenta la
parte terica de redes snubber.
2.1. Estado del arte
Para la realizacin de este documento se ha recopilado informacin de artculos,
tesis, y documentos referente a redes snubber, de los cuales se ha obtenido
informacin acerca de conceptos, tipos, aplicaciones e investigaciones a redes
snubber los cuales han aportado a la realizacin del presente documento.
A continuacin se presentan algunos trabajos de investigacin realizados donde
se han implementado las redes snubber de los cuales se ha obtenido
informacin importante para la realizacin del presente trabajo.

PROTECCION ELECTRICA DE

SEMICONDUCTORES: REDES

DE

AYUDA A LA CONMUTACION DISIPATIVAS Y NO DISIPATIVAS

Este documento est orientado a los fundamentos tericos para la
profundizacin acerca de las protecciones de los circuitos de electrnica de
potencia, enfocndose principalmente en la teora de redes Snubber. Este
documento presenta el anlisis y ejemplos acerca de redes snubber de
tensin RC, Snubber de tensin RCD, Snubbers de corriente disipaditos,
snubber unificado y snubbers no disipativos. De este documento se ha
tomado la mayor parte de informacin terica de los tipos de redes snubber.
(Perna A., 1999)

DISEO

MONTAJE

DE

UNA

FUENTE

CONMUTADA

CONVERSIN DE UNA ALIMENTADOR MULTINIVEL

PARA

El proyecto est basado

en el diseo e implementacin de una fuente

conmutada que posee caractersticas para el uso energtico y protecciones

que necesite el convertidor. En este caso se implementa la red snubber
orientada a la conmutacin, se toma el principio de un IGBT que se apaga
cuando existe un alto voltaje, se implementa la red RC puesto que es
utilizada para eliminar las la resonancia en la etapa de potencia que se
genera por los inductores y capacitores, y se muestra una manera
alternativa para descargar energa.
El objetivo de la red RC en este proyecto es atenuar el pico de tensin que
se da en ese instante dentro de un intervalo de tiempo, se coloca un
capacitor y resistencia que deben tener valores muy bajos para alcanzar el
ciclo de trabajo, pero existe inconveniente puesto que mientras ms baja es
el valor de la resistencia existe mayor disipacin de potencia, por ello
adicionalmente se coloca un capacitor que se encuentre en el rango de los
nano faradios que esta dimensionado propiamente para este tipo de red
snubber.
De este proyecto se utiliza la teora, la parte matemtica y el diseo acerca
de la aplicacin de una red snubber a un IGBT. (Peafiel C., & Ramon P.,
2013)

DISEO E IMPLEMENTACION DEL FRENO REGENERATIVO PARA

VEHICULO ELECTRICO

El diseo est basado en el frenado regenerativo que conste de dos

conversores DC-DC, el primero con la finalidad de cargar un banco de
capacitores cada vez que la mquina de induccin que se comporte como
un generador, para mover el vehculo, el segundo es utilizado para cargar
una batera a partid de la energa almacenada en los capacitores. Para este
diseo se utiliza una red snubber RCD de carga y descarga usada
especficamente para aplicaciones de alta corriente como IGBTs. Su funcin
especfica es la reducir la tasa de incremento que sufre el IGBT durante su
apagado como tambin la potencia disipada, la aplicacin beneficia:
limitando el voltaje de apagado, reduciendo las prdidas totales de los
elementos de potencia, produce que el IGBT trabaje en una zona segura y la
reduccin de las capacitancias parasitas que presenta el transistor. Se
menciona en este proyecto que el diseo se debe tomar en cuenta que el

capacitor se descarga por completo cuando se enciende el IGBT, para el

siguiente ciclo de carga y descarga.
De este proyecto se obtiene la parte matemtica de la aplicacin de una red
de encendido y apagado mediante una red RCD aplicada a un IGBT.
(Dvalos D., & Romero M., 2013)

DISEO DE UN CORRECTOR DE FACTOR DE POTENCIA ELEVADOR

MONOFSICO RESONANTE

En esta tesis presenta el diseo de un corrector de factor de potencia el cual

opera en conmutacin dura y en conmutacin a voltaje cero, lo cual es
descrito por el actor de forma matemtica y aplicando a simulaciones para
observar el funcionamiento del circuito implementado.
En la etapa de conmutacin dura el actor adiciona una red snubber para
ayudar en la conmutacin del circuito debido a que cuando se trabaja con
conmutacin dura se genera prdidas de potencias considerables del
semiconductor. De este documento se obtiene informacin de los conceptos
y los tipos de redes snubber. (Montenegro E., 2006)

EXCITACIN DE UN PLASMA POR ALTAS FRECUENCIAS PARA

PROPSITOS DE ILUMINACIN

Este trabajo se basa en dos etapas para la generacin de plasma de CA por

altas frecuencias, en la primera parte recopila informacin acerca de
electrnica de potencia sus aplicaciones y su protecciones, en la segunda
parte desarrolla el anlisis matemtico para realizar un inversor a frecuencia
natural de resonancia para un carga LC, tambin se enfoca el desarrollo de
este proyecto en la optimizacin de del inversor mediante la aplicacin de
mosfets para obtener una conmutacin de voltaje cero.
Como tercer punto importante de este documento el autor describe
mediante resultados los efectos de una carga inductiva en los inversores, y
se busca la solucin para evitar la saturacin que causan los elevados flujos
magnticos. El objetivo de este proyecto es la creacin de plasma mediante
circuitos de potencia a altas frecuencias para ser utilizados en el rea de
5

iluminacin. De la documentacin de este proyecto se utiliza la parte teora

y matemtica referente a snubber para el diseo de una red par proteccin
de mosfets. (Valdivia R., 2003)

DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN INVERSO TRIFSICO

En este artculo se presenta el principio de operacin de un inversor trifsico

de 3 ramas para la elaboracin de un diseo y la construccin de un
inversor trifsico con carga RL con un voltaje de entrada de 72.1V, tambin
como objetivo la elaboracin de filtros en configuracin L para eliminar el
tercer armnico. El circuito diseado en este proyecto consta de IGBTs
donde el actor analiza y aplica matemticas para encontrar las protecciones
de

encendido

apagado

de

IGBTs,

protecciones

de

temperatura,

protecciones de corriente, y protecciones de sobrevoltaje adecuadas para la

proteccin de los dispositivos. Como proteccin tambin se enfoca a la
elaboracin de redes snubber de tensin RCD, para la absorcin de energa
producidos por la conmutacin de los IGBTs, para la limitacin de los picos
de corriente mximos, con lo cual se pretende aumentar el tiempo de vida
de los equipos.
Se ha utilizado informacin de artculo debido a que en este se analiza
matemticamente las protecciones para los circuitos de potencia y tiene
como aplicacin una red snubber RCD para proteccin de IGBTs. (Torres A.,
Murillo D., Restrepo C. , 2008)

2.2. Redes Snubber

Las redes snubber son circuitos empleados en fuentes conmutadas para el
control de las reactancias que generalmente estn presentes en los circuitos
de potencia, tambin se emplean para limitar el estrs a los que se
encuentran sometidos los interruptores debido a que la conmutacin
produce interferencias electromagnticas que afectan a los equipos
generando sobretensiones que pueden causar daos a los dispositivos e
incluso la destruccin total. [1,2]

2.2.1 Ventajas de las Redes Snubber

Las principales ventajas que presentan las redes snubber a los dispositivos
de potencia son:

Proteccin de circuitos de potencia en encendido y apagado.

Control de la tasas de cambio de voltaje

Reduccin de prdidas de conmutacin de los circuitos.

Limitacin de sorbrevoltajes en dispositivos de potencia. [1]

dv
dt

o corriente

di
dt .

2.3. Tipos de redes Snubber

Existe mucha topologas de redes snubber para la proteccin de los
semiconductores de potencia, en este documento nos enfocaremos y
presentaremos la base terica de la redes snubber disipadas y no disipadas
que a continuacin se menciona.
2.3.1. Redes Snubber disipadas
Se denomina snubber disipadas cuando hace referencia a si la energa
almacenada en los snubbers se disipa en una resistencia. [1]
De las redes snubber disipadas se derivan tres tipos de redes ms usadas
las cuales se detallan a continuacin.
2.3.1.1. Redes Snubber RC
Las redes snubber RC estn compuestas por un capacitor y una resistencia,

estn diseadas para controlar los efectos de la sobre tensin

dv
dt

que se

generan en circuitos de conmutacin, el diseo correcto de las redes

snubber permite reducir un 40 % las prdidas de conmutacin. [1]
Para minimizar la disipacin de potencia durante el bloqueo del interruptor,
la resistencia del snubber tendra que tener un bajo valor hmico, y as
proporcionar una forma de onda de tipo capacitivo limitndose la subida de
la tensin en el interruptor hasta que quede totalmente bloqueado. Por el
contrario, durante la conmutacin hacia saturacin, la resistencia del
snubber debera ser una alta impedancia para limitar la corriente a travs
del interruptor, como consecuencia de la descarga del condensador, hasta
que la tensin l llegue a cero, minimizando as la disipacin de potencia
durante el intervalo de conduccin. [1]

Dentro de las redes snubber RC se derivan las snubber RC no polarizadas y

las snubber RC polarizadas que a continuacin se describen.
2.3.1.1.1 Snubber RC no polarizado
Las redes snubber RC no polarizado estn compuesta por un capacitor en
serie con una resistencia como se muestra en la figura 1, este tipo de red

snubber son utilizadas para disminuir el

dv
dt

de recuperacin inversa

producido por los diodos y transistores. [3,4]

Figura 1. Red Snubber RC no polarizada aplicada a SCRs

2.3.1.1.2 Snubber RC polarizada
Estos circuitos de redes RC polarizadas de igual manera estn compuestas
por un capacitor y una resistencia y son conectados en serie a los
interruptores de potencia como se muestra en la figura 2, a diferencia de las
redes snubber RC no polarizadas estas redes son utilizadas para proteger el

dv
dt

de la etapa de apagado de los interruptores de potencia. [3,4]

Figura 2. Red Snubber RC polarizada aplicada a SCRs

8

2.3.1.2 Snubber LR polarizada

Estos circuitos de redes LR polarizadas estn compuestas por un inductor y
una resistencia como se muestra en la figura 3, son implementadas para

proteger sobre el

di
dt

en la etapa de encendido de los interruptores de

potencia, disipando su energa en la resistencia durante el ciclo de apagado,

a diferencia de las redes snubber RC no polarizadas y las redes RC

polarizadas que estn diseadas para proteger el

dv
dt

de la etapa de

apagado [3,5]

Figura 3. Red snubber LR unidireccional

2.4 Snubber aplicado a transistores

Tomando como ejemplo el transistor que se muestra en la figura 4 el cual
est conectado a una carga inductiva, se procede analizar los efectos que
causa la conmutacin de para el encendido y apagado del transistor.

Figura 4. Formas de onda de voltaje y corriente de la etapa de

conmutacin de un transitor
El transistor de la figura 4 experimenta en la etapa de encendido picos de
tensiones altos, y picos de corriente altos en la recuperacin inversa,
producidas por la disipacin de potencia las cuales presentan el siguiente
anlisis matemtico. [1]

2.4.1 Potencias de disipacin en el transistor

Las potencias de disipacin de un transistor se las puede estimar
matemticamente utilizando las expresiones que se muestran en la
ecuacin 1 y 2.
Ecuacin 1. Potencia en el encendido del transistor

t
1
PON = . Vi . Io . ON
2
T
Ecuacin 2. Potencia en el encendido del transistor

t
1
POFF = . Vi . Io . OFF
2
T
De las ecuaciones presentadas anteriormente se generan las formas de
onda que se muestran en la figura 5.

10

Figura 5. Formas de onda producidas por las disipaciones de potencia

De las formas de onda mostradas en la figura 5 se puede observar los picos
de corriente generados los cuales se lo analizara tericamente y se
proceder a desarrollar un diseo mediante la aplicacin de redes snubber.
2.4.2 Aplicacin de redes snubber a transistores de potencia
Por lo presentado anteriormente del transistor de potencia se pudo observar
que es afectado en el proceso de encendido por altas tensiones, lo cual
genera un alto valor de disipacin de potencia. Con la aplicacin de una red
snubber para la proteccin del transistor se mostrara que se genera una
mejora en la trayectoria de conmutacin.

Para los transistores de potencia se analizara tres tipos de redes snubber:

Snubber de encendido, Snubber de apagado y snubber de sobretensin.
2.4.2.1 Snubber de encendido o de disparo
Las redes snubber de encendido son aplicadas en serie con el transistor de
potencia o en serie con el diodo de libre circulacin como se muestra en la
figura 6, estn diseadas para reducir el pico de sobre tensin conforme se
d la acumulacin de corriente cuando se genera el cambio de OFF a ON en
la conmutacin. [4]

11

Figura 6. Topologa de la red snubber de encendido

En la figura 7 (a), se muestra las formas de onda del transistor producidas al
en la etapa de encendido, como se puede observar y por lo descrito
anteriormente se genera un pico de sobretensin, lo cual al aplicar la red
snubber se reduce como se observa en la figura 7 (b).

Figura 7. (a) Sobretensin en transistor, (b) disminucin de pico de sobretensin

con red snubber

2.4.2.1.1 Anlisis matemtico de Snubber de encendido

La energa almacenada durante el estado de conduccin del transistor
cuando la corriente Io atraviesa el inductor Ls de la figura 6, se disipa en la
resistencia RLS de donde la reduccin del sobre pico de tensin se obtiene
la expresin que se presenta en la ecuacin 3.
Ecuacin 3. Delta de voltaje entre el colector emisor del transistor
12

 V CE =

LsI o
t ri

Donde:
tri= tiempo de subida de la corriente.
Para encontrar los valores de RLs se procede a:

Cuando el transistor se encuentra en ciclo de apagado el snubber de

encendido produce una sobretensin por el transistor la cual est
dada por la ecuacin 4.

Ecuacin 4. Sobretensin en el encendido

V SW ,max =R Ls I o

En el estado de apagado el inductor se descarga a un valor x*Io,

donde la aplicacin del snubber en la etapa de encendido es
eficiente, por lo tanto en estado de apagado se da la ecuacin
5.

Ecuacin 5. Tiempo de estado apagado

t off state >2.3

Ls
R Ls

Para el clculo de la potencia disipada en RLs se da por la

ecuacin 6.

Ecuacin 6. Potencia disipada en RLs

L s ( I o )2
PRLs =
fs
2
Donde fs = Frecuencia de conmutacin.

La potencia disipada por el transistor con la red snubber est

dada por.

Ecuacin 7. Potencia disipada por el transistor con la red snubber

P Q=

( V d V SW ) I o t ri f s
2
13

2.4.2.2 Snubber de apagado o de bloqueo

Las redes snubber de apagado o de bloqueo son diseadas con una resistencia
y un capacitor en paralelo al transistor como se muestra en la figura 8, esta

diseadas para para reducir el

di
dt

proveen do de un voltaje cero a travs

del transistor, cuando el transistor de potencia se encuentra en la etapa de

apagado la corriente que atraviesa por el colector- emisor aumenta
rpidamente antes que la corriente del emisor disminuya produciendo
factores de disipacin elevados. [5]

Figura 8. Red snubber de apagado

2.4.2.2.1. Anlisis matemtico de Snubber de apagado
El anlisis matemtico de la red snubber de apagado se basa en la energa
almacenada en el capacitor y en la disipacin en que este produce en la
resistencia.

La corriente que atraviesa por el condensador se escribe como se

muestra en la ecuacin 8.

Ecuacin 8. Corriente

i Cs=

i Cs por el condensador

I ot
0<t <t fi
t fi

14

El voltaje en el condensador es el mismo voltaje que cae en el

transistor cuando el diodo Ds conduce, por lo que se puede expresar
ecuacin 9.

Ecuacin 9. Voltaje

V cs =V CE =

i Cs por el condensador

t
t
I o t2
1
1 Io t
i
dt
=
dt=

C s 0 CS
C s 0 t fi
2C s t fi

La ecuacin 9 se produce cuando el valor del voltaje

V cs

<

Vd .

Para determinar el valor del condensador se utiliza la ecuacin 10.

Ecuacin 10. Calculo del condensador

C s=C s 1=

I o t fi
2V d

Del valor del condensador

depende que la corriente del transistor se

haga cero como se muestra en las grficas de la figura 9, donde se

presenta las formas de onda cuando se coloca un valor de condensador
Cs, pequeo,

C s=C s 1 y un valor de Cs grande.

15

Figura 9. Formas de onda aplicando valores distintos valores de Cs

De las grficas de la figura 9 se puede expresar que:

Si Cs <Cs1 la corriente que circula por el diodo IDf empieza a

conducir antes que la corriente del transistor ic se haga cero.

Si Cs > Cs1 la corriente del diodo IDf conduce despus de que la

corriente que circula por transistor ic se hace cero.

Si Cs = Cs1 la corriente del diodo IDf conduce cuando la corriente del
transistor ic es igual a 0.

Como la energa almacenada en el capacitor se descargara en la

resistencia, el valor de Rs depender de que el valor de la corriente pico
inversa

sea

menor

la

corriente

de

recuperacin

inversa

matemticamente se expresa como se muestra en la ecuacin 11.

Ecuacin 11. Calculo de la resistencia de la red snubber

Vd
<I
R s rr
16

La potencia disipada por Rs se expresa como:

Ecuacin 12. Potencia disipada en Rs
2

PRs=

C s (V d )
fs
2

Donde fs= Frecuencia de conmutacin.

La potencia disipada por el transistor aplicando la red snubber se expresa:
Ecuacin 12. Potencia disipada en Rs

Io 2 t 2fi fs
P Q=
24 C s 1
Del anlisis matemtico mediante la red snubber se obtiene la figura 10,
donde se observa los efectos de las aplicaciones de la redes snubber en el
apagado.

Figura 10. Red Snubber de apagado

2.4.3. Redes Snubber aplicado a Mosfets
Para la proteccin de mosfets se utiliza la redes snubber RC colocada entre el
drenaje y la fuente como se muestra en la figura 11, para el control del apagado
del mosfet.

17

Figura 11. Red snubber para Mosfet

La configuracin de la red snubber RC debe tener una carga rpida y una
descarga lenta debido a las frecuencias de conmutacin rpida del mosfet. [5]
La descarga del capacitor debe de estar entre 1/5 del periodo de conmutacin
con lo cual la ecuacin para el clculo del capacitor y la resistencia est dada
por la ecuacin 13.

Ecuacin 13. Calculo de Cs y Rs de la red snubber

C s=

I o t fi
Vs

Rs =

1
5fsCs

Donde:
Fs= Frecuencia de conmutacin
Tfi= Tiempo de cada del transistor MOSFET

2.4.4. Diodo en redes Snubber

Para la proteccin de diodes se aplican las redes snubber de tipo RC la cual es
conectada en paralelo al diodo como se muestra en la figura 12, para minimizar
la sobretensin en el diodo.

18

Figura 12. Snubber Para Diodos

En la figura 13 se presenta la corriente de pico inversa del diodo producido

por un

di Vd
=
dt
Lc

esto se produce debido a la inductancia parsita serie

con el diodo y a la corriente de recuperacin de diodo inverso en el tiempo

de encendido del interruptor T. [1]

Figura 13. Pico inverso en el diodo

19

CONCLUSIONES

La aplicacin de la redes snubber en los circuitos de potencia estn

enfocadas a la proteccin de los semiconductores, estas redes no
afecta el funcionamiento de los circuitos a los que se encuentran
asociados los dispositivos de conmutacin, de ah su importancia y
aplicaciones en varios proyectos de potencia, ya que se implementa
como frenos para la eliminacin de sobrepicos de tensin, sobre picos
de corriente y resonancias parasitas producidas por efectos de
conmutacin de los transistores,

lo cual produce disipaciones de

potencia que afectan y causan daos e incluso la destruccin de los

dispositivos de conmutacin.

Para el diseo de las redes snubber se aplica los clculos

mencionados en este captulo donde la mayora ecuaciones depende
de las caractersticas tcnicas de los dispositivos, y el clculo correcto
de la resistencia la cual es la que absorber tanto la descarga del
condensador como la descarga del inductor en redes snubber LR.

El buen diseo de las redes snubber de apagado permiten eliminar

las prdidas generadas por la conmutacin de los transistores de
potencia, y las prdidas del capacitor de la red snubber ya que si el
capacitor es demasiado grande o demasiado pequeo causa prdidas
la cuales se ver refleja en los sobrepicos de corriente, por lo cual se
debe realizar el clculo matemtico antes mencionado para la
eleccin del capacitor.

20

REFERENCIAS

[1] Mohan, N., & Undeland T., & Robbins W. Power Electronics: Converters,
Applications and Desings, John Wiley & Sons, INC, Second Edition, Toronto,
Canada, 1995.
[2] Unviresity of Saskatchewan, Power Electronics

Disponible en :

http://www.engr.usask.ca/classes/EE/443/
[3] Bacaicoa, L., lvarez C., Martnez J. & lvarez J. Electrnica de potencia:
Dispositivos, Universidad de Oviedo, Oviedo, Espaa, 1999.
[4] Peafiel, D., & Paul, R. Diseo y montaje de fuente conmutada para
alimentacin de convertidor multinivel. Universidad Politcnica Salesiana,
Cuenca-Ecuador, 2013.
[5] Valdivia, R. Excitacin de un plasma por altas frecuencias para
propsitos de iluminacin. Instituto Tecnolgica de Toluca, Toluca-Mxico,
2003.
[6] Perna, A. Proteccin elctrica de semiconductores: Redes de ayuda a la
conmutacin disipativas y no disipativas. Universidad de Oviedo, OviedoEspaa, 1999.
[7] Dvalos, D., & Romero, M.

Diseo e implementacin del freno

regenerativo para un vehculo elctrico. Escuela Politcnica Nacional, QuitoEcuador, 2013.

[8] Montenegro, E. Diseo de un Corrector de Factor de Potencia Elevador
Monofsico Resonante. Universidad de las Amricas de Puebla, PueblaMxico, 2006.
[9] Ros, F. Diseo y Construccin de un Inversor Trifsico Multinivel.
Pontificia Universidad Catlica de Chile, Santiago de Chile, 2003.

21

[10] P. Todd. Snubber Circuits Theory, Design and Application,Deyisupport,

pp. 2-16, May. 1993.

22