PRTICA 1: LEVANTAMENTO DAS CARACTERSTICAS I X V DO DIODO

G.V. da Cruz - G.F. do A. Orcioli J.L.L. Marins - P. de L. Campos

Turma E42 - cruzg@alunos.utfpr.edu.br
Resumo O experimento desta atividade prtica
consistiu em verificar as caractersticas esttica e dinmica
dos diodos 1N4007 e 1N400X, respectivamente. A
realizao deste experimento teve como princpio a
compreenso das caractersticas anteriormente citadas e
de suas principais propriedades, uma vez que as
caractersticas tendem a diferir entre si. Isto ocorre por
virtude do nvel de resistncia de um diodo que se altera
conforme o ponto de operao do diodo se move atravs da
curva caracterstica [1].
Palavras-Chave
INTRODUO
Esta prtica busca a anlise das caractersticas esttica e
dinmica de diodos pr-determinados pelo roteiro do
experimento.
Inicialmente, deve-se ter conhecimento de que um diodo
um dispositivo semicondutor cuja funo ideal consiste em
conduzir corrente eltrica em um nico sentido, ou seja,
quando polarizado diretamente, no perde energia, mas
quando polarizado inversamente, capaz de bloquear uma
tenso infinita. So considerados condutores no controlveis,
devido a caracterstica de entrarem em conduo ou em
bloqueio espontneo por dependncia do circuito onde esto
sendo aplicados [2].
As caractersticas que foram abordadas na prtica esto
diretamente relacionadas funo do diodo. Em um modelo
ideal, em que pode ser comparado uma chave mecnica, o
diodo, quando polarizado diretamente, a resistncia deste
tende a zero e a tenso aplicada nele ser maior que zero,
caracterizando uma chave aberta. Contudo, quando
polarizado inversamente, a resistncia do diodo tender ao
infinito e a tenso aplicada nele ser menor do que zero,
caracterizando uma chave fechada [1]. Na figura a seguir
(Fig. 1), pode-se observar, graficamente, o funcionamento de
um diodo ideal.

No decorrer dos prximos tpicos sero explicados o porqu

destas caractersticas no se aplicarem.
I. DESENVOLVIMENTO PRTICO
Como anteriormente abordado, as caractersticas do
modelo ideal do diodo no se aplicam no modelo real. Para
compreender o comportamento de um modelo real de diodo
foram montados dois circuitos, sendo cada um deles para uma
caracterstica especfica do semicondutor estudado.
No primeiro circuito foram empregados um protoboard,
um diodo do modelo 1N4007, um resistor de 1k, uma fonte
de tenso contnua e um multmetro. No segundo circuito
foram empregados um protoboard, um diodo do modelo
1N400X, um resistor de 1k, um gerador de sinais e um
osciloscpio.
A montagem do primeiro circuito pode observada na figura
a seguir (Fig.2).

Fig. 2 Esquema de montagem do primeiro circuito.

Nesta primeira fase da prtica laboratorial, foram medidas,
pelo uso do multmetro, a tenso sobre o resistor nos pontos
A e B, localizados nos extremos do resistor, e a tenso sobre
os terminais do diodo nos pontos C e A. Os dados
experimentais obtidos foram aplicados em uma tabela e sero
abordados na subseo II.B. Resultados Experimentais.
Terminadas as medies, parte-se para a segunda fase da
prtica laboratorial que, inicialmente, consiste em montar o
segundo circuito. Seu esquema de montagem pode ser visto
na figura a seguir (Fig.3). No entanto, deve ser ressaltado que
o canal 2 deve ser invertido, estando em conforme com o
roteiro da prtica elaborada pelo professor.

Fig. 1 Grfico IxV de um modelo ideal de diodo [1].

Fig. 3 Esquema de montagem do segundo circuito.
Esta prtica, no entanto, apresentar dados que demonstram
que, em um modelo real, tais caractersticas no se aplicam.

Uma vez montado, foi aplicada uma tenso de entrada,

utilizando o gerador de sinais, com amplitude igual a 6V e de
formato senoidal nas frequncias de 100Hz, 1kHz e 10kHz.
Em seguida, foi utilizado o osciloscpio para medir a tenso
sobre o diodo, utilizando o canal 1, e a corrente proporcional,
empregando-se a ponteira de tenso na resistncia de 1k do
circuito. Terminada esta etapa, foi feita uma anlise do grfico
postado no osciloscpio e sintetizada uma concluso para o
comportamento adotado pelo diodo.

5,0
6,0
8,0
10,0

4,9
6,1
8,5
10,9

0,0049
0,0061
0,0085
0,0109

0,657
0,668
0,682
0,693

Na figura a seguir (Fig.5), podemos ver a curva do diodo

obtida pela aplicao prtica deste em um circuito real.

II. RESULTADOS DA ATIVIDADE PRTICA

II.A. Resultados de Simulao
TABELA I
Resultado de simulao do primeiro circuito no
programa Multisim
Tenso de
entrada (V)
-3,0
2,0
-1,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
4,0
5,0
6,0
8,0
10,0

Tenso sobre o
resistor (V)
0,000
0,000
0,000
0,000
0,069
0,479
0,947
1,428
1,915
2,404
3,388
4,376
5,366
7,352
9,340

Corrente sobre o
diodo (A)
0,0000
0,0000
0,0000
0,0000
0,0000
0,0004
0,0009
0,0014
0,0019
0,0024
0,0033
0,0043
0,0053
0,0073
0,0093

Tenso sobre o
diodo (V)
-3,000
-2,000
-0,999
0,000
0,430
0,552
0,580
0,571
0,585
0,596
0,612
0,624
0,633
0,648
0,659

Na figura a seguir (Fig.4), podemos ver a curva do diodo

obtida pela simulao deste componente no programa
Multisim.

Fig. 5 Curva caracterstica real do diodo 1N400X.

II.C. Discusso dos Resultados Obtidos
Observando os dados e os grficos apresentados na seo
anterior, podemos perceber que h uma discrepncia
considervel entre os dados de um diodo ideal e os dados de
um diodo real. Isto se deve a dois motivos, sendo o primeiro
devido a taxa de impreciso dos equipamentos utilizados e o
segundo devido a uma propriedade especfica do diodo real
que no permite a comutao abrupta, ou seja, que o diodo
passe instantaneamente do estado de conduo para o de noconduo. Tal evento ocorre porque, neste intervalo de tempo,
o diodo continua conduzindo devido aos portadores
minoritrios que se mantm presentes na juno PN e no
material do semicondutor, o diodo [3].
III. CONCLUSO
O experimento se demonstrou satisfatrio ao conseguir
comparar o modelo ideal com o modelo real e, ao abordar a
discrepncia dos dados obtidos, demonstrou o porqu da
existncia de tal. Na anlise do experimento pode-se
compreender o porqu das caractersticas esttica e dinmicas
e como elas podem influenciar na captao dos dados de cada
uma das curvas caractersticas obtidas. Deve-se salientar que
o emprego do simulador Multisim para as comparaes dos
modelos facilitou o desenrolar da atividade prtica por sua
preciso e praticidade.

Fig. 4 Curva caracterstica ideal do diodo 1N400X.

REFERNCIAS
II.B. Resultados Experimentais
TABELA II
Resultado experimentais do primeiro circuito
Tenso de
entrada (V)
-3,0
2,0
-1,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
4,0

Tenso sobre o
resistor (V)
0,0
0,0
0,0
0,0
0,0
0,3
0,9
1,5
2,1
2,6
3,8

Corrente sobre o
diodo (A)
0,0000
0,0000
0,0000
0,0000
0,0000
0,0003
0,0009
0,0015
0,0021
0,0026
0,0038

Tenso sobre o
diodo (V)
-3,113
-2,119
-1,060
0,002
0,465
0,545
0,580
0,604
0,617
0,629
0,645

[1] IFRN, Diodos Semicondutores, 2012. [Online].

Disponvel:https://docente.ifrn.edu.br/jeangaldino/disci
plinas/2012.2/eletronica/material-de-apoio/apoio-asaulas-01-a-04.
[2] UDESC, Eletrnica de Potncia, 2014. [Online].
Disponvel:http://www.joinville.udesc.br/portal/profess
ores/batschauer/materiais/capitulo_1_1_componentes_s
emicondutores.pdf.
[2] UNICAMP, Diodos e Transistores, 2012. [Online].
Disponvel:http://www.demic.fee.unicamp.br/~elnatan/
ee640/1a%20Aula.pdfuer/materiais/capitulo_1_1_comp
onentes_semicondutores.pdf.