TTL----------------CMOS

2. FAMILIA LOGICA TTL

3. TTL Sigla en ingls de transis tor-transistor logic

LOGICA DE TRANSITOR a TRANSISTOR Sus elementos de
entrada y salida son transistores bipolares

4. TTL Rangos de voltaje de alimentacin y temperatura

Voltaje nominal de 5V. La serie 74 de 4.75 a 5.25 V La serie 54 de
4.5 hasta 5.5 V. La serie 74 temperaturas de 0C hasta 70 C La
serie 54 temperaturas de -55C a 125 C. La serie 54 tiene un costo
mayor dada su mayor tolerancia. Esta serie se emplea solo en
aplicaciones donde debe mantenerse la operacin confiable sobre
un amplio margen de condiciones externas.

5. TTL Disipacin de Potencia Una compuerta NAND TTL

estndar disipa una potencia promedio de 10 mW. ICC(promedio) =
8 mA y una PD(promedio) = 8mA x 5 V = 40 mW. Esta es la
potencia total requerida por las cuatro compuertas del encapsulado
De este modo, una compuerta NAND requiere una potencia
promedio de 10 mW

6. TTL Retrasos de propagacin La compuerta NAND TTL

estndar tiene retrasos de propagacin caractersticos de tPLH = 11
ns tPHL = 7 ns Con un promedio es de tpd(prom) = 9 ns.

7. TTL Factor de carga de salida Es una medida del nmero

de entradas que una compuerta puede controlar sin exceder las
especificaciones de la misma. El flujo de corriente en una de
entrada o salida se considera positivo si fluye hacia adentro y se
considera negativa si fluye hacia afuera de la terminal. Cuando
conectamos una salida con una o ms entradas, la suma algebraica
de las corrientes debe dar cero.

8. TTL Entradas no conectadas(flotantes): cualquier entrada

en un circuito TTL que se deja desconectada acta como un 1 lgico

aplicado a esa entrada, debido a que en cualquier caso la unin o
diodo base-emisor de la entrada no ser polarizado en sentido
directo.

9. TTL Transitorios de Corriente Este efecto global se puede

resumir como sigue: Siempre que una salida TTL tipo ttem pasa de
BAJO a ALTO, se consume una espiga de corriente de la amplitud
de la fuente de alimentacin VCC. En un circuito o sistema digital
puede haber muchas salidas TTL cambiando de estado al mismo
tiempo, cada una consumiendo una espiga angosta de corriente de
la fuente de poder.

10. TTL Serie 74L y 74H Proporciona TTL de baja

potencia y alta velocidad La serie 74L es una versin de baja
potencia que consume aproximadamente 1mW pero a costa de un
retraso de propagacin mucho mayor. La serie 74H versin de alta
velocidad que tiene un retraso de propagacin reducido, un mayor
consumo de potencia. Serie 74S TTL Schottky La serie 74S
disminuye el retraso de tiempo por almacenamiento , se logra
conectando entre la base y el colector del transmisor un diodo de
barrera Schottky. Emplea resistencias de bajo valor

11. TTL TTL Schottky de bajo consumo de potencia, Series

74LS(LS-TTL) La serie 74LS es una versin de la serie 74S con un
menor consumo de potencia y velocidad. Utiliza el transistor
Schottky Resistencia mas grandes Requerimiento de potencia
del circuito reducida TTL avanzada Schottky , Series 74AS(AS-TTL)
Proporciona una mejora en la velocidad sobre las 74S Con un
requerimiento de consumo de potencia mucho menor. Incluye
bajos requerimientos de corrientes de entrada

12. TTL TTL avanzada Schottky de bajo consume de

potencia, Series 74ALS Esta serie ofrece mejoras tanto en

velocidad como en disipacin de potencia Tiene el menor producto

velocidad-potencia de todas las series TTL Alto costo ha
ocasionado que no remplace la 74LS TTL 74F, FAST Utiliza una
nueva tcnica de fabricacin de circuito integrado, para reducir las
capacitancias inter- dispositivos a fin de lograr demoras reducidas en
la propagacin.

13. TTL 74LS 74ALS Retraso de 9.5 ns 4

nsPropagacinDisipacin de 2 mW 1.2 mW Potencia Producto
Velocidad- 19 pJ 4.8 pJ Potencia

14. 74 74S 74LS 74AS 74ALS 74F PARAMETROS DE

FUNCIONAMIENTO Retraso de Propagacin (ns) 9 3 9.5 1.7 4 3
Disipacin de Potencia (mW) 10 20 2 8 1.2 6 Producto VelocidadPotencia(Pj) 90 60 19 13.6 4.8 18 Mxima Frecuencia de Reloj
(MHz) 35 125 45 200 70 100Factor de carga de la salida para la
misma serie 10 20 20 40 20 33 PARAMETROS DE VOLTAJE VOH
(min) 2.4 2.7 2.7 2.5 2.5 2.5 VOL (max) 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4 0.5 VIH
(min) 2 2 2 2 2 2 VIL (max) 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

15. NAND TTL

16. INVERSOR TTL

17. NOR TTL

18. OTRAS COMPUERTAS TTL

19. FAMILIA LOGICA CMOS

20. CMOS Complementary metal-oxide-semiconductor,

"estructuras semiconductor-xido-metal complementarias La
utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS
configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de
energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas.

21. CMOS La tecnologa CMOS fue desarrollada por

Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a principios de los aos
60. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su
famosa familia lgica CD4000

22. CMOS VOLTAJE DE ALIMENTACIN Las series 4000 y

74C funcionan con valores de VDD, que van de 3 a 15 V Las series
74HC y 74RCT funcionan con un menor margen de 2 a 6 V. Cuando
se emplean dispositivos CMOS y TTL, juntos, es usual que el voltaje
de alimentacin sea de 5 Si los dispositivos CMOS funcionan con
un voltaje superior a 5V para trabajar junto con TTL se deben de
tomar medidas especiales.

23. CMOS NIVELES DE VOLTAJE Cuando las salidas

CMOS manejan slo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la
salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD
para el estado alto. Los requerimientos de voltaje en la entrada para
dos estados lgicos se expresa como un porcentaje del voltaje de
alimentacin

24. CMOS NIVELES DE VOLTAJE VOL (MAX) 0V VOH

(MIN) VDD VIL (MAX) 30% VDD VIH (MIN) 70% VDDDe esta forma,
cuando un CMOS funciona con VDD = 5V, acepta voltaje de entrada
menor que VIL(mx) = 1.5V como BAJO, y cualquier voltaje de
entrada mayorque VIH (mn) = 3.5 V como ALTO.

25. CMOS INMUNIDAD AL RUIDO Ruido : cualquier

perturbacin involuntaria que puede originar un cambio no deseado
en la salida del circuito. Los circuitos lgicos deben tener cierta
inmunidad al ruido la cual es definida como la capacidad para
tolerar fluctuaciones en la tensin no deseadas en sus entradas sin
que cambie el estado de salida. En la Figura tenemos los valores
crticos de las tensiones de entrada y salida de una puerta lgica y
los mrgenes de ruido a nivel alto y bajo.

26. CMOSINMUNIDAD AL RUIDO Los mrgenes de ruido

son los mismos en ambos estados y dependen de VDD. En VDD = 5
V, los mrgenes de ruido son 1.5 V. Observamos una mayor
inmunidad al ruido que las TTL

27. CMOS DISIPACIN DE POTENCIA Tal y como

comentamos, uno de los principales motivos del empleo de la lgica
CMOS es su muy bajo consumo de potencia. Cuando un circuito
lgico CMOS se encuentra en esttico u disipacin de potencia es
extremadamente baja, aumentando conforme aumenta la velocidad
de conmutacin. se produce una disipacin de potencia dc tpica del
CMOS de slo 2.5 nW por compuerta cuando VDD = 5 V an en
VDD = 10 aumentara slo 10 nW. Con estos valores de PD es fcil
observar por qu la familia CMOS se usa ampliamente en
aplicaciones donde el consumo de potencia es de inters primordial.

28. CMOS FACTOR DE CARGA El factor de carga de

CMOS depende del mximo retardo permisible en la propagacin.
Comnmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias
(<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el factor de carga
disminuye.

29. CMOS VELOCIDAD DE CONMUTACIN Los CMOS, al

igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir capacitancias de
carga relativamente grandes, su velocidad de conmutacin es ms
rpida debido a su baja resistencia de salida en cada estado. Los
valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de
alimentacin que se emplee, por ejemplo en una a compuerta NAND
de la serie 4000 el tiempo de propagacin es de 50 ns para VDD = 5
V y 25ns para VDD = 10 V.

30. CMOS ENTRADAS CMOS Las entradas CMOS nunca

deben dejarse desconectadas, ya que son muy sensibles a la
electricidad esttica y al ruido Tienen que estar conectadas a un
nivel fijo de voltaje alto o bajo (0 V o VDD) o bien a otra entrada.

Esta regla se aplica an a las entradas de otras compuertas lgicas

que no se utilizan en el mismo encapsulado.

31. CMOSSUSCEPTIBILIDAD A LA CARGA ESTTICAS

Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos
por carga electrosttica. Esto es consecuencia directa de la alta
impedancia de entrada de estos CI. Una pequea carga
electrosttica que circule por estas altas impedancias puede dar
origen a voltajes peligrosos. Los CMOS estn protegidos mediante
la inclusin en sus entradas de diodos zner de proteccin. Los
zner por lo general cumplen con su finalidad, algunas veces no
comienzan a conducir con la rapidez necesaria para evitar que el CI
sufra daos

32. Caractersticas de las SeriesCMOS

33. CMOS Series 4000/14000 La serie 4000A es la lnea

ms usada de CI CMOS. Algunas caractersticas ms importantes
de esta familia lgica son: La disipacin de potencia de estado
esttico de los circuitos lgicos CMOS es muy baja. Los niveles
lgicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lgico y VDD para 1 lgico.
VDD puede estar entre 3 V a 15 V Todas las entradas CMOS
deben estar conectadas a algn nivel de voltaje. Serie 74C Es
compatible terminal por terminal y funcin por funcin, con los
dispositivos TTL que tienen el mismo nmero Esto hace posible
remplazar algunos circuitos TTL por un diseo equivalente CMOS.
Por ejemplo, 74C74 puede remplazar al CI TTL 7474

34. CMOS Serie 74HC (CMOS de alta velocidad) Esta es

una versin mejor de la serie 74C. La principal mejora radica en un
aumento de diez veces en la velocidad de conmutacin. Otra
mejora es una mayor capacidad de corriente en las salidas.
Tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que
respecta a los voltajes con los dispositivos TTL. Serie 74HCT Esta
serie tambin es una serie CMOS de alta velocidad, y est diseada

para ser compatible en lo que respecta a los voltajes con los

dispositivos TTL, es decir, las entradas pueden provenir de salidas
TTL
35. CMOS 74AC/ACT CMOS Avanzado Esta serie, la ms

nueva de los CMOS Funcionalmente equivalente con las diversas

series de TTL pero no es compatible con terminales con el TTL. La
razn es que las ubicaciones de las terminales en los microcircuitos
74AC o 74ACT se han seleccionado para mejorar la inmunidad al
ruido, con lo cual las entradas a dispositivos son menos sensibles a
los cambios de seal que las que ocurren en las terminales de otros
CI

36. INVERSOR CMOS

37. NAND CMOS

38. NOR CMOS

39. Diferencias entre las familias CMOS y TTLa) En la

fabricacin de los circuitos integrados se usan transistores bipolares
par el TTL y transistores MOSFET para la tecnologa CMOSb) Los
CMOS requieren de mucho menos espacio (rea en el CI) debido a
lo compacto de los transistores MOSFET. Adems debido a su alta
densidad de integracin, los CMOS estn superando a los CI
bipolares en el rea de integracin a gran escala, en LSI - memorias
grandes, CI de calculadora, microprocesadores-, as como VLSI.c)
Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia
que los TTL.

40. Fairchild 4000BPARAMETR TTL Schottky de baja

Fairchild 4000B CMOS TTL estndar TTL 74L CMOS (con O
potencia (LS) (con Vcc=5V) Vcc=10V) Tiempo depropagacin de
10ns 33ns 5ns 40ns 20ns puerta Frecuencia 3 mxima de 35 MHz
45 MHz 8 MHz 16 MHzfuncionamiento MHz Potencia disipada por 10

mW 1 mW 2 mW 10 nW 10 nW puerta Margen deruido admisible 1V

1V 0.8 V 2V 4V Fan out 10 10 20 50* 50*

41. GRACIAS POR SU ATENCION