06-08-2015

Teora de Zonas
Constituye una etapa superior del Modelo de
Electrones en una Caja.
Tiene en cuenta los cationes, el cristal.
Modelo bastante complejo.
Interaccin de ondas electrnicas con el cristal.

Interaccin de los k con los planos cristalinos.

Se trabaja en el espacio de los k, (kx ky kz ).
Ntese que k= 0 corresponde a v= 0, energa cintica nula.
Se buscan las condiciones de difraccin con los planos,
haciendo crecer k y probando en todas las direcciones
posibles.
La primera prohibicin corresponde a los planos ms denso
del cristal, la segunda al segundo y as sucesivamente.
De esta manera expresado en energas cinticas, E, para un
cristal CCC, la Primera Abertura de energas prohibidas se
asocia a satisfacer la Ley de Bragg con los planos {111},
despus {211], etc.

Otros resultados
En un cristal dado:
- todas las zonas tienen el mismo nmero de estados
disponibles:
ed1= ed2= ed3=
- el nmero de estados disponibles en una zona vale:
ed= f Na.
donde f es un factor que depende de la estructura
cristalina y Na es el nmero de tomos en el cristal

Interaccin de ondas electrnicas con el cristal,

con los planos del cristal.
Un resultado muy importante establece que los
vectores de onda electrnica k que satisfacen la
ecuacin de Bragg, son ondas prohibidas dentro del
cristal. (Difraccin interna).
Por definicin, k= 2 /: (k grande, velocidad alta)
( cortas alta energa)
El anterior resultado en trminos de k significa, a
nivel escalar, que hay algunos rangos de energa
cintica electrnica prohibidos. (Aberturas (gaps) de
energa).

N(E) segn el Modelo de Electrones en una Caja

y segn el Modelo de Zonas.
Este ltimo considera la interaccin entre ondas
electrnicas y los planos del cristal.

General
- En un estado puede haber hasta dos electrones (P.
Excl. Pauli)
- En un cristal de valencia v y con Na tomos, habr
Ne= v Na
electrones.
- De manera que a 0 [K], el nmero de estados llenos
vale ll= Ne/2
- --------------------------------------------- De lo anterior y de ed= f Na se desprende, a 0 [K]:
ll= Ne/2= v Na/2= v ed/2f
Caso de Cu con (CCC, f=1) y v=1: ll= ed/2, sus
electrones llenan la mitad de la Primera Zona.

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Caso de Cu con (CCC, f=1) y v=1, a T= 0 [K]:

ll= ed/2

Sus electrones llenan la mitad de la Primera Zona.

EF est en la mitad de la Primera Zona, muy alejada de la
primera apertura. Hay estados libres sobre EF.

Casos del Cu y de Al, ambos metales CCC.

- Estructura CCC: f=1
- v= 1 para el Cu
y
v=3 para el Al
- ell= (1/2)*ed
y
ell= (3/2)*ed .

Lo anterior significa que en el Cu los electrones libres

acelerados (por Temperatura o por Voltaje) no
interactuarn con la Apertura de Energa, no la vern.
Esto justifica:
- Por qu el Cu conduce bien la electricidad y el calor.
- Y por qu es razonable que el primer modelo (sin
cationes y sin Aperturas de Energa) explique bien lo que
ocurre en los metales.

Caso del Ca (Z=20), metal.

- Estructura CCC: f=1
- v=2
- ell = (v/2f)*ed = (1)* ed , para el Ca
El ancho de una apertura de Energa
depende de caractersticas finas del
catin., una propiedad del material.
En el Ca hay un traslape de Zonas:
buen conductor.
((Estrictamente, a nivel vectorial, se
trata de que un vector de onda
electrnica k de magnitud k en una
direccin est en una zona y otra
direccin est en otra zona.))

Casos de C, Si y Ge diamante.
Energa del gap, Eg
C: 7eV
Si: 1,7 eV
Ge: 0,74 eV
k= 8,62 [eV/K]
Energa trmica = kT[K]
k*300 [K]= 1/40 eV ; k*6.000 [K]= 1/2 eV
N(E)

Ambos tienen estados vacos sobre EF: ambos son buenos conductores.

Casos de C, Si y Ge diamante.
- Estructura cristalina diamante: f= 2
- v= 4
- ell = (v/2f)*ed = 1* ed
T= 0 [K] (o suficientemente baja)

N(E)

EF

El ancho de la Abertura Energtica, Eg, depende del

material.
Al pasar del cristal de C, al de Si y al de Ge, se tiene
que Eg decrece.
Por sobre EF hay estados prohibidos: para que haya
conduccin, los electrones prximos al nivel de Fermi
debern superar la Abertura Eg.

Tabla de Electronegatividades
de los Elementos

Estrictamente, la distribucin de la energas E(T)

para saltar la barrera, corresponde a la
distribucin de Fermi-Dirac.

A temperaturas y/o voltajes muy altos:

- Para el C la probabilidad de salto por sobre la
Abertura es bajsima. El C diamante es el mejor
aislante elctrico (enlace covalente fuerte).
- El Si y el Ge conducen algo: semiconductores.
Pero esta conductividad es muy baja para
directa aplicacin prctica usual.

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0,025

(Estructura diamante)

Semiconductividad Intrnseca. C, Si o Ge puro

En la Banda de Valencia estn los
electrones de los enlaces.
En la Banda de Conduccin estn, de
haberlos, los electrones libres.
Modelo de Bandas de Energa.
(Energa en el eje vertical

Modelo basado en Enlaces

Al excitar al cristal un electrn enlazado

(Banda de Valencia) podra pasar a
convertirse en un electrn libre (Banda
de Conduccin).
Entonces, en presencia de un campo
elctrico habr conduccin por dos
mecanismo:
- Conductividad tipo n, por el electrn
libre (Banda de Conductividad)
- Y por un hueco positivo (falta de un
electrn de enlace) en la Banda de
Valencia. Este hueco puede ser
transportado de enlace en enlace

Esquema en Estructura de Bandas de Energa

de la Conductividad Extrnseca tipo p.
Boro, v= 3

Semiconductores extrnsecos basados en Si y en Ge.

(Semiconductores dopados)
Estas matrices con v=4 se dopan
con partes por milln de impurezas (ppm)
ya sea con v= 3 (B, Al, ) o con v=5 (P, Sb, ...).
Se forman soluciones slidas de sustitucin, con estructura diamante.
Estos semiconductores se emplean en tecnologa. (As como el AsGa,
etc).
Ellos se fabrican a partir de monocristales de Si o de Ge de alta pureza,
que luego son dopados desde a una atmsfera gaseosa del dopante.

Esquema basado en Enlaces para ilustrar la Conductividad Extrnseca tipo p.

Boro, v= 3

Cada impureza genera un estado energtico adicional, por sobre EF llamado estado
aceptor, inicialmente vaco.
Al aplicarse energa, el electrn de un enlace salta a ese estado superior, ubicado
espacialmente en la impureza.
Queda un hueco positivo o vacancia positiva en los enlaces, pues falta un electrn en
ellos. Con un potencial elctrico ese hueco positivo puede viajar en una direccin
privilegiada: eso corresponde a conductividad elctrica tipo p n(positiva).