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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE

CENTRO DE CINCIAS EXATAS E DA TERRA


DEPARTAMENTO DE FSICA TERICA E EXPERIMENTAL
PROGRAMA DE PS - GRADUAO EM FSICA

E XCITAES EM C RISTAIS F OTNICOS


U NIDIMENSIONAIS
C ARLOS A LEXANDRE A MARAL A RAJO

NATAL - RN
M ARO -2012

C ARLOS A LEXANDRE A MARAL A RAJO

E XCITAES EM C RISTAIS F OTNICOS


U NIDIMENSIONAIS

Tese de Doutorado apresentada ao Programa de Ps-Graduao


em Fsica do Departamento de Fsica Terica e Experimental da
Universidade Federal do Rio Grande do Norte como requisito parcial para a obteno do grau de doutor em Fsica.
Orientador: Prof. Dr. Manoel Silva Vasconcelos
Co-orientador: Prof. Dr. Eudenilson Lins de Albuquerque

NATAL - RN
M ARO -2012

Para Pessoas Especiais:

minha famlia. Especialmente ao meu pai, Luiz


Carlos, e minha me, Antonia.

A GRADECIMENTOS
Deus.
Aos meus pais, Luiz Carlos Tavares Costa Arajo e Antonia Amaral Arajo, pela
criao, amor e carinho que sempre me deram, fazendo com que eu me transforma-se num
homem digno e honesto.
Vera Lcia Barbosa pela amizade e carinho que tem comigo e com os meus
pais.
minha namorada, Aline Rodrigues Mendes Vieira, que me deu muito apoio,
amor e carinho, alm de ter tido muita pacincia nos meus momentos de estresse.
Ao meu orientador, professor Dr. Manoel Silva Vasconcelos, pela orientao,
discusses e, principalmente, por tudo que sempre fez por mim desde a graduao at
hoje.
Ao professor Dr. Eudenilson Lins de Albuquerque, meu orientador no mestrado
e co-orientador neste trabalho, pela contribuio intelectual, que adquiri nas orientaes
e disciplinas ministradas, pela coraborao nos trabalhos da tese e pelos conselhos.
todos os professores do IFMA, campus So Lus - Monte Castelo, que contriburam durante a minha graduao.
Aos todos os amigos que fiz no Departamento de Fsica Terica e Experimental DFTE.
todos os professores do DFTE, especialmente aqueles que contriburam para a
minha formao durante a ps-graduao.
todos os funcionrios deste departamento, especialmente Celina Pinheiro
pelo zelo e eficincia nos servios prestados.
CAPES, CNPq e FAPEMA pelo apoio financeiro.

ii

A imaginao mais importante que o conhecimento.


Conhecimento auxilia por fora, mas s o amor socorre por
dentro. Conhecimento vem, mas a sabedoria tarda.
(Albert Einstein)

iii

R ESUMO
Neste trabalho, apresentamos um estudo terico da propagao das ondas eletromagnticas em estruturas de multicamadas denominadas de Cristais Fotnicos. Para este
fim, investigamos os band gaps dos polaritons de fonons em multicamadas peridicas e
quasi-peridica (tipo Fibonacci), compostas por dois materiais com ndices de refrao
positivo e negativo na regio de terahertz (THZ). O comportamento dos band gaps polaritnicos como uma funo do perodo da multicamada investigado sistematicamente.
Utilizamos um modelo terico baseado no formalismo da matriz de transferncia com o
objetivo de simplificar a lgebra envolvida na obteno da relao de disperso dos polaritons de fonons (modos de volume e superfcie). Tambm, apresentamos uma anlise
quantitativa dos resultados, apontando para a distribuio das larguras das bandas polaritnicas permitidas para altas geraes de Fibonacci, que nos d uma boa compreenso
sobre sua localizao e leis de potncia. Calculamos o espectro de emitncia da radiao eletromagntica, na frequncia de THz, incidente normalmente e obliquamente (modos polarizados s e p) sobre uma estrutura unidimensional de multicamadas composta
por materiais com ndices de refrao positivo e negativo organizados periodicamente
e quasi-periodicamente. Modelamos o material com ndice de refrao negativo por um
meio efetivo cuja permissividade caracterizada por uma funo dieltrica dependente da
frequncia do polariton de fonon, enquanto para a permeabilidade magntica temos uma
funo tipo Drude dependente da frequncia. Semelhante ao cristal fotnico unidimensional, este meio efetivo em camadas, chamado cristal polaritnico, nos permite o controle
da propagao electromagntica, gerando regies denominadas de bang gaps polaritnicos. Os espectros de emitncia so determinados por meio de um modelo terico bem
conhecido baseado na segunda lei de Kirchoff, juntamente com o formalismo da matriz
de transferncia. Nossos resultados mostram que aparecem bang gaps ominidirecionais
no regime de THz, num intervalo bem definido, que so independentes da polarizao no
caso peridico bem como no caso quasi-peridico.

iv

A BSTRACT
In this work, we present a theoretical study of the propagation of electromagnetic
waves in multilayer structures called Photonic Crystals. For this purpose, we investigate
the phonon-polariton band gaps in periodic and quasi-periodic (Fibonacci-type) multilayers made up of both positive and negative refractive index materials in the terahertz
(THz) region. The behavior of the polaritonic band gaps as a function of the multilayer
period is investigated systematically. We use a theoretical model based on the formalism
of transfer matrix in order to simplify the algebra involved in obtaining the dispersion relation of phonon-polaritons (bulk and surface modes). We also present a quantitative analysis of the results, pointing out the distribution of the allowed polaritonic bandwidths for
high Fibonacci generations, which gives good insight about their localization and power
laws. We calculate the emittance spectrum of the electromagnetic radiation, in THZ frequency, normally and obliquely incident (s and p polarized modes) on a one-dimensional
multilayer structure composed of positive and negative refractive index materials organized periodically and quasi-periodically. We model the negative refractive index material
by a effective medium whose electric permittivity is characterized by a phonon-polariton
frequency dependent dielectric function, while for the magnetic permeability we have
a Drude like frequency-dependent function. Similarity to the one-dimensional photonic
crystal, this layered effective medium, called polaritonic Crystals, allow us the control
of the electromagnetic propagation, generating regions named polaritonic bandgap. The
emittance spectra are determined by means of a well known theoretical model based on
Kirchoffs second law, together with a transfer matrix formalism. Our results shows that
the omnidirectional band gaps will appear in the THz regime, in a well defined interval,
that are independent of polarization in periodic case as well as in quasiperiodic case.

LISTA DE FIGURAS

2.1

Cristal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2

(a) Representao esquemtica do experimento da difrao de raios X. (b) Figura


de difrao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3

Ilustrao da lei de Bragg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.4

Cristais Fotnicos Naturais. (a) Borboleta, (b) besouro e (c) peixe. . . . . . . . . . . . 11

2.5

Cristal fotnico (a) unidimensional, (b) bidimensional e (c) tridimensional. . . . . . 11

2.6

Fibra ptica com uma rede de Bragg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.7

Estrutura de bandas de um cristal fotnico tridimensional com rede cbica de face


centrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.8

Estrutura de bandas de um cristal fotnico tridimensional com rede diamante. . . . 15

2.9

Estrutura de bandas de um cristal fotnico com rede cbica de face centrada invertida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.10 Cristal fotnico tridimensional com rede cbica de face centrada invertida. . . . . . 16
2.11 Estrutura de bandas do cristal fotnico unidimensional. . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.12 Microscpio baseado no efeito de super lente e um exemplo de imagem de alta
resoluo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3.1

Representao da radiao na ptica geomtrica (a) e na ptica ondulatria (b). . . . 30

3.2

Onda plana senoidal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

vi

3.3

Onda num meio dieltrico com perdas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

4.1

Propagao esquemtica da onda em materiais com ndice de refrao positivo e


negativo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

4.2

H
eS
em materiais com ndice de refrao positivo e
Representao do tripleto E,

negativo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

4.3

Espectro de frequncia do gap polaritnico para super-rede peridica. . . . . . . . . 53

4.4

Ampliao da Figura 4.1 para a regio 17.34 THzB B 26.01 THz e 0.0 B kx dA B 0.25. 54

4.5

Espectro de frequncia do gap polaritnico considerando um cristal fotnico quasiperidico da quarta gerao da sequncia de Fibonacci. . . . . . . . . . . . . . . . . 55

4.6

Espectro do gap polaritnico contra o vetor de onda adimensional de Bloch QL


para a razo das espessuras dB ~dA

3.90, considerando a quinta gerao da super-

rede polaritnica quasi-peridica de Fibonacci. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

4.7

Estrutura de banda polaritnica plotada como uma funo do vetor de onda no


plano reduzido Kx

4.8

kx L~2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Distribuio das larguras de bandas dos polaritons de fnons, para kx dA

0.5,

como uma funo do nmero da gerao n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

4.9

representao log-log da largura total das regies permitidas versus o nmero


de Fibonacci Fn , para trs valores diferentes do vetor de onda no plano adimensional kx dA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

5.1

Representao esquemtica geomtrica da estrutura de multicamadas. As camadas


A e B tm espessuras dA e dB , respectivamente, enquanto L o tamanho de toda
a estrutura crescida sobre o substrato absorvente de espessura dS . O meio C representa o vcuo. (a) Estrutura peridica. (b) Estrutura quasi-peridica de Fibonacci.

5.2

64

Propagao esquemtica da onda em materiais com ndice de refrao positivo e


negativo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

5.3

Modo TE (ondas eletromagnticas com polarizao s) do espectro de emitncia


como uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia numa
estrutura peridica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

vii

5.4

Modo TE (ondas eletromagnticas com polarizao s) do espectro de emitncia


como uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia na estrutura quasi-peridica de Fibonacci (nona gerao). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

5.5

Ampliao da Figura 5.4 na regio de frequncia 0 @ @ 90 THz. . . . . . . . . . . . 71

5.6

Modo TM (ondas eletromagnticas com polarizao p) do espectro de emitncia


como uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia numa
estrutura peridica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

5.7

Modo TM (ondas eletromagnticas com polarizao p) do espectro de emitncia


como uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia na estrutura quasi-peridica de Fibonacci (nona gerao). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

5.8

Ampliao da Figura 5.7 na regio de frequncia 0 @ @ 90 THz. . . . . . . . . . . . 74

viii

SUMRIO

Introduo

Cristais Fotnicos

2.1

Cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2

Cristal Fotnico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.3

Evoluo Histrica no Estudo dos Cristais Fotnicos . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.4

Propriedades dos Cristais Fotnicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

2.5

Algumas Aplicaes dos Cristais Fotnicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.5.1

Fibras de Cristais Fotnicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.5.2

Circuitos Fotnicos Integrados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2.5.3

Modificao da Emisso Espontnea . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.5.4

Isoladores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.5.5

Elementos No-Lineares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

2.5.6

Disperso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

2.5.7

Efeito de Luz Lenta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Fundamentos de ptica Ondulatria


3.1

27

Meio ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
ix

3.2

Propagao das Ondas: Equaes de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

3.3

Equao da Onda no Vcuo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

3.4

Ondas em Meios Dieltricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

3.5
4

3.4.1

ndice de Refrao do Meio Dieltrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

3.4.2

Meio Dieltrico com Perdas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Velocidade de Grupo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de Terahertz 42


4.1

Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

4.2

Teoria Geral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

4.3

Resultados Numricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos Quasiperidicos

61

5.1

Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

5.2

Teoria Geral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

5.3

Resultados Numricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

Consideraes Finais e Perspectivas

75

Referncias bibliogrficas

79

Apndice

98

CAPTULO 1
INTRODUO

A imaginao da natureza muito, muito maior do que


a imaginao do homem."

Richard P. Feynman

As principais conquistas da cincia na obteno de novas tecnologias resultaram


de uma compreenso detalhada das propriedades que os recursos naturais disponveis no
planeta possuem. A evoluo do homem durante a Pr-Histria, desde a idade da pedra
lascada (perodo Paleoltico), passando pela idade da pedra polida (perodo Neoltico) e
pela idade do bronze, at chegar a idade do ferro, em grande parte uma histria de crescente reconhecimento das tcnicas e utenslios desenvolvidos pelo homem em cada uma
dessas pocas, associados, tambm, novas formas de produo. Nossos antepassados
construam suas ferramentas a partir dos conhecimentos que tinham acerca dos materiais encontrados na natureza, como, por exemplo, a durabilidade que a pedra possuia e a
dureza que o ferro apresentava. Em cada caso, eles aprenderam a extrair os materiais da
Terra para transform-los em objetos capazes de melhorar as suas condies de vida.
Muito tempo depois, os cientistas comearam a fazer mais do que simplesmente
melhorar o que a Terra nos fornece na forma bruta. Ao mexer com os materiais existentes,
eles produziam substncias com propriedades ainda mais desejveis, evoluindo do brilho
das primeiras ligas de bronze para a confiabilidade do ao e do concreto moderno. Hoje,
1

Captulo 1. Introduo

contamos com uma coleo de materiais totalmente artificiais com uma gama enorme
de propriedades mecnicas, graas aos avanos em pesquisas cientficas que refletiram
melhoras substanciais em vrios ramos da indstria, onde podemos destacar a metalurgia
e a cermica [1].
Desde o sculo XX, o nosso controle sobre os materiais aumentou tanto que j
podemos manipular suas propriedades eltricas. Os avanos na fsica de semicondutores
nos permitiram adequar as propriedades de conduo de certos materiais, dando incio a
revoluo do transistor na eletrnica. A partir da utilizao de novas ligas e cermicas,
cientistas tm desenvolvido, por exemplo, materiais supercondutores a altas temperaturas
e outros materiais exticos que podero servir como base para futuras tecnologias.
Nas ltimas dcadas, surgiu um novo desafio para a cincia: controlar as propriedades pticas dos materiais. Vrios dispositivos tecnolgicos, vistos apenas em filmes
de fico, se tornariam realidade se consegussemos desenvolver materiais que respondessem s ondas de luz da seguinte maneira: refletindo-a perfeitamente, em alguns intervalos de frequncias, ou confinando-a dentro de um determinado volume. Atualmente,
os cabos de fibra ptica, que simplesmente guiam a luz, esto revolucionando a indstria
de telecomunicaes. Alm disso, com o desenvolvimento de novos materiais pticos,
teramos muitos avanos na fabricao de lasers, na computao de alta velocidade e no
campo da espectroscopia, s para citar alguns exemplos de reas que seriam diretamente
beneficiadas.
A discusso feita at aqui suscita o seguinte questionamento: que tipo de material
pode nos proporcionar o controle completo sobre a propagao da luz? A resposta dessa
pergunta o objeto de estudo desta tese. Faremos uma abordagem terica de um dispositivo ptico capaz de controlar a propagao da radiao eletromagntica. Esse disposito
conhecido na literatura como Cristal Fotnico. Ele tem o comportamento anlogo ao
controle que o cristal eletrnico impem ao movimento dos eltrons. O cristal fotnico
uma estrutura que apresenta uma periodicidade bem definida no ndice de refrao,
podendo ser unidimensional, bidimensional e tridimensional. De modo anlogo ao que
ocorre num semicondutor formada uma estrutura de bandas devido periodicidade do
ndice de refrao.
Alm de investigar o comportamento da radiao eletromagntica em estruturas
fotnicas peridicas, vamos estudar um modelo cuja estrutura do cristal apresenta uma
quasi-periodicidade no ndice de refrao, dando origem a um Quasi-Cristal Fotnico .

Captulo 1. Introduo

Ele consiste em dois ou mais materiais dieltricos dispostos num padro quasi-peridico
com simetria no cristalogrfica [2]. Recentemente, tem sido demonstrado que estruturas
qiasi-cristalinas so promissoras na construo de materiais que possuem band gaps fotnicos [36].
Um quasi-cristal um material que exibe ordem de longo alcance num experimento de difrao, mas no tem periodicidade translacional. Os quasi-cristais foram
descobertos por Dan Shechtman em 1984 [7], que ganhou o Prmio Nobel em Qumica
de 2011 por esse trabalho. O pressuposto de que um cristal deve ser peridico nas trs
dimenses j tinha sido contestada pela descoberta de estruturas moduladas incomensurveis. Elas so estruturas cristalinas sujeitas a distores peridicas com um perodo que
incompatvel com o da rede subjacente. Ao contrrio de quasi-cristais, estas estruturas
podem, no entanto, ser consideradas como distores de estruturas peridicas, e o seu
grupo de pontos de simetria permitir periodicidade nas trs dimenses. Em vez de periodicidade translacional, quasi-cristais exibem outra propriedade de simetria intrigante,
isto , auto-similaridade por escala. Em quasi-cristais icosadricos e decagonais, a autosimilaridade est relacionada com as propriedades de escala da razo urea

5  1~2.

Nosso modelo de quasi-cristal fotnico obtido a partir da justaposio de dois


meios pticos, com ndices de refrao diferentes, seguindo a sequncia quasi-peridica
de Fibonacci que gerada a partir de regras substitucionais. Ela tem sido estudada em
vrias reas, incluindo-se a Matemtica, Cincia da Computao, Criptografia e, mais recentemente, na Fsica. A sequncia de Fibonacci talvez a mais antiga de todos que conhecemos. Ela foi formulada em 1202 pelo italiano Leonardo de Pisa (que era conhecido
como Fibonacci, que em latin significa filho de Bonacci ) [8], para descrever o crescimento de uma populao de coelhos. Est sequncia d origem a uma srie infinita de
nmeros que obedecem uma certa relao de recorrncia, e cuja razo, entre um nmero
da srie e seu antecessor, conduz mesma razo urea verificada nos quasi-cristais.
A estrutura de Fibonacci, que utilizamos nas simulaes numricas, pode ser
crescida experimentalmente pela superposio de dois blocos de construo A e B, de
modo que o n-simo estgio da super-rede Sn dado iterativamente pela regra de recorrncia Sn

Sn1 Sn2 , sendo n C 2, com S0

invariante sob as transformaes A


bonacci so:

B e S1

AB e B

A. A estrutura de Fibonacci tambm


A. As geraes da super-rede de Fi-

Captulo 1. Introduo

S0

B ,

S1

A,

AB ,

S2

S3

ABA,

etc.

(1.1)

O nmero de blocos de construo desta estrutura aumenta de acordo com o nmero de


Fibonacci, cuja relao de recorrncia :

Fl

com F0

F1

(1.2)

F l 1  F l 2 ,

1. A razo entre o nmero de blocos de construo A, e o nmero de

blocos de construo B, tende para o chamado golden mean number (razo urea), quando
o nmero de geraes tende para o infinito. Isto pode ser provado facilmente da seguinte
maneira: seja
F l 1
,
F l 2

(1.3)

a razo entre o nmero de blocos A e B, na l-sima gerao da sequncia de blocos.


Fazendo l

como l1

l  1 na Eq. (1.2), e substituindo na Eq. (1.3), teremos:

1

1

F l 3
,
F l 2

(1.4)

Fl2 ~Fl3 , temos que

Tomando o limite de l

1
l 1

(1.5)

na Eq. (1.5) (que equivale a fazer l

l 1

), encontraremos

a seguinte equao,

que tem como uma das solues

1
2 1

1  1

(1.6)

5. Assim, encontramos a razo urea no

Captulo 1. Introduo

nosso modelo de quasi-cristal fotnico. Daqui pra frente, vamos utilizar o termo cristal
fotnico tanto para as estruturas peridicas quanto para as estruturas quasi-peridicas de
Fibonacci.
Esta tese est estruturada em seis captulos. Este primeiro buscou apresentar,
brevemente, a evoluo histrica das aes humanas no que diz respeito manipulao
dos recursos naturais, desde a pr-histria at os dias atuais, com o objetivo de atender
suas necessidades em cada perodo histrico. Tambm, fizemos uma breve descrio sobre os cristais fotnicos, os quasi-cristais e a sequncia quasi-peridica de Fibonacci. No
segundo captulo, apresentamos um estudo comparativo entre o cristal eletrnico, que
possui uma teoria bem consolidada, e o cristal fotnico. Em seguida, apresentaremos
a evoluo histrica no estudo dos cristais fotnicos, suas propriedades e algumas aplicaes tecnolgicas.
Tambm, apresentaremos, no terceiro captulo, os fundamentos da ptica Ondulatria que norteia a propagao da luz no vcuo e em meios materiais. Aqui, definiremos
o que um meio ptico, apresentaremos as equaes de Maxwell, que descrevem o comportamento dos campos eletromagnticos na propagao da luz.
No quarto captulo, investigaremos os band gaps dos polaritons de fonons em
multicamadas peridicas e quasi-peridicas (tipo Fibonacci) compostas por materiais com
ndice de refrao positivo (SiO2 ) e ndice de refrao negativo (metamaterial) na regio
de terahertz (THz). O comportamento dos band gaps polaritnicos como uma funo do
perodo da multicamada ser investigado sistematicamente. Utilizaremos um modelo
terico baseado no formalismo da matriz-transferncia com o objetivo de simplificar a lgebra envolvida na determinao da relao de disperso dos polaritons de fonons (modos de volume e superfcie). Tambm, apresentaremos uma anlise quantitativa dos resultados, apontando para a distribuio das larguras de bandas polaritnicas de energia
permitida para altas geraes de Fibonacci, que nos dar uma boa noo sobre sua localizao e leis de potncia.
No quinto captulo, iremos calcular o espectro de emitncia da radiao eletromagntica, na frequncia de THz, que incidir normalmente e obliquamente (com polarizaes s e p) sobre uma estrutura unidimensional de multicamadas, composta por materiais com ndice de refrao positivo (SiO2 ) e ndice de refrao negativo (metamaterial
polaritnico LiTaO3 ), organizada periodicamente e quasi-periodicamente tipo Fibonacci.
Vamos modelar o material com ndice de refrao negativo por um meio efetivo cuja

Captulo 1. Introduo

permissividade eltrica  caracterizada por uma funo dieltrica dependente das


frequncias dos polaritons de fonons, enquanto para a permeabilidade magntica
temos uma funo dependente da frequncia tipo Drude. Da mesma forma que um cristal
fotnico unidimensional, este meio efetivo em camadas, chamado cristal polaritnico, nos
permitem o controle da propagao eletromagntica, gerando regies denominadas de
band gaps polaritnicos. Os espectros de emitncia sero determinados por meio de um
modelo terico bem conhecido baseado na segunda lei de Kirchoff, combinado com o formalismo da matriz-transferncia. Por fim, no sexto captulo, faremos as consideraes
finais e apresentaremos algumas sugestes de possveis extenses deste trabalho.

CAPTULO 2
CRISTAIS FOTNICOS

Os primeiros cristais fotnicos no foram projetados


nem fabricados num laboratrio, eles evoluram durante
milhes de anos na natureza."

Stefan F. Preble

Nas ltimas dcadas, a Fsica procura encontrar uma resposta para a seguinte
questo: que tipo de material pode proporcionar o controle completo sobre a propagao
da luz? Para solucionar esse problema vrios pesquisadores tm feito analogias com os
estudos, bem sucedidos, sobre os materiais eletrnicos. Esses estudos descrevem o comportamento dos eltrons dentro dos slidos cristalinos. Porm, antes de entender essa
dinmica deve-se compreender o que um cristal.

2.1

Cristal

Cristal um material cujos componentes que o compem (tomos, ons ou molculas) so arranjados em um padro que repete-se periodicamente (Figura 2.1), estendendose em uma, duas ou trs dimenses. O padro da repetio dos constituintes do cristal
7

Captulo 2. Cristais Fotnicos

no espao denominado de rede cristalina. A primeira indicao da periodicidade dos


cristais foi descoberta pelos mineralogistas no final do sculo XIX. Eles identificaram que
os ndices que definem as orientaes das faces de um cristal so nmeros inteiros [9].
Esta concluso foi confirmada, posteriormente, pela descoberta da difrao de raios X
pelos cristais.

Figura 2.1: Cristal.


No incio do sculo XX, os estudos e pesquisas da Fsica do Estado Slido (posteriormente denominada de Fsica da Matria Condensada) foram impulsionados pela
formulao de uma teoria, que explicava a difrao de raios X por uma arranjo peridico
(Figura 2.2), pelo fsico alemo Max von Laue (1879 1960). As primeiras experincias
dessa teoria foram realizadas por dois alunos de Laue, Walter Friedrich (1883-1968) e Paul
Knipping (1883-1935).
Logo depois, o britnico Willian Henry Bragg (1862-1942) e seu filho William
Lawrence Bragg (1890-1971), nascido na Austrlia, demonstraram uma relao matemtica
que estabelece a condio para que ocorra interferncia construtiva entre as ondas espalhadas pelos pontos da rede cristalina. Essa relao passou a ser conhecida como lei de
Bragg, fundamental para o estudo de estruturas cristalinas com o uso da difrao de raios
X.
Os raios X so apropriados para o estudo da difrao em cristais, porque possuem um comprimento de onda da mesma ordem que a distncia entre os tomos de um
cristal. Tambm, pode-se estudar difrao na rede cristalina de um material com feixes
de nutrons e eltrons, porm os seus resultados so mais complicados de interpretar em
comparao com a difrao de raios X, alm de serem mais difceis de executar.
Considerando uma famlia de planos paralelos separados por uma distncia d

Captulo 2. Cristais Fotnicos

(a)

(b)

Figura 2.2: (a) Representao esquemtica do experimento da difrao de raios X. (b) Figura de
difrao.

(Figura 2.3), a diferena de percurso entre os raios refletidos por planos vizinhos 2d sin ,
onde o ngulo de incidncia. Os raios refletidos pelos diferentes planos interferem
construtivamente quando a diferena de percurso igual a um nmero inteiro n de comprimentos de onda , ou seja, quando
2d sin

n.

(2.1)

A lei de Bragg satisfeita apenas para comprimentos de onda B 2d. Embora a reflexo
de cada plano seja especular, apenas para alguns valores de as reflexes de todos os
planos paralelos se somam em fase para formar um feixe difratado intenso. Essa lei
consequncia da periodicidade da rede cristalina.
O cristal apresenta um potencial peridico que impem restries a propagao
do eltron atravs dele. Assim, os constituintes do cristal e a geometria da rede determinam as propriedades de conduo do cristal.
A teoria da Mecnica Quntica em um potencial peridico explica o que j foi
um grande mistrio para a Fsica: na conduo em um cristal, por que os eltrons se
propagam como um gs difuso de partculas livres? Como os eltrons evitam serem espalhados pelos constituintes da rede cristalina? A resposta que os eltrons se propagam
como ondas, e as ondas que satisfazem determinados critrios podem viajar atravs do

Captulo 2. Cristais Fotnicos

10

Figura 2.3: Ilustrao da lei de Bragg.


potencial peridico da rede sem sofrer disperso (embora eles sejam espalhados por defeitos e impurezas).
No entanto, a rede tambm pode proibir a propagao de certas ondas. Pode
haver gaps na estrutura de bandas de energia do cristal, o que significa que os eltrons
esto proibidos de se propagar com certas energias em determinadas direes. Se o potencial da rede suficientemente forte, o gap pode estender-se cobrindo todas as direes
possveis de propagao, resultando em um gap completo na banda. Semicondutores so
exemplos de materiais que apresentam um gap completo entre a banda de valncia e a
banda de conduo. O anlogo ptico o cristal fotnico, no qual os tomos ou molculas
so substitudos por meios macroscpicos com diferentes constantes dieltricas .

2.2

Cristal Fotnico

Cristal fotnico uma estrutura formada por materiais organizados periodicamente com diferentes constantes dieltricas, conduzindo a diferentes ndices de refrao

, onde a permissividade magntica do meio. Os primeiros cristais fotnicos no

foram projetados, nem fabricados em um laboratrio, mas evoluram durante milhes de


anos na natureza [10]. Eles criam, por exemplo, as belas cores em borboletas. Para entender melhor as propriedades pticas dessas borboletas, Pete Vukusic e Ian Hooper usaram

Captulo 2. Cristais Fotnicos

11

a microscopia eletrnica [11]. Suas imagens revelam que as asas dessa borboleta contm uma intricada estrutura nanomtrica de cristais fotnicos naturais. Uma variedade
surpreendente de estruturas fotnicas naturais esto sendo descobertas no apenas nas
borboletas, mas tambm em outros insetos, pssaros e peixes (Figura 2.4).

(a)

(b)

(c)

Figura 2.4: Cristais Fotnicos Naturais. (a) Borboleta, (b) besouro e (c) peixe.
Cristais Fotnicos representam uma nova classe de meios pticos, representados
por estruturas naturais e artificiais com modulao peridica do ndice de refrao. Esses
meios pticos tm algumas propriedades peculiares que proporcionam inmeras aplicaes tecnolgicas. Dependendo da geometria da estrutura, os cristais fotnicos podem
ser divididos em trs grandes categorias: unidimensionais, bidimensionais e tridimensionais (Figura 2.5).

Figura 2.5: Cristal fotnico (a) unidimensional, (b) bidimensional e (c) tridimensional.
Nos cristais fotnicos unidimensionais h modulao peridica da permissividade eltrica apenas em uma direo, enquanto nas outras duas direes da estrutura
ela uniforme. Como exemplo deste tipo de cristal fotnico temos a rede (ou grade) de
Bragg (Figura 2.6), que muito utilizada para modular o ndice de refrao ao longo do
comprimento de uma fibra ptica [12]. Quando a luz, que est dentro da fibra, entra em
contato com a rede de Bragg, parte da radiao refletida e parte transmitida. A parte

Captulo 2. Cristais Fotnicos

12

refletida corresponde as ondas que tm comprimento de onda correspondente ao comprimento de onda da rede de Bragg. Alm disso, essas estruturas podem ser utilizadas
para diminuir drasticamente a reflectncia de superfcies, visando melhorar a qualidade
de lentes [13], prismas [14] e outros dispositivos pticos.

Figura 2.6: Fibra ptica com uma rede de Bragg.


Cristais fotnicos bidimensionais podem ter, comparativamente com os unidimensionais, grande variedade de configuraes, porque possuem periodicidade da permissividade ao longo de duas direes, enquanto a terceira direo do meio uniforme.
Um bom exemplo de cristal fotnico bidimensional o silcio poroso, com poros periodicamente organizados, que representado por um substrato de silcio perfurado. Outro
exemplo um sistema de hastes dieltricas organizados periodicamente no ar. Tambm,
podemos encontrar exemplos de cristais fotnicos bidimensionais na natureza. O padro
na asa da borboleta e seu jogo de arco-ris so causados pela reflexo da luz da microestrutura bidimensional sobre a asa.
Estruturas fotnicas tridimensionais tm modulao da permissividade ao longo
de todas as trs direes. Nesses cristais, o nmero de configuraes possveis maior que
nas estruturas anteriores. Muitos trabalhos cientficos dedicam-se ao projeto de novas
configuraes geomtricas, com o objetivo de ampliar as possveis aplicaes. O cristal
fotnico tridimensional mais conhecido, formado naturalmente, a pedra preciosa opala.
Esta pedra possui propriedades pticas nicas. Quando giramos a pedra na presena da
luz, ela exibe uma variedade de cores. Devido a esse comportamento, os povos antigos
acreditavam que a opala possua alguns poderes mgicos. No entanto, sabe-se que todas
essas peculiaridades so causadas pela microestrutura da opala. Ela constituda por
uma srie de micro-esferas colocadas nos vrtices de uma rede cbica de face centrada. A
reflectncia nessa estrutura depende fortemente do ngulo de incidncia da radiao.

Captulo 2. Cristais Fotnicos

2.3

13

Evoluo Histrica no Estudo dos Cristais Fotnicos

Apesar dos cristais fotnicos terem chamado ateno apenas nas ltimas dcadas
do sculo XX, o primeiro estudo relacionado a possibilidade de controlar a propagao da
luz, utilizando uma estrutura peridica, foi publicado em 1887 [15]. Nesse trabalho, Lord
Rayleigh (1842 1919) investigou a propagao de ondas eletromagnticas num mineral
cristalino que possui planos peridicos. Esses planos organizam-se numa estrutura unidimensional, que probem a propagao das ondas, causando um estreito gap na estrutura
de bandas (band gaps). Esse gap depende do ngulo devido diferentes periodicidades
experimentadas pela luz em uma incidncia no-normal. Isso resulta numa variedade de
cores refletida pelo material, uma para cada ngulo de incidncia. Um efeito similar
responsvel pelas cores iridescentes que aparecem na natureza.
Quase cem anos depois, em 1972, Bykov [16] publicou um artigo descrevendo
a possibilidade de utilizar estruturas peridicas para o controle da emisso espontnea.
No entanto, os primeiros trabalhos que contriburam efetivamente para o progresso das
pesquisas em cristais fotnicos foram os de Yablonovitch [17] e John [18] em 1987. Esses
trabalhos dedicaram-se as possibilidades de modificao da emisso espontnea e controle da propagao da radiao usando estruturas peridicas bidimensionais e tridimensionais. Esta generalizao que inspirou o nome Cristal Fotnico. Eles foram os pioneiros
na utilizao de ferramentas do Eletromagnetismo Clssico e da Fsica do Estado Slido
no estudo dessas estruturas. Aps a publicao desses artigos, o nmero de trabalhos
dedicados a fsica e tecnologia dos cristais fotnicos aumentou consideravelmente.
Em 1990, Ho, Chan e Soukoulis [19] obtiveram a estrutura de bandas de um
cristal fotnico com rede cbica de face centrada (estrutura opala), que consistia de esferas dieltricas com alto ndice de refrao colocadas no ar. Exemplo da estrutura de
bandas desse cristal fotnico, calculada pelo mtodo de expanso de ondas planas (Plane
Wave Expansion-PWE), mostrada na Figura 2.7.
Como pode ser visto a partir da Figura 2.7, a primeira banda encontra-se dentro
da faixa de frequncia relativa de 0  0.8 (em unidades de 2c/a, onde a o parmetro
de rede do cristal e c a velocidade da luz). A segunda coincide com a primeira banda
nas sees do vetor de onda  L e  X, nos intervalos de frequncia 0  0.7 e 0  0.79,
respectivamente. Alm disso, dentro de todas as faixas de frequncia investigadas h pelo

Captulo 2. Cristais Fotnicos

14

menos um auto-estado contribuindo para a inexistncia de gaps fotnicos completos. Por


exemplo, no ponto a auto-frequncia igual a zero. Na faixa do vetor de onda  L a
auto-frequncia cresce suavemente de 0  0.8.
A existncia de auto-estados em cada ponto dessa faixa de frequncia confirma a
ausncia de gap fotnico completo. Alm disso, parece que os cristais fotnicos com esse
tipo de rede no apresentam gap completo para quaisquer valores dos ndices de refrao.
Entretanto, considerando a estrutura de bandas, pode-se concluir que estes cristais fotnicos tm gaps parciais em algumas direes de propagao (por exemplo, no ponto L no
intervalo de 0.7  0.77 no h auto-frequncias). Isso significa que a luz com frequncia
nessa faixa e propagando-se nessa direo ser refletida. Essa propriedade responsvel
pelo efeito ptico tpico de todas as opalas naturais e artificiais.

Figura 2.7: Estrutura de bandas de um cristal fotnico tridimensional com rede cbica de face
centrada.

No mesmo trabalho, foi apresentado o resultado do clculo da estrutura de banda


para o cristal fotnico com rede diamante, feito de esferas dieltrica dispostas no ar. Como
resultado, foi encontrada um gap fotnico completo na estrutura de bandas entre a segunda e terceira banda (veja Figura 2.8).
Em 1992, H.S. Sozuer and J.W. Haus [20] calcularam a estrutura de bandas do
cristal fotnico com rede cbica de face centrada invertida (tambm conhecida como opala
invertida) que apresentada na Figura 2.9. O termo opala invertida significa que ao invs
de esferas dieltricas colocadas no ar, a rede cbica de face centrada invertida consiste de
um nmero de cavidades esfricas separadas por defletores com maior ndice de refrao
(veja Figura 2.10). Verificou-se que essas estruturas tm gap fotnico completo para valores
relativamente altos do ndice de refrao do material. A estrutura de bandas da opala
invertida (Figura 2.9) tem gap fotnico completo entre a oitava e nona bandas.

Captulo 2. Cristais Fotnicos

15

Figura 2.8: Estrutura de bandas de um cristal fotnico tridimensional com rede diamante.

Figura 2.9: Estrutura de bandas de um cristal fotnico com rede cbica de face centrada invertida.
O surgimento de gaps fotnicos completos em cristais fotnicos com rede cbica
de face centrada invertida atraiu um interesse especial, porque essas estruturas possibilitariam a produo de cristais fotnicos em larga escala.
Em 1998, a opala invertida artificial foi obtida experimentalmente [21]. O dimetro
das esferas tinha aproximadamente 1m, e a distncia que as separa muito irrisria fazendo
com que elas quase se toquem. Do ponto de vista tecnolgico, muito mais fcil crescer a
estrutura com esses parmetros do que com grandes distncias. Assim, suas posies podem ser facilmente bloqueadas. O ndice de refrao do material entre as esferas (TiO2 )
2.8, que muito pequeno para formar gap fotnico completo. No entanto, quando a Slica
usada, h possibilidade de gap fotnico completo para alguns parmetros geomtricos.
Em 2000, foi obtido o primeiro cristal fotnico tridimensional que apresentava gap
fotnico completo prximo do infra-vermelho [22]. Esse cristal fotnico era constitudo
por esferas de silcio arranjadas numa rede diamante.

Captulo 2. Cristais Fotnicos

16

Figura 2.10: Cristal fotnico tridimensional com rede cbica de face centrada invertida.
Desde 1987 e at 2005 mais de dez mil obras impressas (livros, artigos, etc) dedicadas aos cristais fotnicos e dispositivos baseados em cristais fotnicos foram publicadas.
No entanto, boa parte desses trabalhos dedicaram-se ao estudo de fibras microestruturadas que possuem propriedades nicas, com a possibilidade de modificar parmetros e
caractersticas dentro de uma larga faixa de frequncia, e cristais fotnicos unidimensionais produzidos na forma de lasers com refletores de Bragg distribudos ou na forma de
fibras com rede (ou grade) de Bragg.
Apesar da tecnologia atual no dispor de muitas tcnicas para a produo de
cristais fotnico bidimensionais e tridimensionais, existem muitas possibilidades de aplicaes tecnolgicas dessas estruturas. Dentre elas destacam-se a modificao da emisso
espontnea, os isoladores pticos, elementos no-lineares e fibras microestruturadas.

2.4

Propriedades dos Cristais Fotnicos

As propriedades pticas dos cristais fotnicos so determinadas pela existncia


da modulao peridica da permissividade ou do ndice de refrao do meio. Por isso, os
efeitos observados tm forte analogia com os do estado slido, isto , a estrutura fotnica
arranjada periodicamente assemelha-se a dos tomos numa rede cristalina. Tal semelhana possibilita fazer uso das propriedades e mtodos de clculos que aplicam-se na
fsica do estado slido.
Dentre as semelhanas entre a fsica dos cristais fotnicos e a fsica do estado
slido destacam-se:

Captulo 2. Cristais Fotnicos

17

Modulao peridica do ndice de refrao em um cristal fotnico forma uma rede


semelhante a rede atmica do estado slido.
Comportamento dos ftons nos cristais fotnicos semelhante ao comportamento
do par eltron-buraco numa rede atmica.
A periodicidade da rede de ambos provoca o aparecimento de um gap na estrutura
de bandas (band gaps), ou seja, intervalo de energia inacessvel partcula dentro da
estrutura.
Do ponto de vista terico, a determinao das auto-funes num cristal fotnico
muito semelhante ao clculo da funo de onda de uma partcula no estado slido.
Essa similaridade usada para obter a estrutura de bandas fotnica.
No entanto, alm da forte similaridade, existem algumas diferenas essenciais.
Uma das principais diferena a distribuio da energia das partculas. Eltrons obedecem a distribuio de Fermi-Dirac e ftons obedecem a distribuio de Bose-Einstein.
Alm disso, eltrons so afetados pelo campo intra-cristalino, que necessariamente deve
ser levado em conta nos clculos. A forma deste campo intra-cristalino desconhecida.
Por isso, utilizam-se mtodos aproximativos como o mtodo k-p. Ftons no so afetados
pelo campo intra-cristalino. Por esse motivo, o clculo da distribuio do campo ptico
ou estrutura de bandas fotnica essencialmente simplificado.
A propriedade mais importante, que determina a aplicao prtica dos cristais
fotnicos, a presena do gap fotnico (photonic band gaps). Esse gap fotnico refere-se a
energia ou intervalo de frequncia proibida para a propagao da luz dentro da estrutura.
Quando a radiao incide, com frequncia pertencente ao intervalo de valores proibidos
pela estrutura, completamente refletida. No entanto, se for introduzido um defeito na
estrutura fotnica peridica, temos como resultado um efeito parecido ao apresentado
pelos semicondutores que tem um defeito na sua estrutura cristalina. Isto significa que
novos auto-estados aparecem dentro da regio proibida com energias correspondentes as
auto-frequncias do defeito. Assim, a radiao ir se propagar dentro da frequncia do
defeito, possibilitando sua propagao dentro da estrutura numa regio anteriormente
proibida. Quando introduz-se mltiplos defeitos na estrutura a propagao da radiao
conduzida como um guia de ondas.
Assim, existe uma forte analogia entre a Fsica dos Cristais Fotnicos e a Fsica do
Estado Slido, tanto do ponto de vista terico quanto do ponto de vista matemtico.

Captulo 2. Cristais Fotnicos

18

A estrutura de bandas do cristal fotnico a caracterstica que fornece mais informaes acerca de suas propriedades. Ela representada por um nmero de auto-estados
ou auto-frequncias de uma estrutura peridica infinita.
Auto-frequncia tambm chamada de frequncia de ressonncia da estrutura.
Uma vez que o cristal fotnico uma estrutura peridica infinita, uma srie de reflexes de
Fresnel aparecem nas interfaces. Interferncia construtiva e destrutiva das ondas provoca
uma transmisso ou reflexo da radiao.
Cada conjunto de auto-estado corresponde a um valor especfico do vetor de onda
da radiao. Independente da dimensionalidade do cristal fotnico, a estrutura de bandas
representada por um grfico bidimensional. O exemplo de uma estrutura de bandas
para o cristal fotnico unidimensional dado na Figura 2.11.

Figura 2.11: Estrutura de bandas do cristal fotnico unidimensional.


O significado fsico da estrutura de bandas conectar as propriedades da radiao
com as propriedades do meio ptico onde ocorre a propagao da mesma. Na Figura 2.11
o eixo horizontal corresponde ao vetor de onda da radiao e o eixo vertical representa
as frequncias de ressonncia do meio. Vamos considerar o caso quando a radiao com
frequncia 1 incide no cristal fotnico. Depois que a radiao penetra na estrutura, ela
possui um valor para o vetor de onda permitido pela estrutura. O valor de cada vetor de
onda pode ser facilmente encontrado a partir da estrutura de bandas. Verifica-se a partir
da Figura 2.11 que o vetor de onda com valor k1 corresponde frequncia da radiao 1 .
Possuindo esse vetor de onda, a radiao propaga-se dentro da estrutura.
Agora, vamos considerar outro caso. Se a radiao tem frequncia 2 , o vetor de

Captulo 2. Cristais Fotnicos

19

onda correspondente no pertence ao intervalo cujos valores so reais. Ela possui um


vetor de onda imaginrio k2 . A parte imaginria do vetor de onda corresponde a uma
atenuao da radiao ou o seu aumento. No caso da figura Figura 2.11, k2 corresponde a
uma atenuao. A radiao com frequncia pertencente a este intervalo ser refletida pela
estrutura. No entanto, uma vez que a atenuao tem uma valor finito, antes de sofrer a
reflexo a radiao penetra um pouco na estrutura.
Esses dois casos contm princpios bsicos da anlise da estrutura de bandas
fotnica, ou seja, o meio peridico em questo apresenta intervalos de frequncia permitidos e proibidos. A radiao propaga-se dentro da estrutura apenas para valores de
frequncia pertencente ao intervalo permitido. Caso contrrio, ser refletida. As faixas de
frequncia proibidas so usualmente denominadas de gaps fotnicos. Se a radiao possui
frequncia permitida, ela assume valor do vetor de onda que pode ser encontrado a partir
da estrutura de bandas.

2.5

Algumas Aplicaes dos Cristais Fotnicos

Os cristais fotnicos so ferramentas poderosas para a manipulao de ondas


eletromagnticas. Dentre suas aplicaes tecnolgicas destacam-se: as fibras de cristais
fotnicos, os circuitos fotnicos integrados, a modificao da emisso espontnea, os isoladores pticos, os elementos no-lineares, a disperso e efeito de luz lenta (slow light
effect).

2.5.1

Fibras de Cristais Fotnicos

Uma das aplicaes mais pesquisadas a fibra de cristal fotnico, que uma nova
classe de guias de ondas pticos. Sabe-se que as fibras pticas desempenham um papel
importante na comunicao moderna. Uma fibra ptica tradicional consiste em um ncleo
central e um revestimento que o envolve. A luz guiada no ncleo ao longo da fibra ptica
por reflexo interna total, pois o ndice de refrao do ncleo maior do que o ndice de
refrao do revestimento. A fibra de cristal fotnico tem um ncleo e um revestimento

Captulo 2. Cristais Fotnicos

20

como na fibra ptica convencional, e constituda de uma estrutura dieltrica peridica


bidimensional perpendicular ao seu eixo. Essas fibras podem ser divididas em dois tipos.
Uma delas a fibra microestruturada com ndice guiado relatada pela primeira vez por
Knight, et al [23]. Fibras de cristal fotnico com ndice guiado so similares as fibras
pticas convencionais porque o ndice de refrao efetivo do ncleo maior do que o
ndice de refrao efetivo do revestimento. Elas podem ter uma constante dieltrica entre
o ncleo e o revestimento muito maior que nas fibras pticas convencionais levando a uma
grande fora de confinamento ptico. Tambm, so teis para reforar efeitos no-lineares
criando fenmenos de disperso incomuns [1]. Alm disso, importante que essas fibras
permaneam com modo nico para comprimentos de fibra suficientemente grandes. Essa
capacidade conhecida como modo infinitamente nico [24].
O outro tipo so as fibras com gap fotnico relatadas por Knight [25] e Cregan [26].
Elas so diferentes das fibras pticas tradicionais. O ncleo preenchido pelo ar e o ndice
de refrao efetivo do revestimento maior do que o do ar. Assim, a orientao da luz
explicada pelos fenmenos associados ao gap fotnico em detrimento da reflexo interna
total. Isso minimiza os efeitos de perda, as no-linearidades indesejadas e quaisquer outras propriedades indesejveis do material [1].
Fibras de cristais fotnicos podem ser superiores s fibras clssicas porque elas
podem ter menos atenuao, transmitir a luz com potncia ptica muito maior, terem
menores perdas e podem ser usadas em um nmero crescente de aplicaes em diversas
reas [27].

2.5.2

Circuitos Fotnicos Integrados

Um dos grandes desafios da Fsica do sculo XXI viabilizar a construo de Circuitos Fotnicos Integrados. Sabe-se que circuitos integrados so feitos de transistores e
de linhas de transmisso de eltrons. Nesses circuitos a informao transferida pelos
eltrons entre os transistores com linhas de transmisso. No circuito integrado fotnico,
informaes sero transferidas pelos ftons em vez de eltrons. No entanto, existem algumas dificuldades para os circuitos fotnicos integrados. O primeiro problema na sua
construo conseguir guiar ondas eletromagnticas sem perdas. Alta transmisso de
ondas eletromagnticas atravs de curvas apertadas foi demonstrada teoricamente por

Captulo 2. Cristais Fotnicos

21

Mekis [28] e experimentalmente por Lin [29]. Uma vez que as linhas de transmisso tm
ramos (ou divisores) nos circuitos integrados, os guias de ondas tambm tero ramos
nos circuitos fotnicos integrados. Um ramo para esse tipo de circuito foi simulado por
Fan [30] e outro foi realizado experimentalmente por Lin [31].
O segundo problema no caminho de uma realizao prtica desenvolver transistores pticos (ou fotnicos). Um transistor completamente ptico foi demonstrado teoricamente por Yanik [32] com cristais fotnicos no-lineares. Um interruptor ptico biestvel,
equivalente ao de um transistor ptico, foi demonstrado experimentalmente por Notomi [33]. No entanto, a combinao de tudo isso com baixo consumo de energia e alta
velocidade ainda difcil para os circuitos fotnicos integrados.

2.5.3

Modificao da Emisso Espontnea

A modificao da emisso espontnea foi a primeira aplicao dos cristais fotnicos [1722]. Por isso, ela est diretamente relacionada a origem desse cristal e desempenha
papel importante no desenvolvimento de fontes de luz. Por exemplo, cristais fotnicos
podem ser usados para aumentar a eficincia e diminuir o atual limite dos lasers semicondutores. Eles, tambm, podem desempenhar uma funo de refletor distribudo [3438].
A segunda maneira de utilizar o cristal fotnico, como elemento para a modificao de radiao espontnea, na concepo de novas fontes de radiao, principalmente. Em tais fontes, tanto cristais fotnicos puros quanto com defeitos, que formam
ressonadores de alta qualidade e provocam forte localizao da radiao dentro do defeito, podem ser usados para modificar a radiao espontnea e melhorar as caractersticas dos lasers [3945]. Dependendo do tipo de cristal fotnico a ser utilizado (com ou
sem defeito), a fonte pode ser monocromtica ou policromtica, ou seja, laser ou diodos
emissores de luz [4655].

2.5.4

Isoladores pticos

A utilizao dos cristais fotnicos como um isolador ptico, em via de regra,


reduzida. Ela restringe-se a possibilidade de localizar a radiao no interior do defeito

Captulo 2. Cristais Fotnicos

22

da estrutura peridica. Com isso, o comprimento de onda da radiao deve situar-se


dentro do gap fotnico da estrutura. Os principais dispositivos que podem ser desenvolvidos com tal propriedade so as microcavidades [5659], os guias de ondas [6066],
os divisores [6771], os engates [7278] e os combinadores [7981]. A principal funo dos
microressonadores baseada na possibilidade do cristal fotnico localizar a radiao no
interior da rea com defeito da estrutura peridica. De fato, o defeito pode ser representado pela mudana, variao de parmetros ou ausncia de alguns elementos ou grupo
de elementos.
Guias de ondas de cristais fotnicos so representados pelos chamados defeitos
lineares da estrutura peridica. Tais defeitos, possuem propriedades de guiamento dentro
de um vasto intervalo de comprimento de onda. Uma das propriedades nicas desses
guias de ondas a possibilidade de formar curvas muito acentuadas sob ngulos de at
90X [8286] e ainda maiores [8789]. Diferente do guia de onda planar, cujo princpio se
baseia na reflexo interna total, o guia de onda de cristal fotnico localiza a luz devido
presena de gaps fotnicos completos. Assim, guia de onda com base no defeito linear da
estrutura tem uma maior eficincia e mais compacto que o guia de onda planar.
Divisores representam uma classe de dispositivos pticos que permitem a diviso
da potncia ptica na proporo determinada ou dividindo-a em feixes polarizados [90
93]. O divisor baseado em cristal fotnico pode ser representado por um nmero de guias
de ondas pticos conectados em um nico ponto. Neste caso, a potncia passando do
guia de onda de entrada divida no ponto de conexo. Outro tipo de divisor baseia-se no
acoplamento de guias de ondas paralelas com a distncia entre guias reduzida [9496]. A
radiao de um guia de ondas move-se suavemente do guia de ondas de entrada para o
de sada. Variando parmetros do guia de ondas, pode-se facilmente variar uma poro
da potncia a ser transmitida pelo guia de ondas de sada.

2.5.5

Elementos No-Lineares

A introduo de materiais no-lineares dentro da estrutura peridica pode causar


o aparecimento de efeitos interessantes e at mesmo inesperados [97102]. Materiais nolineares mudam seu ndice de refrao quando so percorridos por radiao de alta intensidade. Essa variao no ndice de refrao pode causar modificaes essenciais nas carac-

Captulo 2. Cristais Fotnicos

23

tersticas dos dispositivos baseados em estruturas no-lineares. Essas possibilidades do


origem a uma nova classe de dispositivos pticos, tais como elementos de armazenamento
de informaes ptico [103107], elementos lgicos [108111] e limitadores de potncia
ptica [112114]. Solitons pticos discretos [115117] dentro do cristal fotnico no-linear
podem ser utilizados para armazenar informao. Esses solitons, controlados pela radiao, permitem implementar a informao escrita e a leitura. Um princpio do elemento
lgico ptico est baseado no fato que a potncia de um nico sinal ptico no suficiente para mudar, essencialmente, as propriedades da estrutura. Porm, quando dois
sinais incidem na estrutura no-linear, a variao no ndice de refrao aparece tal que as
propriedades pticas do cristal fotnico como um todo so alteradas, bem como a transmitncia e a reflectncia, particularmente.
Limitadores de potncia ptico podem ser usados para evitar danos em sensores
pticos devido radiao de alta intensidade. Tambm, so utilizados na normalizao
da intensidade de fontes na entrada de circuitos pticos. O seu princpio consiste no
crescimento da reflectncia da estrutura de cristal fotnico no-linear com a intensidade
da radiao. Com isso, a intensidade de sada permanece constante.

2.5.6

Disperso

A inusitada propriedade de disperso dos cristais fotnicos [118,119] permite que


eles sejam utilizados como super-primas [120124], super-lentes [125129], multiplexadores e desmultiplexadores [130134].
A luz policromtica quando incide na superfcie de um prisma, formando um ngulo com a normal superfcie, dispersada por ele, isto , raios de luz de comprimentos
de onda diferentes propagam-se em diferentes ngulos dentro do prisma. A diviso da
luz por um prismas convencional baseia-se na disperso do material. Tendo em vista que
as mudanas do ndice de refrao com comprimento de onda so muito fracas em materiais transparentes, a possibilidade de disperso em revestimento de multicamadas
limitada. Os cristais fotnicos podem ser usados para obter uma disperso espacial muito
maior. Em determinadas condies, eles exibem uma disperso maior que o material de
um prisma convencional.
Nas proximidades da borda da banda fotnica, os cristais fotnicos exibem uma

Captulo 2. Cristais Fotnicos

24

disperso cromtica causada pela variao gradual do ndice de refrao aparente, devido a curvatura da banda fotnica. Isso pode ser interpretado como efeito prisma, isto
, como uma mudana no dimetro das linhas de iso-frequncia dentro da estrutura de
bandas. Se os contornos da iso-frequncia mudar sua forma com a frequncia, a disperso pode aumentar sua magnitude consideravelmente. Essa propriedade dispersiva
ultra-forte, chamada de efeito super prisma, permite a construo de filtros pticos compactos que so altamente atraentes para aplicaes em multiplexadores, utilizados como
divisores de comprimentos de onda.
A construo de uma lente perfeita, que produzisse uma imagem, igualmente,
perfeita foi o sonho dos fabricantes de lentes durante muitos sculos. Em 1873, Ernst Abbe
(18401905), fsico e matemtico alemo, descobriu um limite de difrao fundamental na
ptica. Sempre que um objeto fotografado por um sistema ptico, tal como a lente de
uma cmera, traos finos (menores que a metade do comprimento de onda da luz) so
perdidos na imagem. A perda de informao acontece porque a luz que proveniente dos
traos finos do objeto carrega componentes com alta frequncia espacial, ou seja, ondas
evanescentes que decaem exponencialmente, resultando em uma imagem imperfeita. O
tesouro perdido , como os detalhes do subcomprimento de onda poderia ser chamado,
a razo fundamental para o limite de difrao de Abbe, que determina o menor recurso
que se pode ver atravs das lentes [135]. Em termos prticos, isso limita a resoluo de
todos os sistemas de imagem, dificultando, por exemplo, pesquisas na Biologia moderna
e na Eletrnica.
A luz emitida ou espalhada por um objeto no inclui apenas ondas de propagao, mas tambm as ondas evanescentes, que carregam os subcomprimentos de onda
dos detalhes do objeto. As ondas evanescentes decaem em qualquer meio com ndice de
refrao positivo, de modo que elas no podem ser coletadas no plano da imagem por
uma lente convencional, resultando numa imagem de difrao limitada. Uma soluo
utilizar lentes fabricadas com metamateriais que tm ndice de refrao negativo. As
primeiras ideias sobre a possibilidade de um meio com ndice de refrao negativo surgiram a partir do trabalho terico de Veselago [136] em 1967. Porm, os metamateriais s
foram efetivamente construdos no inicio deste sculo [137, 183].
Quando a lente, constituda pelo metamaterial, colocada prximo de um objeto,
as ondas evanescentes so fortemente reforadas dentro dela [139]. Aps atravessarem
a lente, essas ondas decaem novamente at que suas amplitudes atinjam seu nvel original, no plano da imagem. Por outro lado, as ondas de propagao passam atravs da

Captulo 2. Cristais Fotnicos

25

lente com refrao e frente de fase reversa ambas negativa, levando a mudana de fase
zero no plano da imagem. Ao recuperar completamente tanto as ondas de propagao
quanto as evanescentes em fase e amplitude, uma perfeita imagem criada. Um esquema
representando a suposta imagem de uma super lente mostrada na Figura 2.12.

Figura 2.12: Microscpio baseado no efeito de super lente e um exemplo de imagem de alta
resoluo.

Nas comunicaes de fibra ptica, multiplexao por diviso de comprimento de


onda uma tecnologia que permite a transmisso de mltiplos sinais pticos em uma
mesma fibra ptica, simultaneamente. Os dispositivos tecnolgicos utilizam comprimentos de onda diferentes da luz do laser para transmitir sinais diferentes, atravs de uma
nica fibra ptica. Isto leva a uma multiplicao da capacidade de comunicao. Nesta
tecnologia multiplexadores so utilizados para unir os sinais juntos e os desmultiplexadores so utilizados para dividir os sinais separados.
Usando um cristal fotnico exibindo o efeito super-prisma, desmultiplexadores
foram, teoricamente, demonstrados por Chung [140] em 2002 e realizado experimentalmente em 2006 por Momeni [141]. Multiplexadores e desmultiplexadores baseados
em guia de ondas de cristal fotnico foram, tambm, demonstrados teoricamente por
Chien [142].

2.5.7

Efeito de Luz Lenta

A luz lenta (slow light) outra aplicao importante que vem sendo amplamente desenvolvida [143145]. Esse fenmeno tem chamado a ateno de vrios pesquisadores nos
ltimos anos, pois oferece outro nvel de controle sobre as interaes entre a luz e matria.

Captulo 2. Cristais Fotnicos

26

Ela emprega a capacidade que os cristais fotnicos possuem de ter uma velocidade de
grupo ultra-baixa para comprimentos de onda especficos. Os dispositivos baseados no
efeito de luz lenta podem ser utilizados como roteadores fotnicos em redes pticas transparentes, microlaser com baixo volume modal, linhas pticas de atraso, etc.
Paradoxalmente, a luz lenta promete aumentar a velocidade das telecomunicaes
atravs de novas estruturas fotnicas, tais como ressonadores acoplados [146] e cristais
fotnicos [147, 148]. Alm do atraso do sinal, uma das principais consequncias do retardamento da luz o aumento da interao entre a luz e a matria.

CAPTULO 3
FUNDAMENTOS DE PTICA ONDULATRIA

Do gnio de Young e Fresnell, a teoria ondulatria da


luz foi estabelecida de modo to forte que a partir de ento a hiptese corpuscular no era mais capaz de recrutar
qualquer novo adepto entre os jovens."

Edmund Whittaker

At a primeira metade do sculo XVIII, muitos cientista imaginavam que a luz


fosse constituda por um feixe de minsculas partculas (chamada de corpsculos) emitidas pelas fontes de luz. Essa ideia vem dos atomistas. Eles acreditavam na natureza
corpuscular das imagens que chegavam aos olhos, imaginando que estas se formavam a
partir de um feixe de partculas do ar, existente entre o objeto e o observador, que atingia
a retina.
Por volta de 1665, surgiram as primeiras evidncias das propriedades ondulatrias
da luz. Entretanto, apenas no incio do sculo XIX a evidncia de que a luz uma onda
cresceu de modo muito convincente. Em 1873, James Clerk Maxwell (1831-1879) fez a
previso da existncia de ondas eletromagnticas e calculou a velocidade de propagao
dessas ondas. Esse desenvolvimento, juntamente com o trabalho experimental de Heinrich Hertz (1857-1894) iniciado em 1887, mostrou de maneira irrefutvel que a luz efetivamente uma onda eletromagntica.
27

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

28

Contudo, a natureza ondulatria da luz no suficiente para explicar tudo. Diversos efeitos associados com a emisso e com a absoro da luz revelam a sua natureza
corpuscular, no sentido que a energia transportada pela onda luminosa concentrada em
pacotes discretos conhecidos como ftons. Os aspectos ondulatrios e corpusculares da
luz aparentemente contraditrios foram conciliados desde 1930 com o desenvolvimento
da eletrodinmica quntica, uma teoria que explica simultaneamente esses dois aspectos.
Porm, a propagao da luz pode ser descrita melhor usando-se um modelo ondulatrio.

3.1

Meio ptico

A interao entre o campo eletromagntico e o meio a principal questo para a


compreenso dos fundamentos da propagao de ondas em guias de ondas e da operao
de muitos outros dispositivos pticos passivos e ativos.
Na discusso dos fundamentos da ptica ondulatria deve-se entender: o que
um meio ptico, quais as suas propriedades, de que maneira esse meio influencia no
campo eletromagntico, e, por fim, como descrever o campo eletromagntico e suas interaes com o meio ptico. Para resolver o problema da interao do campo com o meio,
caracteriza-se o campo dentro e fora do meio, levando em conta as alteraes impostas
pela interface entre o meio externo e o meio ptico.
As distncias entre tomos, que compem o meio, so um dos pontos chaves na
caracterizao do meio quando interage com a luz. Em dispositivos pticos e estruturas
pticas a espessura das camadas, no caso das estruturas organizadas em camadas, ou o
tamanho dos elementos, no caso dos cristais fotnicos, podem ser comparveis com o
comprimento de onda da radiao. Nesses casos, a interao da luz com o meio pode
ter efeitos diferentes, como a transparncia, reflexes total ou parcial, refrao. Em meios
pticos usados na tecnologia das ondas de luz, a distncia entre os tomos da ordem de
1 nm que pequeno comparado ao comprimento de onda da luz usada nas comunicaes
pticas (esses comprimentos variam de 0.8 a 1.6 m). Assim, o meio ptico pode ser
considerado homogneo. Alm disso, em muitos casos, o meio pode assumir um carter
isotrpico e invariante no tempo. Em geral, as propriedades de um meio ptico podem
ser descritas pela permissividade , permeabilidade e condutividade .

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

29

Em casos especiais, um meio ptico tem resposta no-linear para uma influncia
externa. Efeitos no-lineares tipo gerao de segundo harmnico, efeito Kerr, solitons e
formao de vrtices, etc., desempenham um papel mais importante na optoeletrnica
avanada e nos cristais fotnicos.
Quando , e so definidos para um material, a soluo das equaes de Maxwell
o comeo para analise da propagao da luz, tambm conhecida como ptica ondulatria. A ptica ondulatria fornece, particularmente, a soluo do problema da propagao das ondas eletromagnticas em guias de ondas pticos, isto , determinao das
amplitudes das componentes eltrica e magntica dos campos pticos, bem como suas
fases e distribuio de amplitudes no espao. Se a espessura do ncleo do guia de onda
ptico da mesma ordem do comprimento de onda, ento a propagao pode ser descrita
com poucos modos que so funes dos parmetros do guia de onda ptico e do comprimento de onda da luz. Se, por outro lado, o raio do ncleo grande comparado ao
comprimento de onda, ento muitos modos de propagao aparecem. Nesse caso, ser
mais eficaz resolver o problema por meio da ptica geomtrica.
Quando as dimenses do objeto so grandes comparadas com o comprimento de
onda da luz, um mtodo aproximativo pode ser usado para estudo da propagao da luz.
A ptica geomtrica ou raios pticos utilizam os mtodos da geometria a fim de formular
as leis da ptica. Na ptica geomtrica a concepo dos raios de luz introduzida com o
escopo de descrever os fenmenos pticos. Os caminhos percorridos pelos raios de luz em
meios heterogneos e compostos so derivados a partir da chamada equao eikonal [149].
A Figura 3.1 mostra, esquematicamente, a representao das ondas de luz na concepo da ptica geomtrica e da ptica ondulatria. A luz irradiada de uma fonte puntiforme S pode ser representada como um raio (feixe de luz mostrado na Figura 3.1a)
direcionado angularmente a partir da fonte que forma um ngulo com o eixo ptico
disposto na direo z. Este ngulo corresponde-se com o vetor de propagao da onda,
rotulado por , que tem o mesmo ngulo com o eixo ptico (veja Figura 3.1b). O vetor de
propagao caracteriza a direo de propagao da onda e a sua fase. Ele perpendicular superfcie da onda em propagao, que possui fase constante. Estas superfcies so
representadas graficamente por arcos concntricos centrados no ponto S.

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

30

Figura 3.1: Representao da radiao na ptica geomtrica (a) e na ptica ondulatria (b).

3.2

Propagao das Ondas: Equaes de Maxwell

A luz consiste de um campo eltrico e um campo magntico que oscilam em


taxas muito elevadas, da ordem de 1014 THz. Essa propagao dos campos descrita
por funes peridicas. A Transferncia de energia das ondas eletromagnticas atravs
do espao vazio realizada por campos eltricos e magnticos que trocam energias obedecendo s leis de Ampre e Faraday. A variao do campo magntico perpendicular a
do campo eltrico. Uma nica frequncia de ondas eletromagnticas exibe variao harmnica de campos eltricos e magnticos no espao. Em qualquer local fixo, a amplitude
do campo varia com a frequncia ptica. A magnitude do campo se repete depois de um
perodo de oscilao. A onda se repete no espao, depois de percorrer uma distncia ,
chamada de comprimento de onda, que na verdade o perodo espacial da onda.
Baseando-se principalmente nas ideias de Faraday sobre um ter cheio de linhas
de fora, que transmitiria as aes eletromagnticas, Maxwell, realizou uma das snteses
mais fundamentais na histria da Fsica, publicada em 1865, ao mostrar que todos os
fenmenos eltricos, magnticos e pticos podem ser descritos, unificadamente, a partir
de um conjunto de quatro equaes diferenciais, conhecidas como as equaes de Maxwell,
que podem ser escritas utilizando-se a notao vetorial. Albert Einstein descreveu esse
trabalho de Maxwell como a mais profunda e mais frutfera contribuio que a fsica
recebeu desde o tempo de Newton.
Antes de discutir a propagao da luz em estruturas pticas complexas, como os
cristais fotnicos, faz-se necessria a sua compreenso no espao livre. Para um meio
que possui cargas livres e correntes, as equaes de Maxwell, no Sistema Internacional de
Unidades (SI), so dadas por:

B
,
t

(3.1)

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

J 

31

D
,
t

(3.2)

(3.3)

0,

(3.4)

o operador nabla, que em coordenadas cartesianas dado


onde t representa o tempo e

por

x x
 y
y

z z
,

denotam os campos eltrico e magonde x, y e z so vetores unitrios. Os vetores E e H


eB
so o deslocamento eltrico e a induo magntica.
ntico, respectivamente. D

Essas equaes ilustram a lei de Faraday, a lei de Ampre-Maxwell, a lei de Gauss


para os campos eltricos e a lei de Gauss para os campos magnticos, respectivamente. A
lei de Faraday informa que a variao de um campo magntico produz um campo eltrico
que se traduz pela fora eletromotriz (fem) induzida em transformadores e indutores. A
lei de Ampre, incluindo o termo da corrente de deslocamento, descoberta por Maxwell,
mostra que um campo eltrico varivel uma fonte de campo magntico. A lei de Gauss
para o campo eltrico uma alternativa lei de Coulomb para expressar a relao entre
carga eltrica e campo eltrico. A lei de Gauss para o campo magntico, mostra a ausncia
de monopolos magnticos.
As fontes do campo eletromagntico so a densidade de carga e a densidade de
Elas so conectadas pela equao de continuidade
corrente J.

t ,

que encontrada aplicando o divergente em (3.2), substituindo (3.3) no resultado do divergente, alm de utilizar a relao

0.

No caso de meios no condutores como a slica ou outro material utilizado para


guiar ondas em dispositivos passivos, tais como fibras pticas ou guias de ondas planares,
J

0e

0. As densidades de fluxo esto relacionadas aos vetores dos campos pelas

relaes:

0 E  P ,

(3.5)

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

M
,
0 H

32

(3.6)

onde 0 ( 8.854187817  1012 C2 /N m2 ) a permissividade eltrica no vcuo e 0 (


4  107 Wb/A m) a permeabilidade magntica no vcuo, P a polarizao eltrica do
eM
a polarizao magntica do meio. Para fibras
meio, induzida pelo campo eltrico E,

pticas M

0 por causa da natureza no magntica do vidro de slica. O produto das

constantes 0 e 0 igual a
0 0

1~c2 ,

(3.7)

onde c ( 2.99792458  108 m/s) a velocidade da luz no vcuo. A resposta de cargas


eltricas individuais a um campo eltrico pode ser descrita pelas leis de Newton. O comportamento de muitos slidos em resposta a um campo eltrico pode ser bem descrito
com o mesmo tipo de aproximaes que geralmente so feitas para o estresse e para a
deformao. Considerando o estresse como uma perturbao aplicada em uma amostra
e a deformao como uma resposta da amostra perturbao. Portanto, pode-se dizer
que nesse modelo a resposta proporcional perturbao. A resposta de muitos slidos comuns a um campo eltrico aplicado tal que o campo eltrico dentro da amostra
menor que o campo eltrico aplicado. Isso similar ao slido ter produzido sua prpria
distribuio de carga, isto , tornar-se polarizado, produzindo um campo eltrico oposto
ao campo eltrico aplicado. Os materiais que possuem essa propriedade so chamados de
dieltricos.
Nesse caso, considera-se a polarizao como uma resposta do material. Acontece
que em muitas situaes teis a polarizao proporcional ao campo eltrico aplicado.
Porm, precisa-se definir a polarizao de modo que se permita medir o seu valor.
A avaliao da polarizao P requer uma abordagem da mecnica quntica. Embora essa abordagem seja essencial quando a frequncia ptica est prxima de uma
ressonncia com o meio, uma relao fenomenolgica entre E e P pode ser utilizada distante da ressonncia com o meio. Esse o caso para as fibras pticas na regio de comprimento de onda compreendida entre 0.5 m e 2 m. Tal intervalo abrange a regio de
baixa perda das fibras pticas, sendo muito interessante para os sistemas de comunicao
por fibra ptica. Nos meios lineares homogneos e dieltricos isotrpicos, a polarizao
alm de ser proporcional a ele. Em um material
est alinhada com o campo eltrico E,

anisotrpico, a polarizao e o campo no esto necessariamente na mesma direo. Em


geral, a relao entre E e P pode ser no-linear. Embora os efeitos no-lineares dos guias
de ondas pticos meream considerao de acordo com [150], eles podem ser ignorados

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

33

em algumas descries dos modos de fibras pticas.


As ondas eletromagnticas transportam energia medida que viajam atravs do
espao vazio. H uma densidade de energia associada com os campos eltricos e magnticos. A quantidade de energia transportada por unidade de rea descrita pelo vetor
1
E  B,
0

(3.8)

que chamado de vetor de Poynting. Essa expresso um produto vetorial, e desde que
ao plano
o campo magntico perpendicular ao campo eltrico, S ser perpendicular a E,
e coincidir com a direo de propagao da onda.
de B

3.3

Equao da Onda no Vcuo

No vcuo, no existe meio. Como um resultado, no existe polarizao induzida


ou corrente. Em outras palavras, P e J so iguais a zero. Portanto, as equaes de Maxwell
se reduzem a

B
,
t

(3.9)

D
,
t

(3.10)

0,

(3.11)

0.

(3.12)

Para
As quatro equaes (3.1)-(3.4) descrevem a interdependncia entre E e H.
e derivar uma equao
resolver o conjunto de equaes (3.9)-(3.12) pode-se eliminar H

para E apenas. Tomando o rotacional de (3.9) e empregando a equao (3.6), temos

 

0 0

2
E,
t2

(3.13)

onde

 t

t  0 H

0 t
 H


0 0 t
2 E.

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

34

O clculo vetorial fornece a identidade

 

E  2 E

2
E.

(3.14)

Aqui,
2

2
x2

2
y 2

2
z 2

o operador Laplaciano e (3.5) foi usada para conduzir ao resultado

0 D

D
0

0.

Portanto, a equao da onda para o campo eltrico no vcuo

2
E

1 2
E
c2 t2

(3.15)

0.

Resultado semelhante a (3.15) pode ser encontrado para a componente magntica


eliminando E nas equaes (3.9) e (3.10). A forma geral da soluo para a equao (3.15)
dada por:
E x, y, z, t
onde r

x, y, z

a E  k r  t  a E  k r  t,

o vetor coordenada, k

kx , ky , kz

(3.16)

o vetor de onda,

2 ~

a frequncia angular e o comprimento de onda. As funes E  e E  descrevem o


comportamento ondulatrio no espao (argumento k r) e no tempo (argumento t), j os
termos E  e E  so coeficientes de amplitude dependentes das condies de contorno.
O vetor de onda um vetor que especifica o nmero de onda e a direo de propagao da onda. A magnitude do vetor de onda indica o nmero de onda. A orientao
do vetor de onda mostra a direo de propagao da onda. O nmero de onda denota o
nmero de oscilaes dos vetores eltricos e magnticos por unidade do espao e medida em m1 . As componentes do vetor de onda correspondem ao nmero de ondas nas
direes x, y e z da seguinte maneira
2
c2

kx2  ky2  kz2 .

(3.17)

O significado fsico da soluo dada por (3.16) pode ser entendido da seguinte
forma. Primeiro, vamos considerar o caso especial quando kx
argumento (k r  t) reduz-se a

ky

0. Nesse caso o

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

kz z  t

35

kz z  kz t.

Isso significa que a onda E  uma onda propagando-se na direo positiva de k com
velocidade

kz .

Da mesma forma, E  representa uma onda propagando-se na direo ne-

Em geral, quando todos os componentes do vetor de onda so diferentes de


gativa de k.

zero, a onda propaga-se na direo de k com a velocidade da luz. O caso especial importante para a compreenso da propagao das ondas e para aplicaes prticas da soluo
da equao de onda (3.15) quando o campo tem apenas um componente. Essa soluo
chamada de ondas planas. Esse caso descrito como
E x, y, z, t

Eeitkz z x.

(3.18)

Aqui, o campo eltrico tem apenas um componente na direo x e propaga-se


na direo z. A Figura 3.2 mostra uma onda plana senoidal em duas dimenses. A seta
representa o vetor de onda, que define a direo de propagao da onda atravs da sua
orientao perpendicular s frentes de onda. A evoluo temporal das ondas definida
pelo termo (t). Para uma onda plana senoidal, a frmula (3.18) transformada para
E x, y, z, t

E k r  t

sinkx x  ky y  kz z  t.

Figura 3.2: Onda plana senoidal.


Quando assume-se que uma frente de onda uma linha ao longo da crista da

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

36

onda, ento essas frentes de ondas so linhas ou superfcies de fase constante, definidas,
simplesmente, pela equao k r constante. Para a propagao da luz em uma dimenso,
ao longo da direo x, o nmero de ondas escalar dado por
kx

2
.

(3.19)

Substituindo a equao do campo eltrico (3.18) em (3.9) e integrando sobre o


tempo, obtm-se

kz

Eeitkz z y
0

0 itkz
Ee
y.
0

(3.20)

Assim, pode-se observar que os campos eltricos e magnticos so perpendiculares entre si e, tambm, perpendiculares direo de propagao da onda, que coincide

com a direo de k.

3.4

Ondas em Meios Dieltricos

Em meios dieltricos, uma polarizao P no-nula induzida por um campo


Para compreender o significado fsico de P
considera-se um meio constitudo
eltrico E.

de cargas positivas e negativas (por exemplo, prtons e eltrons). Quando um campo


eltrico est presente, ele separa as cargas positivas das cargas negativas. Essa separao de cargas resulta em um campo eltrico adicional. Esse campo eltrico adicional
chamado de polarizao induzida. Vrios meios respondem diferentemente a um dado
campo eltrico externo. Quando o meio linear e isotrpico, P linearmente proporcional
a E podendo ser expressado da seguinte forma
P

0 E,

(3.21)

onde a chamada susceptibilidade eltrica. Essa quantidade o coeficiente de proporcionalidade entre a polarizao e o campo externo.
A susceptibilidade linear , em geral, um tensor de segunda ordem, mas reduz-se
a um escalar para um meio isotrpico tal como o vidro de slica. Ela uma funo da
frequncia do campo aplicado. Quando o campo uma funo arbitrria do tempo t, a

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

37

polarizao uma convoluo da transformada de Fourier de com E t. Isso reflete


o fato de que os dipolos dentro do material no podem responder instantaneamente ao
campo aplicado, levando s relaes de KramersKronig ou relaes de disperso.
Baseado nessa definio, o deslocamento eltrico dado por

0 E  P

0 E,

(3.22)

onde


(3.23)

1

chamada de constante dieltrica ou permissividade relativa do material dieltrico. A


constante dieltrica do material afeta o modo como os sinais eletromagnticos (luz, ondas
milimtricas, etc.) movem-se atravs do material. Um alto valor da constante dieltrica
faz a distncia no interior do material parecer maior. Isso significa que luz propaga-se
mais lentamente. Ela, tambm, comprime a onda que comporta-se como um sinal com
comprimento de onda menor.

3.4.1

ndice de Refrao do Meio Dieltrico

Para um campo eletromagntico num meio dieltrico sem corrente, pode-se reescrever a equao (3.10) utlizando a equao (3.22)

0

E
.
t

(3.24)

Usando o mesmo procedimento descrito anteriormente para equao (3,15), a


equao da onda para o campo eltrico
2
E

 2 E
c2 t2

0.

(3.25)

Do ponto de vista clssico, movimento ondulatrios em meios lineares, homegneos e no dissipativos so descritos pela chamada equao de onda de dAlembert
2

1 2
r , t ,
v 2 t2

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

38

estabelecida pelo matemtico francs Jean-le-rond dAlembert (1717-1783) em 1750. Nessa


expresso, v uma constante, caracterstica do meio, denominada velocidade de propagao da onda,
r, t a funo de onda em um instante t, que descreve as variaes de
uma propriedade do meio, em um ponto genrico r.
Comparando as equaes (3.15) e (3.25) com a equao de onda de dAlembert,
verifica-se que a nica diferena dessas equaes que a velocidade de propagao da
onda muda de c para c~, onde

 o ndice de refrao do meio. Consequentemente,

o ndice de refrao do meio a medida que informa quanto a velocidade da luz (ou de
outra onda) reduzida enquanto atravessa o meio dieltrico com permeabilidade eltrica
.

3.4.2

Meio Dieltrico com Perdas

O termo da corrente pode ser includo na equao de onda, para representar


a perda de energia durante a propagao das ondas. Nesse caso, a corrente induzida
est relacionada com o campo eltrico pela expresso J

onde a condutividade
E,

eltrica. Se o campo eltrico tem uma dependncia temporal eit , a densidade de corrente
induzida apresentar a mesma dependncia. Portanto, esse efeito da corrente includo
na susceptibilidade eltrica, a partir de (3.2), da seguinte forma
J 

D
t

t i


E ,
t

(3.26)

com a constante dieltrica .


Em geral, r, complexo. Sua parte real e sua parte imaginria correspondem
ao ndice de refrao e ao coeficiente de absoro , respectivamente. Por definio,
tem-se [150]


n  ic~2

(3.27)

A partir das equaes (3.26) e (3.27), e so relacionados com


1~2

1  Re

(3.28)

~ncIm,

(3.29)

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

39

onde Re e Im denotam a parte real e a parte imaginria, respectivamente. e so dependentes da frequncia. A parte imaginria do ndice de refrao representa tanto perda
(para valores negativos) quanto ganho (se os valores forem positivos). A dependncia da
frequncia de chamada de disperso cromtica. Quando o meio apresenta perda, a
radiao decai exponencialmente como mostra a Figura 3.3.

Figura 3.3: Onda num meio dieltrico com perdas.


dado pela equao (3.5) em (3.2), a equao
Substituindo o deslocamento eltrico D

da onda para o campo eltrico torna-se

2
E

1 2
E
c2 t2

2
P.
t2

(3.30)

Usando a frmula da transformada de Fourier de E


r, t, equao (3.31),
E
r,

E
r, t expitdt

(3.31)

e uma relao similar para P


r, t, juntamente com (3,7), pode-se escrever a equao da
onda (3.15) no domnio da frequncia

 


r,

2
E,
c2

(3.32)

com a permissividade dependente da frequncia



r,

1 
r,

(3.33)

onde
r, a transformada de Fourier temporal de
r, t. Em termos da frequncia, a

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

40

equao da onda pode ser obtida como


2

E  n2 k02 E

0,

(3.34)

onde o nmero de ondas no espao livre k0 definido pela relao


k0

~c

2 ~0

(3.35)

onde 0 o comprimento de onda no vcuo do campo ptico oscilando com frequncia .

3.5

Velocidade de Grupo

O conceito de velocidade de grupo importante para o entendimento da propagao das ondas de luz, alm de quantificar a disperso em meios pticos. Em geral,
existem dois tipos de velocidades: velocidade de grupo e velocidade de fase. Para identificar os significados dessas velocidades, considera-se uma onda viajando da seguinte
forma
E t, z

E0 cos0 t  z .

(3.36)

Sua transformada de Fourier com respeito ao tempo


E , z

E0  0 eiz   0 eiz .

(3.37)

Isso significa que a onda plana tem uma frequncia constante. Essa onda de frequncia constante chamada de onda monocromtica e tambm de onda contnua. Nesse
caso, a velocidade de fase definida como
vf

0
.

(3.38)

Assim, a velocidade de fase a velocidade de um plano de fase constante que se


move na direo de propagao.
Para a onda plana considerada, sua amplitude ou potncia constante durante
todo espao, tempo e posio independente. Em outras palavras, no se pode dizer onde

Captulo 3. Fundamentos de ptica Ondulatria

41

a onda est. Na verdade, ela est em toda parte. Por outro lado, para duas ondas planas
com uma pequena diferena na frequncia e no nmero de onda, tem-se
E t, z

E0 cos1 t  1 z  E0 cos2 t  2 z .

(3.39)

Aps transformaes trigonomtricas a equao (3.39) torna-se


E t, z

,
2E0 cost~2  z cos
t  t

(3.40)

onde se assume que 2  1 e 2  1 so pequenos comparados com

1  2~2, respectivamente. Assim, o envelope da onda combinada tem


1  2~2 e
uma velocidade
vg

(3.41)

Essa a chamada velocidade de grupo. Como mostra a derivao, ela significa


a velocidade de propagao da energia. O conceito de velocidade de grupo pode ser
generalizado a partir de duas ondas monocromticas a um pacote de ondas. Essa forma
d a possibilidade de representar a velocidade de grupo como
vg

(3.42)

Por fim, pode-se concluir que cada componente com frequncia diferente viaja
com a mesma velocidade vg . Em outras palavras, o pacote de ondas ou a sua amplitude
viaja na velocidade de grupo vg .

CAPTULO 4
POLARITONS DE FNONS EM CRISTAIS FOTNICOS
NA FAIXA DE FREQUNCIA DE TERAHERTZ

Em um mundo ideal as linhas de campo magntico e


eltrico podem ser colocadas em qualquer lugar que as leis
da Fsica permitam e um metamaterial adequado fornece
acomodao para configurao desejada dos campos."

John Pendry

Metamateriais e cristais fotnicos so, atualmente, dois tpicos de muita investigao na ptica, uma vez que eles exibem propriedades eletromagnticas incomuns que
podem proporcionar um inesperado controle das ondas pticas (guia de ondas de cristal
fotnico), alm de motivar novas aplicaes (como a chamada ocultao ptica). Ambos
tm algo em comum: eles consistem de uma rede peridica constituda por tomos. No
caso dos cristais fotnicos, esses tomos so feitos de um material dieltrico que possuem
formas bastante simples (cilindros, esferas, etc.) para que as propriedades do meio resultem da periodicidade da estrutura como um todo. Diferentemente, os metamateriais so
compostos por tomos metlicos bastante sofisticados para que sua propriedade aparea
da resposta de cada tomo radiao eletromagntica. Outra diferena importante entre
as duas estruturas o tamanho do tomo (e, pela relao direta, o perodo da estrutura):
considerando que deve ser muito menor do que o comprimento de onda para assegurar
42

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

43

uma resposta eficaz no caso dos metamateriais. J nos cristais fotnicos, grande parte das
propriedades mais interessantes ocorrem quando o comprimento de onda , aproximadamente, duas vezes o valor do perodo.

4.1

Introduo

Materiais com permissividade  e permeabilidade simultaneamente negativas,


gerando um ndice de refrao tambm negativo (ou seja,

 @ 0), recentemente,

tm sido extensivamente estudados em vrias configuraes fsicas distintas, inspirados


pelo trabalho de Veselago [136], que foi publicado em 1967. Veselago chamou esses materiais peculiares de materiais que obedecem a regra da mo esquerda, porque eles suportam ondas que se propagam no sentido contrrio (veja Figura 4.1), de modo que o
o campo magntico H
e o vetor de Poynting S
formam um tripleto que
campo eltrico E,

segue a regra da mo esquerda, como mostra a Figura 4.2 (para uma reviso do assunto,
veja [151]).

Figura 4.1: Propagao esquemtica da onda em materiais com ndice de refrao positivo e negativo.

Esses materiais despertam um grande interesse para uma variedade de aplicaes


em potencial [139]. Como materiais com ndice de refrao negativo no existem na natureza, estruturas artificiais tm sido propostas e fabricadas com o propsito de exibirem

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

44

H
e S
em materiais com ndice de refrao positivo e
Figura 4.2: Representao do tripleto E,

negativo.

um ndice de refrao efetivo negativo para intervalos de frequncia limitados [183]. No


entanto, o uso de condutores em altas frequncias, especialmente na ptica, pode ser problemtico devido s perdas. Como alternativa, muitos pesquisadores esto investigando
o potencial de aplicao tecnolgica de materiais que apresentam ndice de refrao negativo em estruturas peridicas como os cristais fotnicos [152]. Esses materiais so normalmente compostos de isolantes e, portanto, podem apresentar baixas perdas.
As duas principais abordagens para a realizao de materiais com ndice de refrao negativo so os metamateriais e os cristais fotnicos. Os metamateriais normalmente utilizam estruturas metlicas para fornecer uma permissividade negativa e estruturas ressonantes (circuitos indutor-capacitor) com uma escala muito menor do que o
comprimento de onda para obter uma permeabilidade negativa, levando desejada refrao negativa. Por outro lado, cristais fotnicos exibem refrao negativa como uma
consequncia do efeito banda dobrvel [153, 154]. Na regio de microondas, materiais
com ndice de refrao negativo tm sido obtidos atravs das duas abordagens, enquanto
na regio ptica a refrao negativa tem sido, recentemente, realizada em cristais fotnicos [155].
Cristais fotnicos so estruturas peridicas artificiais com um ndice de refrao
que varia periodicamente em uma das trs dimenses. Esse conceito foi proposto em
1987 [17, 18], possibilitando o surgimento de um novo campo de pesquisa. As aplicaes
possveis para estas estruturas perpassam por vrias disciplinas diferentes: da fsica e
qumica cincia dos materiais e biologia. Demonstrou-se, terica e experimentalmente,
que os cristais fotnicos poderiam ter gaps fotnicos, ou seja, intervalos de energia sem
estados permitidos para os ftons, da mesma forma que um arranjo peridico de tomos

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

45

pode criar um gap de energia para a conduo de eltrons em um semicondutor. Nessas


bandas proibidas, modos eletromagnticos, emisso espontnea, e as flutuaes de ponto
zero esto ausentes [156, 157]. A modulao peridica do ndice de refrao anloga
experincia dos eltrons num potencial peridico de um cristal. Ao escolher a estrutura, a
espessura e os dois meios (SiO2 e um metamaterial, por exemplo), um gap fotnico pode
ser posicionado em um comprimento de onda desejado. Assim, transmitncia e reflectncia da luz podem ser controladas, como nos semicondutores, onde so geralmente controladas atravs da aplicao de estmulos externos, como a tenso de polarizao. Com
a introduo de um defeito de linha, pode-se criar um guia de ondas de cristal fotnico,
que guia a luz atravs de cantos afiados, conectar dispositivos pticos de cristal fotnico
do tamanho de ~ com sendo o comprimento de onda da luz e sendo o ndice de refrao, e formar circuitos pticos altamente integrados [28]. Porque o seu mecanismo de
guiamento fundamentalmente diferente dos convencionais guias dieltricos, tais como
as fibras pticas que dependem da reflexo interna total, guias de onda de cristal fotnico
tm atrado muito interesse [29, 30]. Dessa forma cristais fotnicos representam um novo
tipo de material ptico, que pode atuar como uma excelente ferramenta para manipular a propagao de ondas eletromagnticas, levando a muitos fenmenos interessantes e
importantes aplicaes [1].
Por outro lado, quando a radiao eletromagntica propaga-se atravs de um
dieltrico polarizvel (ou por um cristal magntico) excita alguns graus de liberdade do
cristal, que d origem a um modo hbrido (ou misto) denominado de Polaritons. Polaritons so quasi-partculas consistindo de um fton acoplado a uma excitao elementar
(fnon, plasmon, exciton, etc.), que polarizam o cristal. A teoria dos polaritons em materiais convencionais bem conhecida (para mais detalhes veja, por exemplo, [158160]).
Em estruturas quasi-peridicas eles exibem propriedades coletivas no compartilhadas
pelos seus constituintes. Portanto, as correlaes de longo alcance induzida pela construo desses sistemas, de alguma forma, refletir nos seus espectros, definindo uma
nova descrio de desordem. De fato, tratamentos tericos baseados na tcnica da matriztransferncia mostram que esses espectros so fractais (para uma reviso atualizada do
assunto, veja [161]).
O intervalo em terahertz (THZ) compreendido entre a eletrnica de alta frequncia (acima de 100 THz, aproximadamente) e a ptica de baixa frequncia (abaixo de 10
THz, aproximadamente) ganhou, recentemente, grande interesse em conexo com uma
ampla gama de aplicaes, incluindo o processamento de sinais de alta largura de banda,

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

46

imageamento THz e espectroscopia THz [162, 163]. As aplicaes na faixa de THz variam
a partir de estudos de excitaes coerentes em heteroestruturas de semicondutores (ou
de outros materiais) utilizadas para diagnstico mdico e sistemas tridimensionais de
imagens usados no monitoramento de processos industriais. A capacidade de visualizar
diretamente os campos de polariton atravs de imagens do espao real, de gerar arbitrariamente formas de ondas THz atravs da utilizao de formas de ondas pticas feitas
temporalmente e/ou espacialmente, e de fabricar elementos funcionais integrados para
orientao e controle do polariton atravs de mquinas a laser produz uma plataforma
polaritnica THz (a contrapartida da fotnica no regime de THz) que permite o processamento de sinais avanados e aplicaes na espectroscopia. Aqui, polaritnico THz descreve a rea na qual os portadores de sinal no so as correntes eltricas alternadas nem
as ondas eletromagnticas puras. Esses portadores de sinais so representados pelos polaritons de fnons [164].
Recentemente, foi feito o estudo terico do espectro do polariton de plasmon em
super-redes fotnicas peridicas e quasi-peridicas [165], em que um das camadas um
material com ndice de refrao negativo (metamaterial) com uma permissividade eltrica
e uma permeabilidade magntica simultaneamente negativas na regio de frequncia de
alguns gigahertz (GHz), de 4 a 10 GHz. O comportamento multifractal desse espectro foi,
tambm, investigado atravs da lei de escala de seu espectro de largura de banda, bem
como a curva f que caracteriza um perfil multifractal.
Neste captulo, ser apresentado um estudo do gap polaritnico, que surge a partir da propagao de uma excitao de polaritons de fnons no intervalo de frequncia
de THz, em estruturas peridicas e quasi-peridicas compostas de camadas alternadas de
materiais com ndice de refrao positivo (SiO2 ) e materiais com ndice de refrao negativo (metamaterial). A escola da faixa de frequncia em THz se justifica porque os moduladores THz de ltima gerao baseados em estruturas semicondutoras tm a propriedade
desejvel de serem banda larga, que extremamente relevante na interligao na faixa de
THz, mas, infelizmente, eles geralmente exigem temperaturas criognicas [166]. Portanto,
a melhoria das caractersticas de desempenho bem-vinda para aplicaes prticas, e de
fato uma das possveis aplicaes do modelo apresentado neste captulo um eficiente
dispositivo ativo que pode ser projetado para operar na frequncia de THz.
No desenvolvimento do problema foi utilizado um modelo terico baseado no
tratamento da matriz-transferncia, como o escopo de simplificar, substancialmente, a lgebra envolvida. A estrutura quasi-peridica, anteriormente citada, segue a sequncia

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

47

substitucional de Fibonacci e pode ser gerada pela seguinte regra de inflao: A

AB

eB

A, onde A (metamaterial) e B (SiO2 ) so os blocos de construo que modelam a

super-rede. Ser apresentada, tambm, uma anlise quantitativa dos resultados, apontando para a distribuio da largura de bandas fotnicas permitidas para altas geraes,
que d uma boa percepo de sua localizao e leis de potncia.

4.2

Teoria Geral

Antes de tratar o problema geral, da estrutura quasi-peridica, faz-se necessrio


o entendimento do caso peridico que mais simples, onde os blocos de construo A
(metamaterial) e B (SiO2 ) so arranjados de forma alternada ABAB . . . . A estrutura est
disposta numa geometria, tal que as coordenadas do eixo z esto perpendiculares s camadas. A espessura da camada do metamaterial (SiO2 ) representada por dA (dB ), e por
isso a espessura da clula unitria dada por L

dA  dB . Ela preenche o semi-espao z C 0

com sua superfcie paralela ao plano xy. Na regio z @ 0 tem-se vcuo. A propagao dos
polaritons de superfcie restringe-se ao longo do eixo x. Negligenciando qualquer termo
de amortecimento (quando perdas do metamaterial so consideradas, o fator de amortecimento pode ser definido como uma frao da frequncia de fnon), o metamaterial possui
ndice de refrao negativo na regio de THz, cuja correspondente permissividade eltrica
A [167] e permeabilidade magntica A [168] so, respectivamente, dadas por:
A

L2 
,
T2 

(4.1)

1

F 2
,
2  02

(4.2)

onde L (T ) a frequncia longitudinal (transversal) dos fnons pticos, 0 a frequncia


de ressonncia e F um fator geomtrico. Os parmetros fsicos utilizados aqui so 0
7.85 THz, F

0.56 [168], L

28.82 THz e T

8.67 THz [169]. Os campos eltrico e

magntico na camada j so dados por (polarizao p)


Ej x, y, z
x, y, z
H
j

Exj , 0, Ezj expikx x  it,

(4.3)

0, Hyj , 0 expikx x  it.

(4.4)

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

As componentes dos campos eltrico e magntico dentro da camada j

48

A ou B

da ensima clula unitria tm a forma


Exj z
Ezj z
Hyj z
onde
kzj

n
n
1j
expkzj z  2j
expkzj z ,

ikx ~kzj

n
n
1j
expkzj z  2j
expkzj z ,

n
n
i0 A ~kzj  1j
expkzj z  2j
expkzj z ,

kx2  j j 2 ~c2 1~2 if kx A j j 1~2 ~c,


i j j 2 ~c2  kx2 1~2 if kx @ j j 1~2 ~c.

(4.5)
(4.6)
(4.7)

(4.8)

Aqui, kx o vetor de onda comum no plano, a frequncia angular e c a velocidade


da luz no vcuo.
Considerando a permissividade eltrica efetiva e a permeabilidade magntica efetiva para o metamaterial dadas pelas equaes (4.1) e (4.2), que no levam em conta o
efeito da disperso espacial, precisa-se determinar as amplitudes desconhecidas dos campos a partir das condies de contorno eletromagnticas nas interfaces, ou seja, a continuidade da componente normal do campo eltrico e a continuidade da componente
transversal do campo magntico. Para isso, define-se, para cada meio, o vetor coluna
n
Sj e

<
@
@
@
@
>

=
A
A,
n A
A
2j
?
n
1j

(4.9)

onde o termo comum expkzA nL foi abandonado, e utilizando as condies de contorno


de Maxwell nas interfaces z

nL  dA e z

n  1L,

encontra-se, na forma de matriz, as

seguintes equaes para as amplitudes dos campos eletromagnticos


n
MA SA
e
n
MB SB
e

onde (j

n
NB SB
e,

(4.10)

n1
NA SA
e,

(4.11)

A ou B)
Mj

Nj

fj

fj ~Zj cos j

1~Zj cos j

fj


fj ~Zj cos j
1

1~Zj cos j

(4.12)

(4.13)

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

Aqui, Zj

j ~j a impedncia do meio j e cosj

1 2 2  kx2 c2 1~2 , com j

49

sendo

o ndice de refrao do meio j. Tambm,


fj

expkzj dj ,

and fj

1~fj .

(4.14)

Das equaes (4.10) e (4.11) fcil ver que


n1

SA e

onde a matriz T dada por T

n
T SA
e,

(4.15)

NA1 MB NB1 MA . A matriz T chamada de matriz-

transferncia porque relaciona os coeficientes dos campos eletromagnticos de uma clula


com os coeficientes da clula anterior. Levando em considerao a simetria translacional
do problema apresentado neste captulo, pode-se usar o teorema de Bloch para obter a relao de disperso dos polaritons (modos de volume) numa estrutura peridica, ou seja,
cosQL

1~2T r T .

(4.16)

Aqui, T rT significa o trao da matriz T e Q o vetor de onda de Bloch.


Para estabelecer a relao de disperso dos polaritons de superfcie, considerase uma estrutura truncada em z

0 com a regio z @ 0 preenchida pelo vcuo (meio C),

cuja constante dieltrica independente da frequncia representada por C . Essa estrutura


semi-infinita no possui simetria translacional total na direo z atravs de mltiplos da
espessura L da clula unitria, e, portanto, no se pode mais assumir o Bloch Ansatz como
no caso da relao de disperso dos modos volume. No entanto, a equao (4.16) ainda
se mantm desde o vetor de onda de Bloch Q seja substitudo pela quantidade complexa
i resultando em coshL

1~2T r T .

contorno extra na nova interface em z

Agora, deve-se considerar uma condio de


0. Isso implica numa restrio adicional que

permite, eventualmente, determinar o fator de atenuao . Aplicando as condies de


contorno em z

0 a relao de disperso implcita para os modos de superfcie dada

por:
T11  T12
onde

C ~A  C . Aqui, A

real puro dado por kzC

expL

T21 1  T22 ,

A ~kzA , C

(4.17)

C ~kzC , com kzC sendo um nmero

kx2  C 2 ~c2 1~2 . Alm disso, a constante deve ser escolhida

para cumprir a exigncia Re( A 0 com a finalidade de originar modos de superfcie


evanescente.

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

50

Esse mtodo algbrico pode ser estendido para estruturas quasi-peridicas, considerando a matriz-transferncia T adequada. Uma vez que essa matriz-tranferncia
determinada, deve-se utilizar as equaes (4.16) e (4.17) para encontrar os espectros dos
modos de volume e superfcie, respectivamente.
A estrutura de Fibonacci um exemplo de estrutura quasi-peridica. Ela pode ser
crescida, experimentalmente, pela justaposio de dois blocos de construo A e B, onde,
teoricamente, a ensima gerao da sua clula unitria Sn dada pela regra Sn
para n C 2, com S0
transformao A

B e S1
AB e B

Sn1 Sn2 ,

A. A super-rede infinita , tambm, invariante sob a


A. O nmero de blocos de construo da clula unitria

cresce com o nmero de Fibonacci, Fl

Fl1  Fl2 (com F0

F1

1), e a razo entre o

nmero de blocos de construo A e B da sequncia igual a razo urea (ou nmero


de ouro)

1~21 

5. A matriz-transferncia para n-sima gerao da sequncia de

Fibonacci (n C 1) :
TSn1
NA1 MB e TS1

com TS0

TSn1 TSn ,

(4.18)

NB1 MA . Portanto, com o conhecimento da matriz-transferncia

da super-rede quasi-peridica, dada pela equao (4.18), combinada com as equaes


(4.16) e (4.17) muito simples obter os espectros de volume e superfcie dos polaritons
de fonons.
Por outro lado, a relao de recurso da matriz-transferncia (4.18) pode ser considerada como um sistema dinmico discreto (mapeamento). Como TSn uma matriz 2  2
real com determinante unidade, trs nmeros reais so necessrios para especificar TSn .
Consequentemente, a equao (4.18) um mapeamento de seis dimenses. Uma constante de movimento existe para esse mapa e a dimensionalidade realmente reduzida
para cinco. Um mapeamento de cinco dimenses um problema muito complicado para
se estudar. No entanto, existe um teorema fundamental [170] que permite, apenas, o estudo de um sistema bidimensional para determinar o espectro. Alm disso, o reduzido
sistema dinmico determina a dinmica completa do sistema. O teorema pode ser resumido da seguinte forma. Considere um conjunto de matrizes TSn que satisfaz a condio
TSn1

TSn1 TSn . Ento,


T rTSn1

T rTSn T rTSn1  T rTSn2 .

(4.19)

Portanto, definindo
xn

1~2T r TSn ,

(4.20)

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

51

ento a equao (4.19) implica em


xn  1

(4.21)

2xn xn1  xn2 .

As condies iniciais para este reduzido sistema sub-dinmico podem ser tomadas como
x 1

fA fB

fA fB r1  r11 ~4,

(4.22)

x0

fB 1  r1  fB 1  r1 ~4,

(4.23)

fA 1  r11  fA 1  r11 ~4,

(4.24)

x1
onde r1

ZA cosA ~ZB cosB . Definindo um vetor tridimensional rn

xn , yn , zn

xn , xn1 , xn2 ,

as equaes (4.20) (4.21) so, alternativamente, escritas como


rn1

F rn ,

(4.25)

com uma condio inicial


r1

x  1 , y  1 , z  1 .

(4.26)

Aqui, F um mapa no-linear em trs dimenses explicitamente dada por


xn1

yn , yn1

zn , zn1

2yn zn  xn .

(4.27)

O mapeamento definido pela equao (4.21) tem uma constante de movimento [170, 171]
I

x2n  yn2  zn2  2xn yn zn  1.

(4.28)

Atravs de uma substituio direta, fazendo uso da equao (4.21) juntamente com as
condies iniciais, dadas pela equaes (4.22)-(4.24), pode-se mostrar que I independente de n e dado por
I


f B

fA fB
2

fA2 fB2 r1  r11 2  2r1  r11 

fB2  fA2  fA2 r1 2  r1  r11 2  r11   2r1  r11 2 ~32  1.

(4.29)

Com o conhecimento do trao do mapa dado pela equao (4.21), as condies iniciais
[equaes (4.22)-(4.24)] e a restrio Sxn S @ 1, consegue-se determinar, alternativamente, o

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

52

espectro de polaritons de um dado nmero n da gerao da estrutura de Fobonacci.

4.3

Resultados Numricos

Nesta seo, sero apresentados alguns resultados numricos que caracterizam


o espectro do gap polaritnico devido a excitao dos polaritons de fnons (modos de
volume e superfcie), que podem se propagar, com frequncias na faixa de THz, dentro
da estrutura descrita na seo anterior. O meio A representa o metamaterial que possui
funo dieltrica A e permeabilidade magntica A dependentes da frequncia.
Elas so dadas pelas equaes (4.1) e (4.2), respectivamente. J o meio B representa o SiO2
com valores constantes para permissividade eltrica e permeabilidade magntica, ou seja,
B

12.3 e B

1, que so parmetros apropriados para esse material.

O espectro do gap polaritnico retratado em diferentes escalas na Figura 4.3, para


o caso da super-rede peridica infinita, e Figura 4.4, considerando a super-rede peridica
semi-infinita, respectivamente. Nessas figuras, os modos de superfcie so representados
por linhas retas, enquanto as bandas de volume so caracterizadas por reas sombreadas,
que so limitadas pelas equaes QL

0 e QL

, onde Q o vetor de onda de Bloch

e L o comprimento da clula unitria. A linha tracejada representa a linha da luz


ckx no vcuo, enquanto a linha pontilhada e tracejada a linha da luz

1~2

ckx ~B no

material com ndice de refrao positivo (SiO2 ). Como j foi mencionado, o amortecimento
negligenciado e o meio externo C considerado vcuo (C

1), conduzindo a seguinte

estrutura: vcuo/metamaterial/SiO2 /metamaterial/SiO2 .


Na Figura 4.3, a frequncia do gap polaritnico, na unidade THz, plotada contra
o vetor de onda adimensional no plano kx dA para dA ~dB

2 com dA

8 m. O espec-

tro de polariton tem quatro bandas de volume (rotuladas por B1-B4) separadas por gaps
de frequncia proibida onde quatro modos de superfcie (rotulados por S1-S4) podem se
propagar.
Para o intervalo de baixa frequncia do espectro, h apenas uma banda de volume
(B1) a partir de
em kx dA

0 e kx dA

0 e tendendo rapidamente ao seu valor limite

7.80 THz

1.3. Ela delimitada na sua parte superior pelo modo de superfcie S1 (linha

reta horizontal em

7.89 THz) e torna-se mais estreita quando kx dA aumenta.

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

53

Figura 4.3: Espectro de frequncia do gap polaritnico para super-rede peridica.


O ramo de frequncia intermediaria, localizado no intervalo de 8.50 THzB B
28.96 THz, caracterizado por outros dois modos de volume B2 e B3, respectivamente.
O primeiro deles (B2) divide-se em duas novas bandas de volume em

9.54 THz e

kx dA

0.35. A banda inferior a mais estreita do espectro e est localizada em torno

de

8.67 THz, permanecendo inalterada com o aumento de kx dA . Ela est localizada

entre dois modos de superfcie: o modo inferior (S1) o mesmo que delimita a parte
superior do primeiro modo de volume (B1). O outro modo de superfcie (S2) comea
na linha da luz

ckx e tende assintoticamente a

9.54 THz para altos valores de

kx dA , delimitando a parte superior da banda de volume mais estreita em


de kx dA

1.5 a 5.0. A banda de volume superior de B2 est localizada no intervalo de

frequncia 9.54 THzB B 10.0 THz em kx dA


estreita quando tende ao seu valor limite

0, tem uma inclinao positiva e torna-se


21.50 THz em kx dA

volume (B3) est localizado no intervalo de frequncia desde


e kx dA

9.54 THz

5.0. O outro modo de


24.54 THz a 28.96 THz

0. Ele tem uma inclinao negativa caracterizando uma velocidade de grupo,

tambm, negativa e tende ao valor limite

22.72 para altos valores de kx dA . Ele

delimitado por dois modos de superfcie: o inferior (S3) comea na linha da luz

ckx

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

54

Figura 4.4: Ampliao da Figura 4.1 para a regio 17.34 THzB B 26.01 THz e 0.0 B kx dA B 0.25.
e, inicialmente, tem uma inclinao positiva (modo de superfcie avanado) em
THz e kx dA

11.79

0.04. Em seguida ele torna-se um modo de superfcie atrasado (com uma

inclinao negativa) tendendo assintoticamente frequncia

22.11 THz para altos

valores de kx dA .
O modo de superfcie superior (S4) est na regio de alta frequncia, cuja inclinao ligeiramente negativa em todos os intervalos de frequncia (modo atrasado),
partindo da linha da luz

ckx e tendendo a

28.09 THz para altos valores de kx dA .

O ltimo ramo de volume (B4) tem o mesmo perfil parablico encontrado nos modos de
volume de polaritons de fnons em altas frequncia para materiais com ndice de refrao
positivo [161].
Com o propsito de investigar com mais detalhes os modos de superfcie, mostrada na Figura 4.4 uma ampliao no espectro do gap polaritnico retratado na Figura 4.3
para a regio 17.34 THzB B 26.01 THz e 0 B kx dA B 0.25. A partir dessa ampliao, podese ver que o modo de superfcie S3 se divide em dois novos modos no ponto
THz e kx dA

20.03

0.086. Depois disso, enquanto um deles ligeiramente desviado da linha

da luz no vcuo (linha tracejada) e se funde com a banda de volume B3, o outro tende
assintoticamente ao valor limite

24.53 THz (parte inferior da banda de volume B3)

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

55

quando kx dA aumenta. Observe que esse comportamento no tem uma contrapartida de


um material com ndice de refrao positivo. Alm disso, a diviso do modo de superfcie
S3 no um artefato numrico, tendo alguma semelhana com o encontrado para o caso
dos polaritons de plasmons, anteriormente estudados por Vasconcelos et al [165].
Na Figura 4.5, apresentada o espectro do gap polaritnico para a quarta gerao
da estrutura quasi-peridica de Fibinacci. Como no caso peridico, existem quatro ramos
de frequncia de volume (rotulados por B1-B4); mas diferentemente do caso peridico, o
espectro de polariton agora mais fragmentado. Alm disso, todas as bandas de volume
tendem a tornar-se estreitas quando kx dA aumenta, exceo feita a ltima banda (B4), que,
novamente como no caso peridico, apresenta a mesma forma parablica semelhante aos
modos de volume dos polaritons de fnons no regime de altas frequncias para materiais
com ndice de refrao positivo. Observe que o nmero de bandas de passagem (regies
de frequncias permitidas para a propagao dos polaritons de fnons dentro da estrutura), considerando todas as regies de frequncia (baixa, mdia e alta), est relacionado
ao nmero de Fibonacci FN .

Figura 4.5: Espectro de frequncia do gap polaritnico considerando um cristal fotnico quasiperidico da quarta gerao da sequncia de Fibonacci.

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

56

Observa-se agora a existncia de seis modos de superfcie (rotulados por S1-S6)


cujo comportamento semelhante aos encontrados no caso peridico. O modo de superfcie de baixa frequncia (S1) emerge da linha da luz
nula e depois segue na horizontal em

ckx com uma inclinao quase

7.88 THz para qualquer valor de kx dA . O se-

gundo modo (S2) emerge da banda de volume rotulada como B2 em


kx dA

0.54, tendendo a

10.13 THz e

8.77 THz, com uma inclinao negativa (modo atrasado).

O terceiro modo de superfcie (S3) surge a partir da diviso da banda de volume B2 na


regio de frequncia intermediria com uma inclinao positiva (modo avanado). Ele
desaparece na estreita banda de volume B2 na frequncia

21.24 THz. O modo de su-

perfcie rotulado por S4 est localizado entre as bandas de volume B2 e B3. Esse modo
comea na linha da luz

15.25 THz e kx dA

ckx com uma inclinao positiva (modo avanado) no ponto

0.07. Em seguida, ele torna-se um modo atrasado (com inclinao

negativa) e tende assintoticamente frequncia

22.04 THz para altos valores de kx dA .

O quinto modo de superfcie segue a linha de contorno da banda de volume rotulada por
B3. Esse modo tende a

22.67 THz quando kx dA aumenta. Finalmente, na regio de alta

frequncia, o modo de superfcie (rotulado por S6) emerge da linha da luz


uma inclinao quase nula, seguindo na horizontal em

ckx com

28.84 THz para qualquer valor

de kx dA .
Quando os constituintes da super-rede so formados por um material com ndice
de refrao positivo, as bandas de passagem nas estruturas peridica e quasi-peridica
podem ser obtidos quando o valor absoluto do lado direito da equao (4.16) inferior a
um, que significa um componente z real do vetor de onda (kz ). Por outro lado, quando ele
superior a um, a banda interrompida, ou seja, ela para. No entanto, isso no verdade
quando a super-rede contm materiais com ndices de refrao positivo e negativo (como
no caso apresentado neste captulo). Alguns valores complexos de kz ainda podem fazer
o lado esquerdo da equao (4.16) ficar menor do que um, e essas solues complexas
podem ter significado fsico. Isso pode ser visto considerando a curva de disperso apresentada na Figura 4.6, correspondendo a um vetor de onda no plano adimensional fixo
kx L~2

0.5 e uma razo dB ~dA

3.90. Apresenta-se aqui a frequncia contra o vetor de

onda adimensional de Bloch QL para a quinta gerao de Fibonacci.


Tambm, foi investigado o caso onde a mdia do ndice de refrao da super-rede
tende a zero, a chamada regio de gap zero-
, ou seja,
A A 1~2

A d A

8.8 sendo o ndice de refrao para o metamaterial (j

2.19 sendo o ndice de refrao para o SiO2 (j

B dB ~L

0 com A

A) e B

B B 1~2

B), respectivamente (esses parmetros

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

57

Figura 4.6: Espectro do gap polaritnico contra o vetor de onda adimensional de Bloch QL para
a razo das espessuras dB ~dA
quasi-peridica de Fibonacci.

correspondem a A

3.90, considerando a quinta gerao da super-rede polaritnica

287.4, A

0.25, B

4.8 e B

1). A razo para isso distinguir os

usuais gaps de Bloch, retratados na Figura 4.3 e na Figura 4.4, dos gaps zero-
. Alm disso,
existe uma possibilidade de ampliao do gap em relao super-rede usual constituda
apenas pelo material com ndice de refrao positivo [172], bem como a possibilidade de
modos discretos e tunelamento de fton [173] quando

0. Aqui, pode-se notar que as

bordas das bandas de volume no caracterizadas pelas condies QL

0 e QL

A estrutura de bandas 0 pode ser melhor vista no perfil de banda projetado na


Figura 4.7, onde as as bandas de passagem esto unidas para constituir uma banda muito
fragmentada. Quando parte-se de kx L

0, as bandas de passagem tornam-se separadas

pela estreita interrupo na banda, ou seja, os modos discretos transformam-se em bandas


estreitas em que o vetor de onda adimensional de Bloch QL descreve uma pequena regio
em torno de kx L

0, enquanto a curva de disperso mais baixa estende-se por um domnio

mais ou menos espalhado da zona de Brillouin reduzida (veja a Figura 4.6). Por outro
lado, a Figura 4.7 mostra que para pequenos valores de kx L~2 a transmisso atravs da
super-rede zero, exceto em determinadas bandas de transmisso e para alguns valores
de QL @ . As frequncias discretas (como em  47.87 THz e kx L

0 na Figura 4.7) so

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

determinadas pela condio de ressonncia de FabryPerot kzA

m (m

58

1, 2, 3,...),

onde as ondas refletidas em interfaces consecutivas chegam fora de fase com a faceta de
entrada da super-rede [174]. As bandas de volume contnuas so caracterizadas pela zona
de Brillouin reduzida 0 B QL B com sendo os valores onde a inclinao vai para menos
infinito na Figura 4.7. Nota-se que para a nesima gerao de Fibonacci, pode-se calcular
as espessuras adimensionais dA ~L e dB ~L que satisfazem a equao
n
onde dA

8m, A

8.8, B

Fn1 A dA

2.19 e L

Fn2 B dB ~L

0,

(4.30)

Fn1 dA  Fn2 dB , com Fn sendo a nesima gerao

do nmero de Fibonacci.

Figura 4.7: Estrutura de banda polaritnica plotada como uma funo do vetor de onda no plano
reduzido Kx kx L~2
Para completar a investigao da propagao dos polaritons de fnons, na estrutura polaritnica proposta neste captulo, faz-se necessria uma anlise dos efeitos de
confinamento decorrentes da competio entre a ordem aperidica de longo alcance, que
induzida pela estrutura quasi-peridica, e a desordem de curto alcance. Para esse fim,
uma anlise quantitativa da localizao e magnitude da largura das bandas de passagem
do espectro do gap polaritnico necessria. Para fazer isso, deve-se calcular as regies de

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

59

frequncias permitidas (bandas de passagem), onde S1~2T rT S B 1, como uma funo


do nmero da gerao da estrutura quasi-peridica para um valor fixo de kx dA

0.5,

como retrata a Figura 4.8. Ela mostra a distribuio da largura das bandas de frequncias
proibidas e permitidas, como uma funo do nmero da gerao n, at a dcima segunda
gerao da sequncia de Fibonacci, considerando kx dA

0.5. Isso significa uma clula

unitria com 144 blocos de construo A e 89 blocos de construo B totalizando 233.


Nota-se que, como j era esperado, para grandes valores de n, as regies de bandas permitidas tornam-se cada vez mais estreitas, indicando uma maior localizao dos modos
de volume. Na verdade, a largura total das regies de energias permitidas, que a
medida de Lebesgue do espectro de energia [175], diminui com o nmero da gerao de
Fibinacci n com a lei de potncia  Fn . Aqui, o expoente (a constante de difuso do
espectro) uma funo do vetor de onda no plano kx dA . Esse expoente pode indicar o
grau de localizao da excitao [176]. A Figura 4.9 mostra uma grfico log-log dessa lei
de potncia para trs valores diferentes de kx dA , a saber, 0.25, 0.35 e 0.45.

Figura 4.8: Distribuio das larguras de bandas dos polaritons de fnons, para kx dA
uma funo do nmero da gerao n.

0.5, como

Captulo 4. Polaritons de Fnons em Cristais Fotnicos na Faixa de Frequncia de


Terahertz

60

Figura 4.9: representao log-log da largura total das regies permitidas versus o nmero de
Fibonacci Fn , para trs valores diferentes do vetor de onda no plano adimensional kx dA .

CAPTULO 5
BAND GAPS OMNIDIRECIONAIS NA FAIXA DE
TERAHERTZ EM CRISTAIS POLARITNICOS
QUASI-PERIDICOS

Tentei imediatamente incorporar de alguma forma o


quantum elementar de ao h no contexto da teoria clssica. Mas em face de todas essas tentativas, esta constante
mostrou-se obstinada."

Max Planck

5.1

Introduo

Cristais fotnicos so estruturas caracterizadas pela variao peridica do ndice


de refrao e a consequente variao espacial peridica da constante dieltrica [1]. Esses
cristais podem criar regies espectrais denominadas de bandgaps fotnicos, onde a onda
eletromagntica, cuja frequncia pertence a esses intervalos, no pode se propagar atravs
do cristal. Desenvolvimentos em cristais fotnicos tm aberto oportunidades para o controle da absoro e do espectro de radiao de materiais artificiais atravs de vrios efeitos
61

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
62

fsicos, tais como os plasmons de superfcie [177], aumento da cavidade ressonante [178],
reflexo de Bragg [179] e modificao da densidade de estados fotnica [180]. Dentre
estes materiais artificiais destacam-se os metamateriais. Eles so fabricados para terem
propriedades que no podem ser encontradas na natureza. As propriedades dos metamateriais derivam da sua estrutura, usando pequenas inomogeneidades para criar comportamentos macroscpicos efetivos [181]. Existem muitos tipos de metamateriais [182]
(a palavra meta, que vem do Grego, significa depois ou alm). Desses, os mais conhecidos so os metamateriais eletromagnticos que possuem ndice de refrao negativo, que
foram inspirados pelo trabalho pioneiro de Veselago [136] e efetivamente realizados no recente trabalho experimental de Smith et al [183]. Esse material tem propriedades exticas,
como refrao negativa na lei de Snell, radiao Cherenkov invertida, etc.
Estudos tericos e experimentais sobre a propagao da luz atravs atravs de
cristais fotnicos contendo materiais com ndice de refrao negativo, tm evidenciado a
existncia de novas propriedades fsicas, como por exemplo, o gap quando a fase efetiva
nula, que omnidirecional (em todas as direes) e insensvel desordem [184186].
Nesses trabalhos, em geral, o material com ndice de refrao negativo modelado por
uma funo dependente da frequncia plasmnica (tipo Drude), numericamente igual a
permissividade eltrica  e a permeabilidade magntica , onde os band gaps aparecem na
faixa de frequncia de gigahertz (GHz) [ver Ref. [187]]. Este tipo de modelo no permitem
estender este resultado para a faixa de terahertz (THz) por uma simples mudana de escala. necessrio considerar outro tipo de metamaterial eletromagntico. Portanto, neste
captulo, consideramos, em nosso modelo terico, uma resposta dos polaritons de fonons
para a permissividade eltrica , com o intuito de descrever a resposta eltrica no material
com ndice de refrao negativo, mantendo a funo tipo Drude para a resposta da permeabilidade magntica . Por essa razo, ns o chamamos de meio polaritnico com ndice
de refrao negativo. Aqui, vamos fazer o estudo da emitncia de um cristal fotnico com
uma de suas camadas preenchida por material com ndice de refrao negativo, em busca
de propriedades exticas como band gaps omnidirecionais na faixa de frequncia de THz.
Por outro lado, desde a descoberta dos quasi-cristais por Shechtman et al. [7], que
teve seu trabalho reconhecido recentemente com o prmio Nobel 2011, as propriedades
fsicas de uma nova classe de cristais artificiais, chamadas de estruturas quasi-peridicas,
tm atrado muita ateno, principalmente nas ltimas duas dcadas. Estes quasi-cristais
so formados pela superposio de dois (ou mais) perodos incomensurveis, que podem ser definidos como sistemas intermedirios entre um cristal peridico e o slido

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
63

amorfo aleatrio [188]. Evidncias experimentais para a compreenso desta nova classe
dos cristais foram dadas pelas referncias [189] e [161]. Alm disso, o conceito de band
gaps foi estendido para estruturas quasi-peridicas [165]. Estes estudos tm mostrado
que as propriedades dinmicas de sistemas quasi-peridicas em diferentes substratos
tm caractersticas comuns, tais como um espectro fractal tipo Cantor das excitaes elementares e seu espectro de transmitncia. Portanto, a emitncia dessas microestruturas
quasi-peridicas particularmente atraente para aplicaes e para estudar o aspecto fractal (auto-similaridade, por exemplo), devido possibilidade deste ser realizado experimentalmente. Por isso, o vasto campo de aplicaes na frequncia de THz, entre a alta
frequncia eletrnica (at cerca de 100 GHz) e a baixa frequncia ptica (at cerca de 10
THz), tem estimulado intensa investigao devido s aplicaes potencias, incluindo imagens, segurana, espectroscopia e comunicao [190193].
As pesquisas em cristais fotnicos na regio de THz comearam antes dos anos
noventa. No entanto, o primeiro cristal fotnico na faixa de THz foi realizado por Wu
et al. [194]. Desde ento, cristais fotnicos tm sido amplamente estudados nesse regime
tanto experimentalmente [194198] quanto teoricamente [199201]. Em particular, band
gaps fotnicos em THz e filtros de interferncia em cristais fotnicos unidimensionais tm
atrado intensas pesquisas, tais como o tunelamento em band gaps fotnicos e os modos
de defeito em band gaps fotnicos em THz. Por outro lado, band gaps omnidirecionais
tm potenciais aplicaes na melhoria de espelhos THz omnidirecionais [202], filtros pticos omnidirecionais [203], switches pticos [204] etc. Recentemente, X. Dai et al. [205]
estudaram band gaps fotnicos na faixa de THz termicamente sintonizveis e omnidirecionais, em cristais fotnicos unidimensionais compostos por camadas alternadas do material semicondutor InSb e do material dieltrico SiO2 . Eles mostraram que esse band gap
fotnico depende, fortemente, da constante de rede e da razo das espessuras de seus
constituintes (InSb e SiO2 ).
Neste captulo descrevemos band gaps polaritnico omnidirecional num cristal
fotnico quasi-peridico unidimensional contendo materiais com ndice de refrao negativo, que so materiais efetivos sintonizveis, cuja dependncia das funes dieltrica
e magntica so modificadas para gerar band gaps fotnicos na faixa de frequncia de
THz. A fim de estudar a emitncia, consideramos um feixe de luz que incide normalmente e obliquamente sobre a estrutura fotnica de multicamadas unidimensional, composta de um material com ndice de refrao positivo (SiO2 ) e um material com ndice
de refrao negativo, formando um sistema multiestruturado arranjado periodicamente

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
64

e quasi-periodicamente (tipo Fibinacci), como mostra a Figura 5.1. Podemos modelar


cada camada do material com ndice de refrao negativo (ou metamaterial polaritnico)
por um meio efetivo, formado por uma matriz peridica de ressonadores metlicos em
formato de anel (veja [183]), caracterizado por uma funo tipo Drude na resposta da
permeabilidade magntica [206], preenchido por um meio polaritnico (LiTaO2 ), cuja
permissividade eltrica  uma funo que depende da frequncia dos polaritons de
fonons [207].

Figura 5.1: Representao esquemtica geomtrica da estrutura de multicamadas. As camadas


A e B tm espessuras dA e dB , respectivamente, enquanto L o tamanho de toda a estrutura
crescida sobre o substrato absorvente de espessura dS . O meio C representa o vcuo. (a) Estrutura
peridica. (b) Estrutura quasi-peridica de Fibonacci.

A estrutura quasi-peridica de Fibonacci pode ser gerada pela sua regra de inflao, como se segue: A

AB e B

A. Aqui, A (espessura dA ) e B (espessura dB ) so

blocos de construo modelando as camadas SiO2 e metamaterial polaritnico, respectivamente. Alternativamente, a estrutura de Fibonacci pode ser crescida justapondo os dois

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
65

blocos de construo A e B de tal forma que o ensimo estgio da super-rede Sn dado


interativamente pela regra Sn

Sn1 Sn2 , para C 2, com S0

B e S1

A [208]. Para cal-

cular o espectro de emitncia nestas estruturas em multicamadas, usaremos o formalismo


da matriz-transferncia para descrever a propagao das ondas eletromagntica atravs
das camadas, e a segunda lei de Kirchoff para encontrar a emitncia na ltima camada do
sistema.

5.2

Teoria Geral

Considere a estrutura de multicamadas quasi-peridica, conforme ilustrao na


Figura 5.1. A camada A, com espessura dA , preenchida pelo SiO2 e caracterizada por
ndice de refrao positivo A

A A e uma impedncia ZA

A ~A , ambos constantes.

J a camada B, com espessura dA , preenchida pelo metamaterial polaritnico e caracterizado por um ndice de refrao negativo B

B B e uma impedncia ZB

B ~B .

A estrutura de multicamada crescida sobre um substrato absorvente S, com um ndice


de refrao constante S . Toda a estrutura est incorporada em um meio transparente C
(considerado vcuo) com um ndice de refrao constante C .
Para calcular as propriedades espectrais da multicamada quasi-peridica ptica,
organizada de acordo com a sequncia de Fibonacci, utilizamos o mtodo da matriztransferncia [208]. Este mtodo consiste em relacionar as amplitudes dos campos eletromagnticos em uma camada com as da anterior, por aplicaes sucessivas das condies
de contorno eletromagntica de Maxwell em cada interface ao longo do sistema de multicamadas. Portanto, a matriz-transferncia relaciona as amplitudes do campo eletromagntico incidente (A01C e A02C ) de um lado do sistema de multicamadas (em z @ 0), com a
amplitude transmitida A0N C do campo eletromagntico do outro lado, em z A L, onde L o
tamanho do sistema de multicamadas (veja Figura 5.1), por meio do produto das matrizes
de interface M (, sendo qualquer meio A, B, C e S) e as matrizes de propagao M
(

A, B e S), da seguinte forma [209, 210]:

A01C

A02C

MCA MA MAB MB MBS MS MSC

AN
1C

(5.1)

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
66

onde

1 1  Z ~Z 1  Z ~Z
2 1  Z ~Z 1  Z ~Z

com k

expik d

expik d

(5.2)

(5.3)

~c.
As matrizes das equaes 5.1, 5.2 e 5.3 foram obtidas para o caso de uma incidn-

cia normal. Para uma incidncia obliqua, precisamos substituir Z


larizao s ou modo transversal eltrico (TE), e Z

Z ~ cos para po-

Z cos para polarizao p ou modo

transversal magntico nas matrizes de interface M , bem como

cos para am-

bas polarizaes TE e TM nas matrizes de propagao M . Aqui ( ) o ngulo de


incidncia do feixe de luz na camada (), com relao ao eixo z.
Os coeficientes de transmitncia e reflectncia so dados, simplesmente, por:

RR
R2
RR M21 RRR
RR
RR
RR
R
RR M11 RRR
R
R

e T

RR
R2
RR 1 RRR
RR
RR ,
RR
R
RR M11 RRR
R
R

(5.4)

onde Mi,j (i, j = 1,2) so os elementos da matriz-transferncia ptica,


M

MCA MA MAB MB

MBS MS MSC .

Essa matriz-transferncia formada por um produto de matrizes M e M . Como podemos observar, a ordem dessas matrizes no produto depende do tipo de srie quasi-peridica
e do nmero da gerao N da sequncia quasi-peridica (que o mesmo ndice utilizado nas amplitudes do campo eletromagntico). As matrizes do sistema de Fibonacci
considerado aqui podem ser diretamente determinadas (para mais detalhes veja referncias [209, 210]). Se nenhum material absorvente introduzido no sistema de multicamadas, ento R  T

1 pela conservao da energia. Quando introduzimos um material

com ndice de refrao complexo (material com absoro), R e T podem ser utilizados para
definir uma absortncia (ou absortividade) real pela expresso: A

1  R  T ,

que novamente uma afirmao da conservao da energia. No entanto, a partir da segunda lei de Kirchoff, sabemos que a razo da emitncia trmica E pela absortncia

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
67

A uma constante, independente da natureza do material, sendo a unidade quando a


fonte um corpo negro perfeito [211,212]. Portanto, neste caso consideramos que a ltima
camada um corpo negro e, consequentemente, E

A , sendo desse modo

1  R  T .

(5.5)

Desta forma, considerando-se as equaes (5.1), (5.4) e (5.5), podemos calcular a emitncia
para qualquer sistema de multicamadas com um substrato absorvente.

5.3

Resultados Numricos

Considerando a estrutura em multicamadas quasi-peridica em equilbrio trmico com o seu entorno em uma dada temperatura, apresentamos agora as simulaes
numricas para a emissividade espectral. A representao geomtrica esquemtica mostrada na Figura 5.1, considerando o meio A como SiO2 , cujo ndice de refrao A

1.45,

enquanto o meio B um metamaterial polaritnico efetivo, considerado por ter um ndice


de refrao complexo, cuja parte real negativa, B @
madas fotnicas encontra-se no vcuo (C
1000 ~S (0

B B . Esta pilha de mltiplas ca-

1), e crescida sobre um substrato absorvente

S, cujo ndice de refrao complexo dado por S


dS

3.0  0.01i. Sua espessura dada por

12.238m), S sendo a parte real de S .

Uma mudana significativa em nosso resultado pode ser encontrada se utilizarmos


uma permissividade negativa tipo polaritons de fonons, definindo um meio polaritnico
mais realstico e produzindo um padro de emisso muito complexo. Um modelo simples
para a permissividade dieltrica do material polaritnico com perdas :

B

0 1 

2
2
LO

TO
,
T2 O  2  i

(5.6)

LO (T O ) sendo a frequncia do fonon ptico longitudinal (transversal).


A permeabilidade magntica pode ser definida como uma funo tipo Drude
[206]:

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
68

1

F 2
.
2  02  i

(5.7)

Consideramos para o LiTaO3 , um tpico material polaritnico extensivamente utilizado


experimentalmente, os seguintes parmetros fsicos [207]: T O ~2
46.9 THz, 

13.4 e

26.7 THz, LO ~2

0.6 THz. A frao F determinada apenas pela geometria da

rede do meio polaritnico efetivo (camada B), em vez de ser pela carga, massa efetiva
e densidade de eltrons, como ocorre nos materiais naturais. Utilizamos aqui F
motivados pelo trabalho experimental de Smith et al [183], e 0

0.56,

2c~0 .

Para identificar a regio de frequncia onde a camada B tem ndice de refrao


negativo, apresentamos na Figura 5.2 a variao do ndice de refrao como uma funo
da frequncia em THz. Como pode ser observado a partir da figura, a regio de frequncia em que o meio B comporta-se como um metamaterial, ou seja, com ndice de refrao
negativo, 161.64 @ @ 269.40 THz.

Figura 5.2: Propagao esquemtica da onda em materiais com ndice de refrao positivo e negativo.

As figuras 5.3, 5.4 e 5.5 mostram o espectro de emitncia (E , ) calculado para


as sequncias peridica e quasi-peridica como uma funo da frequncia e do ngulo
de incidncia

C (C o vcuo de onde vem o feixe de luz). Estamos levando em

considerao a mesma polarizao, ou seja, modo TE ou polarizao s, em duas situaes


distintas: o caso peridico (Figura 5.3), e a nona gerao da sequncia quasi-peridica de
Fibonacci (Figura 5.4), respectivamente. Podemos perceber facilmente que a dependncia

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
69

angular, para o caso peridico, apresenta um band gap bem definido, com um espectro
mais uniforme que no caso quasi-peridico. Observamos que (ver Figura 5.3 existem dois
band gaps omnidirecionais (regio de gap onde a emitncia zero, independentemente do
ngulo de incidncia). O primeiro caracterizado pelo intervalo de frequncia 231.68 @
@ 284.79 THz, para
para

0X , e pela estreita regio caracterizada por 1.495 @ @ 2.2 THz,

90X , demonstrando que a largura do band gap depende fracamente do ngulo. O

segundo band gap omnidirecional est em uma regio de frequncia muito estreita 153.94 @
@ 161.64 THz. Por outro lado, na regio de frequncia 0 @ @ 153.94 THz, temos uma
suave dependncia com o ngulo, indo do topo central do espectro em

0X e E , = 0.6, para a parte inferior do espectro, em

15.39 THz,

153.94 THz.

Figura 5.3: Modo TE (ondas eletromagnticas com polarizao s) do espectro de emitncia como
uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia numa estrutura peridica.

Na Figura 5.4, plotamos o espectro de emitncia calculado para a nona gerao


na multicamada quasi-peridica de Fibonacci, para modos TE (polarizao s). Nessa
figura observamos que existem duas grandes regies exibindo band gaps omnidirecionais:
o primeiro deles est na regio de frequncia 70.81 @ @ 153.94 THz, o segundo est na
regio de frequncia 230.91 @ @ 284.79 THz. Podemos notar que na ltima regio o band
gap mais estreito, para

0X , quando comparado com o gap na regio de frequncia

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
70
230.91 @ @ 338.67 THz, para

90X . Tambm, observamos um espectro fragmentado na

regio de alta frequncia, totalmente distintas das linhas de contorno que definem a superfcie vista na Figura 5.3 na mesma regio. Outro interessante aspecto da emitncia para
o caso quasi-peridico pode ser observado na regio 0 @ @ 70.81 THz onde, diferentemente do caso peridico, possvel ver a existncia de gaps minsculos. Uma ampliao
detalhada dessa regio pode ser vista na Figura 5.5. Aqui, existem muitos band gaps omnidirecionais estreitos de baixa frequncia centrados em

38.49 THz; 42.33 THz; 49.26

THz; 64.65 THz e 69.27 THz. Alm disso, existe outro band gap omnidirecional mais largo
na regio 50.03 @ @ 61.58 THz.

Figura 5.4: Modo TE (ondas eletromagnticas com polarizao s) do espectro de emitncia como
uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia na estrutura quasi-peridica de
Fibonacci (nona gerao).

Para o modo TM ou polarizao p, a emitncia E, (versus e ) plotada nas


figuras 5.6, 5.7 e 5.8. Nelas, temos a ocorrncia de duas situaes distintas: o caso peridico (Figura 5.6) e a nona gerao da sequncia quasi-peridica de Fibonacci Figura 5.7,
respectivamente. Na Figura 5.6, a dependncia angular apresenta um band gap omnidirecional bem definido, com um espectro mais uniforme que o caso quasi-peridico retratado
na Figura 5.7, mas muito similar ao modo com polarizao s (veja Figura 5.3). Nessa

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
71

Figura 5.5: Ampliao da Figura 5.4 na regio de frequncia 0 @ @ 90 THz.


figura, tambm observado um gap estreito na regio de frequncia 230.91 @ @ 284.79
THz, para

0X , em comparao com a regio de alta frequncia 230.91 @ @ 323.247

THz, para

90X . Por outro lado, na regio 0 @ @ 153.94 THz, temos dois picos com

emitncia mxima correspondente a E0.25, 60X = 0.98 e E0.25, 60X = 0.98, respectivamente, diminuindo suavemente at o seu valor mnimo, correspondente a E 0, para

153.94 THz. O espectro de emitncia quasi-peridico tem, tambm, dois band gaps om-

nidirecionais com caracterstica similar, com respeito dependncia angular. Na regio


de frequncia 0 @ @ 89.29 THz, possvel observar a existncia de gaps minsculos.
O detalhe ampliado das regies estreitas em baixas frequncias, centradas entre

80.82 THz e 86.98 THz, e o band gap localizado na regio 63.12 @ @ 73.89 THz so

retratados na Figura 5.8. Comparativamente, as figuras 5.4 e 5.7 apresentam diferenas


com respeito as polarizaes, sobretudo na regio de baixa frequncia. Notamos que para
o modo com polarizao p, o espectro de emisso mais intenso que o modo com polarizao s. Alm disso, os espectros so completamente distintos na regio 46.18 @ @ 92.36
THz. Enquanto o modo polarizado s caracterizado por uma ausncia da emisso trmica
na regio 50.03 @ @ 61.58 THz, o modo polarizado p, ao contrrio, emite intensamente
nessa regio. Na faixa de frequncia 61.58 @ @ 73.89 THz, o modo com polarizao s

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
72

Figura 5.6: Modo TM (ondas eletromagnticas com polarizao p) do espectro de emitncia como
uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia numa estrutura peridica.

mostra uma alternncia de picos e depresses no espectro de emisso trmica, enquanto


para o modo polarizado p existe um band gap na mesma regio de frequncia. A alternncia de picos e depresses torna-se evidente em 73.89 @ @ 89.29 THz.
De uma maneira geral, o caso peridico mostra uma diferena qualitativa entre
as polarizaes s e p, o que significa que os espectros so muito sensveis geometria da
estrutura. Alm disso, a estrutura quasi-peridica apresenta um espectro mais fragmentado em comparao ao caso peridico, devido ao seu maior grau de desordem. Em todos
os casos estudados nas figuras com modos TE e nas figuras com modos TM, em relao
dependncia dos espectros de emisso com o ngulo de incidncia , podemos inferir
que todos os espectros so simtricos em torno de

0X , que era esperado visto que a

emitncia trmica E, uma funo par de . Alm disso, a emitncia trmica E,


nula para

90X , o que significa que no temos propagao de ondas eletromagnticas

atravs da estrutura de multicamadas.

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
73

Figura 5.7: Modo TM (ondas eletromagnticas com polarizao p) do espectro de emitncia como
uma funo da frequncia (em THz) e do ngulo de incidncia na estrutura quasi-peridica de
Fibonacci (nona gerao).

Captulo 5. Band Gaps Omnidirecionais na Faixa de Terahertz em Cristais Polaritnicos


Quasi-peridicos
74

Figura 5.8: Ampliao da Figura 5.7 na regio de frequncia 0 @ @ 90 THz.

CAPTULO 6
CONSIDERAES FINAIS E PERSPECTIVAS

O objetivo deste trabalho apresentar um estudo terico da propagao das ondas eletromagnticas em estruturas, peridicas e quasi-peridicas tipo Fibonacci, compostas pela justaposio de duas camadas com permissividade eltrica  diferentes. Essas
estruturas so conhecidas como cristais fotnicos. Para tanto, fizemos uma reviso bibliogrfica sobre os cristais fotnicos no captulo 2. Nesse captulo, definimos o que seria um
cristal eletrnico, luz da Fsica do Estado Slido, e um cristal fotnico, apontando as
suas principais distines. Tambm, apresentamos as propriedades dos cristais fotnicos,
sua evoluo histrica (desde os primeiros trabalhos terico at sua efetiva construo)
e suas principais aplicaes tecnolgicas , tais como fibras de cristais fotnicos, circuitos
fotnicos integrados, modificao da emisso espontnea, isoladores pticos, elementos
no-lineares, disperso e efeito de luz lenta.
No captulo 3 fizemos uma breve reviso de alguns assuntos da ptica Ondulatria, mostrando boa parte dos subisdios fsicos e matemticos utilizados nos captulos
4 e 5. Tambm, apresentamos o que seria um meio ptico, que no nosso caso o prprio
cristal fotnico, descrevemos a propagao das ondas eletromagnticas nesse meios, utilizando o formalismo das equaes de Maxwell. A partir dessas equaes, defimos a
equao da onda no vcuo e nos meios dieltricos, onde calculamos o ndice de refrao
do meio e a velocidade de grupo das ondas.
Apresentamos, no captulo 4, uma teoria geral para a propagao dos polaritons
de fonons em super-redes peridicas e quasi-peridicas de Fibonacci. Uma das camadas,

75

Captulo 6. Consideraes Finais e Perspectivas

76

que constitui a super-rede, possui ndice de refrao negativo (metamaterial), onde a


permissividade eltrica  e a permeabilidade magntica so simultaneamente negativas
na mesma regio de frequncia em THz. Os espectros foram mostrados nas figuras 4.3
(super-rede peridica) e 4.5 (quarta gerao da estrutura quasi-peridica de Fibonacci).
Nos dois casos, observamos que os efeitos no espectro, causados pela introduo do material com ndice de refrao negativo, so mais acentuados na regio de frequncia compreendida entre 9.10 B B 28.96 THz, onde os modos de volume e superfcie existentes
apresentam um comportamento backward (atrasado), que uma propriedade tpica dos
metamateriais. Por outro lado, para os intervalos de alta e baixa frequncias temos apenas
modos forward (avanados), que so tpicos dos materiais com ndice de refrao positivo.
Estudamos, tambm, algumas propriedades fsicas das sequncias substitucionais,
principalmente aquelas relacionadas com sua localizao, que podem ser identificadas a
partir da distribuio das larguras das bandas de energia permitida mostrada na figura
4.8, cujo comportamento auto-similar foi melhor descrito atravs das leis de potncia mostrada na figura 4.9, sem contrapartida para o caso de peridico.
No captulo 5, investigamos o comportamento da emitncia das ondas de luz num
cristal fotnico unidimensional, onde um dos seus constituintes um material com ndice
de refrao negativo ou metamaterial polaritnico, organizado numa estrutura de multicamadas peridica ou quasi-peridica. A dependncia angular do band gap fotnico
foi investigada detalhadamente. Para modelar o material com ndice de refrao negativo, propusemos um meio efetivo formado por uma matriz peridica de anis metlicos
ressonadores, caracterizado por uma funo tipo Drude na resposta da permeabilidade
magntica , equao 5.7, preenchida por um meio polaritnico LiTaO3 , cuja permissividade eltrica  uma funo dependente da frequncia dos polaritons de fonons (equao
5.6).
Mostramos que os band gaps omnidirecionais, que esto num intervalo bem definido
no regime de THz, independem da polarizao (s ou p) no caso peridico, bem como no
caso quasi-peridico. Ele est compreendido no intervalo de frequncia 250 B B 300
THz (veja figuras 5.3, 5.4, 5.6 e 5.7). Por outro lado, analisando a estrutura dos band gaps,
podemos concluir que a estrutura de multicamada quasi-peridica revela-se melhor para
o desenvolvimento de um bom filtro ptico na faixa de THz, quando comparada com a
estrutura peridico. De modo geral, temos que o caso peridico mostra apenas uma diferena qualitativa entre as polarizaes s e p, em regies fora do gap omnidirecional, o que
significa que os espectros so muito sensveis geometria da estrutura. Alm disso, a

Captulo 6. Consideraes Finais e Perspectivas

77

estrutura quasi-peridica de Fibonacci apresenta um espectro mais fragmentado em comparao com o caso peridico. Isso devido ao maior grau de desordem (ou fractalidade)
na nona gerao da sequncia de Fibonacci.
Atravs do controle do ngulo de incidncia na estrutura, no caso peridico, verificamos que podemos ajustar a faixa de frequncia e a largura dos band gaps ominidirecionais. Alm desse, temos um parmetro adicional para o controle dos band gaps na
estrutura quasi-peridica de Fibonacci: a gerao da sequncia, que no foi explorada no
captulo 5. Em ambos os casos, temos um band gap fotnico ominidirecional que ir oferecer muitas perspectivas para construo de interruptores pticos THz ominidirecionais,
filtros pticos e outros dispositivos pticos na faixa de THz.
No decorrer deste trabalho, apresentamos um estudo terico dos polaritons de
fonons (modos de volume e superfcie) e da emisso trmica em estruturas fotnicas
unidimensionais. Como extenso deste estudos podemos investigar o espectro de transmitncia atravs da estrutura fotnica, na faixa de THz, considerando um dos seus elementos de construo um material com ndice de refrao negativo. Tambm, podemos estudar o band gap fotnico incluindo a condio da fase efetiva nula, ou seja, ef f
kx dA  kx dB

0 onde kx dA (kx dB ) o vetor de onda no plano do meio A (B).

As possveis extenses desse trabalho so:


1. investigar os band gaps da propagao dos polaritons de excitons, que so modos mistos
caracterizados pelo acoplamento da radiao eletromagntica com a par eltron-buraco, numa
estrutura fotnica;
2. investigar os espectros de emisso trmica e transmisso atravs do cristal fotnico num
modelo cuja permissividade eltrica seja uma funo dependente da frequncia dos polaritons
de excitons;
3. estender toda essa teoria para estruturas fotnicas bidimensionais e tridimensionais.
4. Estudar estruturas hbridas de cristais fotnicos peridicos/quasi-peridicos usando um modelo cuja permissividade eltrica seja uma funo dependente da frequncia dos polaritons de
fonons, estudados aqui, bem como um modelo que utilize os polaritons de excitons j proposto;
5. Estudar os modos de defetos inseridos tanto em cristais fotnicos peridicos quanto nos
quasiperidicos em modelos que utilizem os polaritons de fonons e os polaritons de excitons.

Captulo 6. Consideraes Finais e Perspectivas

78

Por fim, esperamos que o nosso trabalho terico, acerca da propagao da radiao eletromagntica em estruturas fotnicas, inspirem muitos trabalhos experimentais
que verifiquem os resultados apresentados aqui, ajudando-os a construir novos dispositivos baseados em cristais fotnicos peridicos e quasi-peridicos.

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