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Multmetro no
Teste de
Componentes
Introduo
Ao deixar este curto-circuito, dever todavia obter-se uma leitura bastante baixa,
uma vez que o tiristor entrou em conduo, e a corrente dever ser suficiente para
proporcionar a manuteno deste estado (a corrente poder ser insuficiente para
produzir o efeito de manuteno) .
Se uma das pontas de prova se desligar e voltar novamente a ligar, o tiristor dever
bloquear (no conduz), obtendo-se novamente uma leitura de elevada resistncia.
Teste/anlise de um alto-falante com um multmetro
Veja, agora, a ilustrao apresentada na figura 6. Com um multmetro pode-se
medir a resistncia da bobina e, em certos casos, provocar o movimento do cone
do alto-falante. Se utilizar um multmetro analgico, dever selecionar a escala x1,
colocando uma ponta de prova fixa num dos terminais do alto-falante e com a outra
ponta de prova raspa-se no outro terminal. O ponteiro dever deslocar-se sobre a
escala (indicando o valor da resistncia da bobina) e deve ouvir-se um pequeno
rudo produzido pelo movimento do cone do alto-falante.
Se utilizar um multmetro digital, ele indicar a resistncia da bobina, mas o altofalante no produzir rudo.
Se o ponteiro do multmetro analgico no mexer (R = ), o alto-falante est aberto.
Observe a figura 7. Se o ponteiro do multmetro analgico for a zero e no sair
rudo, o alto-falante est em curto. Figura 8.
Este teste no 100% confivel. s vezes a bobina do alto-falante est boa, mas
ele est com outro tipo de defeito como, por exemplo, o cone rasgado, o entreferro
da bobina mvel sujo, etc.
Anlise de um MOSFET de enriquecimento com um multmetro
Evitar tocar com as mos nos terminais dos FET j que todos eles, mas
especialmente os de tecnologia MOS, so sensveis a cargas eltricas estticas
que podem danificar permanentemente a sua estrutura interna.
Como verificar com um multmetro se um MOSFET de enriquecimento est em
bom estado?
Vamos utilizar como exemplo o tipo BS170. que um NMOS de enriquecimento
(Enhancement). Veja a figura 9.
PN (figura 0);
indicada entre o Dreno (D) e a Fonte (S) deve ser infinita, seja qual for a polaridade
aplicada (exceto na situao de existir um diodo de proteo interno que fique
polarizado diretamente - fonte positiva em relao ao dreno); Figura 10.
negativa (preta) na fonte (S), o que ir induzir a criao do canal N entre o dreno e
a fonte;
Agora, seja qual for a polaridade aplicada pelas pontas de prova aos terminais
de dreno e de fonte, verificamos que passou a haver conduo entre eles e uma
certa resistncia que depende da dopagem do material semicondutor que forma o
canal.
uma
resistncia
infinita
(juno
PN
inversamente
polarizada),
F11. TRIAC.
circuito;
T de carga grande);
Se o capacitor tem:
seja pequeno.
Cuidados complementares
Quando se pretender medir resistores de elevado valor (aproximadamente 1 M ou
mais), no se deve tocar com as mos nos terminais do componente, uma vez que
colocaremos a resistncia eltrica prpria do nosso corpo (que elevada) em
paralelo com a resistncia que est sendo medida, o que falsear o resultado da
medio.
Colocar as pontas de prova com qualquer polaridade entre o dreno (D) e a fonte
(S). O multmetro deve indicar uma certa resistncia (que corresponde resistncia
do material semicondutor do canal N, que pode estar mais ou menos dopado).
Procedimentos
Os procedimentos sero apresentados a seguir:
Identificao da base
Devemos encontrar um par de terminais em que, medindo a resistncia num e
noutro sentido, esta seja muito elevada. Estamos em presena do emissor e do
coletor (entre C e E, diodos em oposio R ). Por excluso de partes, o outro
terminal a base;
Transistor PNP ou NPN?
Coloque a ponta de prova + ou no terminal da base e a outra ponta de prova num
dos outros terminais.