ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES
CARRERA DE INGENIERIA EN ELECTRNICA, TELECOMUNICACIONES Y
REDES
GUA DE LABORATORIO DE ELECTRNICA I
PRCTICA No. 10 TRANSISTORES BJT

1. DATOS GENERALES:
NOMBRE(S): estudiante(s)

CDIGO(S): estudiante(s)

Adriana Segura

475

Oscar Inga

405

Alex Rea

303

Ana Ortega

248

Mauricio Tobar

638

GRUPO No.: 5

FECHA DE REALIZACIN:
2015/07/09

FECHA DE ENTREGA:
2015/07/16

2. OBJETIVO(S):
2.1. GENERAL
Verificar la estructura fsica, modo de prueba, tipos de configuracin y caractersticas
de un Transistor de Unin Bipolar.

2.2. ESPECFCOS

Identificar las terminales: Base, Emisor y Colector de diversos Transistores

BJT.
Determinar los valores nominales mximos, caractersticas trmicas y
caractersticas elctricas de un Transistor NPN de Silicio.
Determinar el estado de un transistor, haciendo uso de probadores como el
trazador de curva, el medidor digital y el hmetro.

3. METODOLOGA:
Experimental.

4. EQUIPOS Y MATERIALES:
EQUIPOS:
Computador
hmetro
Trazador de curvas (de ser posible)
Medidor digital (de ser posible)
MATERIALES:
Transistor 2N4123
Transistor 2N3904
5. MARCO TEORICO:

TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR BJT

Figura 1. Transistores npn (izquierda) y pnp (derecha)

Un transistor de unin bipolar BJT (bipolar junction transistor) es un dispositivo

semiconductor de tres capas y tres terminales que consta de dos capas de material tipo
n y una de material tipo p denominado transistor npn o de dos capas de material tipo p
y una de material tipo n denominado transistor pnp, en la Figura 1 se puede observar
ambos esquemas de transistores el de la izquierda transistor npn y el de la derecha
transistor pnp con sus respectivas polarizaciones de cd. Para cualquier transistor, La
capa del emisor est muy dopada, la base ligeramente, y el colector slo un poco
dopado, adems como se puede observar en la Figura 1. Los grosores de las capas
externas son mucho mayores que las del material tipo p en el transistor npn o mayores
a la del material tipo n para el transistor pnp. Para los transistores mostrados en la figura

1 la relacin entre el grosor total y el de la capa central es de 0.150/0.001=150:1. El

dopado de la capa intermedia tambin es considerablemente menor que el de las capas
externas (generalmente una relacin de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado
reduce la conductividad ya que incrementa la resistencia de este material intermedio al
limitar el nmero de portadores libres. Con la polarizacin mostrada en la Figura 1, las
terminales se identificaron por medio de las letras maysculas E para emisor, C para
colector y B para base. El trmino bipolar implica que tanto huecos como electrones
participan en el proceso de inyeccin hacia el material opuestamente polarizado.

OPERACIN DE UN TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR BJT

Figura 2. Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn

Utilizando como referencia el transistor npn se puede describir el comportamiento bsico

de un transistor BJT. Cuando se polariza en directa al transistor npn si se tiene
nicamente la polarizacin emisor base se observa similitud con el diodo polarizado en
directa en el cual se tiene un flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo
n y si se tiene nicamente la polarizacin base colector se observa similitud con un diodo
polarizado en inversa en el cual se tiene un flujo e portadores minoritarios del material
tipo n al material tipo p. Entonces se puede decir que en un transistor la unin p-n se
polariza en inversa mientras tanto en la otra unin se polarice en directa.
Entonces si se tiene ambas polarizaciones, tanto emisor base como base colector en el
transistor npn se puede observar en la Figura 2 que en la unin p-n polarizada en directa
se produce un flujo de portadores mayoritarios hacia el material tipo n, esto implica que
existe una inyeccin de portadores minoritarios en el material tipo n de la regin de la
base dando como resultado el flujo que se observa en la Figura 2.
Mediante la aplicacin de la ley de corrientes de Kirchhoff al transistor se pude
determinar que la corriente del emisor es igual a la suma de corrientes del colector y la
corriente de la base esto es:
= +
Y la corriente del colector consta de dos componentes los cuales son los portadores
mayoritarios y los portadores minoritarios donde el componente de corriente de
portadores minoritarios se denomina corriente de fuga y se denota por (corriente
con el emisor abierto) entonces se puede determinar la corriente Ic como:
= +
Donde se mide en miliamperes e en microamperes o nanoamperes

6. PROCEDIMIENTO:
IDENTIFICACIN DE LAS TERMINALES DE UN TRANSISTOR
En los siguientes transistores de unin bipolar (BJT) identifique las terminales: EMISOR
(E), BASE (B), COLECTOR (C).

Tabla 1. Transistores NPN con los terminales identificados

HOJA DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR

1. Consultar la hoja de especificaciones del TRANSISTOR DE PROPSITO
GENERAL de la Figura 3.

Figura 3. Transistor NPN de Silicio

2.

Definir los siguientes parmetros:

VALORES NOMINALES

VCEmax
ICmax
PCmax

30 Vdc
200 mAdc
625 mW

CARACTERSTICAS DE APAGADO

ICBO

50 nAdc

CARACTERSTICAS DE ENCENDIDO

VCEsat
hFE a una corriente IC de 2mA y un voltaje VCE de 1V

0.3 Vdc
50 - 150

CARACTERSTICAS DE SEAL PEQUEA

hFE a una corriente IC cercano al valor de 8mA

hFE a una corriente IC igual a 50mA
hFE a una corriente IC igual a 0.15mA

1
0.5
0.5

3. Establecer los Lmites de Operacin:

7.5 IC 200 mA
0.3 V VCE 30 V
VCEIC 650mW

PRUEBA DE UN TRANSISTOR
1. TRAZADOR DE CURVAS
Utilizando el trazador de curvas y su respuesta desplegada en la Figura 4,
determinar ca en el punto Q (IC= 7mA, VCE=5V).

Figura 4. Respuesta de un trazador de curvas para un transistor 2N3904

Con el objetivo de determinar el , se realiz un sistema equivalente de la zona de

inters en la Figura 4, para visualizar de mejor manera los puntos de operacin.

Figura 5. Determinacin de ca para las caractersticas del transistor de la Figura 4 en IC=7mA y

VCE=5V.

La distancia entre las curvas es de 9/10 de una divisin, como se indica en la figura
anterior. Con el factor especificado, vemos que:

9
200
(
) = 180
10

Y con la ecuacin:

2 1
=
2 1

Donde:

1 = 6.4 2 = 8.2
1 = 30 2 = 40
Se obtiene

(8.2 6.4)
(40 30)
= 180

Lo que comprueba la determinacin anterior

2. MEDIDOR DIGITAL
Investigar cul es el procedimiento a seguir para comprobar el estado de un
transistor, si se utiliza un probador de transistores como el Medidor Digital.

Figura 6. Medidor digital de transistores

En el mercado hay disponibles varios probadores de transistores. Algunos

simplemente forman parte de un medidor digital que puede medir varios elementos
de una red. Otros, como el de la Figura 6, sirven para probar un nmero limitado de
elementos. El medidor de la Figura 6 se puede utilizar para probar transistores, JFET
y SCR a la entrada y salida del circuito.

PROCEDIMIENTO PARA MEDIDA DE TRANSITORES

1. En todos los casos primero hay que desconectar la potencia que llega al circuito
donde est el elemento para que no se dae la batera interna del probador y
obtener una lectura correcta.
2. Una vez insertado el transistor en el soporte de la derecha, puede mover el
interruptor a travs de todas las combinaciones posibles hasta que enciende la
luz de prueba e identifica las terminales del transistor.
3. El probador indicar un OK si el transistor pnp est funcionando correctamente.
4. Tambin se puede utilizar cualquier medidor con capacidad de verificacin de
diodos para comprobar el estado de un transistor. Con el colector abierto la unin
base a emisor deber producir un bajo voltaje de cerca de 0.7 V con el cable rojo
(positivo) conectado a la base y el negro (negativo) conectado al emisor. La
inversin de los cables produce una indicacin OL para representar la unin
polarizada en inversa. Asimismo, con el emisor abierto se pueden verificar los
estados de polarizacin en directa y en inversa de la unin base a colector.

3. OHMMETRO
-

Investigar cmo se podra determinar el tipo de transistor (npn o pnp) si se

utiliza un probador de transistores como el hmetro

Figura 7. Multmetro con comprobador de transistores

Un medidor digital de transistores tambin puede ser un multmetro que posee la

opcin del medidor de ganancia de los transistores BJT.
Un transistor bipolar (BJT) equivale a dos diodos en oposicin puesto que tiene dos
uniones, por lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por
separado, pensando que el electrodo base es comn a ambas direcciones. Un dato
a tener en cuenta en los transistores es que la tensin que hay entre la base y el
emisor siempre es 0,7v
PROCEDIMIENTO PARA COMPROBAR EL ESTADO DE UN TRANSISTOR CON
EL MULTIMETRO
Las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia
y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 o tambin ohm x 100.
1. Colocar el multmetro en la escala de R x 10 o R x 100 y para verificar si no existe
fuga entre colector y emisor, aqu deber indicar alta resistencia entre ambos y en
los dos sentidos.
2. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de
transistor, ya que si es NPN se proceder de forma contraria al de un PNP.
3. Para el transistor NPN se situar la punta negra de la sonda negativa del
multmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta roja o sonda positiva
sobre las patitas correspondientes al emisor y colector, es decir; lo cual indica que
se aplica una polarizacin directa sobre la base y el emisor o colector.
4. Se observa el valor que me indica en el multmetro, estos valores de resistencia
son generalmente bajos.

Figura 8. Conexin del multmetro para comprobador un transistor NPN

5. Invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta roja

(positivo) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el
colector, por lo tanto el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones
con lo que circular por l una corriente muy dbil.
6. En un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente el opuesto al descrito, ya
que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las
del tipo NPN.

Figura 9. Conexin del multmetro para comprobador un transistor PNP

Siguiendo el esquema de la Figura 10, polarizar en directa el transistor npn

con la fuente interna del hmetro en el modo de resistencia.

Figura 10. Esquema de verificacin de la unin base a emisor

Determinar el intervalo de la lectura: 0.725 a 0.750

-

Siguiendo el esquema de la Figura 11, polarizar en inversa el transistor npn

con la fuente interna del hmetro en el modo de resistencia.

Figura 11. Esquema de verificacin de la unin base a emisor

Determinar el intervalo de la lectura: 0.690 a 0.703

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
CONCLUSIONES
Un transistor de unin bipolar tipo npn se puede medir utilizando un
multmetro digital con prueba de diodos obteniendo el valor de la
resistencia debida al voltaje.
El estado del transistor se pudo comprobar mediante la obtencin del
rango de resistencia medida.
La resistencia de los transistores se mide una polarizacin a la vez ya
sea emisor base o base colector de manera similar a un diodo.
No se pudo comprobar los valores mximos puesto que no se dispone
de un esquema con fuentes dc para alimentar las polarizaciones del
transistor.

RECOMENDACIONES
Disponer de los datasheet de los diferentes transistores encapsulados
utilizados en la prctica, para comprobar los valores medidos con los
datos tcnicos.
Identificar adecuadamente las tres terminales del transistor para realizar
la medicin de manera adecuada
Se recomienda esperar un determinado tiempo al momento de medir la
resistencia de los transistores con un multmetro puesto que esta
aumenta hasta llegar a un mximo en un determinado tiempo
Realizar correctamente la conexin al momento de medir para evitar
valores errados.

8. BIBLIOGRAFA
Boylestad, Robert L. y Nashelsky, Louis. (2009). Electrnica: Teora de
Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: Pearson Educacin.