El Transistor MOSFET

INTRODUCCIN.
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o
BJT, como son la corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas veces por su
emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas evidente, el efecto
llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores ms avanzados, hasta la llegada de
los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a
que ocupen un lugar importante dentro de la industria, desplazando a
los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de potencia son muy
populares para aplicaciones de baja tensin, baja potencia y
conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como
robtica, CNC y electrodomsticos.
La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado
slido, electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los
cuales controlan el flujo de energa que se transfiere a la carga. Estos
dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo para
regular la tensin de salida. Para realizar la parte de conmutacin,
existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades
entre potencia y velocidad de conmutacin de los tipos de
dispositivos.

LOS TRANSISTORES MOSFET.

Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en
uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en ste, el movimiento
de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos
elctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de transistores se
conocen como, efecto de campo JFET (del ingls, Juntion Field Effect
Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura
MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin
entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal
conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al
efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al
canal, que tambin es conocida como la zona de inversin.
LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas:
Un Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se
genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee caractersticas
dielctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de
entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa
deMetal (Aluminio
o
polisilicio),
que
posee
caractersticas
conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico, en
contacto con la capsula, como se ve en la figura.

La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas

en el que G y B son las placas y el xido, el aislante. De este modo,
cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y la distribucin de
portadores es aleatoria y se corresponde al estado de equilibrio en el
semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de
Puerta y substrato. La regin semiconductora p responde creando una
regin de empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexin), al
igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando estaba
polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos, se
incrementa con VGB.
Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona
semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar el campo
elctrico y se provoca la acumulacin de cargas negativas libres (e-)
atrados por el terminal positivo. Se dice entonces que la estructura ha
pasado de estar en inversin dbil a inversin fuerte.
El proceso de inversin se identifica con el cambio de polaridad del
substrato, debajo de la regin de Puerta. En inversin fuerte, se forma
as un CANAL de e- libres, en las proximidades del terminal de Puerta
(Gate) y de huecos p+ en el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta
como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la
impedancia desde la Puerta al substrato es prcticamente infinita e IG=0
siempre en esttica. Bsicamente, la estructura MOS permite crear una
densidad de portadores libres suficiente para sustentar una corriente
elctrica.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de xido (SiO2) que impide
prcticamente el paso de corriente a su travs; por lo que, el control de
puerta se establece en forma de tensin. La calidad y estabilidad con
que es posible fabricar estas finas capas de xido es la principal causa
del xito alcanzado con este transistor, siendo actualmente el dispositivo
ms utilizado.
Adems, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que
permite una mayor densidad de integracin. Comencemos con la
estructura bsica del MOSFET, seguido de sus smbolos.

Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el

substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la
interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de
material n, fuertemente dopado (n+).

Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de puerta de un

MOSFET de tipo N, se crea un campo elctrico bajo la capa de xido que
incide perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este
campo, atrae a los electrones hacia la superficie, bajo la capa de xido,
repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo elctrico es muy
intenso se logra crear en dicha superficie una regin muy rica en
electrones, denominada canal N, que permite el paso de corriente de la
Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensin de Puerta (Gate) mayor
ser el campo elctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado
el canal, la corriente se origina, aplicando una tensin positiva en el
Drenador (Drain) respecto a la tensin de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los
portadores son huecos (cargas de valor positivas, el mdulo de la carga
del electrn). En este caso, para que exista conduccin el campo
elctrico perpendicular a la superficie debe tener sentido opuesto al del
MOSFET tipo N, por lo que la tensin aplicada ha de ser negativa. Ahora,
los huecos son atrados hacia la superficie bajo la capa de xido, y los
electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en
huecos se forma el canal P. Cuanto ms negativa sea la tensin de
puerta mayor puede ser la corriente (ms huecos en el canal P),
corriente que se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensin

negativa respecto al terminal de Fuente. La corriente tiene sentido

opuesto a la de un MOSFET tipo N.

Si con tensin de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina

de acumulacin; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la
tensin de Puerta a partir de la cual se produce canal, se conoce como
tensin umbral, VT. El terminal de sustrato sirve para controlar la tensin
umbral del transistor, y normalmente su tensin es la misma que la de la
Fuente.
El transistor MOS es simtrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre s. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor
tensin acta de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor
tensin en el tipo P (recoge los huecos). A modo de resumen, la figura
anterior, muestra el funcionamiento de un transistor MOS tipo N de
enriquecimiento.
El smbolo ms utilizado para su representacin a nivel de circuito se
muestra en la figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate)
nos informa sobre el sentido de la corriente.

Smbolos de circuito
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor
MOSFET. El diseo bsico consiste en una lnea recta para dibujar el
canal, con lneas que salen del canal en ngulo recto y luego hacia

afuera del dibujo de forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el

drenador. En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en tres
partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida
para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en
forma paralela al canal para destacar la compuerta.
La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la
parte central del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS
o NMOS. La flecha siempre apunta en la direccin P hacia N, de forma
que un NMOS (Canal N en una tina P o sustrato P) tiene la flecha
apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato
est conectado internamente al surtidor (como generalmente ocurre en
dispositivos discretos) se conecta con una lnea en el dibujo entre el
sustrato y el surtidor. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como
generalmente ocurre en el caso de los diseos de circuitos integrados,
debido a que se utiliza un sustrato comn) se utiliza un smbolo de
inversin para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa
se puede utilizar una flecha en el surtidor de forma similar a como se
usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y
hacia adentro para un PMOS).
En esta figura se tiene una comparacin entre los smbolos de los
MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los
smbolos para los JFET (dibujados con el surtidor y el drenador
ordenados de modo que las tensiones ms elevadas aparecen en la
parte superior del smbolo y la corriente fluye hacia abajo).

Canal
P

Canal
N

JFET

MOSFET
Enriq.

MOSFET
sustrato)

Enriq.

(sin

MOSFET
Empob.

Modos de operacin]
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres
diferentes regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus
terminales. En la presente discusin se utiliza un modelo ?algebraico que
es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con
fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones:
Corte

NMOS en modo de corte. La regin blanca

indica que no existen portadores libres en esta
zona, debido a que los electrones son
repelidos del canal.
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensin de umbral del
transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre el surtidor y
el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita
por la distribucin de Boltzmann para las energas de los electrones, en
donde se permite que los electrones con alta energa presentes en el surtidor ingresen al
canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una funcin
exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La corriente subumbral sigue
aproximadamente la siguiente ecuacin:

donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX

donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y

COX es la capacidad de la capa de xido.
Regin lineal u hmica

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal

de tipo n al lograr la inversin del sustrato, y la
corriente fluye de drenador a surtidor.

Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )

Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la
tensin de umbral, se crea una regin de agotamiento
en la regin que separa el surtidor y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de agotamiento,
que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de
conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y surtidor dar
lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la
tensin de compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por medio de
la ecuacin:

donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es la capacidad del xido por unidad de rea,

es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.
Saturacin o activa[editar]

NMOS en la regin
de saturacin.Al
aplicar una tensin
de drenador ms
alta, los electrones

son atrados con ms fuerza hacia el drenador y el canal se

deforma.

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )

Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y
desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor no se
interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Ejemplo