2.

Unin PN en equilibrio trmico

2.2.1 Descripcin
En condiciones de equilibrio trmico no hay excitacin externa sobre el dispositivo y no debe haber
ninguna corriente neta.
Para analizar qu ocurre en una unin PN en equilibrio trmico supongamos primero las dos zonas P
y N por separado:
zona N: hay una gran concentracin de electrones
zona P: hay una gran concentracin de huecos

Figura 2.2.1 Diagramas de bandas de un semiconductor tipo P y de un tipo N por separado.

Al poner los dos semiconductores en contacto, tendremos corrientes de difusin de electrones y
huecos prximos a la unin que tienden a igualar las concentraciones. Este proceso no puede seguir
indefinidamente porque se generara carga no balanceada en las dos regiones.
El campo generado por las cargas fijas que dejan los portadores al difundirse se opone a este
movimiento, generando una barrera de potencial que se opone a la difusin. En sentido contrario a la corriente
de difusin, tenemos una de arrastre provocada por este campo elctrico. Ambas se compensan en equilibrio
trmico, de forma que no hay trasporte neto de carga (corriente elctrica nula).

Figura 2.2.2 El campo elctrico que aparece en la unin se opone a la difusin de los
portadores mayoritarios

Los electrones (y huecos) que pueden superar la barrera de potencial y difundirse se compensan
exactamente con los pocos que hay en la zona P (o zona N para los huecos) y que son arrastrados por el
campo elctrico. Por tanto, como hemos dicho, en equilibrio no hay corriente neta y se verifican las siguientes
igualdades:
(2.1)
Se denomina zona de carga espacial a la zona en la que hay campo elctrico e impurezas donadoras
o aceptadoras sin cancelar. La concentracin de portadores mviles en esta zona es muy pequea puesto que
son barridos por el campo elctrico.

2.2.2 Clculo del potencial de unin

Definimos los potenciales de Fermi[1] como la distancia desde el nivel de Fermi hasta el nivel de
Fermi intrnseco (como potenciales). Por tanto, estos potenciales de Fermi verifican:
(2.2)
A partir de estas definiciones, la altura de la barrera de energa potencial (
2.2.3):

) viene dada por (ver Figura

(2.3)

Figura 2.2.3 Clculo del potencial barrera (o de unin) como suma de los potenciales de Fermi
Ya conocemos la altura de la barrera de potencial en funcin de los pseudoniveles de Fermi. Pero
resulta ms interesante calcularla en funcin de los dopados de los dos semiconductores. Para ello, slo queda
relacionar los potenciales de Fermi con las concentraciones de portadores o con los dopados:
(2.4)
Luego:
(2.5)
.
Resulta interesante relacionar los cocientes de las concentraciones de electrones (o huecos) en las dos
zonas neutras (N y P). De la primera igualdad de (2.5) y aplicando la ley de accin de masas:

(2.6)

Ejercicio

Demostrar las igualdades (2.5) y (2.6) imponiendo que en equilibrio la corriente es cero (se cancelan las
corrientes de difusin y deriva, tanto para electrones como para huecos).

2.3

Unin PN polarizada en condiciones estacionarias

2.3.1 Descripcin cualitativa

En equilibrio trmico hemos visto que la altura de la barrera es tal que se compensan las corrientes
de difusin y deriva.

Figura 2.3.1 Unin PN en equilibrio trmico: las corrientes de difusin y deriva se cancelan
Si se aplica una tensin externa VD, se reduce (si VD > 0) o se incrementa la barrera (VD < 0). Para el
anlisis de la unin PN polarizada, supondremos que toda la tensin aplicada VD cae en la regin de la unin y
una cantidad despreciable en las zonas neutras.
Polarizacin inversa
Cuando se aplica una tensin inversa (negativa) se incrementa la barrera de potencial respecto al caso
de equilibrio trmico y, como consecuencia, se dificulta la corriente de difusin. Sin embargo, la corriente de
arrastre apenas aumenta porque no est limitada por la velocidad de los portadores, sino por su cantidad. En
consecuencia: la magnitud de VD en inversa apenas influye sobre la corriente. Es decir, con tensiones inversas
se obtiene una corriente -IS independiente de la polarizacin.


Figura 2.3.2 Polarizacin inversa: la barrera de potencial aumenta. Se bloquea la difusin de
mayoritarios y no se altera la corriente de arrastre, que est limitada por la generacin de
minoritarios.
Polarizacin directa
Con tensiones positivas, disminuye la barrera que bloquea la difusin de los portadores mayoritarios.
Por tanto:
(2.7)
Cuanto ms se disminuya la barrera, ms portadores mayoritarios la podrn superar y difundirse hacia el
otro lado de la unin y por tanto mayor ser la corriente.
Los electrones y huecos inyectados (desde zona N y P, respectivamente, donde son mayoritarios) se
convierten en portadores minoritarios al atravesar la unin, incrementando notablemente la concentracin de
minoritarios en la zona P y N, respectivamente.
La concentracin de mayoritarios apenas cambia, puesto que aumenta en la misma cantidad que la de
minoritarios (para mantener la neutralidad elctrica) y trabajaremos bajo la hiptesis de baja inyeccin
(ver Figura 2.3.4).
La corriente en las zonas neutras se debe a la difusin de los portadores minoritarios y a los
mayoritarios que van a recombinarse con ellos.

Figura 2.3.3 Polarizacin directa: disminucin de la barrera de potencial y aumento de la

corriente de difusin.

Figura 2.3.4 Los portadores inyectados se convierten en minoritarios e incrementan la

concentracin de stos. La de mayoritarios apenas se altera (a). La corriente en el diodo se debe
a la difusin y recombinacin de estos portadores minoritarios (b).

UNION P-N EN EQUILIBRIO

INTRODUCCIN
La unin p-n es por ella misma un dispositivo semiconductor (diodo rectificador);
sin embargo, es una estructura que se encuentra formando parte de muchos

dispositivos, por lo que las ecuaciones fsicas que explican su funcionamiento son
fundamentales.
ECUACIONES FUNDAMENTALES
Las ecuaciones bsicas que gobiernan el comportamiento microscpico de los
semiconductores son:
Densidad de corriente de electrones

Densidad de corriente de huecos

Ecuaciones de continuidad para electrones y huecos, respectivamente

Teorema de Gauss. Conservacin de la carga

En todas ellas, q, es el valor numrico de la carga del electrn y s es la constante

dielctrica absoluta del semiconductor.
Las movilidades y constantes de difusin cumplen las relaciones de Einstein

El parmetro U representa la relacin de recombinacin, es decir, el nmero de

portadores recombinados por unidad de volumen y tiempo, y su expresin ms
sencilla, en el caso de que no exista generacin de portadores, es:

Siendo

los tiempos de vida medios y n0 y p0 las concentraciones de

electrones y huecos en el equilibrio termodinmico.

Suele resultar til introducir en el sistema de ecuaciones dado los seudoniveles de
Fermi junto al potencial electrosttico, como nuevas variables en sustitucin de
p, n y . La relacin entre estas variables y las anteriores es:

Siendo n y p los potenciales correspondientes a los seudoniveles de Fermi y

ni la densidad intrnseca de portadores que es una constante del semiconductor
para una temperatura dada:

Donde Ego es la anchura de la banda prohibida extrapolando al cero absoluto.

DEFINICIONES
Una unin p-n consiste en un semiconductor con una regin de tipo p (exceso de
huecos) y otra de tipo n (exceso de electrones) separadas por una regin
relativamente delgada de transicin de un tipo a otro y que puede tener de 10-6 a
10-4 cm de espesor segn sea el mtodo de obtencin de la unin.
Las caractersticas ms importantes de una unin p-n pueden estudiarse mediante
una aproximacin que llamaremos unin unidimensional. En dicha unin, todas las
magnitudes consideradas sobre planos perpendiculares a una direccin
determinada son uniformes.
Una unin unidimensional queda determinada si conocemos sus dimensiones
lineales y la distribucin de impurezas.

El plano N(x) = 0 de separacin de las regiones p y n se llama unin metalrgica y

los planos donde terminan las regiones p y n forman contactos metalrgicos.
En el caso real, la funcin N(x) suele ser ms o menos complicada; sin embargo,
existe un caso sencillo denominado unin p-n abrupta cuya distribucin viene dada
por las ecuaciones:

Cuando ND = NA tenemos una unin abrupta simtrica y, en caso contrario,

asimtrica.
Una unin asimtrica en la que ND > NA se denomina unin pn + y en el caso NA >
ND unin p+n.
UNIN p-n EN EQUILIBRIO
Una unin p-n se encuentra en equilibrio termodinmico cuando se encuentra a
una temperatura uniforme y no actan sobre ella factores externos que aporten
energa.
En este caso las corrientes de electrones y huecos deben anularse en cada punto
del semiconductor y, desde un punto de vista termodinmico, el nivel de Fermi ha
de ser el mismo para ambos tipos de portadores. Con ello tendremos:

Antes de producirse el equilibrio y desde el instante del contacto, existen unas

corrientes de difusin producidas por la variacin del gradiente de portadores a
cada lado de la unin.
Este desplazamiento de portadores alrededor de la unin metalrgica hace que
aparezca en dicha zona, llamada zona de transicin o de carga espacial, una
densidad de carga elctrica debida a las impurezas ionizadas inmviles, negativa
en la regin P y positiva en la regin N, que origina un campo elctrico en la zona
de transicin y cuya direccin se opone al movimiento por difusin de los
portadores mviles. De ese modo se llega al equilibrio cuando el valor de este
campo elctrico que acta sobre los portadores mviles compensa el efecto
debido a la difusin.
La presencia de este campo elctrico en la zona de transicin conllevar la
aparicin de una diferencia de potencial electrosttico entre las regiones P y N,
que recibe el nombre de potencial de contacto de la unin y cuyo valor, en
equilibrio, permite que el nivel de Fermi sea constante a travs de la unin.
Las ecuaciones bsicas para un estudio cuantitativo de una unin P-N en
equilibrio son:

Y teniendo en cuenta las densidades de portadores:

Donde hemos tomado el origen de potenciales en el potencial correspondiente

al nivel de Fermi.
Conocida la distribucin de impurezas, N = ND NA, la integracin de esta
ecuacin, junto con la condicin de neutralidad elctrica para la unin, nos permite
obtener todos los parmetros necesarios para resolver el problema.
En el caso de una unin unidimensional, la ecuacin anterior toma la forma:

Que, en general, no puede resolverse exactamente en forma explcita.

UNIN ABRUPTA Y UNIN GRADUAL (ver captulo siguiente a travs de uno
de los enlaces inferiores)