INTRODUCCIN

Esta prctica consiste principalmente en calcular voltaje de entrada

mediante el uso de una fuente de alimentacin las diferentes corrientes y
tensiones arrojadas por el tester con el fin de calcular la resistencia que ofrece
un diodo. Con el fin ltimo de graficar e interpretar la curva caracterstica que
este diodo genera.

MARCO TERICO

SEMICONDUCTOR:
Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre.
QUE ES UN DIODO SEMICONDUCTOR:
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor
como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene
portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y
una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos),
llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin.
El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es
donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente
de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al
flujo de los electrones).
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO
Tensin umbral, de codo o de partida (V): La tensin umbral
(tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en
valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de
la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin
umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad
de corriente.
Corriente mxima (I max): Es la intensidad de corriente mxima que
puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es
funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre
todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is): Es la pequea corriente que se
establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares
electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por
cada incremento de 10 C en la temperatura.
Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por
la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin

de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin,

aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo
puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Efecto avalancha
(diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrnhueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa
cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a
su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones
de valencia y liberndolos a su vez.
Efecto Zener (diodos muy dopados): Cuanto ms dopado est el
material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo
elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la
distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo,
el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm.

MATERIALES:

Un Tablero PB 3000.
Una Fuente.
Cables.
Tester.

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:

Para el siguiente circuito completar la tabla de valores (Voltaje mnimo

de conduccin de un diodo es: 0,493 v).

Tabla De Valores

VR
220

V R5 (v)

V Diodo (v)

0,00

0,00

0,05

0,40

0,15

0,45

0,43

0,50

1,04

0,55

2,20

0,60

0,01

4,51

0,65

0,02

8,33

0,70

0,03

I=

0
2,27 x

104

6,81 x

104

1,95 x

10

4,72 x

103

9
8
7
6
5
VR5

VR5 (V)

4
3
2
1
0

VDiodo

GRAFICA

ANALISIS DE RESULTADO
Se puede observar que a medida que se aumente el voltaje en el diodo,
se registran mayores voltajes en la resistencia. Al ir aumentando estos voltajes
las intensidades a obtener tambin deberan presentar este comportamiento.
Tomando en cuenta esto ltimo es fcil predecir el comportamiento de la
grfica, sin embargo es necesario acotar que para cada voltaje obtenido no
existe una proporcin. En la grfica se refleja una curva ascendente, que en un
principio muestra un crecimiento muy suave y en cierto momento la curva
aumenta, esto coincide con las expectativas generadas durante la elaboracin
de la experiencia.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Diodo_semiconductor
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Curva_caracter.C3.ADstica_del_diodo