INTRODUO CINCIAS DOS MATERIAIS

APLICADA ENGENHARIA

IMPERFEIES CRISTALINAS

1. Defeitos pontuais

2. Defeitos de linha (discordncias)

Prof. Msc. Alexssan Moura
email: profalexssan@hotmail.com

3. Defeitos de interface (gro e maclas)

4. Defeitos volumtricos (incluses,

precipitados)

EMENTA
U.E. 6: IMPERFEIES EM SLIDOS
Objetivo: Identificar os defeitos cristalinos e a sua influncia
nas propriedades dos slidos.
6.1 Defeitos pontuais: Lacunas e auto-intersticiais; Impurezas
em slidos.
6.2
Imperfeies
diversas:
Discordncias;
Defeitos
interfaciais; Defeitos volumtricos.

IMPERFEIES EM SLIDOS

Uma microscopia de
campo inico tirada da
extremidade de uma
amostra
afilada
de
tungstnio.

O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos
O tipo e o nmero de defeitos dependem do
material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.
4

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios
atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIADEFEITOS

INTRODUO
SELETIVA

CONTROLE
DO NMERO

ARRANJO

Permite desenhar e criar novos materiais

com a combinao desejada de propriedades
6

IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Exemplos de efeitos da presena

de imperfeies
o

O processo de dopagem em semicondutores visa

criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento
na resistncia mecnica (processo conhecido como
encruamento)
Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
discordncias) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
7

IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificados de acordo com sua

geometria ou dimenses

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais
associados c/ 1 ou 2
posies atmicas. Irregularidades que se estendem
sobre somente alguns tomos (defeitos adimensionais dimenso zero), podendo ser lacunas, intersticiais ou
substitucionais;

Defeitos lineares
uma dimenso. Irregularidades
que se estendem atravs de uma nica fileira de tomos
(unidimensionais), podendo ser discordncias em hlice
ou discordncias em cunha;

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos planos ou interfaciais
(fronteiras)
duas dimenses. irregularidades que se estendem
atravs de um plano de tomos (bidimensionais, que
incluem as superfcies exteriores e os limites de gro
interiores), podendo ser contornos de pequeno ngulo,
contornos de gro, interface precipitado - matriz;
Defeitos volumtricos
trs dimenses. defeitos
macroscpicos tridimensionais se estendem sobre o
conjunto dos tomos na estrutura ou no volume. Como
exemplos destes defeitos pode-se citar os poros, as
fendas, os precipitados e as incluses.
10

IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Intrnsecos
defeitos decorrentes das leis
fsicas;
Extrnsecos
defeitos presentes devido ao meio
ambiente e/ou as condies de processamento.

OBS: Sendo que a maioria dos defeitos em

materiais so extrnsecos.

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1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios (lacunas)
tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel
Ocorrem em
slidos inicos

12

VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
cristal
ou
como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)
A presena de um vazio
significa
que
as
ligaes atmicas na
vizinhana do defeito
no foram satisfeitas.

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VACNCIAS OU VAZIOS
Defeitos Pontuais
Nmero de Lacunas (Nv)

Nv = Ne-Q/kT

N= Na/PA
Onde:
NA=no avogrado;
= densidade e
PA= peso atmico

N = n posies atmicas na estrutura cristalina

Q = energia para formao de uma lacuna
T = temperatura absoluta (K)
k = 1,38x10-23J/tomo-K = 8,62x10-5 eV/tomo.K = 1,987
cal/mol-K (constante de Boltzmann)

O nmero de vacncias aumenta

exponencialmente com a temperatura

Clculo de lacunas a uma dada T

Calcule o no de lacunas em equilbrio
por m3 de Cu, a 1000oC. A energia para
formao de uma lacuna de 0,9
eV/atomo.
PA: 63,5 g/mol
= 8,4 g/cm3 (T=1000oC)
NAVOG= 6,02x1023 tomos/mol

Clculo de lacunas a uma dada T

Nmero de Lacunas
Exemplo
Calcule a concentrao de vacncias no cobre a 25oC. A que temperatura
ser necessrio aquecer este metal para que a concentrao de vacncias
produzidas seja 1000 vezes maior que a quantidade existente a 25oC?
Assuma que a energia para a formao de lacunas seja 20000 cal/mol e o
parmetro de rede para o cobre CFC 0,36151 nm.
Soluo
O nmero de tomos ou posies na rede cristalina, por unidade de
volume, do cobre
4 tomos/clula
Nv = (3,6151x10-8cm)3
a 25C (T=298K):

= 8,47x1022 tomos Cu/cm3

Nv = 8,47x1022 e-20000/(1,987 x 298) = 1,81x108 lacunas / cm3

para que Nv seja 1000 vezes maior,
1,81x1011 = 8,47x1022e-20000/(1,987 T) T = 102 C

INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio
(do
prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial
implica
na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia.
Geralmente, estes defeitos
no ocorrem naturalmente
por causa da distoro que
originam na estrutura, mas
podem ser introduzidos por
irradiao.

18

INTERSTICIAIS
A presena de um tomo em uma posio que no pertence
estrutura do cristal perfeito como a ocupao de um vazio
intersticial, por exemplo, significa uma distoro na estrutura
devido ao desajuste causado pela presena deste tomo
(tem efeito endurecedor).

tomo intersticial pequeno

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Defeitos Substitucional
Ocorre quanto tomos tm tamanhos prximos aqueles da
matriz com diferenas entre raios menor que 15 %. Gera
distoro no reticulado: introduz tenses, atua como barreira
ao movimento de discordncias e aumenta a resistncia
do material.
Exemplos: Ni em aos inoxidveis austenticos esta
dissolvido na austenita e Zn (abaixo de 30 %) no cobre forma
lato.

tomo intersticial grande

Gera maior distoro na rede
20

Defeitos pontuais em slidos inicos

FRENKEL
Ocorre em slidos inicos
Ocorre quando um on sai de sua posio normal e vai
para um interstcio.
Se, num cristal inico, um ction se move para um
interstcio, cria-se uma lacuna catinica no local onde o on
se encontrava. Este par lacuna-intersticial designado por
defeito de Frenkel.
A presena destes
defeitos
nos
cristais
inicos
aumenta a sua
condutibilidade
eltrica.
21

SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano
de cargas
Envolve a falta de um nion e/ou um ction
Quando, num cristal inico, faltam dois ons de cargas
contrrias, origina-se uma bilacuna ction-nion que
conhecida por defeito de Schottky

22

Defeitos pontuais em slidos inicos

23

24

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

(a) vacncia

(c) Sustitucional
pequeno tomo

(b) tomo intersticial

(d)

Sustitucional
grande tomo

IMPUREZAS NOS SLIDOS

Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos)
presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3
A presena de impurezas promove a
formao de defeitos pontuais
26

27

Termos usados
Elemento de liga ou Impureza
soluto (< quantidade)

Matriz ou
Hospedeiro

solvente
(>quantidade)
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SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza)
e matriz
apresentam
estrutura
cristalina
e
dimenses
eletrnicas semelhantes
29

30

31

FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE

SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS

REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico
deve ter uma diferena de no
mximo 15%, caso contrrio pode promover distores
na rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina
mesma
Eletronegatividade
prximas
Valncia
mesma ou maior que a do hospedeiro

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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA

SUBSTICIONAL
Cu + Ni

so solveis em todas as
propores
Cu

Ni

Raio atmico

0,128nm=1,28 A

0,125 nm=1,25A

Estrutura

CFC

CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2
33

34

35

Converses entre composies

Algumas vezes necessrio converter de um tipo de
composio para outro por exemplo, converter de
porcentagem em peso em porcentagem atmica.

Converso
de
porcentagem em peso
em
porcentagem
atmica.

Converso
de
porcentagem atmica
em porcentagem em
peso.

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Ex: Determine a composio, em porcentagem

atmica, de uma liga com 97%p alumnio e 3%p cobre.

37

Exerccios

38

2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS

- cunha
- helicoidal
39

40

VETOR DE BURGER (b)

O deslocamento dos tomos em torno da
discordncia designado por vetor de
escorregamento ou vetor de Burgers (b) e
perpendicular linha da discordncia cunha
D a magnitude e a direo de distoro da rede
Corresponde distncia de deslocamento dos
tomos ao redor da discordncia

41

2.1- DISCORDNCIA EM
CUNHA
Envolve um SEMIplano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e
compresso
42

VETOR DE BURGER (b)

43

44

45

DISCORDNCIAS EM
CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

46

47

2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

48

DISCORDANCIA EM HLICE

49

2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
50

OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS
Diretamente

TEM ou HRTEM

Indiretamente
SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)

51

DISCORDNCIAS NO TEM

52

DISCORDNCIAS NO
HRTEM

53

DISCORDNCIAS NO
HRTEM

54

FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA

NA DISCORDNCIA VISTA NO
SEM

Plano (111) do InSb

Plano (111) do GaSb

55

CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas
56

CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica, por
isso a densidade das mesmas depende da
orientao cristalogrfica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
As discordncias contribuem para a
deformao plstica
57

58

3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar est
energia
A energia superficial expressa em
erg/cm2 ou J/m2)

59

60

61

62

63

Discordncia e Contorno de Gro

A passagem de uma discordncia atravs do
contorno de gro requer energia
DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois

constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
64
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL

OBSERVAO DOS GROS

E CONTORNOS DE GRO
Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)
utiliza ataque qumico especfico para
cada material
O contorno geralmente mais reativo

65

GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO

66

TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades
dos materiais
Para a determinao do tamanho de gro
utiliza-se cartas padres

ASTM
ou
ABNT
67

DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Tamanho: 1-10
Aumento: 100 X

Quanto maior o nmero, menor o

tamanho de gro da amostra

N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada quadrada
n= tamanho de gro
n=

+1
COMO?

Nm= 2 n-1
68

EXEMPLO 1
a) Determine o numero de tamanho de gro para uma
amostra de metal se 45 gros por polegada quadrada so
medidos sob uma ampliao de 100x.

b) Para essa mesma amostra, quantos gros por polegada

quadrada iro existir sob uma ampliao de 85x?

69

EXEMPLO 2
a) Determine o nmero de gros.
b) Determine o numero de gros
por rea.
c) Calcule o numero mdio de
tamanho de gro.

70

CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia)

os gros maiores crescem em
detrimento dos menores
71

72

ORIGENS DOS TWINS

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento
est
geralmente
associado
com
A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.
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74

Incluses

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)

LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
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76

Porosidade

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Porosidade

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79

80