Arseniuro de Galio:

El arseniuro de galio ha incorporndose a los mercados comerciales desde que

su tecnologa se inici para el campo militar y aeroespacial.
Pertenece a los materiales semiconductores del grupo de elementos AIII-BV de
la tabla peridica. La anchura de la banda prohibida es mayor que en el silicio o
el germanio. La movilidad de los electrones es tambin mayor que en el silicio
o el germanio, y la de los huecos es similar a los del silicio.
Para impurificarlo tipo p se utilizan materiales como el zinc, el cadmio o el
cobre ya que introducen niveles permitidos en el intervalo de 0.08 a 0.37 eV
por encima de la banda de valencia del GaAs. Son materiales donadores el
azufre, el selenio, el teluro y los elementos del grupo IV de la tabla peridica,
en pequea concentracin, si Puntero lser sustituyen tomos de galio.
El GaAs se utiliza para clulas fotoelctricas, diodos de efecto tnel, lseres
semiconductores y transistores MESFET.
Los dispositivos fabricados con GaAs pueden trabajar a temperaturas de hasta
450C.
A pesar de estas ventajas, su tecnologa plantea algunas dificultades,
comparada con la del silicio. Por ejemplo, a diferencia del silicio, no existe un
xido natural que acte como mscara para producir elementos simples del
estilo de la lgica MOS.
El GaAs tiene varias topologas de circuitos y tipos de dispositivos. La ms
dominante y disponible comercialmente es la lgica FET acoplada directamente
DCFL (Direct Coupled FET Logic), aunque tambin se dispone de la lgica BFL
(Buffered FET Logic) y la lgica SDFL (Schottky Diode FET Logic). (Ver
"Microelectrnica [sistema Cassandra]" para ms detalles de este tipo de
lgicas en arseniuro de galio).
El Arseniuro de Galio en altas tecnologas de alta frecuencia:
El GaAs se utiliza para clulas fotoelctricas, diodos de efecto tnel, lseres
semiconductores y transistores MESFET.
Los dispositivos fabricados con GaAs pueden trabajar a temperaturas de hasta
450C.
A pesar de estas ventajas, su tecnologa plantea algunas dificultades,
comparada con la del silicio. Por ejemplo, a diferencia del silicio, no existe un
xido natural que acte como mscara para producir elementos simples del
estilo de la lgica MOS.

El GaAs tiene varias topologas de circuitos y tipos de dispositivos. La ms

dominante y disponible comercialmente es la lgica FET acoplada directamente
DCFL (Direct Coupled FET Logic), aunque tambin se dispone de la lgica BFL
(Buffered FET Logic) y la lgica SDFL (Schottky Diode FET Logic). (Ver
"Microelectrnica [sistema Cassandra]" para ms detalles de este tipo de
lgicas en arseniuro de galio).
La masa efectiva de la carga elctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en
el silicio del mismo tipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a
mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es
muy til en altas frecuencias, ya que se alcanzar una mayor frecuencia
mxima de operacin.
Esta necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores
frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial, en el uso de
radares, comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por parte de
programas federales, pronto el GaAs se extendi a los nuevos mercados
comerciales, como redes de rea local inalmbricas (WLAN), sistemas de
comunicacin personal (PCS), transmisin en directo por satlite (DBS),
transmisin y recepcin por el consumidor, sistemas de posicionamiento global
(GPS) y comunicaciones mviles. Todos estos mercados requeran trabajar a
frecuencias altas y poco ocupadas que no podan alcanzarse con elementos de
silicio o germanio.
Adems, esto ha afectado a la filosofa de fabricacin de semiconductores,
emplendose ahora mtodos estadsticos para controlar la uniformidad y
asegurar la mejor calidad posible sin afectar gravemente al coste. Todo esto
posibilit tambin la creacin de nuevas tcnicas de transmisin digital a
mayor potencia de radiofrecuencia y amplificadores de baja tensin/bajo
voltaje para maximizar el tiempo de operacin y de espera en dispositivos
alimentados por bateras.
Los dispositivos fabricados con GaAs pueden trabajar a temperaturas de hasta
450C. A pesar de estas ventajas, su tecnologa plantea algunas dificultades,
comparada con la del silicio.
Referencias externas:
http://es.wikipedia.org/wiki/Arseniuro_de_galio
http://www.buenastareas.com/ensayos/Propiedades-y-Aplicaciones-DelGaas/254966.html
http://www.honeywellsafety.com/Products/Eye_and_Face_Protection/Filtro_070__Diodos,_arseniuro_de_galio,_alexandrita,_Nd__YAG,_CO2.aspx?site=/la
http://www.ecured.cu/index.php/Arseniuro_de_galio

http://electronica.webcindario.com/glosario/asga.html