Вы находитесь на странице: 1из 10

Soluciones 1er parcial de Fisica II

Comisin B2 - Jueves - Tema 2

1 de septiembre de 2015

1.

Ley de Coulomb

1.1.

Enunciado

Dos placas paralelas conductoras, separadas por una distancia d = 1cm, se conectan a una
fuente de tensin de 10V . En el punto medio entre las placas se coloca una carga de valor q = 1C .
Halle la fuerza elctrica F que parece sobre la carga. Exprese la fuerza vectorialmente. Cunto
trabajo se necesita para trasladar la carga desde el punto medio hacia un punto ubicado 1mm
hacia arriba, ms cercano a la placa positiva?

V +

q +

10V

Figura 1: Placas conectadas a una diferencia de potencial y carga en el centro.


1.2.

Respuestas

a) F~ = 1 103 N j
b) W = 1J
1.3.

Soluciones

a) El campo elctrico E est dado por la relacin


E=

V
d

Y en forma vectorial, sabiendo que las lenas de campo irn desde la placa positiva hacia la
placa negativa, tenemos:
 
~ = V j
E
d
La fuerza que realiza el campo elctrico E sobre la carga q resulta:
~ = qV
F~ = q E
d
F~ = 1 106 C


j

 (10V )  
j
(102 m)

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones

LEY DE GAUSS Y SUS APLICACIONES

 
F~ = 1 103 N j

b) Dado que la diferencia de potencial se dene como el trabajo realizado para trasladar una
partcula cargada en un campo elctrico, por unidad de carga, es decir:
Vab =

Wab
q

podemos entonces expresar:


Wab = qVab = qEy = q

V
y
d

siendo y la distancia entre los puntos incial y nal de la partcula cargada durante su desplazamiento. Los datos del problema plantean que y = 1mm, entonces:
W = qEy = 1 106 C


 (10V )
103 m
2
(10 m)

W = 1 106 J = 1J
2.

Ley de Gauss y sus aplicaciones

2.1.

Enunciado

Se tienen tres esferas conductoras, huecas y concntricas, cuyos radios son ra = 1mm, rb = 2mm
y rc = 4mm cargadas respectivamente con cargas 2q , 2q y q , siendo q = 1pC .
a) Deduzca la expresin del campo elctrico para todos los valores de r.
b) Halle el valor del potencial en un punto ubicado a 5mm desde el centro de las esferas.
c) Realice un grco cualitativo de las lneas de campo elctrico y las lneas equipotenciales.
2.2.

Respuestas

0
r < ra

k 2q /r2
ra r < rb
a) E =

(kq) /r2
rb r < rc

0
r rc
b) V (r = 0, 005m) = 0V ya que V (r > rc ) = 0V

c)

E
V

0 ra rb rc

Figura 2: Lneas de campo elctrico y equipotenciales.


Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones


2.3.

LEY DE GAUSS Y SUS APLICACIONES

Soluciones

a) Se plantean supercies gaussianas esfricas, concnctricas, que presentan total simetra con
las esferas cargadas del problema. Se plantea una supercie gaussiana para cada regin a analizar,
a saber:

S1

S2
S3
S4

0 ra rb rc

Figura 3: Supercies gaussianas utilizadas.


Supercie S1
Supercie S2
Supercie S3
Supercie S4

para analizar la
para analizar la
para analizar la
para analizar la

regin
regin
regin
regin

r < ra
ra r < rb
rb r < rc
r rc

Aplicando la ley de Gauss sobre cada supercie se obtiene la expresin del campo elctrico para
cada regin.
r < ra
qenc = 0 E = 0
ra r < rb
qenc = 2q

~ = qenc
~ dA
E
0
S2

~ y E = cte:
~ k dA
Dado que E

dA =

E
S2

E 4r2 =
E=

rb r < rc
qenc = 2q + 2q = q

q
2

0
q
2

q
2

1
40 r2

~ = qenc
~ dA
E
0
S3

~ y E = cte:
~ k dA
Dado que E

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones

LEY DE GAUSS Y SUS APLICACIONES

dA =
S3

E 4r2 =
E=

r rc
qenc = 2q +

q
2

q
0

q
0

q 1
40 r2

q =0 E =0

Estos resultados pueden gracarse, limitando cada resultado a la regin en la que vale cada
expresin.
El siguiente grco se realiz con el software Mathematica 10, con el siguiente cdigo.
ra = 1*10^-3;
rb = 2*10^-3;
rc = 4*10^-3;
q = 1*10^-12;
k = 9*10^9;
Piecewise[{{0, r < ra}, {(k*q/2)/r^2, r < rb}, {(k*q)/r^2, r < rc}}], {r, 0, .005}]

4000

3000

2000

1000

0.001

0.002

0.003

0.004

0.005

Figura 4: Resultado de la funcin Piecewise de Mathematica.


b) Para hallar el potencial en un punto ubicado fuera de las tres esferas cargadas, stas pueden
considerarse cargas puntuales ubicadas en el centro de las mismas y con igual carga que cada esfera;
esta simplicacin fue demostrada aplicando la ley de Gauss a una esfera cargada y analizando
las expresiones del campo elctrico y el potencial electrosttico en la zona externa de dicha esfera,
donde se observ que el resultado es el mismo que el que se hubiese obtenido si la carga hubiese
sido puntual, ubicada en el centro de la esfera.
De esta manera, y haciendo uso del teorema de superposicin, se obtiene el potencial total en
el punto pedido.
V (r) =

k 2q
kq
kq
+ 2
=0
r
r
r

Recuerde que esta expresin es vlida en la zona exterior las esferas, es decir, vale para r > rc ,
por lo que para r = 5mm es vlida y toma valor 0.

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones


3.

CAPACIDAD

Capacidad

3.1.

Enunciado

Para el siguiente capacitor de placas paralelas con varios dielctricos, de permitividades elctricas relativas r1 = 10, r2 = 20, r3 = 30, r4 = 40, rea A = L2 = 1cm2 y separacin entre
placas d = 0, 01mm se pide:
L
L

r1

d/2

r2

r4

r3
L/3

L/3

L/3

Figura 5: Capacitor con varios dielctricos.


a) Halle la expresin de la capacidad y su valor.
b) Si dicho capacitor posee una carga Q = 1C , cunta energa almacena?
3.2.

Respuestas

a) C =

0 A
d

r1
3

2(r2 r3 )
3(r2 +r3 )

r4
3

C = 2, 18nF
b) U = 227J
3.3.

Soluciones

a) La solucin se basa en modelizar el capacitor de varios dielctricos como una interconexin


serie-paralelo de varios capacitores, cada uno con un nido dielctrico y dimensiones denidas.
Teniendo en cuenta que capacitores en paralelo comparten la misma diferencia de potencial
aplicada entre sus placas y que capacitores en serie comparten la misma carga, que es igual a la
carga total, se puede realizar el siguiente circuito equivalente, que representa al capacitor total
como una interconexin de 4 capacitores simples.

A
d/2

r1

C2
C1
A

d/2

r2

C4

r4

C3

r3

L/3

L/3
L/3

Figura 6: Circuito equivalente del capacitor complejo.

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones

ELECTRODINMICA

Se observa que los capacitores C2 y C3 se encuentra conectados en serie entre s y luego en


paralelo con C1 y C4 , permitiendo expresar a la capacidad del capacitor complejo mediante la
siguiente expresin.
C = C1 +

C=

0 r1 A3
+
d

1
C2

1
0 r4 A
3
d/2

1
+
1
+

1
C3

+ C4

0 r4 A
3
d/2

0 r4 A3
d

0 r1 A3
0 r2 r3 A3
0 r4 A3
+ d
+
d
d
2 (r2 + r3 )


0 A r1
2 (r2 r3 )
r4
C=
+
+
d
3
3 (r2 + r3 )
3

C=

Reemplazando valores,



F
104 m2 10 2 (20 30) 40
8, 85 1012 m
+
+
C=
(0, 01 103 m)
3
3 (20 + 30)
3
C = 2, 18nF

b) Siendo la energa almacenada en un dado capacitor


U=

Usando la denicin de capacidad: C =

Q
V

1
CV 2
2

puede reescribirse como:

U=

1 2
Q
2C

donde, reemplazando valores, se obtiene:


U=

2
1
1 106 C
9
2 (2, 18 10 F )
U = 227 106 J = 227J

4.
4.1.

Electrodinmica
Enunciado

Dado el siguiente circuito de mltiples mallas.


a) Obtenga un circuito equivalente reducido, conformado por una fuente de tensin, una resistencia y el mismo capacitor.
b) Cul es el valor de la constante de tiempo del circuito ?
c) Siendo la expresin de la tensin de carga de un capacitor en funcin del tiempo, en un
t
circuito RC : vc (t) = V (1 e ), donde = Rth C es la constante de tiempo, cul ser la
diferencia de potencial entre las placas del capacitor en el tiempo t = 3 ?

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones


4.2.

ELECTRODINMICA

Respuestas

a)
Rth
100k
C1
10F

Vth
5V

Figura 7: Circuito equivalente de Thevenin.


b) = 1s
c) Vc (t = 3 ) = 4, 75V
4.3.

Soluciones

a) Se pide, en denitiva, aplicar el teorema de Thevenin en los bornes del capacitor, como se
aprecia en circuito siguiente.

R1
1k

R2

R4

10k

2.2k

V1
10 V

100k

V2
5V

V3
10 V

R3

R5

2.2k

2.2k

R8

R6

50k
C1
10F

R7
100k

Thevenin

Figura 8: Puntos de aplicacin de Thevenin.


Se deja entonces el circuito abierto en los puntos marcados y se analiza el circuito restante para
hallar la resistencia equivalente de Thevenin Rth y la tensin del generador de Thevenin Vth .
Rth

Se pasivan los generadores (los generadores de tensin se reemplazan por cortocircuitos y en


el caso de haber generadores de corriente por circuitos abiertos) y se analiza la resistencia medida
desde los puntos antes mencionados.

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones

R1
1k

R2

R4

10k

2.2k

V1
10 V

ELECTRODINMICA

R8

R6
100k

V2
5V

V3
10 V

R3

R5

2.2k

2.2k

50k
C1
10F

R7
100k

Rth

Figura 9: Analsis para hallar Rth .


Se observa que al reemplazar el generador de tensin V3 por un cortocircuito, todos los componentes a la izquiera de ste no afectan al circuito; cualquier resistencia que quede a la izquierda
del corto, en paralelo con dicho corto, dar como resultado la resistencia del cortocircuito (0 ).
De esta manera podemos pasar al siguiente circuito reducido.
R8

R6
100k

50k
C1
10F

R7
100k

Rth

Figura 10: Circuito reducido.


Ya puede entonces calcularse la Rth :
Rth = R8 + (R6 k R7 )
Rth = 50k + (100k k 100k)
Rth = 100k
Vth

Para hallar la tensin de Thevenin debemos tener en cuenta que en el circuito original, el
generador de tensin V3 separa al mismo en dos mitades, ya que sin importar lo que haya conectado
a la izquierda del generador V3 , la diferencia de potencial entre sus bornes ser la que ste imponga,
que para este ejemplo es de 10V . Considerando esto, para hallar Vth basta con analizar el circuito
siguiente, desde el generador V3 hasta los bornes donde queremos calcular la tensin (a circuito
abierto).

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones

R6

10V

I=0

Vth

100k
V3
10 V

ELECTRODINMICA

Vth

50k a
R8

R7
100k

C1
10F

b
Vth

Figura 11: Circuito para hallar Vth .


Vth es la tensin medida entre los puntos a y b, es decir Vab como se observa en la gura anterior.
Teniendo en cuenta que el circuito est abierto (condicin para aplicar el teorema de Thevenin),
la corriente que circula por la resistencia R8 es nula (I = 0), por lo que no hay cada de potencial
sobre dicha resistencia; esto nos lleva a concluir que Vth = Vab = Va0 b0 , siendo Va0 b0 la cada de
potencial sobre la resistencia R7 , que junto con R6 y V3 conforman un divisor de tensin resistivo.

V3
R7
Vth = Vab = Va0 b0 = VR7 =
R6 + R7


10V
Vth = VR7 =
100k
100k + 100k


Vth = 5V

Se obtiene entonces el circuito equivalente de Thevenin, que se comporta de igual forma que el
circuito original al conectarlo nuevamente con la carga, que en este caso es el capacitor C1 .
Rth
100k
C1
10F

Vth
5V

Figura 12: Circuito equivalente de Thevenin.


b) La constante de tiempo = RC se reere a un circuito serie conformado por una fuente V ,
una resistencia R y un capacitor C . Por esto, debemos utilizar la Rth utilizada para hallarla:
= Rth C1 = 100k 10F
= 1s

c) La expresin de la tensin del capacitor en funcin del tiempo (suponindolo completamente


descargado en t = 0) es:
h
i
t
Vc (t) = V 1 + e

Nuevamente, debe utilizarse la Vth en esta frmula, ya que la misma se dedujo a partir de un
circuito simple RC . Para el instante t = 3 basta con reemplazar y obtener el resultado.
Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

Ing. Guillermo Gurnkel

Fsica II - 1er Parcial 2015 - Soluciones

ELECTRODINMICA

h
i
3
Vc (t = 3 ) = Vth 1 + e


Vc (t = 3 ) = 5V 1 + e3
Vc (t = 3 ) = 4, 75V

Ingeniera Electrnica
Universidad Nacional de Moreno

10

Ing. Guillermo Gurnkel

Вам также может понравиться