Section science et gnie des matriaux

Romuald Houdr - 2006 /2007

Sujet du cours
Physique des semiconducteurs
inorganiques et des composants

Inorganiques: semiconducteurs cristallins tels que Si, Ge, GaAs, GaN

Composants: par exemple la diode laser dans un lecteur DVD

Le cours de dispositifs lectroniques et

optiques semiconducteurs dans la section
science et gnie des matriaux
Fait suite :

Physique gnrale I, II, III et IV

Solid state physics

Egalement ce semestre :

Mcanique quantique pour l'ingnieur I

Optolectronique
Technologie de fabrication des circuits intgrs
Technologie des microstructures
Technologie des capteurs

Prpare :

Microlectronique
Mcanique quantique pour l'ingnieur II

Semiconducteurs lEPFL
IPEQ
Semiconducteurs inorganiques (III-V)

LOMM (Laboratoire d'optolectronique des matriaux molculaires)

Semiconducteurs organiques, polymres

IPN (Institut de physique des nanostructures)

Agrgats, nanostructures semiconducteurs

ITP (Institut de thorie des phnomnes physiques)

Physique thorique

IMM (Institut de Microlectronique et Microsystmes)

Microtechnique

CMI (Centre de Micro-Nano technologie)

Technologie du Silicium
5

Objectifs du cours
Comprendre
ce quest un semiconducteur
ce que sont ses proprits physiques
ce qui les gouverne

Dcrire et interprter un phnomne

Connatre les diffrents domaines dapplications
Choisir le bon dispositif pour une application donne
Former pour la recherche acadmique et la R&D

Un exemple: le laser
Emission lumineuse et cohrente ?
Longueur donde ?
Temprature de fonctionnement ?
Dure de vie ?
Cot ?

Plan du cours
1. Introduction
- Caractristiques physiques des semiconducteurs
- Quels Matriaux pour quel type dapplications

1/3
bases

2. Proprits lectroniques des semiconducteurs

- Structure de bandes
- Statistiques doccupation des bandes
- Proprits de transport
- Processus de recombinaison
3. Jonctions et interfaces
- Jonctions mtal/semi-conducteurs
- Jonction p-n lquilibre, Jonction p-n hors-quilibre

1/3
transport

4. Composants lectroniques
- Transistors bipolaires
- Transistors effet de champ
- Dispositifs quantiques
- Nouveaux matriaux
5. Composants optolectroniques
- Dtecteurs

1/3
optique

- Diodes lectroluminescentes
- Diodes lasers
- Lasers mission par la surface
- Lasers cascade quantique

Organisation / modalits
Cours: copie des transparents
- distribus au dbut du cours
- tlchargeables, http://ipeq.epfl.ch/goeq/Cours_RH
Examen: oral
Bibliographie: livres + web

http://nobelprize.org/physics/educational/semiconductors/index.html

Bibliographie
Physique du solide
- Kittel "Physique de l'tat solide" (Dunod), 1998
- Ashcroft NW and Mermin ND, Solid State Physics , Saunders, 1976
- G. Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures ,
Ed. de Physique, 1992
- J. Pankove, Optical processses in semiconductors , Dover, 1975
Semiconducteurs: proprits et technologie
- F. Levy Physique et technologie des semiconducteurs (TM volume 18)
PPUR, 1995
- M.J. Kelly, Low dimensional semiconductors, materials, physics, technology, devices,
Clarendon Press, Oxford, 1995
Semiconducteurs dispositifs lectroniques
- H. Mathieu Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques ,
Dunod, 2001
- S.M. Sze Physics of semiconductor devices John Whiley & sons, 1981
- E. Rosencher et B. Vinter, Optoelectronique , Masson, Paris, 1997
- C. Weisbuch et B. Vinter, Quantum semiconductor devices Academic Press 1991

10

Cours 1

Survol des sujets abords dans le cours

11

Recherche et Industrie

Industrie

Recherche
12

Recherche et Industrie
Recherche en Europe:
- Allemagne
- UK
- France
- Suisse (ETHZ, EPFL, UNINE, CSEM)

Industrie:
- STMicroelectronics, microlectronique
- ATMEL, microlectronique
- Infineon Technologies, microlectronique
- Thales, microlectronique
- OSRAM, clairage, DEL, lasers SC
- MITEL, tlcommunications

European Electronic Component

Manufacturers Association (EECA)

- Soitec, substrat SOI

- Bookham, optolectronique
- Alpes lasers, laser cascade quantique
- Innovative Silicon, mmoires

13

Introduction
Molcule organique

Diamant

Silicium

Quest-ce quun Semiconducteur ?

14

Mtal / isolant

Energie

tats
vacants

tats
occups

Mtal: la conductivit diminue

avec la temprature
15

Notion de bande interdite

T = 300 K

Pour des applications: Eg>>kBT 300K

Exercice: valeur de kBT temprature ambiante ?
16

Semiconducteur

dop

Non dop

La conductivit augmente avec la

temprature et est trs sensible
aux impurets

~exp(-Eg/kBT)

ber Halbleiter sollte man nicht arbeiten, das ist eine Schweinerei;
wer wei ob es berhaupt Halbleiter gibt
W. Pauli, 1931
17

Impurets dans les

semiconducteurs
La prsence dimpurets (donneur ou
accepteur) modifie profondment la
conductivit du matriau. Cest cette
caractristique qui est lorigine de la
jonction p-n et du premier transistor
(1947, Prix Nobel 1956)

18

La jonction p-n

Le potentiel subit par les

lectrons prsente une
barrire. Lapplication dune
tension permet dabaisser
cette barrire et de laisser
passer le courant

19

20

Proprits optiques
E

Bande de conduction

Bande interdite

Lumire
e
Bande de valence

Un semiconducteur est (gnralement) transparent pour une

onde lectromagntique dnergie infrieure la bande interdite

21

Bande interdite et Matriaux

Diamant
II

III

IV

VI

Al

Si

Zn

Ga

Ge

As

Se

Cd

In

Sn

Sb

Te

Si

22

Bande interdite: directe et indirecte

Bande interdite directe

Bande interdite indirecte

E

Optolectronique

ki

Electronique

23

Caractristiques principales
Bandes dnergie
Contrle de la conductivit (jonction p-n)
Fabrication
Intgration (cot et performance)
Dispositifs quantiques et dimensions atomiques

24

Les semiconducteurs aujourdhui

Quelques dispositifs majeurs
Applications marquantes
Tendances en recherche fondamentale

25

Quels types de dispositifs ?

Electroniques: agissent sur le courant
Diodes, transistors, varistances

Optolectroniques: mettent en jeu lectrons et

lumire
metteurs: DELs, LDs
Dtecteurs: Photodiodes, cellules solaires

26

Electronique

27

Applications

Electronique, circuits intgrs

Transistors hyperfrquence
Transistors de puissance
Mmoires
Capteurs

28

Le transistor bipolaire

Le courant collecteur Ic est reli au courant base Ib par la relation Ic =
.Ib

Le coefficient
est le gain en courant du transistor
29

Fonctionnement

Non polarise

Jonction n-p-n

Polarise

30

Le transistor MOS
Mtal-Oxide-Semiconducteur
Mtal : Bleu
Oxyde : Rouge
Semiconducteur : Vert

Mtal
n+

Zone disolation

n+

Silicium P

31

Caractristiques lectriques
Source V. Grille > V. Seuil Drain
n+

n+

La tension de la grille contrle le courant entre source et drain

32

Vers la miniaturisation
La loi de Moore
Gordon Moore, cofondateur de la socit Intel avait affirm en 1965 lors dune
confrence de presse que "le nombre de transistors par circuit de mme taille
va doubler tous les 18 mois".
Anne

Nb transistors

frquence
relle

Loi de Moore

frquence
prvue

1972

2 300

0,108

2 300

0,108

1974

6 000

7 302

0,342

1974

6 000

7 302

0,342

1982

134 000

294 400

13,82

1990

1 200 000

25

7 477 293

351,1

1996

5 500 000

150

150 732 800

7 077

1999

29 000 000

450

759 645 711

35 670

2001

42 000 000

1 400

1 519 291 421

71 340

En fait, plutt tous les deux ans

33

Taille de grille et frquence

importance de la miniaturisation

34

Limite la miniaturisation?

35

Matriaux haute permittivit

IBM Zrich
36

Nouvelles approches

37

Nanotubes de carbone

38

Transistor 1 lectron

39

Optolectronique

40

Applications
Diodes lectroluminescentes (DEL, LED):
- Affichage
- Eclairage
- Purification de leau (UV)
Diodes Lasers:
- CD-ROM, DVD
- Tlcommunication
- Imprimante
- Projection
Cellules solaires
Dtecteurs (IR, UV)

41

Diodes mettrices de lumire

(DEL)
Type p
Region active
Type n

42

Rgion active (DEL et lasers)

Puits quantique

Augmentation de la probabilit de
recombinaison

BC

+
E = hc/

Contrle de la longueur donde

dmission par

BV

- la largeur du puits (1-10 nm)

3.5 nm In0.2Ga0.8N/GaN QW

- la hauteur des barrires

- la bande interdite du matriau puits

3 nm
43

Application DEL

44

Application DEL: cran

Blue and green LEDs allow to
increase the color gamut of EL
displays compared to RGB color
CRT based on phosphors
LEDs
CRT

Blue LEDs are essential for white

light emission
2 colors: Blue+Yellow
3 colors: Blue+Green+Red

45

Application LEDs: clairage

At the end of the 90s, the emergence of high brightness
blue LEDs opens the way for solid state lighting:
Partial conversion of LED blue light by a yellow phosphor

Phosphore

substrat transparent

46

Application LEDs: clairage

2006

2005 Best
white LED

2006: the luminous efficiency

of white LEDs is 100 lm/W
(R&D)
2010: LED efficiency should
compete with fluorescent
tubes.
Energy consumption
Long lifetime (50 000 h)
Safety
Compacity
Lumen: flux rayonn par unit dangle
solide, normalis la sensibilit de lil.
47

Remarque: La puissance dune lampe cest

lnergie lectrique dissipe, pas lnergie
lumineuse mise.

Exemple: le phare de Cordouan

- annes 70: 6000 W
- 2006: 150 W
et on voit le phare tout aussi bien
48

Application LEDs: clairage

Luminous efficiency versus device size

Roadmap: LEDs will replace most of the light sources in 2020

49

Diode laser semiconducteur

Milieu amplificateur de
lumire + cavit (miroir)

1
m x 3
m x 200
m

50

Diode laser

Existence dun seuil pour

lmission stimule

Les facettes sont gnralement

obtenues par clivage de la plaque

51

Capacit de stockage
Technologie

Laser,
longueur
d'onde

Capacit de
stockage
(min/max)

Dbit
nominal

Diamtre du
disque

CD

750 nm

650 Mo/800
Mo

150 ko/s

12 cm

DVD

650 nm

4,7 Go/17 Go

1,35 Mo/s ou
1385 ko/s

12 cm

1,2 mm

Blu-Ray

405 nm

23,5 Go/100
Go

4,5 Mo/s ou
4608 ko/s

12 cm

1,2 mm

Nec-Toshiba

405 nm

15 Go/80 Go

env. 5 Mo/s

12 cm

1,2 mm

paisseur

1,2 mm

52

Laser mission par la surface

0.24
m

La cavit Fabry-Perot est constitue de deux miroirs de Bragg

(empilements de couches quart donde)

53

Lasers cascade quantique

Dans un laser inter-sousbande (transitions entre niveaux

dune seule des bandes), il n'y a pas de recombinaison
lectron-trou.

54

Domaine spectral

55

Nanostructures

56

Nanostructures
Les technique actuelles de croissance permettent de contrler le dpt
des couches lchelle atomique. Exemple: le puits quantique

Le trait clair correspond

une paisseur de 4
57

Botes quantiques
SEM
QD
AlGaAs

gold

1
m

Croissance dlots de dimensions nanomtriques

Structures quantiques 0D: atomes artificiels

58

Microsystmes

59

MEMS

Micro-Electro-Mechanical Systems
(MEMS) is the integration of
mechanical elements, sensors,
actuators, and electronics on a
common silicon substrate through
microfabrication technology.

60

MOEMS
Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems

routeur optique
61

Un domaine la frontire entre:

La technologie des micros et nanostructures
Des applications industrielles
et aussi de la physique
Prix Nobel:

62

The Nobel Prize in Physics 2000

"for basic work on information and communication technology"

"for his part in the invention of the integrated circuit"
"for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics"

Zhores I.
Alferov
1/4 of the prize

Herbert
Kroemer
1/4 of the prize

Jack S. Kilby
1/2 of the prize

Russia

Federal Republic of
Germany

USA

A.F. Ioffe PhysicoTechnical Institute

St. Petersburg,
Russia

University of
California
Santa Barbara, CA,
USA

Texas Instruments
Dallas, TX, USA

b. 1930

b. 1928

b. 1923
d. 2005

63

The Nobel Prize in Physics 1956

"for their researches on semiconductors and their discovery of the transistor effect"

William
Bradford
Shockley
1/3 of the prize

John Bardeen

1/3 of the prize

Walter Houser
Brattain
1/3 of the prize

USA

USA

USA

Semiconductor
Laboratory of
Beckman
Instruments, Inc.
Mountain View, CA,
USA

University of Illinois
Urbana, IL, USA

Bell Telephone
Laboratories
Murray Hill, NJ, USA

b. 1910
(in London, United
Kingdom)
d. 1989

b. 1908
d. 1991

b. 1902
d. 1987

64

The Nobel Prize in Physics 1973

"for their experimental discoveries
regarding tunneling phenomena in
semiconductors and superconductors,
respectively"

Leo Esaki
1/4 of the prize

Ivar Giaever
1/4 of the prize

"for his theoretical

predictions of the properties
of a supercurrent through a
tunnel barrier, in particular
those phenomena which are
generally known as the
Josephson effects"

Brian David
Josephson
1/2 of the prize

Japan

USA

United Kingdom

IBM Thomas J.
Watson Research
Center
Yorktown Heights,
NY, USA

General Electric
Company
Schenectady, NY,
USA

University of
Cambridge
Cambridge, United
Kingdom

b. 1925

b. 1929
(in Bergen, Norway)

b. 1940

65

The Nobel Prize in Physics 1985

"for the discovery of the quantized Hall effect"

Klaus von Klitzing

Federal Republic of Germany

Max-Planck-Institut fr Festkrperforschung
Stuttgart, Federal Republic of Germany
b. 1943

66

The Nobel Prize in Physics 1998

"for their discovery of a new form of quantum fluid with fractionally charged excitations"

Robert B.
Laughlin
1/3 of the prize

Horst L.
Strmer
1/3 of the prize

Daniel C. Tsui
1/3 of the prize

USA

Federal Republic of
Germany

USA

Stanford University
Stanford, CA, USA

Columbia University
New York, NY, USA

Princeton University
Princeton, NJ, USA

b. 1950

b. 1949

b. 1939
(in Henan, China)

67