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Ing. Electrnica
Circuitos Digitales l
Taller Familias De Circuitos Integrados.
Tecnologa CMOS
Qu es CMOS?
Semiconductor complementario del xido de metal.) Es una tecnologa utilizada para crear circuitos
integrados, como pueden ser compuertas lgicas, contadores (entre stos, muy populares los Decimales
Johnson), etc. El inversor CMOS, y en general cualquier circuito CMOS, es una configuracin en donde
se utilizan tanto transistores NMOS como PMOS, de all el nombre.
Los dispositivos CMOS consumen poca potencia y pueden fabricarse en gran escala dentro de los
circuitos integrados (chips).
El inversor CMOS, y en general cualquier circuito CMOS, es una configuracin en donde se utilizan
tanto transistores NMOS como PMOS.
CMOS significa Semiconductor de Metal xido Complementario.
Existen una cantidad muy grade de compuertas lgicas CMOS, que son una alternativa muy
importante ante la otra tecnologa: TTL (Lgica Transistor Transistor).
Es la tecnologa ms usada para la fabricacin de circuitos integrados. Usa pares de transistores
PMOS y NMOS de los cuales, en un instante dado, solo uno est encendido.
Tecnologa ECL
Qu es ECL?
La familia ECL, Lgica Acoplada en Emisor (emmiter-coupled logic) son unos circuitos integrados digitales
los cuales usan transistores bipolares, pero a diferencia de los TTL en los ECL se evita la saturacin de
los transistores, esto da lugar a un incremento en la velocidad total de conmutacin. La familia ECL opera
bajo el principio de la conmutacin de corriente, por el cual una corriente de polarizacin fija menor que la
corriente del colector de saturacin es conmutada del colector de un transistor al otro.
Son los circuitos ms veloces y pueden alcanzar tiempos de demora de hasta 1ns.
No existen picos de corrientes en los transistores como sucede en la familia lgica TTL.
Se dispone de salidas complementadas, lo que le brinda mayor versatilidad.
Ing. Electrnica
Circuitos Digitales l
Taller Familias De Circuitos Integrados.
Tecnologas de fabricacin
Tecnologa MESFET
Avances recientes en el procesamiento tecnolgico del arseniuro de galio han hecho posible una
tecnologa de circuitos integrados en arseniuro de galio similar a la del silicio.
El arseniuro de galio tiene tres ventajas fundamentales sobre el silicio:
Mayor movilidad de los electrones, lo que se traduce en una menor resistencia serie para una
geometra dada, y mayores niveles de corriente.
Mayor velocidad de deriva para un valor aplicado de campo elctrico, lo que mejora la velocidad
de respuesta del dispositivo.
Pueden crecerse capas de arseniuro de galio semiaislante, lo que proporciona la posibilidad de
substratos cristalinos aislantes.
Tecnologa BiCMOS
Para conseguir una elevada tensin de ruptura en la unin base colector de un transistor bipolar es
necesario utilizar una lmina epitaxial muy gruesa (17mm de material con 5W-cm para 36V). Si se permiten
tensiones de ruptura mucho ms bajas (por ejemplo 7V si se trabaja con tensiones de alimentacin de 5V)
entonces se puede utilizar un dopado elevado en el colector (del orden de 0.5W -cm). En este caso es
posible aislar lateralmente los diferentes dispositivos fabricados siguiendo la tecnologa bipolar mediante
capas de xido gracias a la tcnica LOCOS.
Esto tiene la gran ventaja de reducir enormemente la capacidad parsita existente entre colector y
substrato porque las regiones muy dopadas prximas a la superficie ahora se sustituyen por las
capacidades mucho menores de los xidos de aislamiento.
http://es.slideshare.net/andyupao/presentacion-cmos-presentation
http://gadgenes.com/os-explicamos-finfet-el-corazon-del-exynos-7-de-samsung/
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap13