AMPLIFICADORES

Diseo de un amplificador:
-mxima ganancia de potencia.
-mnima figura de ruido.
-ganancia estable sin oscilaciones.
-ROE (VSWR) cercana a la unidad a la entrada y salida.
-respuesta en frecuencia lineal en cierta banda de frecuencia.
-insensibilidad a cambios en los parmetros S y de polarizacin.
Conceptos bsicos de redes de 2 puertos: Ganancia, Estabilidad, Ruido.

*Para que exista adaptacin de impedancias Zin=Zs*

Factor de desadaptacin: consideramos como coeficiente de

transmisin

M =4

Rs R

|Z s + Z |

Coeficiente y VSWR en amplificadores:

ZZC Z 1
1+| | 1+ 1M S
=
VSWR=
=
Z +Z C Z +1
1| | 1 1M S

; P =M P ava

En redes lineales pasivas recprocas y sin prdidas se puede tomar:

M =M 1=M 2=M L

Ganancia de Potencia: relacin entre potencia en la entrada y la disipada

Coeficientes de Reflexin:

en la carga.

GP =

Ganancia de Transductor: relacin entre la potencia en la carga y la

disponible en la fuente.

GT =

GL
G

PL
P AVA , S

Ganancia de Potencia disponible: relacin de potencias disponibles

entre la carga y la fuente.

G a=

P AVA , L
P AVA , S

Z S1
V
1 =
Z S +1
V+
1

Z L 1
V
2 =
Z L +1
V+

S =

L=

+
+ +S 12 V 2
=S11 V 1
V 1

+
++ S22 V 2
=S21 V 1
V 2

S22 S
1S11 S
V
2

out =

S11 L
1S 22 L

V1

Condiciones necesarias y suficientes para estabilidad absoluta

V +
2 =

V +
1 =

=S 11 S 22S12 S21

M S=

( 1| S| ) ( 1| | )

M L=

|1 S |

( 1| out| )( 1| L| )
2

|1 out L|

( 1| L|2)|S21|2
GP =
2
2
2
2
1|S11| +| L| (|S22| || )2 { L ( S 22 S11 ) }
ESTABILIDAD
Se puede determinar a partir de los parmetros S, las mallas de adaptacin y las
terminaciones del circuito. Un dispositivo puede ser absolutamente estable o
potencialmente estable.

Condiciones de estabilidad: la potencia reflejada en los puertos del

amplificador debe ser menor que la potencia incidente.

| |<1 ;| out|<1
Definimos el parmetro K:
2

K=

1|S 11| |S 22| +||

2|S 21 S12|

Estabilidad absoluta K>1 ; no estabilidad

absoluta K<1

*Usando adaptacin de impedancias conjugadas la ganancia de potencia

est dada:

| |(

GP =G=Gmax =

S 21
K K 21 )
S 12

Donde

| |

S 21
=
S 12

figura de mrito del

dispositivo
Entonces se puede decir que si un dispositivo no es absolutamente estable (K<1)
entonces no se puede usar adaptacin de impedancias conjugadas.

CIRCULOS DE ESTABILIDAD: separan las zonas de estabilidad e inestabilidad en

los planos s con out.

RUIDO: movimiento aleatorio de portadores en un dispositivo que produce seales de

voltajes y corrientes que varan aleatoriamente en el tiempo. Produce dos tipos de ruido:
1. Ruido Trmico
2. Ruido Shot

Donde:
2

K >1||<1|S 11|<1|S 22|<1

AMPLIFICADORES DE MICROONDAS
Una primera clasificacin de los amplificadores los divide en aquellos que
manejan:
-Grandes seales (de potencia para transmisores) (Klystron, Tubo de Onda
Progresiva TWT y transistorizados).
-Pequeas seales (amplificadores de bajo ruido) (amplificadores paramtricos
y los transistorizados).
AMPLIFICADOR CON KLYSTRON
Se utiliza como amplificador de potencia en algunas estaciones terrestres de
comunicaciones satelitales. Se utilizan 5 cavidades en un Klystron de 3 Kw de
potencia. Se dispone de un can electrnico que emite un haz de electrones
que pasa a travs del espacio intermedio entre las cavidades de cada uno de los
resonadores.
La primera cavidad sirve para ingresar la seal de microondas a ser amplificada,
mientras que la segunda se usa para extraer la seal ya amplificada. La seal de
entrada excita la primera cavidad creando un campo elctrico el cual modula a su
vez el haz de electrones. La velocidad de los electrones es proporcional al campo
resultante en la cavidad. En la ltima cavidad se genera un campo elctrico
como funcin de la velocidad de los electrones que se transforma en una
corriente de microondas de salida.
Para obtener una elevada ganancia el haz de electrones se enfoca mediante
cavidades intermedias y mediante un tubo que
acta como focalizador
magntico constituido por un imn permanente corto o un solenoide largo. La
frecuencia de resonancia del amplificador se ajusta mediante unos tornillos de
sintona disponibles en las cavidades. Dado que la densidad del haz de electrones
determina la potencia de salida y que los electrones interceptados en el colector
producirn calor que es preciso disipar, la capacidad de transferencia de calor del
tubo determinar la potencia manejable por el Klystron. En la prctica el
colector es una estructura grande y hueca enfriada por aire.
Los Klystron, en las denominadas bandas C y Ku, tienen las siguientes
caractersticas generales:
en la banda de 5925 a 6425 kHz tienen una potencia de salida de 150 a 3400
watts con ganancias de 50 a 40 dB y anchos de banda de 23 a 45 MHz
respectivamente;
en la banda de 14 a 14,5 GHz la potencia es de orden de 1500 a 200 watts con
una ganancia de 40 dB y ancho de banda de 100 MHz.

Como se observa, al Klystron se debe ingresar con una alta potencia de entrada;
ya que para obtener 2 Kw de salida (equivalente 63 dBm) con una ganancia de 40
dB se requieren 23 dBm de ingreso.
En la misma figura se muestra un diagrama a bloques del amplificador con
Klystron donde se disponen de etapas previas con amplificador a transistores
para obtener los 23 dBm a partir de la seal proveniente del up-converter.

AMPLIFICADOR CON TWT

El tubo de onda progresiva TWT (Traveling Wave Tube) es la otra variante para
comunicaciones satelitales. El TWT es un amplificador de gran ancho de banda
(hasta una octava) y una ganancia de potencia de 25 a 50 dB. La eficiencia, entre
el 20 y 40%, es funcin del ancho de banda.
Consiste en un generador de haz electrnico y una estructura de enfoque
magntico. Una estructura en forma de hlice facilita la interaccin entre el
campo de microondas y el haz electrnico. La velocidad de los electrones se
ajusta para que sea igual a la velocidad de fase de las microondas.
El can electrnico consiste en:
-Calefactor y ctodo, cuya superficie de emisin de electrones es mucho
mayor que el rea del haz lo cual permite trabajar con menor densidad de
electrones en un orden de 15 a 50 veces.
-Electrodo de enfoque que rodea al ctodo y regula el campo elctrico y
-nodo para acelerar y concentrar el haz de electrones lo cual acta sobre
la ganancia del amplificador.
-Colector de electrones, es una estructura que desacelera el haz en
varias etapas de tensin positiva para restar energa cintica y disminuir la
disipacin de calor.
Los TWT tpicos en general funcionan con una tensin de colector inferior al
nodo y ctodo. La amplificacin propiamente dicha se produce en la estructura
de enfoque e interaccin. En la medida que la onda a amplificar viaja en la
estructura de hlice el campo electromagntico modula la velocidad de los
electrones en ondas peridicas aproximadamente en fase con el campo. La
mayora de los electrones desaceleran y entregan energa al campo produciendo
la amplificacin. Se caracteriza a este proceso por una ganancia proporcional a la
longitud de la zona de interaccin. La estructura de onda lenta es una hlice de
alambre de tungsteno o molibdeno sujeta a una varilla de cermica (xido de
aluminio o berilio) que la aslan de la estructura metlica envolvente. La seleccin

de materiales influye en la capacidad de potencia de salida y la eficiencia del

TWT.
En las estaciones de comunicaciones por satlite se recurre al Klystron o al TWT
debido a las exigencias de potencia de emisin. En cambio, en los enlaces
terrestres se recurre exclusivamente a amplificadores de potencia de estado
slido con transistores.
El TWT tiene prestaciones inferiores al Klystron en cuanto hace a la linealidad de
fase. El nivel de ruido es menor en el TWT, -64 dBm/kHz con respecto a - 58
dBm/kHz en el Klystron.

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMTRICO

En el lado recepcin se recurre a amplificadores con transistores o paramtricos.
El principal requerimiento para el amplificador del receptor es el bajo ruido
interno. Existen amplificadores paramtricos sin enfriar con temperatura de ruido
de 50 K. Con amplificadores a transistores FET se han obtenido temperaturas de
ruido de 80 a 300 K sin enfriamiento.
El amplificador paramtrico utiliza una reactancia no lineal (reactancia que
vara en funcin de una seal apropiada). El diodo varactor acta como una
resistencia negativa ante la presencia de la seal lo cual produce la amplificacin.
La seal que vara la resistencia se llama seal de bombeo.
En un diodo varactor la resistencia de prdida de los elementos en serie Rs es
proporcional al ruido trmico del amplificador y de reducirse Rs mejora el factor
de ruido. El valor de Rs disminuye cuando se enfra el conjunto con las mejoras
introducidas en el diseo del diodo y los materiales. El amplificador
paramtrico consiste en 3 seales: la seal de bombeo proveniente de un
oscilador con diodo Gunn de frecuencia superior a la seal a amplificar; la seal a
amplificar y la seal complementaria que se produce al mezclarse ambas seales
precedentes. En condiciones ideales toda la potencia de la seal de bombeo se
transfiere a la seal a amplificar; esto ocurre cuando la frecuencia de la seal de
bombeo es el doble de la otra seal y cuando ambas estn en fase.
En el diodo varactor se dispone entonces de 2 seales: una senoidal que
corresponde a la RF a amplificar y otra rectangular que es la seal de bombeo.
Cuando la tensin del capacitor es mxima la carga tambin lo es y equivale a

Q=C.V. Si en este momento se produce un salto en el valor de la capacidad C

(mediante la tensin de bombeo) el valor de V se incrementa para mantener
constante la carga. Cuando el valor de Q es cero se vuelve al valor original de C
(mediante la tensin de bombeo).
A cada paso de bombeo se obtiene una pequea amplificacin de la tensin
proporcional a la variacin de la capacidad.
El amplificador paramtrico donde la frecuencia de bombeo es el doble de la
frecuencia de resonancia del circuito se denomina degenerado. En la prctica,
como el valor de corriente que circula por la juntura del diodo varactor es muy
pequea, el circuito se encuentra libre de ruido y su figura o nmero de ruido NF
(Noise Figure) es muy baja. Para lograr dicha condicin es necesario que la
polarizacin del diodo varactor sea inversa.

AMPLIFICADOR A TRANSISTORES
Los amplificadores ms interesantes por la relacin entre el costo, consumo,
tamao, reproductividad y distorsiones son los realizados mediante transistores

SSPA (Solid State Power Amplifier). El semiconductor silicio es til en transistores

bipolares hasta los 3000 MHz, mientras que el Arseniuro de Galio (As Ga) se
utiliza por encima de dicha frecuencia en la configuracin de transistor de efecto
de campo (FET).
En los amplificadores de potencia de estado slido el nivel mximo de
potencia de salida es de 10 watts en las bandas de 4/6 GHz y de 2,5 w en 11/14
GHz. Tienen por ello una potencia de salida limitada frente a los amplificadores
tradicionales usados en estaciones terrenas. En los amplificadores de bajo ruido
se selecciona la configuracin FET con barrera Schottky que permite una figura de
ruido muy reducida. Por ejemplo, en estaciones terrenas con 4 etapas donde la
primera se enfra termoelctricamente mediante celdas Peltier a -40 C se logran
valores de 0,6 dB a 4 GHz con ganancia de 14 dB.
En estaciones para comunicaciones terrestres no se recurre al enfriamiento
termoelctrico y la figura de ruido se encuentra cerca de 4 dB. La tecnologa es
Circuitos Integrados de Microondas Hbridos HMIC con 2 a 4 etapas en cascada.
En la figura se observa un amplificador de potencia de 3 etapas para trabajar en
la banda de 2 GHz. Se dispone, tanto del diagrama en bloques de las etapas
como del esquema circuital en pelcula delgada.