UNIVERSIDAD NACIONAL SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

FACULTAD
DE CIENCIAS FISICAS, QUIMICAS E INFORMATICAS

MICROELECTRONICA

TRABAJO DE INVESTIGACIN
REDACCION Y COMPOCICION CASTELLANA
INTEGRANTES:
WARREN STEPHEN ARONI SOTO 100505
HOLGUINO-BORDA-MENAHEN RUBEN 042203
Lima - Per
2008

EL DIODO

Breve resumen.
En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de diodos existentes, en cuanto a sus
caractersticas, su principio de funcionamiento, sus modos de conexin ms comunes y las aplicaciones de los
diodos ms usados en electrnica como el caso de los diodos Varicap, Zener, LED, el Diodo Schottky, diodo
Tunel, los fotodiodos etc..

Introduccin
Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente
elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva
caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un cort circuito con muy pequea
resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas termoinicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las
lmparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi,
basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lmparas incandescentes, los
tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente, calentndolo por efecto
Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco
circundante; electrones que son conducidos electrostticamente hacia una placa caracterstica curvada por un
muelle doble cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo
no se calienta, no podr ceder electrones.
Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se
calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Tipos de vlvula diodo

Diodo de alto vaco
Diodo de gas
Rectificador de mercurio2
Diodo pn o Unin pn Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por
lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por
separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Formacin de la zona de carga espacial Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del
cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin,

zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de
vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la
zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de
la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y
terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta
diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.3

Polarizacin directa
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del
diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen
hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de cargan espacial, cae en uno
de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de Valencia.
Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la
zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la
batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. Medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los
enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que
falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona
p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital
de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico
que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una
pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que
los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia
con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa
de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Los transistores y sus aplicaciones.

Breve resumen.
En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de transistores existentes, en cuanto
a sus caractersticas, su principio de funcionamiento, sus modos de conexin ms comunes y las aplicaciones de
los ms usados en electrnica como el caso de los transistores bipolares, Transistor de efecto campo (FET), el
fototransistor etc

Introduccin
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario:
radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles,
equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue
inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain
y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Gracias a
ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores",
televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los
aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras,
modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores
se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos
pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en
el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que
se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta
del transistor.
Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son:
Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros
tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres
tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y
base comn.2
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS,
VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor
o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al
Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su
Funcionamiento es anlogo al del trodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a

Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han
permitido la integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas
Distintos encapsulados de transistores
Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor,
que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.