TECNOLOGIAS DIGITALES

Jessica Marcela Cardona Reinoso

Elizabeth Villamil Villamil.
jemacare88@gmail.com
elvivi@latinmail.com

En las tecnologas digitales, encontramos la TTL (lgica de transistor a transistor), la RTL (lgica de transistor a
resistencia), y por ultimo, la tecnologa CMOS, que es la mas rpida y la que consume menos potencia que las otras
familias MOS.

1. INTRODUCCION
En el presente trabajo, encontraremos el significado,
las aplicaciones, los voltajes de entrada y salida, de
cada tecnologa, como lo son la TTL, la RTL, y la
CMOS, adems las caractersticas esenciales que cada
una de ellas posee.

pequea corriente de fuga (Iih). Un voltaje de entrada

bajo polariza directamente (enciende) la unin y con
esto retorna a tierra una corriente relativamente
grande (Iil) a travs de la fuente de seal.

Tambin, los diagramas correspondientes, a cada uno

de ellos.
2. TECNOLOGIA TTL (LOGIC-TRANSISTORSTRANSISTORS).
En este momento, la familia lgica de transistor a
transistor (TTL) todava disfruta de un extenso uso en
aplicaciones que requieren de dispositivos SSI y MSI.
El circuito lgico TTL bsico es la compuerta NAND.
Todos los circuitos TTL tienen una estructura
semejante a la compuerta NAND bsica.
La entrada de cualquier tipo TTL ser el ctodo; de
este modo, un voltaje de entrada alto polariza
inversamente (apaga) la unin y solo circulara una

Fig.1. Compuerta NAND en colector abierta utilizada

para alimentar un LED.

Tabla 1. Niveles de voltaje, tecnologa TTL

MNIMO
Vol
Voh
Vil
Vih

2.4

TIPICO
0.1
3.4

MXIMO
0.4
0.8

2.0

V V min V min 400mV

nh

oh

ih

(1)

La tabla proporciona los niveles de voltaje de entrada

y salida para la serie 74 estndar. Los valores
mnimos y mximos que se muestran, son para las
peores circunstancias de fuente de alimentacin,
temperatura y condiciones de carga. La inspeccin de
la tabla revela una salida 0 lgica mxima garantizada
Vol=0.4 V, que es 400 mV menor que el voltaje 0
lgico que se necesita en la entrada Vil=0.8 V. Esto
significa que el margen de ruido dc en estado bajo
garantizado es 400 mV es decir:

V V max V max 400mV

nl

il

ol

(2)

Los voltajes nominales mximos absolutos ms all

de los cuales la vida til del circuito integrado puede
deteriorarse. Los voltajes aplicados a cualquier
entrada de los circuitos integrados de la serie 74
nunca deben exceder de +5.5 V. Un voltaje mayor que
+5.5 V aplicado a un emisor de entrada puede
ocasionar una ruptura.
Existe tambin un lmite sobre el mximo voltaje
negativo que se puede aplicar a una entrada TTL, este
limite es de -0.5 V, es ocasionado por el hecho de que
muchos circuitos TTL emplean diodos de proteccin
en paralelo en cada entrada.
Las caractersticas de la tecnologa utilizada, en la
familia TTL, condiciona los parmetros que se
describen en sus hojas de caractersticas segn el
fabricante:
* Su tensin de alimentacin caracterstica se halla
comprendida entre los 4,75 V y los 5,25 V como se ve

*La velocidad de trasmisin entre los estados lgicos

es su mejor baza, ciertamente esta caracterstica le
hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo.
Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones
de TTL.
Con el avance que ha experimentado la tecnologa de
fabricacin desde su introduccin se han puesto en el
mercado familias mejoradas basadas en la tecnologa
bipolar.
un rango muy estrecho debido a esto, los niveles
lgicos vienen definidos por el rango de tensin
comprendida entre 0,2 V y 0,8 V para el estado L
(bajo) y los 2.4 V y VCC para el estado H (alto).

TTL de bajo consumo (54L/74L), esta familia se

distingue por su bajo consumo de potencia. Ello se
consigue aumentando significativamente los valores
de las resistencias de polarizacin de los diferentes
transistores, con lo que se disminuye la corriente que
circula por el sistema y con ello la potencia disipada.
Si la potencia disipada en una puerta tpica de la
familia 54/74 es de 10 mW la de la puerta equivalente
en la versin 54L/74L es de 1 mW.
El ahorro de potencia se paga con una prdida en la
velocidad: de los 10 nsg de tiempo de retardo tpico
en la familia original se pasa a unos 33 nsg de retardo
en esta familia.
TTL Schottky (54S/74S). Esta serie proporciona unos
tiempos de conmutacin menor, gracias a la
incorporacin de diodos Schottky que evitan que los
transistores entren en saturacin, disminuyendo el
tiempo que tarda el transistor en entrar y salir de la
conduccin. El retardo tpico es de 3 nsg. Y la
disipacin de potencia de 19 mW.
TTL Schottky de bajo consumo (54LS/74LS). Esta
familia proporciona un compromiso entre velocidad y
baja disipacin de potencia utilizando altos valores de
resistencias y transistores de tipo Schottky. La
disipacin de potencia tpica de una puerta es de 2
mW y el retardo de propagacin de 10 nsg.
Schottky avanzada y Shottky de bajo consumo
avanzada (AS/ALS). Estas tecnologas suponen
versiones avanzadas de las series S y LS. La
disipacin de potencia esttica tpica es de 8,5 mW

para l serie AS y 1 mW para la serie ALS. Los

tiempos de retardo de propagacin tpicos son de 1,5
nsg para AS y 4 nsg para ALS. Existe una versin AS
que se denomina F o FAST (rpida).
3. TECNOLOGIA RTL (RESISTOR
TRANSISTOR LOGIC).
La forma ms sencilla de obtener una compuerta
NOT o inversora con esta tecnologa es con el
siguiente circuito donde la resistencia de entrada tiene
un valor de 470 ohmios (resistencia en la base) y la
resistencia de salida de 640 ohmios (resistencia en el
colector).

En este caso el primer transistor est en corte (no

conduce) y la corriente que pasa por la resistencia de
que est conectada a la entrada del segundo transistor,
pasa por la resistencia conectada al colector del
primer transistor (ver grfico anterior).
Donde:
V+ = "1" lgico = 3.6 V.
0.7 voltios = tensin base emisor de un transistor en
conduccin
R1 = 470 = resistencia conectada a la base
R2 = 640 = resistencia conectada al colector
Compuerta NOR RTL Si se desea implementar una
compuerta NOR, el diagrama sera como se muestra
en el siguiente grfico.

Fig.3. Compuerta NOR en tecnologa RTL.

En este caso cada entrada tiene una resistencia de 470
ohmios y un transistor. Al final todos los colectores de
los transistores se conectan en punto comn y
comparten una sola resistencia de 640 ohmios.

Fig. 2. Conexin, tecnologa RTL.

Se asume que este tipo de compuertas se
interconectan entre ellas, siendo natural que una
salida de una compuerta RTL se conecte a una entrada
de una compuerta RTL. Siendo este el caso, es normal
que la corriente que ingresa por la base del transistor,
pase por la resistencia de 640 y la de 470 ohmios.
Cuando a la entrada hay un 1 lgico (3.6 voltios en la
tecnologa RTL), la corriente de base ser:

Ib = (+V - Vbe) / (R2a + R1b) =

Ib = (3.6 0.7) / (640 + 470) = 2.612 mA.

(3)

Compuerta NAND (No Y) RTL Se utiliza una

resistencia y un transistor para cada una de las
entradas de esta compuerta como se muestra en la
figura. En este caso (y tomando en cuenta que la
tensin colector emisor de un transistor saturado es
de aproximadamente 0.3 voltios), la tensin de salida
en nivel bajo sera de 0.6 voltios.

fantasma que ms afecta el uso comercial de estos

integrados.
Diversos estudios afirman que dicho planteamiento
no es ms que un mito ya que deben darse muchos
factores tanto ambientales, fsicos aparte de lo
elctrico para daarlos.
Dentro de las ventajas mayores que tienen los CMOS
destacan las siguientes dos:
Fig.4. Compuerta NAND, en tecnologa RTL
Hay que recordar que si este nivel de tensin (0.6
voltios) va ha servir de entrada a otro circuito RTL,
faltara muy poco para que esta seal ("0" lgico)
haga conducir el transistor de entrada (0.7 voltios en
la unin base-emisor) de la siguiente compuerta,
interpretndose errneamente esta entrada como un
"1" lgico.
La situacin anterior se presenta con una compuerta
de 2 entradas. Si se implementara una compuerta con
3 entradas, la salida "0" lgico sera de 0.9 voltios y
no se podra interpretar como nivel bajo por la
compuerta que sigue (problema, pues pondra en
conduccin el transistor cuando no debera hacerlo).
Este es uno de los problemas con las compuertas RTL
y se hace ms notorio con el aumento de la frecuencia
de operacin.
4. TECNOLOGIA CMOS (COMPLEMENTARY
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR).
Es una tecnologa utilizada para crear compuertas
lgicas. Consiste bsicamente en dos transistores,
uno PFET y otro NFET. De esta configuracin resulta
el nombre.
Los chips CMOS consumen menos potencia que
aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen
especial atractivo para emplearlo en componentes que
funcionen con bateras, como los ordenadores
porttiles. Los ordenadores de sobremesa tambin
contienen dispositivos de memoria CMOS de bajo
consumo de potencia para almacenar la fecha, hora y
configuraciones (BIOS).
Existen diversos tipos de pros y contras contra estos
circuitos, siendo el problema del dao esttico el

* Funcionan con tensiones desde los 3 V hasta los 15

V por ende no necesitan una fuente de voltaje
dedicada para ellos.
* Se ha demostrado que un CMOS determinado tiene
muchas ms aplicaciones (o dichas aplicaciones
trabajan mejor en CMOS) que en un TTL.
La lgica CMOS ha emprendido un crecimiento
constante en el rea de la MSI, principalmente a
expensas de la TTL, con la que compite directamente.
El proceso de fabricacin de CMOS es mas simple
que el TTL y tiene una mayor densidad de
integracin, lo que permite que se tenga mas circuitos
en una rea determinada de substrato y reduce el
costo por funcin. Los CMOS utilizan solamente una
fraccin de la potencia que se necesita aun para la
serie TTL. Aunque por lo general la familia CMOS es
ms lenta que la familia TTL.
Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas
CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden
estar muy cercanos a 0V para el estado bajo y a
+Vdd, para el estado alto. Lo anterior es el resultado
directo de la alta resistencia de entrada de los
dispositivos CMOS, que extrae muy poca corriente de
la salida CMOS a la que esta conectada.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para los
dos estados lgicos se expresa como un porcentaje del
voltaje de alimentacin. Vil (mx.) esta especificado
como el 30% de Vdd, y Vih (min.) como el 70% de
Vdd.
Cuando un CI CMOS funciona con Vdd=5V, aceptara
cualquier voltaje de entrada menor que Vil
(mx.)=1.5V como bajo, y cualquier voltaje de
entrada menor que Vih (min.)=3.5V como alto.

Vol (mx.) = 0V, Voh (min.)= Vdd, Vil (mx.)=30%

Vdd, Vih (min.) = 70% Vdd.
5. CONCLUSIONES
Del anterior trabajo se puede concluir que:
I. La tecnologa ha sido siempre un medio importante
para crear entornos fsicos y humanos nuevos, en
donde logramos una interaccin directa con la
ciencia, como es en caso de las tecnologas, vistas
anteriormente, puesto que mediante ellas, logramos
crear dispositivos, que nos permiten realizar tareas, de
una manera ms fcil y practica.
II. Para el buen funcionamiento de los dispositivos,
con los que vamos a trabajar, sin importar la
tecnologa que estamos usando, es de vital
importancia, conocer los voltajes que ellos manejan,
para lograr un uso adecuado de estos dispositivos, y
una excelente interaccin entre ellos.
III. Dependiendo de la tecnologa, as mismo va a
variar, los voltajes aplicados, y los entregados por el
dispositivo, adems, su estructura interna y la
velocidad con la que trabajan, tambin es diferente,
haciendo de cada tecnologa, un medio til para
trabajar dependiendo del campo en que sea necesario.
REFERENCIAS
Tokheim, Roger L. Principios Digitales Mc Graw
Hill.
www.monografas.com