You are on page 1of 13

Laboratorio N 01:

Funciones Lgicas: Fundamentos


Alumno(a): Gamboa Mendoza, Abel
Nota:
Cdigo: 27115752
1. OBJETIVO:
Implementar y comprobar las funciones lgicas a nivel de interruptores
electro mecnicos.
Verificar que los transistores BJT y MOSFET son los elementos la base
para la implementacin de las funciones lgicas en la electrnica digital.
Utilizando el programa de simulacin PROTEUS, implementar las
funciones lgicas bsicas a nivel de los conmutadores y transistores,
reforzando sus fundamentos de operacin.
2. REVISIN TERICA
Los estudiantes debern repasar:
Las caractersticas de operacin de un rel.
La operacin del Transistor BJT como interruptor electrnico.
La operacin del Transistor MOSFET como interruptor electrnico.
3. DESARROLLO DE LA PRCTICA
3.1. Manejo de rels
Implemente en Proteus ISIS, el circuito de la figura siguiente.
Observe que la lmpara est conectado con el interruptor NA
(normalmente abierto) del rel.

RL1
B1

D1

12V

DIODE

12V

L1
12V

B2
12V

Manipule el estado del interruptor SW y observe el comportamiento


del rel y la lmpara, para completar los datos de la tabla siguiente.
Control SW1
OFF
ON

Estado de Rel
OFF(CIRCUITO
ABIETRO)
ON(CIERRA
CIRCUITO)

Estado de Lmpara
APAGADO
EL ENCENDIDO

Ahora, desconecte la lmpara de NA y conectar a NC (normalmente


cerrado), manipule el estado del interruptor SW, observe el
comportamiento del rel y la lmpara para completar los datos de la
tabla siguiente.
Control SW1

Estado de Rel

OFF
ON

OFF
ON

Estado
Lmpara
APAGADO
ENCENDIDO

de

Anote sus observaciones:

El switch es el quien manda al relay si el switch est apagado el


relay tambin lo estar y ucurre lo mismo cuando esta encendido.
El relay no puede realizar la accin de apagado o encendido por si
sola Osea solo obedece al switch.

3.2. Circuitos Lgicos a nivel de conmutadores fsicos


A. Circuito lgico AND:
Implemente en Proteus ISIS, el circuito de la figura siguiente.
Manipule el estado de los interruptores ( SW-A y SW-B), observe y
anote el estado de la lmpara en la tabla siguiente.

SW-A
Variables de control
SW-A
B1
OFF
12V
OFF
ON
ON

SW-B
OFF
ON
OFF
ON

SW-B
Respuesta
Estado de Lmpara
APAGADO LAMPARA
APAGADO 12V
APAGADO
PRENDIDO

B. Circuito lgico OR:


Implemente en Proteus ISIS, el circuito de la figura siguiente.

SW-A

SW-B
LAMPARA
12V

B1
12V

Manipule el estado de los interruptores ( SW-A y SW-B), observe y


anote el estado de la lmpara en la tabla siguiente.
Variables de control
SW-A
OFF
OFF
ON
ON

SW-B
OFF
ON
OFF
ON

Respuesta
Estado de Lmpara
APAGADO
PRENDIDO
PRENDIDO
PRENDIDO

C. Circuito lgico NOT:


Implemente en Proteus ISIS, el circuito de la figura siguiente.

SW-A

I1
0.5A

LAMPARA
12V

Manipule el estado del interruptor ( SW-A), observe y anote el estado de


la lmpara en la tabla siguiente.
Variable de control
SW-A
OFF
ON

Respuesta
Estado de Lmpara
PRENDIDO
APAGADO

D. Circuito lgico NAND:


Implemente en Proteus ISIS, el circuito de la figura siguiente.

SW-A

I1
0.5A

SW-B

LAM
12V

Manipule el estado de los interruptores ( SW-A y SW-B), observe y


anote el estado de la lmpara en la tabla siguiente.
Variables de control
SW-A

SW-B

Respuesta
Estado de Lmpara

OFF
OFF
ON
ON

OFF
ON
OFF
ON

PRENDIDO
PRENDIDO
PRENDIDO
APAGADO

F. Circuito lgico XOR a nivel de conmutadores fsicos:


Implementar el circuito de la figura siguiente.

SW-A

SW-B

SW -SPDT

SW-SPDT

BATERIA

LAMP

12V

12V

Manipule
el
estado
de los interruptores (SW-A y SW-B), observe y anote el estado de la
lmpara en la tabla siguiente.
Variables de control
SW-A
OFF
OFF
ON
ON

Respuesta
Estado de Lmpara
PRENDIDO
APAGADO
APAGADO
PRENDIDO

SW-B
OFF
ON
OFF
ON

G. Circuito lgico XNOR a nivel de conmutadores fsicos:


Implementar el circuito de la figura siguiente.

Manipule el estado de los interruptores (SW-A y SW-B), observe y


anote el estado de la lmpara para completar los datos de la tabla.
Variables de control
SW-A

SW-B

Respuesta
Estado de Lmpara

OFF
OFF
ON
ON

OFF
ON
OFF
ON

SW-A
SW-SPDT

APAGADO
SW-B
PRENDIDO
PRENDIDO
SW-SPDT
APAGADO

LAMP

I1

12V

0.5A

Anote sus observaciones:


Con los trabajos hechos se pude ver de cmo es que funcionan los
circuitos, la lmpara cumple la de dar un mensaje de verdadero o falso
sea si prende es verdadero y si no es falso los switch se comportan
como variables de entrada verdad o falso (deja fluir la corriente o lo
desconecta) o abecs realiza la accin de cortocircuitarlos o mandarlos a
tierra.
Anote sus conclusiones:
De los trabajos hechos se puede concluir como es que lo han llevado las
aplicaciones lgicas de la matemtica a los circuitos electrnicos todas
las aplicaciones que se cumplen en la matemtica se cumplen en los
circuitos realizados tan solo varia en las denotaciones.
3.3. Circuitos Lgicos a nivel de conmutadores electrnicos
A. Funcin lgica NOT a nivel de transistores MOSFET
Implemente el circuito de la figura siguiente.
Manipule el estado del interruptor SW1 y anote en la tabla el valor que
mide el voltmetro.

Variable de control
SW1

Respuesta en Voltmetro
Medida en Voltios
Estado lgico

0V (tierra)
5V (fuente)

5 V
0 V

1 (ON)
0 (OFF)
Q1

PMOSFET

SW1
SW -SPDT

Q2

0.00
Volts

NMOSFET

B. Funcin lgica NAND a nivel de transistores MOSFET


Implemente el circuito de la figura siguiente.
Manipule el estado de los interruptores (SW2 y SW3) y anote en la tabla
el valor que mide el voltmetro.

Q3

Q6

PMOSFET

PMOSFET

SW3
SW-SPDT

Q4
NMOSFET

+5.00
Volts

SW2
SW-SPDT

Q5
NMOSFET

Variables de control
SW2
SW3
0V (tierra)
0V (tierra)
5V (fuente)
5V (fuente)

0V
5V
0V
5V

(tierra)
(fuente)
(tierra)
(fuente)

Respuesta en Voltmetro
Medida
en Estado Lgico
Voltios
5V
1
5V
1
5V
1
0V
0

C. Funcin lgica NOR a nivel de transistores MOSFET


Implemente el circuito de la figura siguiente.
Manipule el estado de los interruptores (SW4 y SW5) y anote en la tabla
el valor que mide el voltmetro.

SW4

Q6
PMOSFET

SW-SPDT

Q3

SW5

PMOSFET

SW-SPDT

+5.00

Q4

Q5

NMOSFET

NMOSFET

Volts

Variables de control
SW4
SW5
0V (tierra)
0V (tierra)
5V (fuente)
5V (fuente)

0V
5V
0V
5V

(tierra)
(fuente)
(tierra)
(fuente)

Respuesta en Voltmetro
Medida
en Estado Lgico
Voltios
5V
1
0V
0
0V
0
0V
0

D. Funcin lgica NAND a nivel de transistores BIPOLARES


Implemente el circuito de la figura siguiente.
Manipule el estado de los interruptores (SW6 y SW7) y anote en la tabla
el estado el LED (D3) y el valor que mide el voltmetro.

R1

R2

4k

1.6k

LED-RED

Q5

SW-SPDT

2N3904

Q4
2N3904

mA

0.00

Q3
2N3904
+4.98

SW7
R4
Q6

SW-SPDT

2N3904

0.00

220k

D4

SW6

Volts

R3

D2

D1

DIODE

DIODE

1k

Volts

Variables de control (entradas)


SW6
SW7
0V (tierra)
0V (tierra)
0V (tierra)

5V (fuente)

5V (fuente)

0V (tierra)

5V (fuente)

5V (fuente)

Respuesta
LED
Medida en Voltios
NO
4.98
ENCIEND
E
NO
ENCIEND
E
NO
ENCIEND
E
NO
ENCIEND
E

4.98
4.98

A
n
o
t
e

0.00

sus observaciones:
De los trabajos se puede observar cmo es que podemos enviar corriente en un
mismo sentido gracias a los diodos; podemos tambin observar cmo es que
funcionan los circuitos lgicos; los transistores tienen muchas funcionalidades
uno de sus funciones es la de un interruptor.
Anote sus conclusiones:
Se aprendi a cmo utilizar los circuitos lgicos a nivel de transistores
bipolares y transistores MOSFET los transistores bipolares est formados por
dos diodos de tipo PNP y NPN los transistores bipolares son conocidos
universalmente como transistores los transistores de efecto de campo FET,
donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta
es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.
4. TALLER DE EJERCICIOS.
5. CUESTIONARIO
Adjuntar informacin de circuitos basados en transistores MOSFET
y BIPOLARES que implementen la funcin lgica NAND tri-state.

El transistor bipolar como amplificador de tensin.


Amplificacin de tensin
Si se intercala una carga en el circuito de colector (por ejemplo, un resistor o un
circuito resonante), la corriente alterna de salida ic producir una cada de tensin
vc La relacin entre esta tensin y la tensin de entrada vb ser la ganancia de
tensin o amplificacin del circuito.

La amplificacin de tensin puede calcularse muy simplemente partiendo de la


trasconductancia.

El transistor de efecto de campo (TEC o FET):


caractersticas funcionales.
La diferencia fundamental entre el transistor bipolar y el TEC reside en que el
transistor bipolar es controlado por corriente (prrafo 1-3), mientras que el TEC es
controlado por tensin (este tipo de transistor es asimilable a un pentodo, salvo en
lo que respecta a tensiones mximas de funcionamiento) La Fig. 14 muestra las
caractersticas de entrada y salida de los dos tipos actualmente en uso (TEC)
canal N y TEC canal P) La teora general de su aplicacin como elemento de
circuito (amplificacin, polarizacin, etc.) es idntica a la del pentodo, pudindose
recurrir a la abundante bibliografa que trata el tema para una mayor
profundizacin sobre el particular.

Transistor
de efecto de campo
(TEC).

El transistor de efecto de campo con compuerta aislada


(MOS)
El transistor MOS es otro elemento controlable por tensin; la diferencia con el
TEC reside en que la entrada est totalmente aislada (no es un diodo polarizado
en sentido inverso, tal como ocurre en el TEC o en el pentodo) Su operacin como
amplificador es asimilable al TEC, si bien los circuitos de polarizacin pueden
diferir un poco. Esto se debe a que la compuerta suele requerir un potencial de
continua de polaridad opuesta al caso del TEC (por ejemplo, el TEC de canal N se
polariza con tensin negativa, mientras que ciertos tipos de MOS se polarizan con
tensin positiva) La Fig. 15 resume las principales caractersticas del transistor
MOS.

Transistor MOS,
a) Entrada;
b) salida

BIBLIOGRAFA

Problemas de circuitos y sistemas digitales McGraw-Hill