Tipos de Diodos

Diodo Zener
Diodo LED
Diodo Schottky
Diodo Tunnel
Diodo Varactor (Varicap)
Diodo Gunn
Fotodiodo
Diodo Lser

Caractersticas del diodo Zener

El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se
utiliza polarizado inversamente.
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que
representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta
como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado
inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante.
En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K
- ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en
la zona operativa.
Curva caracterstica del diodo Zener
Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando
negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy
poco.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin
de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo,
pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran
rango de valores. A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la

caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador
de voltaje, pues el voltaje se mantiene prcticamente constante para una gran
variacin de corriente.

Caractersticas del Diodo LED

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al
ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz.

Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio.

Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y
huecos en las regiones P y N, respectivamente.
Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los portadores
de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman
recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz).
La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones
depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP). Dependiendo
del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud de onda y por
ende el color.

Caractersticas del Diodo Schottky

A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin
PN, el diodo schottky tiene una unin Metal-N.

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de

voltaje cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios).
Funcionamiento
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica y un material
semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico
cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando
este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad
del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el
resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky,
se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor,
segn lo indicado en la figura N2. El metal se deposita generalmente en un tipo de
material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de
material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.

Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo Schottky.

En una deposicin de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los
electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de
transicin en la ensambladura.

Figura 2. Construccin y smbolo de un diodo Schottky.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la
de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene
un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la
tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.

Figura 3. Curva caracterstica.

El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor comn
pero tiene algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en
aplicaciones de potencia.
Estas son:
- El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en
sentido de la flecha).
Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad
de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande.
- El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR).
El proceso de rectificacin antes mencionado tambin requiere que la tensin
inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.
Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos
de alta velocidad como en computadoras.
En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de conmutacin y su poca
cada de voltaje en directo causa poco gasto de energa.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky.

Caractersticas del Diodo Tunnel

En el diagrama se ve el smbolo del diodo Tunnel
El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se
le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo.
- Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir
(la corriente empieza a fluir).
- Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto
despus
del
cual
la
corriente
disminuye.
- Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.
Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se
puede ver en el siguiente grfico.

- Vp: Tensin pico

- Vv: Tensin de valle
- Ip: Corriente pico
- Iv: Corriente de valle
La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta
(entre Vp y Vv) se llama zona de resistencia negativa
El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo
Esaki
Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso
ms rpido que los diodos Schottky.
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido
a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en inversa.

As estos diodos slo encuentran

circuitos osciladores de alta frecuencia.

aplicaciones

reducidas

como

en

Caractersticas del Diodo Varactor o Varicap

Ver el smbolo del diodo varactor o varicap en el grfico de la derecha
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen
una capacitancia que aparece entre sus terminales.
Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su
funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica
capacitancia-tensin dentro de lmites razonables.
En el grfico inferior se muestran las similitudes entre un diodo y un capacitor.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento
se forma en la juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay
ninguna carga y flujo de corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea

semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el
diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin
inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la
separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo
disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
- Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye
- Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

Caractersticas del Diodo Gunn

El efecto fue descubierto por John B. Gunn en 1963.
El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el
rango de las microondas en los materiales semiconductores.
Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fsforo de
Indio (InP)
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende
de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores
de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnticos.
Cuando se aplica un pequeo voltaje continuo a travs de una plaquita delgada de
Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa.
Todo esto bajo la condicin de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3
voltios / cm.
Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito
sintonizado
(generalmente
una
cavidad
resonante), se producirn oscilaciones y todo el
conjunto se puede utilizar como oscilador.
Este efecto Gunn slo se da en materiales tipo N
(material con exceso de electrones) y las
oscilaciones se dan slo cuando existe un campo
elctrico.
Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones
necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje
en continua.

Caractersticas del Fotodiodo

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad
de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Luz incidente

Sentido de la corriente generada

Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama
corriente de fuga.

El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz
en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que
hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.

Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el

sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra
efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal.
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la
cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.

Caractersticas del Diodo Lser

El diodo lser se obtuvo como resultado de la
continuacin del desarrollo del diodo LED.
Los diodos LED comunes, irradian una sola luz (son
monocromticos), una sola frecuencia, pero no estn
en fase y se propagan en forma dispersa. En cambio
los diodos LASER, producen una luz coherente. Esta
luz no slo es monocromtica (un solo color), sino
que es monofsica (estn en fase), resultando en un
rayo de luz muy preciso.
Los diodos LASER tienen una gran cantidad de
aplicaciones, lectura y escritura de discos pticos,
donde slo un rayo de luz muy angosto puede ver
una rea microscpica en la superficie de un disco.
Para mediciones precisas en donde es
indispensable un rayo de luz que no se disperse.
Algunos diodos lser requieren de circuitos que generen pulsos de alta potencia,
para entregar grandes cantidades de voltaje y corriente en pequeos instantes de

tiempo. Otros diodos lser necesitan de un funcionamiento continuo pero a menor

potencia.
Con el envejecimiento los diodos lser podran necesitar mas corriente para generar
la misma potencia entregada. Pero no hay que olvidarse que estos elementos tienen
una vida muy larga.

Precios

Diodo

LED

Diodo Zener

Referencias
http://www.unicrom.com/tut_diodo.asp
http://www.monografias.com/trabajos-pdf2/diodo-schottky-barrera/diodo-schottkybarrera.pdf
http://www.kinetroni.com/