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Frecuencias mayores
Menor tamao y coste de componentes reactivos
Aplicaciones Industriales:
1.3.2. Potencia.
GENERALIDADES
Flujo de Potencia
R=50
Fuente de
Energa
Elctrica
Convertidor
de Estado
Slido
Carga
IR=10A
E=500V
VCE
Circuito de
Mando
Fuente de Energa
Carga
Continua:
Bateras
Celdas de Combustible
Paneles Solares
Continua:
Motores
Circuito de mando
Microprocesadores/DSP
Circuitos microelectrnicos:
ASIC
FPGA
Convertidor de potencia
Interruptores
Componentes reactivos:
Transformadores
Bobinas
Condensadores
Real:
Cortado
Saturado
IC
1mA
9.96 Amp
VCE
499.95V
2V
VRes
50mV
498V
Valores reales
Ideal:
Cortado
Saturado
IC
0 Amp
10 Amp
VCE
500V
0V
VRes
0mV
500V
Valores ideales
Error (%):
Cortado
Saturado
IC
0.01
0.4
VCE
0.01
0.4
VRes
0.01
0.4
v=L
IL
di
dt
i (t ) = i (t 0 ) +
1 t
v(t )dt
L t 0
= ivdt = L idi =
i=C
i
C
1 2
Li
2
i (t ) = i (t0 ) +
dv
dt
v(t ) = v(t0 ) +
VL
1 t
v (t ) dt
L t0
1 t
i (t )dt
C t 0
1
= ivdt = C vdv = Cv 2
2
Ecuaciones fundamentales de Bobinas y Condensadores
IL
Ic
C
Vc
L
VL
1 t
v(t ) = v(t0 ) + i (t )dt
C t0
IL
VL
V = E sen t
Carga LR
L
i(t)
Diodo
Conduciendo
V = E sen t
Carga LR
L
i(t)
Ecuacin de mallas:
V = E sen t = R i + L
di
dt
i (t ) =
Rt
sen e L + sen( t )
2
2 2
R +L
di
V = E sen t = R i + L dt
Diodo no
Conduce
V = E sen t
Carga LR
L
i(t)
E
L
(
)
i(t ) =
sen
e
sen
t
R 2 + L2 2
Grficamente:
Los circuitos de potencia son circuitos no lineales dado que tienen componentes
no lineales. No obstante, considerando sus componentes como elementos de
conmutacin ideales, el anlisis en rgimen permanente de los circuitos de
potencia puede realizarse mediante la resolucin de una sucesin de circuitos
lineales en rgimen transitorio, cada uno de los cuales tiene validez durante
periodos de tiempo denominados intervalos. Los limites de estos intervalos
vienen fijados por los denominados parmetros de control.
i (t ) =
donde:
I p = max i (t ) , 0 t T
- Valor de pico
Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y negativo) para
considerar los casos de polarizacin directa e inversa.
- Valor Medio
1 T
i (t ) dt ,
T 0
Im =
I AV
- Valor eficaz
- Factor de forma
- Factor de pico
1 T 2
i (t )dt , Tambin se le representa como I RMS
T 0
I=
f =
I
I
= RMS
Im
I AV
Ip
I
= max
f =
I
I RMS
A0
+ A cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t )
2 k =1 k
0 =
2
T
Ak =
2 t0 + T
i (t ) cos( k 0 t ) dt ,
T t0
k = 0,1,2K
Bk =
2
T
k = 1,2,3K
t0 + T
t0
i (t ) sen( k 0 t ) dt ,
A0
2 es el valor medio de la funcin. Al trmino
Ak cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t ) se le denomina armnico de orden k. Al
El
trmino
y su valor eficaz:
Ik =
I kp =
Ak2 + Bk2
I kp
2
i (t ) = I m + 2 I k sen( k 0 t k )
k =1
P=
I=
I m2 +
(A
2
1
+B
2
1
) (A
+
2
2
+B
2
2
1 T
v (t ) i (t ) dt
T 0
P=
1 T
2 V sen(0 t ) 2 I 1 sen(0 t 1 ) dt = V I 1 cos 1
T 0
+L =
I m2 + I 12 + I 22 +L
(A)
Ik
I
I 1 donde k es el
S =V I
I + I +L
2
2
2
3
= D22 + D32 +L
I1
Al parmetro Dt se le llama tambin THD (Distorsin Armnica Total).
De la definicin anterior y de (A), se deduce: I =
I m2 + I 12 (1 + Dt2 )
PF =
PF =
I
P V I 1 cos 1 I 1
= cos 1 = 1 DPF
=
S
V I
I
I
1
1+ D
2
t
DPF
I=
1 T 2
i (t )dt
T 0
Ip
I=
t
T=
I = I12 + I 22 + I 32 + L I N2
Ip
i(t)
I1
I2
I3
I4
I5 I6
I7
I8
Aproximacin
I9
I10
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
t i = t
N=10
I=
I 12 + I 22 + I 32 + L + I N2
N
I = Ip
D sen( (1 D ))cos( (1 D ))
+
2
2
D = 1
Ip
i(t)
(, en radianes)
Onda rectangular:
i2(t)
T=t1+t2+t3+t4
, con D =
2
T
t10
I = Ip
Pulso a aproximar
Ip
2
D=
I = Ip D
I = D(I + I a I b + I a2 )
con
T
Ib
Onda trapezoidal:
Ia
i3(t)
2
b
con
D=
t1
t2
t3
t4
Onda triangular:
Ip
i4(t)
t1
t2
t3
t4
I = Ip
D
3
con
D=
dx1
= f 1 ( x1 ( t ) ,L x n ( t ) , u1 ( t ) ,L um ( t ) )
dt
dx 2
= f 2 ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
M
dx n
= f n ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
donde
ni
Concentracin Intrnseca:
n = A0 T e
2
i
qE G 0
kT
p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a
2.3.1.1. Biselado
2.3.1.2. Anillos de guarda
2.3.2. Caractersticas de Catalogo
2.4. POLARIZACIN DIRECTA.
2.5. CARACTERSTICAS DINMICAS.
2.6. PRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS.
2.7. DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA.
Minoritarios Mayoritarios
En un cristal tipo p:
Material n
p0
ni2
Nd
n0 N d
ni2
p Na
Na y 0
Material p
n0
ni2
Na
p0 N a
n0
d (n) n
=
dt
Tiempo (s)
c =
ln
q ni2
Ron
NA
ND
Grficamente:
nodo
W0 : Anchura de la
zona de deplexin
W0
El campo elctrico mximo que
soporta el Silicio es tericamente
300.000 V/cm, pero debido a
impurezas e imperfecciones de la
estructura cristalina, en la prctica
es de 200.000 V/cm.
10m
NA=1019imp/cm3
p+
dRD
ND=1014imp/cm3
nFuertemente Dopado
Ligeramente dopado
Diodo Ideal
iD
1/Ron
1/Ron
250m
ND=1019imp/cm3
Ctodo
VBD
VBD
vD
POLARIZACIN INVERSA.
VBD
Area
p+
E
n-
Emax
V 1V
vD
Diodos Zener
de potencia
Area
1/Ron
Rectificadores
de alta tensin
Propsito
general
Rpidos
(fast recovery)
Diodos
Schottky
p+
iD
Tipo de Diodo
Area
Mxima
Velocidad
Mxima Cada en
tensin de
de
Aplicaciones
corriente conduccin
ruptura
conmutacin
Circuitos de
30kV
~500mA
~10V
~100nS
alta tensin
Rectificadores
~5kV
~10kA 0.7 - 2.5 V
~25S
50 Hz
Circuitos
~3kV
~2kA
0.7 - 1.5 V
<5S
conmutados
Rectificadores
~100V
~300A 0.2 - 0.9 V
~30nS
de BT y AF
~300 V
Referencias y
(funciona
fijacin de
~75 W
en
tensiones
ruptura)
n+
x
Emax
NODO
SiO2
p+
SiO2
SiO2
p+
Regin de deplexin
Wdep : Anchura de la
zona de deplexin
n
n+
n-
db
V1
V2
CTODO
da
Wdiff
Experimentalmente se comprueba
que no se produce acumulacin de
lneas de campo para R6*Wdep
SiO2
SiO2
p+
p+
p+
db
Anillo de
guarda a
potencial
flotante
n-
n+
Segundo
subndice
Tercer subndice
W=De trabajo
M=Valor Mximo
R=Repetitivo
(AV)=Valor Medio
R=Inversamente Polarizado
S=No Repetitivo
(RMS)=Valor Eficaz
F=Directamente Polarizado
Subndices empleados por los fabricantes de semiconductores.
POLARIZACIN DIRECTA
Caractersticas de catlogo en Polarizacin Directa:
Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la mxima corriente
de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma
continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura
(tpicamente 100 C).
Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente mxima que puede ser
soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms.
Corriente de pico nico, IFSM : Corriente mxima que puede ser
soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la
duracin del pico sea inferior a 10ms.
CARACTERSTICAS DINMICAS
iD
IF
0.9IF
CARACTERSTICAS DINMICAS
El tiempo de recuperacin inversa es el mayor de los dos tiempos de
conmutacin y el responsable de la mayor parte de las prdidas de conmutacin.
Qrr Carga
Almacenada
iD
IF
0.1IF
0.25Irr
diD/dt
tr
trr
Vfr
VON
vD
1.1VON
t
VR
tON
0.25Irr
Irr
vD
t rr
Qrr = i f dt
tb
ta
Qrr (Carga
Almacenada)
trr
I rr t rr
2 Qrr
Qrr t rr
2
I rr
Irr
VON
Pico de tensin
debido a L diD/dt
L=bobina en serie
con D. (tb<<ta)
t
VR
Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para
la corriente nominal.
Tensin de recuperacin directa, Vfr. Tensin mxima durante el encendido.
Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON.
Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su
valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo
(inductivo).
Tiempo de recuperacin inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del
diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar
hasta un 25% de dicho valor mximo. (Tip. 10s para los diodos normales y
1s para los diodos rpidos (corrientes muy altas).
La derivada de la corriente
durante ta depende del circuito
externo, y normalmente ser:
ta>> tb es decir: ta trr . Si se
resuelve el circuito y se conoce
el valor de la derivada de iD:
diD I rr I rr
se obtiene:
=
dt
ta trr
Prdidas muy
elevadas al ser
la corriente y
la tensin muy
altas
I rr 2 Qrr
diD
dt
NODO
SiO2
SiO2
p+
p+
Zona de deplexin
PD
Unin
Rectificadora:
Zona deplexin
muy estrecha
situada en la
soldadura: VBD
muy baja
n-
n+
Unin hmica:
Efecto Tnel.
CTODO
IAV
25C
125C
Tc
1/RON
La intensidad directa.
La pendiente de la intensidad.
La frecuencia de conmutacin.
La tensin inversa aplicada.
La temperatura de la unin.
1/RON
VBD
VBD
V
vD
INTRODUCCIN
3.2.
3.3.
Saturacin
Cuasi-Saturacin
1/Rd
Ruptura Secundaria
IC(A)
C
IC
Ruptura Primaria
Activa
IB
IE
Corte
TRANSISTOR DARLINGTON
3.5.
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
3.6.
E
0
Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
Valores mximos de VCE :
BVCB0>BVCE0>BVSUS
BVSUS : Continua.
BVCE0 : Para IB=0
BVCB0 : Para IE=0
Definicin de Corte:
de IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;
se deduce:
IC =
IB +
IC0
1
1
3.7.
CONSIDERACIONES TRMICAS
3.8.
AVALANCHA SECUNDARIA
a) I B = 0 I C =
b)
3.9.
1
I C 0 10 I C 0
1
I E = 0I C = I C 0
E
n+
B
p
n+
C
Transistor Tipo Meseta (en desuso)
B
WE=10m
WB=520m
Zona de
expansin
50200m
WC=250m
E
+
1019 cm-3 n
1016 cm-3
1014 cm-3
n-
1019 cm-3
Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia
tpica de corriente entre 5 y 10. (muy baja).
n+
C
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Tpico
Ventajas de la estructura vertical:
Maximiza el rea atravesada por la
corriente:
Minimiza resistividad de las capas
Minimiza prdidas en conduccin
Minimiza la resistencia trmica.
Emisor
Vbb
Vcc
B
+
n+
n+
n+
n+
Activa
nn+
Colector
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo
NPN
Ventajas de la estructura multiemisor:
Zona Activa:
VCE Elevada
n-
n+
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Unin
Colector-Base
(inversamente
polarizada)
Vbb
Vcc
Vbb
n-
n+
Carga
(Exceso de
electrones
en la Base)
Base Virtual
Saturacin
CuasiSaturacin
B
+
Vcc
n-
n+
Carga en
exceso
Q2
Q1
Base Virtual
Cuasi-Saturacin:
En activa al subir IB, IC VCE (=VCC - ICR ).
Simultneamente: VjCB (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa
de expansin.
El lmite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ).
Si VjCB>0 (Unin directamente polarizada):
Habr inyeccin de huecos desde p a n- (Recombinacin con electrones
procedentes del emisor en n-) Desplaz. a la derecha de la unin efectiva:
Rd Disminuye
Aumento del ancho efectivo de la base.
Disminuye
TRANSISTOR DARLINGTON
Base
max
log( )
min garantizada
por el fabricante
IeTA
Emisor
n+
SiO2
I bTA
n+
IbTB
VCE-Saturacin
n-
IcTA
ICmax /10
ICmax
log(IC)
IcTB
n+
Variacin de en Funcin de IC
Colector
Colector
Base
TA
D2
=BA+B+A
TB
D1
Emisor
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
Colector Vcc
Colector Vcc
ZL
ZL
Interruptor BJT conmutando una
Carga Inductiva
IC
Base IB
VCE
IC
Base IB
VBE
VCE
VBE
IC
IL
IBon
IC
IB
IBon
IB
dI B
dt
IBoff
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
t
t=0 tdon
VCE
t
t=0
ts
tri
tfv1
tfv2
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
IC
Potencia
disipada
muy alta
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo
Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutacin
IB
IBon
IL
dI B
dt
IB
BJT de potencia
Tierra de
potencia
-VCC
IC
Cb
Tierra digital
VCE
Acoplamiento
Seal digital
de control
IC
Amplificador
Fotoacoplador
Potencia disipada
muy baja
1
2
3
VCC
IBon
6
IBoff
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
VCE
t
t=0
ts
t=0 tdon
tri
tfv1
tfv2
CONSIDERACIONES TRMICAS
Vcontrol
VBE
t
IC
Vcc
90%
RC
10%
td tr
ts
Concentracin
de corriente
Cada de tensin
VBE
Vcc
VCE
AVALANCHA SECUNDARIA
tf
IB
IC
VCE
VBE
Pd
Las
prdidas
conduccin pueden
aproximadas por:
en
ser
T
Pon = I c VCEsat ON
T
e-
e-
e-
n+
e-
+
e-
e-
n
C
n
T=1/f
n+
Cada de tensin
a)
b)
Concentracin o Focalizacin de Corriente en un BJT. a) En la Conmutacin a
Saturacin (IB >0) y b) en la Conmutacin a Corte (IB <0)
t
t
) I cmax dt
tr
tr
t t
0 ) dWr = Vcc Icmax (1 ) dt
tr tr
Wr = Vcc Icmax (1
0
t t
1
) dt = Vcc Icmax tr ;
tr tr
6
1
Vcc Icmax (t r + t f ) ;
6
Pcom =
Wcom 1
= Vcc I c max f (tr + t f )
T
6
IC
f3
f2
ICM
f1
Lmite
trmico
dc
Avalancha
Secundaria
VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC
ICM
VBEoff <0
VBEoff =0
Fuente
(S)
Contacto
metlico
Puerta
(G)
Drenador
(D)
SiO2
SiO2
SiO2
n+
Canal inducido n
n+
Sustrato p
Sustrato
(B)
Transistor de Seal MOSFET de Enriquecimiento, Canal n
Ruptura
Ohmica
Saturacin
VGS
VDS
n+ e-
n+
ep
VGS
iD
Canal
Corte
a) Smbolo
b) Curva Caracterstica
Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento
VBV
VBD
VDS
n+
D
Primeros transistores MOS de potencia: Transistor en V. Deriv
rpidamente a U-MOS.
VDS
W
, en esta
Zona hmica, VGS- VT >VDS, i D = k (VGS VT ) V DS
2
L
zona el transistor se considera un interruptor cerrado, con una resistencia (para
valores muy pequeos de VDS):
1
RDS ( ON ) =
.
W
k (VGS VT )
L
Seccin de una
celdilla elemental
Fuente
SiO2
Puerta
n+
n+
n+
n+
SiO2
p
xido de puerta
n+
n+
n+
p
(sustrato)
canal
n+
(oblea)
iD
iD
n+
1019 cm-3
1016 cm-3
Canal
10
1015 cm-3
n-epitaxial
1019 cm-3
n+-oblea
14
Drenador
VGS1
electrones libres
n+
lmite de la zona
de deplexin
p
-
lmite de la zona
de deplexin
p
n
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)
VGS3
n+
n+
lmite de la zona
de inversin
lmite de la zona
de deplexin
lmite de la zona
de inversin
lmite de la zona
de deplexin
p
n
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
n+
lmite de la zona
de inversin
lmite de la zona
de deplexin
p
n
DIODO EN ANTIPARALELO
G
T1
n+
D1
IDiodo
VDD
IL
Carga inductiva
n-
T2
D2
IDrenador
VDD
B
E
S
DB
RG
VG =0V
Vcom
Transistor MOS
CDS
G
CGS
RG =20
CGD
Cambio de
tensin debido a
la conmutacin de
otro dispositivo
Transistor cortado
Vcom
VDS
VGS
ID
Esto tiene el efecto de que baje la tensin VDS con lo que el efecto se
compensa, cortndose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes
prdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
RG =2000
RD =10
IDM=10A
D
Vi =10V
10s
ID=5A
VDD =100V
iD
Ro =50 G
Lmite
debido
a RDS
0.1ms
1ms
10ms
V1 V
CGS
GS
SOA
(DC)
100ms
a) Circuito Empleado
Lmite de
potencia a
Tc=25C
V1
10V
Velocidades de subida y
bajada reguladas por RG
0
VGS
iD
9.85A
90%
ID es funcin del
rea del transistor
IC depende de min
tr
tf
IC
SOA
(DC)
10%
Lmite de
potencia a
Tc=25C
Avalancha
secundaria
del BJT
BVDSS o BVCE
1.5V
0
VDS
BVDSS=500V
100V
10V
Umbral de
corte
Umbral de
conduccin
VDS
0.1A
10V
DC
VDS
t
1000A
P=iDVDS
0
SOA
BJT
100A
SOA
MOS
1000V 1500V
TEMA 5. EL TIRISTOR
5.1. INTRODUCCIN
5.1.1. Estructura Bsica.
5.1.2. Caracterstica Esttica
5.2. FUNCIONAMIENTO DEL SCR.
5.2.1. Polarizacin Inversa
5.2.2. Polarizacin Directa
5.2.3. Mecanismo de Cebado
5.2.4. Mecanismo de Bloqueo.
5.3. RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU
CIRCUITO EXTERNO
5.4. CARACTERSTICAS DINMICAS
5.4.1. Encendido del SCR
5.4.2. Bloqueo Dinmico del SCR
5.5. FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR
5.6. TRIAC
5.6.1. Constitucin y Funcionamiento
5.6.2. Caracterstica Esttica
VAK
VAK>0
Puerta
Puerta
VAK<0
Ctodo
Smbolo y circuitos equivalentes del Tiristor SCR
CTODO (K)
PUERTA (G)
n+
n+
Unin Catdica
n+
p
Capa de Control
1019,10
Capa
Catdica
1017 imp/cm3,
30100
BJT
Unin de Control
Capa de Bloqueo
Unin Andica
p+
Capa Andica
101351014,
501000
10171019,
3050
NODO (A)
Puerta
Ctodo
IA
Conduccin
IG2 > IG1
n+
n+
n+
n+
IH
VRWM
nn
Bloqueo
Directo
IB0
VH
IG=0
VAK
Bloqueo
Inverso
p+
nodo
Ruptura
Unin
Inversamente
Polarizada
RC
VAK
VCC
K
VCC
RC
n-
RC
nodo
Puerta
VAK
VCC
n-
VCC
RC
Unin
Inversamente
Polarizada
Ctodo
VCC
VCC
p
G
p
h+
h+
RG
n
VGG
e- e- e-
RG
VGG
A
p1
J1
J1
J2
J2
G
p2
n2
IA = IE1
J3
p2
n2
IC2
VS
IC1
T2
G
J3
VAK
IB1
T1
n1
J2
p2
IA
p1
n1
n1
IG
IB2
IK = -IE2
K
IH
I C 2 = 2 I E 2 + I CO 2
IK = IE 2 = I A + IG
(a)
(b)
(c)
(d)
I A = I E1
I C1 = 1 I A I CO1
I C 2 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
(e)
(f)
VAKon
I A + I C1 = I C 2
(g)
I A 1 I A I CO1 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
(h)
IA =
I G 1 + I CO1 + I CO 2
1 1 2
T1
L1
VS
L2
IL
T2
CARACTERSTICAS DINMICAS
IG
1. Corriente de Puerta.
2. Elevada tensin nodo-Ctodo (VAK>VDWM). Ruptura
t
IA1
0.9IF
0.1IF
0.25Irr
td
tr
VFRM
Irr
VAK1
dV AK
dt max
trr
t
Uso de redes RC (Snubbers)
td >tq
dVF
< max
dt
tps
5. Temperatura elevada
Normalmente no ocurre, aunque si se produce una combinacin de
varias causas, podra provocarse la entrada en conduccin
6. Radiacin luminosa
Slo se ocurre en los dispositivos especialmente construidos para
funcionar de esta forma (LASCR)
nodo
nodo / T1
Puerta
VAK
Puerta
Ctodo / T2
VBD
Ctodo
T1
VT1T2
N4
P1
J1
N1
iG
J2
vG
P2
G
N3
N2
T2
T2
Estructura Interna del TRIAC
INTRODUCCIN
Seccin de una celdilla elemental
Fuente
Puerta
SiO2
xido de puerta
n+
n+
n+
canal
(sustrato)
1016 cm-3
n-
101415 cm-3
WD
RD
iD
n+
1019 cm-3
iD
1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Transistor D-MOS
En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS):
Para un dopado Nd, la mxima tensin de ruptura es: BVDSS
5
La zona de deplexin tiene un espesor: WD 1 10 BVDSS
BV
2.5 2.7
DSS
1.3 1017
ND
(cm)
( cm 2 )
Grficamente:
log(cm2)
6.1. INTRODUCCIN
6.2. TECNOLOGAS DE FABRICACIN Y CURVA
CARACTERSTICA I-V
6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
6.3.1. Estado de Bloqueo
6.3.2. Estado de Conduccin
6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
6.4.1. Efecto del Latch up
6.4.2. Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up
6.5. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
6.5.1. Encendido
6.5.2. Apagado
6.6. REA DE OPERACIN SEGURA
6.7. CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT
n+
BVDSS
INTRODUCCIN
TECNOLOGAS DE FABRICACIN
Puerta
SiO2
xido de puerta
n+
n+
canal
(sustrato)
1019 cm-3
p
1016 cm-3
n-
101415 cm-3
WD
RD
iD
n+
n+
iD
1019 cm-3
(oblea)
Fuente
Drenador
Transistor D-MOS
SiO2
xido de puerta
Transistor n-MOS
iD
Puerta
n+
n+
n+
canal
L
n
WD
p+
Regin de arrastre
del Drenador
RD
n+
1/RON
(sustrato)
iD
iD
n+
iD
Capa de almacenamiento
Oblea
Capa de inyeccin
Drenador
VDS
a) MOS de alta tensin
VDS
Transistor IGBT
Slo en PT-IGBT
n+
SiO2
n+
ID
Avalancha
VGS
Saturacin
n+
n+
p
n+
VRRM, Muy
bajo si es un
PT-IGBT
Canal
Corte
n-epitaxial
+
n -epitaxial
VDSon, Menor si
es un PT-IGBT
Avalancha
Corte
BVDSS
VDS
p+-sustrato
iC
iD
G
VGE
VDS
a)
VGS
b)
S
n+
n+
n+
n+
Rarrastre
n-
Rdispersin
n-
Rarrastre
n+
p+
n+
p+
D
D
Rarrastre
D
J1
Varrastre
G
ID Rcanal
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
D
J1
Varrastre
G
ID Rcanal
IC 0.1 ID
n+
n+
p
Rdispersin
n+
p+
D
Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Estructura del IGBT
J1
J2
J3
Resistencia de
dispersin del
sustrato
J1
J2
J3
VJ3<V
G
S
p,
1016
n+
n+
p,
1016
p+,1019
nn+
p+
D
Tcnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificacin del
Dopado y Profundidad del Sustrato
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:
VGS(t)
VT
-VGG
n+
p+
iD(t)
td(off)
Corriente
de cola
p
n-
trv
n+
p
VDS(t)
tfi1
tfi2
VD
D
Tcnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de
bypass de la Corriente de Huecos
Es un procedimiento muy eficaz.
Disminuye la transconductancia del dispositivo.
10-6s
DC
a)
iD
10-5s
10-4s
VDS
1000V/ s
2000V/ s
3000V/s
b)
VDS
Tj constante
VDS
ID creciente
Cds
VGS
a)
Cgs
S
ID
Tj=25C
Tj=125C
VDS/ t=0
VDS/ t>0
VDS/ t<0
b)
Anlogo al
transistor
MOS
Anlogo al
transistor
BJT
Ci
VDS
104 pF
Co
103 pF
102 pF
0.1 V
Cre
1V
10 V
100 V
VDS (V)
INTRODUCCIN
El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo).
Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que
los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80
aparecen los primeros GTOs.
Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K)
PUERTA (G)
VGK<0
Unin
Catdica
p
Unin de
Control
n+
n+
n-
Capa Catdica
Capa de
Control
Capa de
Bloqueo
Unin
Andica
p+
Capa Andica
NODO (A)
Ctodo
Puerta
Puerta
n+
iA
n+
Puerta
BV2030 V
p
VAK
np+
n+
p+
n+
p+
nodo
nodo
nodo
Seccin de un GTO:
Las principales diferencias con el SCR son:
Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas,
minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y
aumentando el permetro de las regiones de puerta.
Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las
regiones catdicas.
Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas:
Acelerar el apagado
Tensin inversa de ruptura muy baja
Puerta
Puerta
Ctodo
Ctodo
A
p1
p2
n2
J2
p2
n2
IC2
IC1
p2
J3
IB1
T1
n1
J2
J2
G
IA = IE1
n1
n1
p1
J1
J1
T2
G
J3
IG
IB2
IK = -IE2
K
I B2 <
/(1-2)
I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 )
=
I A;
2
2
I B 2 = 1 I A I G <
luego:
I G >
IA
off
off =
2
1 + 2 1 lo mayor posible, para ello
(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,
off =
2
1 +2 1
IG
GTO Bloqueado
GTO Conduciendo
dIG /dt
IGM
IGON
GM
Carga +
DLC
Io
Df
Turn-on
snubber
Lon
Lon
Don
AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:
IGM
AMORTIGUADOR DE APAGADO:
DS
t
I A : Sin amortiguador de encendido
IA
td
IAmax : Limitada por el
amortiguador de encendido
Turn-off
snubber
t
V AK
L
LS
GTO
Inductancia
parsita de las
conexiones
CS
IGON
t
IA
ts
+
Puerta n
nt
Resonancia de Cs
y L (Prdidas)
t
Formas de Onda en el Apagado del GTO
n+
Puerta
tcola
VAK
Puerta
Focalizacin de la IA
debido al potencial
lateral Aumento
de la resistividad
Conductor
A
G
Doff n
Soff
A
Doff
n+
p
Son p
Son
off-FET
on-FET
Soff
Don
pK
n+
K
a)
b)
MOS
G
G
b)
IGBT
SCR
GTO
Fcil de
controlar
Velocidad
Bajo coste
(V<150V)
Salida lineal
Alto
coste/kVA
(V>300V)
Cada en
conduccin
fmax 50kHz
No se apaga
Circuito de
desde la puerta
puerta
Prdidas en
Conmutacin
Snubbers
GTO
5
4
3
2
1
100 50
10 5
20
7
VMAX (kV)
1
log(f)
(kHz)
IGBT
Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con
la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia
2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios).
Existen comercialmente (Infineon).
MOS
Seccin de una
celdilla elemental
Fuente
Seccin de una
celdilla elemental
Puerta
xido de puerta
xido de puerta
+
n+
n+
canal
(sustrato)
Puerta
SiO 2
SiO 2
Fuente
n+
p+ (oblea)
Capa de Inyeccin
Drenador
a) IGBT
n+
n+
canal
Drenador
Capa de Almacenamiento
(sustrato)
n
Regin de arrastre del
n+
Drenador
Capa de Almacenamiento
p+ (oblea)
Capa de Inyeccin
Drenador
b)HiGT (Hitachi)
INTRODUCCIN
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN SERIE
Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor
en el que soporten tensiones mayores que las que soporta un solo dispositivo.
Optimo deberan soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos.
Problema reparto desigual de las cadas de tensin entre los dos
dispositivos (aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie).
Ejemplo con SCR Cubre los casos de bloqueo directo e inverso.
IA
SCR1
VAK1
IT
VAK1
R1
R2
VAK2
R1
VAK1 VAK2
SCR2
VAK1
VT
VT= VAK1+VAK2
I= IA1=IA2
SCR1
IA
VAK2
VT
SCR2
IT
IA
SCR1
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN SERIE
SCR2
VAK2
VAK1
R2
VAK1 VAK2 VAK
Pn.(Ep)2/R
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN SERIE
I=IAmin
VAK1=
Ep=I1R
SCR1
I1
R
I=IAmax
I2
VT=Em
VAK2
SCR2
I=IAmax
I2
VAK3
SCR3
M
M
I=IAmax
I2
VAKn
SCRn
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN SERIE
En las transiciones de cebado a bloqueo y viceversa pueden presentarse
problemas debido a la diferencia de velocidad de cada dispositivo:
Cebado: Si se retrasa uno de los dispositivos Soportar toda la tensin.
En el caso del SCR es menos grave que en otros dispositivos, ya que
la tensin cae a unos pocos voltios (Debe evitarse, porque a la larga se
daar).
La solucin es dar un pulso de puerta adecuado para que todos los
dispositivos entren en conduccin a la vez.
Debe llegar el pulso a la vez (Uso de fibras pticas, caminos
iguales).
Debe ser lo ms escarpado posible.
Bloqueo: Si se adelanta un dispositivo Soportar toda la tensin
entrando en ruptura.
En el caso del SCR es ms grave que en otros dispositivos, ya que la
tensin cae a unos pocos voltios y no se consigue que se bloquee.
Una posible solucin es retrasar todos los SCR aadiendo una
capacidad en paralelo:
R
RD
C
I 1 > I 2 V AK > V AK = V AK L = V AK
1
V AK1 = I1 R = E P ; Em = E p + (n 1) R I 2
Como:
I 2 = I 1 I Amax
resulta:
n E p Em
(n 1) I Amax
RD
C
C
M
Esta
solucin
tiene
el
problema de no ser capaz de
retrasar los SCR el tiempo
requerido.
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN SERIE
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN PARALELO
La solucin pasa por tener un circuito con un diodo, que al cebar permita una
descarga lenta del condensador a travs de RD pero al bloquear, conecte C
directamente a la tensin nodo-ctodo. El circuito completo para la conexin
serie de un grupo de SCRs ser por tanto:
RD
IA
IA1
IA1
IA
RS
SCR1
IA2
SCR2
VAK
IA2
RD
RS
C
VAK
Reparto de Corrientes en una Asociacin Paralelo de Tiristores
Ecualizacin Dinmica
Ecualizacin Esttica
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN PARALELO
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN PARALELO
IA
IA
T1
SCR1
SCR2
IA
IA2
T1 +T1
IA
T2 - T 2
IA
IA1
IA1
IA1
T2
IA
IA1
IA1
IA2
IA
IA2
R
IA1
IA2
SCR1
IA1
VAK
IA2
IA2
IA2
SCR2
VAK
VAK VAK
a)
VAK VAK
b)
VAK
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN PARALELO
Conexin de tres dispositivos en paralelo
Conexin de dos
dispositivos en paralelo
ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIN EN PARALELO
Aunque los dispositivos tengan coeficiente de temperatura negativo, se
pueden conectar si te tienen en cuenta las siguientes recomendaciones:
Si se puede elegir midiendo las cadas a corriente nominal y a
Temperatura constante, se puede definir una banda de voltajes por
ejemplo de 50 mVoltios y escoger los que caigan dentro de la banda.
Se debe cuidar especialmente el cableado (pletinas) para que sean
del mismo tamao y no provoque cadas extra que ocasionen
mayores desequilibrios.
Se deben montar en una misma aleta, para tratar de igualar las
temperaturas de las cpsulas.
Se debe cuidar especialmente el circuito de disparo generando un
pulso con una pendiente elevada y del valor adecuado al nmero de
dispositivos conectados en paralelo. A cada dispositivo le debe
llegar el pulso a la vez.
Retrasos en el disparo pueden hacer que no lleguen a entrar
en conduccin los SCR retrasados (por tensin nodo-ctodo
muy baja), sobrecargando a los que se han adelantado.
nodo
SCR Auxiliar
Mdulo de Potencia
Puerta
Ctodo
Conexin de 2 y 3 Tiristores en Paralelo con Bobinas Ecualizadoras:
Ventaja: No prdida de potencia en resistencias
Desventajas: Demasiada complejidad al subir el nmero de dispositivos en
paralelo: coste, peso y volumen.
PROTECCIONES.
Icc
Corriente
sin el fusible
Imax
Corriente
sin el fusible
ta
tm
tc
Efecto Limitador de Corriente en un Fusible
Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en
cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del
dispositivo.
2
2. El valor de la energa permitida del fusible (i tc) debe ser menor que la del
dispositivo que se pretende proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensin una vez que se haya
extinguido el arco.
4. La tensin que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensin
de pico del dispositivo.
Caracterstica
del dispositivo
Rectificador
Caracterstica
del fusible
T1
T2
T4
T3
Red AC
10-2
10-1
10
t, segundos
Carga
F1
F2
Rectificador
dispositivo
I(RMS)
F1
F2
disyuntor
magntico
10-1
T2
T4
T3
Red AC
F4
disyuntor
trmico
10-2
T1
10
t, segundos
Carga
fusible
F3
IA
Amortiguador
de encendido
Ron
IA
ta
LS
tb
Lon
IA
VAK
Carga
almacenada
VAK
t
VR
Don
VR
VP
Sobretensin
IA
I A
1
=
V Lon
t
Lon
a)
b)
c)
IA
ta
LS
Red AC
tb=0
Amortiguador
de apagado
IA
R
C
S1
Amortiguador
Transformador
VAC
VAK
VP
VR
Lm
Vo
Convertidor
de Potencia
Circuito
Resonante
Lm
Vo
Amortiguador
IL
S2
VS
Carga
LS
Vo
a) Carga Conectada
LS
VS
R
C
Carga
Circuito
Resonante
b) Desconexin de la Carga
Adems de los SVS, se utilizan Diodos de Selenio y MOV (Metal xido Varistor):
Los Diodos de Selenio son Diodos Zener, y por tanto protegen en un solo
sentido. Son bastante antiguos y con poca capacidad de disipacin de energa.
Los MOV son resistencias no lineales dependientes de la tensin, de forma que a
tensiones por debajo del umbral presentan una resistividad muy elevada, pero al
superar su umbral tienen una resistividad mucho mas baja comportndose de
forma parecida a los SVS (como dos diodos Zener en antiserie). Son dispositivos
formados por un aglomerado de microgrnulos de xido de Zinc, y pequeas
cantidades de otros xidos metlicos (Bismuto, Cobalto, Manganeso...). Estos
grnulos forman uniones p-n en sus bordes, de forma que el conjunto es un numero
elevado de uniones p-n en serie.
Estos dispositivos pueden conectarse en serie o en paralelo si es necesario.
Comparacin entre estos dispositivos:
V. DC
(V)
SVS
400-3.200
MOV
60-1400
Diodo de Selenio
35-700
Carburo de Silicio
6Cpsulas de Arcos
90-
I. Pico
(A)
P. Pico
(kW)
E. Pico
(Julios)
Vp/Vnom
135-50
350
30
2000
1700
65-192
200
15
4000
3.4
3.5-10
20
1.5
400
0.34
<1.2
1.7
2.3
3.2
8.2
R
C
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
9.1. INTRODUCCIN
9.2. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
PARALELO
9.2.1. Circuitos de Control con Acoplamiento DC
9.2.1.1. Salida Unipolar
9.2.1.2. Salida Bipolar
9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Elctrico
9.2.3. Alimentacin en los Circuitos de Disparo
9.2.3.1. Alimentacin con circuitos de Bombeo de
Carga por Condensador
9.2.3.2. Alimentacin con circuitos Bootstrap
9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs
9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
SERIE
9.4. PROTECCIONES
DEL
INTERRUPTOR
DE
POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE
CONTROL
9.4.1. Proteccin contra Sobrecorriente
9.4.2. Proteccin contra Cortocircuitos en Montajes
Tipo Puente
9.4.3. Conmutacin sin Snubbers
Convertidor
de Estado
Slido
Fuente de
Energa
Elctrica
Carga
Objeto de
este tema
Amplificadores
de potencia
Aislamiento
galvnico de
las seales
(deseable)
Elementos de
clculo
Circuito de Mando
con las
Seal digital
Circuito de Disparo
Dispositivo
de Potencia
V BB
VBE (TA )
I2
TB
Comparador
I1
R1
ts
TA
I B (TA )
R2
Carga
R1
R2
V BE almacenamiento
I Balmacenamiento
I Bon = I 1
VBB
Vcc
Circuito de VBB
Disparo
Comparador
R2 =
VBEon (TA )
R2
= VCE sat (TB ) + R1 I 1 + VBEon (TA )
M1
CGS
VBB
Comparador
Vcc
Circuito de
Disparo
R1
Carga
T1 R
G
T2
M1
CGS
(9-1)
(9-2)
(9-3)
Limitacin de
corriente en BJTs
Circuito de
Disparo
VBB+
Comparador
Tensin de
Referencia
Circuito
de control
Con
Vcc
RB
Tb+
TA
Tb
BJT
MOS
Divisor de tensin
capacitivo
Vcc
Circuito de
Disparo
VBB
Tb+
A
Tb
VBB
IB
VBB
TA
Fuentes de alimentacin
V0 auxiliares
Alimentacin DC-aislada
Capacidad
parsita
V1
V2
Aislamiento Circuito
de la seal de Base
Circuito de
Control
Aislamiento Circuito
de la seal de Base
Neutro
Tierra
Alimentacin
de Potencia
Optoacoplador
Salida hacia
el driver
Fase
Tierra
VBB
Entradas
de control
Seal
digital de
control
Referencia
Digital
Referencia del
interruptor de potencia
VBB
+15 V
Circuito
de
Potencia
DA
Circuito
Integrado CMOS
RG
VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Q
Oscilador
de alta
frecuencia /Q
Circuito de control
Referencia del
interruptor de potencia
Referencia del
circuito de control
Inductancia de
Magnetizacin
Seal digital de Vc
control (baja
frecuencia)
Modulador
Vd
Vo
Entrada al
driver
Entrada al driver o
seal de disparo
Demodulador
Vc
Q
/Q
Vo
Vd
ip
Modulador
ic
Cp
N1
Lm
BJTPotencia
ib
T2
N2
T1
Demodulador
Circuito de potencia
Rp
Seal Digital
de Control
Circuito
de disparo
Buffer
R2
Oscilador
Vcontrol
C1
Buffer
Schmitt-trigger
Buffer
DB
N3
C2
vi
RG
vo
Vcontrol
Q
Q
vi
vo
ipVBB/Rp.
Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base,
y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser:
ib=icN3/N2.
Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en
estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB
y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que:
ib= icN3/N2- ipN1/N2
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la
corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.
Vcc
Vcc 2
Circuito de
disparo
VBB1
Carga
Vcc 2
Circuito de
disparo
VBB2
C2
D2
VCC+VBB
VBB
VCC
C1
CD-1
D1
VBB
Osc.
VBB
VBB
CD-2
Montaje Semipuente
Vcc
VBB1
VBB2
VBB3
CD-1
CD-3
CD-5
CD-2
CD-4
CD-6
VBB
VBB
VBB
VBB
Driver
VBB
VBB
Driver
Fase C
Fase B
Fase A
Driver
VBB
Driver
Driver
Driver
VCC
VGK
VGGL
VGGH
RG
Tierra de Potencia
D1
15v
VGK
D2
RG
Vcontrol
VD
V BB
log iD
ic
RBSO
VGS=20V (mx.
permitido por la
tecnologa)
VGS=15V
(recomendado)
4*iDnom
Seal
de
Control
Conmutacin
iDnom
v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia
Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el
corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al
diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor
lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0).
El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.
vDS
CGD
iD
vDS
RG
4*iDnom
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
VGG
iD
vDScc vDS
4*iDnom
iD
RG
iDnom
t
CGD
VGG
iD
vDS
vDScc vDS
VCC
Generacin de retrasos
V1
Interr.
Cerrado
Control T+
T+
D+
Interr.
Abierto
Entrada de
Control
t
a)
Control
Control T-
V2
T-
D-
b)
tmin
Control
V1
tmin
tmin
V2
T+
tc
tc
INTRODUCCIN
10.1.INTRODUCCIN
10.2.MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR
10.2.1. Conveccin.
10.2.2. Radiacin.
10.2.3. Conduccin.
10.2.3.1. Modelo Trmico Esttico
10.2.3.2. Modelo Trmico Dinmico
10.2.3.3. Clculo de la Temperatura de la Unin en
Situaciones Transitorias
10.3.DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS
10.3.1. Radiadores
10.3.1.1. Conveccin Forzada
10.3.1.2. Clculo de la Resistencia Trmica
10.3.2. Refrigeradores por lquidos
3
2
Tj=75C
TjMax=
125C
1
40 50 60 70 80 90 100 110 120
Temperatura en la unin Tj C
INTRODUCCIN
ACCIONES A TOMAR:
A
Superficie a TS
d
Flujo de aire a Ta
Cpsulas adecuadas
(Fabricante).
Pconv=1.34 A(T)1.25/d0.25
donde:
Radiadores.
Rsa ,conv
Radiadores con
ventilacin forzada.
1 d
=
1.34 A T
1/ 4
Pconv=h A T
Sistema Empleado
Gases
Conveccin Natural
Lquidos
Gases
Conveccin Forzada
Lquidos
Conveccin con Cambio Lquido+Gas (Evaporacin y
de Fase
Condensacin)
h (W m-2 K-1)
2-25
50-1.000
25-250
50-20.000
2.500-100.000
Superficie a TS
A
l
A
R =
ambiente a Ta
PD
La transferencia de calor por Radiacin se rige por la ley de Stefan Boltzmann:
Prad=
EA(Ts -Ta4)
Rsa ,rad =
T
5.7 10 8 EA(Ts4 Tas )
T1
T C
PD W ,
Q
=
= PD
Q
con
t
donde:
Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el
ambiente (W).
E es la emisividad de la superficie del disipador. Esta constante depende
del tipo de material. Para objetos oscuros, como el aluminio pintado de
negro utilizado en radiadores es 0.9.
2
A es el rea de la superficie (m ).
Ts es la temperatura de la superficie expresada en grados Kelvin.
T1> T2
T2
R =
l
A
donde:
(C*cm/W)
0.02 - 0.1
0.3
0.5
2.0
130
150
400
3000
Semiconductor Tj
Magnitud Elctrica
Diferencia de Potenciales
Intensidad
Resistencia Elctrica
Encapsulado Tc
Magnitud Trmica
Diferencia de Temperaturas
Potencia
Resistencia Trmica
Aislamiento
Disipador Ts
PD
Temperatura Ambiente Ta
donde:
mecanismos de transferencia
de calor por conduccin entre el silicio y el encapsulado del
dispositivo.
Rjc +
Rcs +
Rsa +
Tj
Tc
Ts
Ta
Estos clculos no son exactos, debido a que las resistencias trmicas varan con:
La Temperatura.
Contacto trmico entre cpsula y radiador (Montaje).
Dispersiones de fabricacin.
Efectos transitorios.
T1
Ts
=C R
C
PD
T = ( M C e )Q = C Q
T
Q
V
= C
= C PD
= C IC
t
t
t
Ts
a)
b)
T1 (t ) TS = PD R (1 e t / )
donde:
Ce
M
C
T1 (t = ) TS = PD R
T5 T4
T3 T2 T1
TS
PD
Tn
Po
Tfn
T0n
a) Sistema trmico
PD
Tn (t ) T0 n = P0 R (1 e t / )
t
a) Escaln de Potencia
b) Evolucin de la Temperatura
en el trozo n
T5
PD
T2
T3
T4
R5,4
R4,3
R3,2
C5
C4
C3
T1
R2,1
C2
R1,S
C1
Z (t ) =
T (t ) Tn 0 T (t )
=
P0
P0
Z (t ) = Z 0 (1 e t / )
Z 0
TS
b) Modelo Elctrico Equivalente
La temperatura final en un nodo debe coincidir con la obtenida con el
modelo esttico
Los fabricantes suelen dar curvas en las que se representa la impedancia trmica
transitoria para un dispositivo al que se aplica una potencia disipada tipo escaln
o ondas cuadradas peridicas, por ejemplo:
log(Z(t)/Z(t=))
D=
Impedancia Trmica
Transitoria de un
Dispositivo (incluyendo
la curva asinttica).
Impedancia
Trmica
Transitoria
0.5
Asntotas
0.2
0.1
log(t/ ))
0.05
Pulso nico, T=
t1
Notas:
10-5
Tj
1-D=t1/T
2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
10-4
10-3
10-2
10-1
P0
0.318T
10
t1 (seg)
Curvas de la Impedancia Trmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330
donde la Impedancia Trmica Transitoria est parametrizada en funcin del
ciclo de trabajo del MOSFET
Puede observarse que para valores altos de D y bajos de t1 (=altas frecuencias),
las curvas se vuelven horizontales, es decir, la inercia trmica hace que la
temperatura de la unin no vare y por tanto estas curvas no sirven. En general,
para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la caracterstica
esttica.
t
P0u(t1)
0.01
0.01
PD
0.02
Potencia
0.1
Tj
0.318T
t
0.09T
0.41T T/2
P0
t1=0.09T
P0
-P0u(t2)
10
En otros casos, los fabricantes dan nicamente una curva que representa la
impedancia trmica transitoria para una potencia disipada tipo escaln:
Tj
t2=0.41T
P(t)
P5
Pm
P1
t2
t3
P6
P(t)
P3
t1
t4
t5
t6
tm
P1
t j0
t1
t2
P3
P2
P4
P5
Pulso a aproximar
P7
P8
Aproximacin
Pm
t3
t4
t5
t6
t7
t8
... t m
Tj(t)
Temperatura
Tj(t)
t j0
t
Temperatura de la Unin con Pulsos de Potencia Rectangulares
Llamando Zn=Z(t=tn) y teniendo en cuenta que P2=P4=P6=...=0, se puede
escribir que la temperatura despus del pulso m es:
T j (t ) = T j 0 + P1 ( Z 1 Z 2 ) + P3 ( Z 3 Z 4 ) + P5 ( Z 5 Z 6 ) + ...... =
n
Z n +1 )
n =1, 2....
Z n ( Pn Pn 1 )
P1
P0
t
P0u(t0)
P (Z
n
n =1, 3, 5....
= T j0 +
P0
t
(P1-P0)u(t1)
T j (t ) = T j 0 + Z 1 P1 + Z 2 ( P2 P1 ) + Z 3 ( P3 P2 ) + ...... =
Pulso
tj0
= TJ 0 +
P1-P0
t0
t1
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 16 de 22
PD
Tj
Rjc
Tc
Rcs
Ts
Rsa
Ta
Superficies
Rugosas
tpico: 1.6m
Superficies
Pandeadas
tpico: 0.1%
Entrada
de
aire
Salida 1
Salida
Salida 2
Incremento de Temperatura de la
Superficie respecto al ambiente (C)
Conveccin Natural
90
80
70
60
50
20
A2
Acon=2 A2 + n A1
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Conveccin Forzada
donde:
A1 es la superficie frontal del disipador.
A2 es la superficie lateral del disipador.
n es el nmero de superficies laterales generadas por las aletas que
componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
0.7
RSA (C/W)
b)
30
A1
a)
40
Rsa ,conv =
0.6
0.5
d 1/ 4
1
134
. Acon Fred T 1/ 4
0.4
0.3
0.2
Fred
0.1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.1
5 mm
25mm
Distancia entre aletas del disipador
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 20 de 22
Normalmente se emplear un
circuito cerrado, y se forzar
mediante una bomba la
circulacin del lquido.
A2
A1
Arad=2 A1 + 2 A2
Entrada
de Lquido
Salida de
Lquido
donde:
Rsa ,rad
T
=
5.7 10 8 EArad (Ts4 Tas )
Refrigerador
por lquido
Proteccin
por presin
baja
Rsa =
Proteccin
por caudal
bajo
Enfriador del
lquido por aire
forzado
Bomba
Depsito
Condensacin
Retorno del
lquido
condensado
El vapor sube
Evaporacin
INTRODUCCIN
En este tema se estudiar el diseo de inductores y transformadores as como
la seleccin de condensadores.
con
alta
INTRODUCCIN
DISEO DE INDUCTORES
Magnitud
Inductancia
Intensidad de campo magntico
Flujo Magntico
Densidad de Flujo Magntico/
Induccin Magntica
Permeabilidad
Unidad
SM
Henrio
Amperio/
A/m
metro
Wb
Weber
Simb.
UC
L
Unidad Factor
UC
Convers
Henrios
1
Oe
Oersted
79.58
Mx
Maxwell
1 108
Tesla
Gauss
1 104
H/m
Henrio/
metro
--
4 10-7
Culombio
EM
Carga
por
masa
10
Carga elctrica
Bp
BAV
g (mm)
Con Gap
Con
Gap
B: Densidad de flujo
magntico
H: Intensidad de campo
magntico
: permeabilidad
t
a)
b)
t
B (gauss)
Bp
Ncleo magntico
B =
E 108
k Ac N f
H (oersted)
Sin
SinGap
Gap
cuadrada.
DISEO DE INDUCTORES
Las prdidas en un ncleo de ferrita pueden estimarse (segn los fabricantes):
DISEO DE INDUCTORES.
Tipos de ncleos magnticos mas usados
P = k f a B b
P es la prdida de potencia en mW/cm3.
a) POT
b) RM
c) UU
d) Toroidal
e) EI
f) EE
g) EC
h) EPC
t = 0.833
P
A
DISEO DE INDUCTORES
DISEO DE INDUCTORES
rea de ventana (Aw=lwhw)
Espacio para alojar los devanados
Seccin
Carrete
lw
Columna
interior
Gap
Vista Externa del Ncleo POT con Ranuras Laterales y Entrehierro (Gap)
rea de ventana (Aw=lwhw)
Conductores
Gap (g)
N espiras
hw
Seccin Transversal de los Ncleos POT, Cuadrados y en E
Para la seleccin del ncleo se emplea la
frmula que da la caracterstica producto
de reas. (se deducir posteriormente)
lw
hw
Gap (g)
Aw Ac =
Lmax I p I rms
kcu JBmax
Aw rea de ventana.
Seccin media transversal del circuito magntico.
Ac
Lmax Inductancia mxima que puede obtenerse con el ncleo (se deducir
posteriormente).
Kcu Coeficiente de empaquetamiento del cobre (valores tpicos comprendidos
entre 0.6 y 0.8).
J
Densidad de corriente.
Carrete
Es la base sobre la que se asienta el solenoide o bobina de cobre.
Est caracterizado por el rea de ventana Aw y se define como el producto de la
altura de ventana hw por el ancho de ventana lw.
Conductores
A partir de la corriente eficaz Irms, y una densidad de
corriente aceptable (para cobre se suele fijar en 450 A/cm2)
puede determinarse la seccin del conductor:
Si se define N como el nmero mximo de espiras de cobre
de seccin efectiva Acu (incluyendo la superficie de aislante
que normalmente es barniz) que pueden ser alojadas en un
ncleo de rea de ventana Aw, se cumple:
Acu =
NAcu' = Aw k cu
I rms
J
DISEO DE INDUCTORES
DISEO DE INDUCTORES
N = Aw
= BAc
Lmax =
N
I
NBmax Ac
=
Ip
L=
kcu J
I rms
N max
Ip
N=
LI p
Bmax Ac
Igualando los valores de N dados por las ecuaciones (A) y (B) resulta la
ecuacin del producto de reas del ncleo vista anteriormente:
Aw Ac =
L I p I rms
kcu JBmax
El producto AwAc depende de las dimensiones de cada ncleo, de forma que una
vez evaluada la parte derecha de la expresin anterior, debe elegirse un ncleo
con un producto de reas mayor o igual que el valor calculado.
Entrehierro (gap)
Consiste en intercalar una zona de aire en el circuito magntico. Se realiza en la
mayora de los inductores para aumentar la corriente mxima por la bobina
para una misma densidad de flujo (evitar saturacin). L pero se compensa
aumentando N ya que LN2.
La distancia de entrehierro puede obtenerse aplicando
la ley de Ampere al nuevo circuito magntico,
H dl = NI
Bg Ag = Bmax Ac
Hg =
Bg
max
0 Ag
entrehierro (Hg).
Despreciando, por tanto, la intensidad de campo en el
material magntico frente a la intensidad de campo en
el aire, de la ley de Ampere, puede obtenerse:
H g g = NI p
De estas ecuaciones se obtiene la longitud del entrehierro que hay que realizar
para una corriente mxima Ip:
LI p
g=
NI p
Hg
Ip
0 Ag L
0 Ag L
max
=
= 2 I p2 = 2 2 I p2
max
max
Bmax Ac
0 Ag
DISEO DE TRANSFORMADORES
DISEO DE TRANSFORMADORES
d
V1 = N1
, que en el caso de ondas
dt
cuadradas es:
V1 = N1
max
2 max
= 4 N1 f max
1
2f
-max
1/f
N1 =
V1
V1
=
4 f max 4 fAc B
(C)
Conductores
Suponiendo despreciable la corriente de magnetizacin, la
fuerza magnetomotriz primaria es igual a la secundaria:
= N1 I 1 = N 2 I 2
I1=Acu1J
N1Acu1=N2Acu2
Aw k cu
2N1
Ak
= w cu
2N 2
Acu1 =
Acu 2
JAw k cu
2N1
JA k
= w cu
2N 2
I 1 max =
I 2 max
V1 = 4 fN1 Ac B
S1 = 2 fAc BJAwkcu
Ac Aw =
S1
2 fBJkcu
I2=Acu2J
Awkcu= N1Acu1+N2Acu2=
2N1Acu1=2N2Acu2
(D)
SELECCIN DE CONDENSADORES
Capacidad.
Tensin mxima.
Corriente eficaz.
Frecuencia.
Resistencia Serie Equivalente (ESR).
Autoinduccin Serie Equivalente (ESL).
Volumen (tamao).
INTRODUCCIN
AC, 1
AC,3
DC
DC
AC, 1
AC, 3
DC
DC
RECTIFICADOR MONOFSICO
Carga
+
+
Carga
VS
iR
VR
a)
b)
Carga
c)
Segundo
intervalo:
VR=0
IR=0
VAK= VS
Primer
intervalo:
VR=VS
IR=VS/R
VAK=0
Tensin media en la carga:
VR ( AV ) =
1
2
2VS
VR ( RMS ) =
VS
2
D
iR
VR
VS
L
VL
di
;
dt
1
VL dt
L
i (t2 )
1 t2
i (t0 ) di = L t0 VL dt = 0
0 = Area( A) Area( B)
Area A
di =
D
Area B
iL
VL
VS
E
Area A
Primer Intervalo
Area B
Primer Intervalo
D
iR
iL
VR
VL
VS
VS
L
VL
Area A
Area A
Area B
Area B
t
1er
Intervalo
1er Intervalo
2o
Interv
2o Intervalo
D3
+
D1
iS
D2
D4
id
Puente Rectificador
Carga
Vd
iS
VS
D3
D4
D2
Puente Rectificador
Para LS despreciable.
iS
D3
VS
D1
Carga
Vd
VS >0
VS
D4
D2
Vd = VS
a) Vs>0
Puente Rectificador
iS
VS
D1
D3
id
+
Carga
VS
id
Carga
Inductancia
parsita
VS <0
D2
VS
D4
Vd = -VS
a) Vs<0
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 9 de 32
iS
iS
Vd 0 =
Vd 0 =
Vd
VS
VS
1
2
2VS sen(t )dt =
0
T
2
I S1 =
Id
Id
I Sh
Id 0 =
I d = 0. 9 I d ;
0 (h par )
= I S1
h (h impar )
4 2VS 2 2
VS = 0.9VS
=
T
id
2 2
Vd
id
Vd 0
V
= 0.9 S
R
R
Id
Vd 0 = 0.9Vs
Id0 = Id
t
Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado para
Carga Fuertemente Inductiva
Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado
para Carga Resistiva
%THD = 100
I S2 I S21
I S1
, como IS=Id , I S 1 =
2 2
Id
2
2)2
= 48.43%
2
2
1 (
%THD = 100
PF =
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 11 de 32
DPF = 1
1 + THD
PF = 0.875
DPF
LS
D3
VS
iS
D2
D4
Conducen
los cuatro
diodos
LS
Carga
VS
id
Puente Rectificador
D1
iS
Vd
VS = 2VS sen(t ) = LS
a) Circuito
diS
dt
(0 t )
2V S sen(t ) d (t ) = L S di S
( 0 t )
Id
A =
2V S sen(t ) d (t ) = L S
Id
di S = 2L S I d
A = 2V S (1 cos ) = 2L S I d ;
b) Formas de Onda
Puente Rectificador Monofsico con Conmutacin no Instantnea
Vd = Vd 0
= 0.9VS
2LS I d
Inductancia de
Lnea y
Transformador
VL
Puente Rectificador
LS
D1
VS
D3
Id
Carga
t
iS
Vd
D2
D4
a) Circuito
V
1 = ar sen d
2V S
; p = 1
VL = LS
VL
dI d
= 2VS sen(t ) Vd ;
dt
L S dI S =
t
2V S sen(t ) V d d (t )
2VS2 Vd2
L S
2V S
t t1
cos(t ) Vd
LS ;
L S
(
2
1
2VS sen(t ) Vd d (t ) = 0
Id =
iS (t ) d (t )
UT
US
iS
iT
Rect. 3
iN=iR+iS+iT
Rect. 2
UR
Rect. 1
iR
iS = 2 I S 1 sen (t 1 120 ) +
iT = 2 I S 1 sen (t 1 240 ) +
La corriente por el neutro es:
h = 2 k +1
h = 2 k +1
k = 1, 2, 3 L
i N = i R + i S + iT
En esta suma todos los armnicos no triples suman cero, luego la corriente
por el neutro ser:
iN = 3
h =3( 2 k 1)
IN = 3
2 I Sh sen (ht h ),
k = 1, 2, 3 L
I Sh2 3I S 3
h =3( 2 k 1)
Poliandico
2 I Sh sen (ht h ),
Policatdico
h = 2 k +1
Vd <0
+
b) Montaje Simple Policatdico
Vd
iR = 2 I S 1 sen (t 1 ) +
Vd >0
t
Vd
u1
Uc=u1+u2
u1
+
Uc
u2
Uc=u1-u2
+
u2
Uc
Vd
Uc
Uc
u2
Uc
Uc
R
S
Uc
TS
R
S
T
4
R
S
T
Uc
TS
R
S
T
Uc
Carga
Uc
Carga
Carga
u1
R
Uc
Carga
Uc
Carga
Uc
t
6
R
S
T
Carga
TS
Carga
Uc
TS
LS
Carga
R
S
T
Uc
Armnico
Rectificador A
u1
Uc= u1
= u2
u1
R
+
Uc=( u1+ u2)/2
Vd
u2
u2
Vm = V M cos
Rectificador B
Rectificador Hexafsico
TS
La tensin de salida estar formada por una serie de arcos que se repiten
peridicamente:
u = VM cos t para
TS
El valor medio
-
< t < .
m
m
1
m
VM [sen t ]m =
Vo =
VM cos t d t =
m
2
2
m
m
m
=
VM sen sen
2
m
m
Vo =
VM sen
Vc
/2
/2
Vf2
Vf1
2/m
Vf
Vc/2=Vfsen(/2)
Vfm
dnde =(2/m)trunc(m/2)
VM = Vc = 2V f sen trunc ( )
2
m
Vc sen( ) =
2m
2m
m
=
2 sen trunc V f
2
m
Vo =
sen( ) =
2m
m
sen trunc sen( ) V f
2
2
m
m
2
1 m
= V M2 +
sen
m
2 4
Montajes:
-Puente
-Simple
m
1
V
VM2 cos 2 t d t =
=
2
m
m
m 2 1 1
2
2
+ sen
=
VM + + sen
=
2
m
m
2 m m 4
2
RMS
2m
=4
Vo =
3 3
V f = 1.652V f
VRMS = V M
1 m
2
+
sen
m
2 4
1
La potencia activa suministrada por el rectificador es: Pd = T v d i d dt ,
o
t
donde
Ss
1 cos
VM VM cos
V Vm
m =
m
=
Km = M
m
2Vo
2m sen
2 VM sen
m
m
Para el caso trifsico: K3=0.302
I s2 =
Id
1 2
Id Is =
m
m
Luego:
2 ( 1) k
u(t) = Vo 1 + 2
cos (k m t )
2
k =1 k m 1
I d durante el tiempo
m y es nula
TUF =
Pd
Vo I d
=
=
S s m Vs I s
I
2m
m d
=
sen
Id
m
m Vs
m
Vs 2 sen
TUF (m = 3) =
sen
= 0.675
3
Grficamente:
m= Nmero de fases
I S =
I S1 =
Para m=3:
I Sh =
0,25
3
6
9
12
0,2
0,15
0,1
2
Id
m
2
Id
3
Id 6
I S1
h
(h = 5,7,11L)
0,05
0
1
10
11
12
13
14
15
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 12
PF =
I S 1 DPF 3
= = 0.955
IS
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
AC, Mono o
Polifsica
Id
Vd
Vd
DC (+-)
Flujo de
Potencia
Id Flujo de
Potencia
VS
i(t)
Ud
VS
Ud
i(t)
R
UR
El rea gris es la
integral de VL.
Las dos reas
deben ser iguales
Tensiones negativas
aplicadas a la carga
Carga Resistiva
L
i(t)
Ud
VS
VS
Ud
i(t)
R
UR
VL
VL
VL
max=
-min
VL
1er Int 2 Intervalo
min=
arsen(
E
2VS
1er Intervalo
)
Carga Resistiva e Inductiva con Diodo de libre circulacin
Puente Rectificador
L
Ud
+
iS
i(t)
Carga
VS
id
VS
Vd
di/dt constante
VL
iS
VL
=0
In. 1
In. 1
In. 2
In. 3
iS
2VS sin ( t ) d ( t ) =
2 2
VS cos =
Vd = 0.9 VS cos
Vd =
1
P = Id
T
vd dt = 0.9 I d VS cos
Puente Rectificador
LS
id
Detector de Paso
por cero
+
a:1
Carga
iS
VS
Vd
VS
diferenciador
RC
3
Retraso
()
VS /a
t=
t=
t
u1
u2
um
2/m
A
1 m
2
U =
=
U M cos t - U M cos t d t =
2
2
m
m
m
m
U m
sen sen sen + + sen =
U = M
2
m
m
m
m
2/m
U =
U M m
m
m
2
U =
1
( p + q ) sen 21 ( p q ) , resulta:
2
UM m
m
2 sen + 2 cos sen - = U M sen (1 cos ) =
2
m
m
m
U = U ov (1 cos )
U o = U ov U = U ov cos
La Tensin Eficaz:
Los Armnicos:
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 13 de 30
U rms = U M
U ok = U o
1 m
2
+
sen
cos
m
2 4
2
1 + k 2 m 2 tg 2
2
2
k m 1
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 14 de 30
Vo /VM
0,25
0,2
m
0,15
0,1
23
17
30
0
29
60
27
25
21
Nm. armnico
0,05
19
13
15
11
VRMS/VM
Alfa
=0; Uo=257V
=30; Uo=222V
=60; Uo=129V
=90; Uo=0V
=120; Uo=-129V
=150; Uo=-222V
Segn el valor de :
2 m
< <
2 m
2
=
Ud = 0
2
< < +
2
2 m
+ < <
2 m
0 < <
Ud
Ud
<> 0
Uo > 0
Ud
<> 0
Uo < 0
Ud
=180; Uo=-257V
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 18 de 30
Uc =u1 -u2
i2
2LS
LS
LS
Tensin no
aplicada
U o = U ov U = U ov cos
No es vlida en el caso de cargas Resistivas o con diodos de libre
circulacin, ya que no se podrn aplicar tensiones negativas a la carga,
en este caso, solo ser aplicable si como vimos antes est en el
intervalo:
siempre > 0
ic
Uc =u1 -u2
Ud
um
Ud
0 < <
2 m
ic
id =i1 +i2
u2
LS
b)
a)
uc = u2 u1
2 U c sen t ; U c = 2 sen
; uc =
2 Ls
U f
m
dic
= 2 U c sen t
dt
ic =
2 Uc
sen t d t = Ic (cos cos t )
2 Ls
Dnde Ic =
i1 = I d i2 = I d ic
2 Uc
2 Ls
i1 ( t = + ) = 0 .
, para t = + ,
Como:
ic ( + ) = I d ser:
ic ( + ) = I d = Ic (cos cos( + ))
cos( + ) = cos
Id
Ic
ic=C(cos-cost)
u1
Uc =u1 -u2
LS
ic
id =i1 +i2
C
i1
i2
Id
u2
Ccos
um
i2
LS
Ud =(u1 +u2 )/2
LS
t
0
2 U c
ic =
2 L s
Vlida para:
t +
u1+u2
2
A + B + C = U + 2U x donde:
U = U ov (1 cos ) rea C
2U x = U ov [cos cos( + )]
U o = U ov U U x =
1
1
U o = U ov [cos + cos( + )]
2
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 21 de 30
+
Ud
Carga
R
S
T
Ud
Puente Trifsico
t=2
Ud =
1
2
2m
U d (t ) = U d (t )
)
U c = 2U M sen( ) cos(t
2m
m
Ud =
2U M sen( )
Ud =
4m
cos(t
)d (t )
2m
m
2m
3 3
=
U
U M cos( ) = 1.65 U M cos( )
d
Si m=3,
LS
Carga
Uo
S
T
Ud
=45; Uo=363V
Uo
=90; Uo=0V
Uo
1
U o = U ov [cos + cos( + )]
2
Para el puente trifsico ser:
=112; Uo=-192V
U ov =
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 25 de 30
3 3
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Puente Monofsico
Vo /VM
T1
Id
T2
iS
Rectificador Trifsico
Simple
VS
D1
D2
Puente Rectificador
T1
D1
Carga
Puente Rectificador
Vd
Carga
Vd
Id
iS
VS
Vo/VM
T2
D2
Rectificador Trifsico
Puente
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Puente Monofsico
T1
+
Carga
D1
T2
Id
VS/2
M
Carga
iS
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Puente Polifsico
S
T
Ud
VS/2
- N
Ud
D2
D2
T2
D2
T1
D1
T1
D1
T2
D2
T2
D2
T1
-VS/2
VS/2
>Lim
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico semicontrolado con ngulo
de Disparo
INTRODUCCIN
1 de 37
Fuente DC:
-Batera-FC
-Panel Solar
Red Electrica
(Monofsica o
Trifsica)
Rectificador
no Controlado
Convertidor
CC/CC
Tensin no
regulada
Condensador
de Filtrado
Tensin no
regulada Vd
Tensin
regulada Vo
Controlador de la
Tensin Aplicada
a la Carga
Carga
Consigna de
Tensin
2 de 37
io
Vst
Amplificador
de error
Comparador
Voref
Vd
Vcontrol
vo(t)
Vo
Seal de
Disparo
Controlador PI
TS
ton
vst
vcont
Vst
vcont
vcont>vst
vcont<vst
Vo=
vo,med
a) D=0.3
b) D=0.8
Para TS = t on + t off ,
se define: D =
t on
TS
1 on
1
=
v
(t
)dt
Vd dt +
o
0
Ts 0
TS
Vd
TS
1
Vo =
TS
vo(t)
TS
0 dt
ton
1
Vo = (Vd ton + 0 toff )
TS
t
Vo = Vd on = D Vd
TS
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
Luego:
3 de 37
Vo = D Vd =
D=
ton vcontrol
=
TS
VSt
Vd
vcontrol = k vcontrol
VSt
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
4 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR
iL
io
iL
L
L
Vd
Vi
Vo =vo (t)
Vo
Filtro
Filtro LC
Si C es de un valor adecuado, ser:
iL
vo(t) Vo
io
Atenuacin (dB)
f=1MHz
Vd
f=3MHz
Vo =vo (t)
DC
Armnicos para
D=0.5, fs=1MHz
fr=159Hz
log10(f)
Vd
Vo =vo (t)
r =
1
= 2f r
LC
fr =
1
2 LC
5 de 37
6 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Modo de Conduccin Continua
iL
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Armnicos.
iL
io
io
0.7
vL
Vd
Armnico:
vL
C
Vo
Vo
0.6
0.5
0.4
b)
a)
0.3
0.2
VL = Vd Vo
0.1
0
0.1
Ic>0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VL = Vo
Ic<0
0.7
Armnico:
0.6
0.5
ton
v (t )dt = (V
L
(Vd
V0 )dt +
Vo )t on
0.3
TS
( V )dt = 0
0.2
ton
0.1
V
t
= Vo (TS t on ) o = on = D
Vd TS
0.4
Pot = Vo I o = Vd I d
0
0.1
1
Io
=
Id D
7 de 37
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
8 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante
intervalo 1
int. 2
int. 3
Intervalo de
conduccin
Inter.
IL
Si No No
Diodo No Si No
DLimTS
I max = i L,pico =
t
1
iL,pico = on (Vd Vo ) =
2
2L
TV
= S d D( 1 D)
2L
I LB =
I LB
I L = Io =
Io =
TS V d
8L
Luego: I LB = 4 I LB,max D( 1 D)
Vo
1TS
L
D + 1
1 1
iL,pico(D + 1 ) TS = iL,pico
2
TS 2
I LB,max =
Vo
D
=
donde D + 1 < 1.0
Vd D + 1
Zonas Io -D de funcionamiento
en modo conduccin continua y conduccin
discontinua
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
9 de 37
Vo
(D + 1 ) = 4 D I
1T S
LB,max 1
L
2
Vo
=
Vd
1 =
Io
4 I LB,max D
D2
1 I
D2 + o
I
LB,max
4
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
10 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Relacin de transformacin con Vd Constante
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Modo de Conduccin Discontinua con Vo Constante
Vo
=
Vd
Vo
Vd
D
1 I
D2 + o
I
LB,max
4
I LB =
Sea: I LB,max =
Zona de conduccin
discontinua
DTS
TV
1
i L,pico =
(Vd Vo ) = S o ( 1 D) ;
2
2L
2L
TS Vo
, (Para D = 0)
2L
I LB = ( 1 D)I LB,max
En conduccin discontinua:
Vo
D
=
1 = D d 1
Vd D + 1
Vo
iL , pico =
Vo
D + 1 Vo
1TS ; I o = iL , pico
=
TS 1 ( D + 1 )
L
2
2L
Como:
Io
I LB ,max
I LB,max =
DVd
V
TS Vo
I o = I LB ,max 1 ( D + 1 ) = I LB ,max D d 1
2L
Vo
Vo
Despejando D, se obtiene:
Relacin de transformacin de un convertidor reductor, en Modos Continuo y
Discontinuo con Vd Constante
11 de 37
Io
Vo I LB,max
D=
Vd 1 Vo
Vd
12 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Relacin de transformacin con Vo Constante
Io
Vo I LB,max
D=
Vd 1 Vo
Vd
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Rizado de Tensin a la salida
Zona de conduccin
discontinua
ton
I
I
LB , max
V o =
Q 1 1 I L TS
=
C
C 2 2 2 ; (Area del tringulo sombreada)
I L =
T V
Vo = S o (1 D )TS
8C L
Vo
(1 D )TS ;
L
Dnde: f s =
(Durante toff )
f
Vo TS (1 D) 2
(1 D) c
=
=
8 LC
2
Vo
fs
1
1
f =
TS y c 2 LC
13 de 37
14 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR.
Prdidas en el Condensador
CONVERTIDOR ELEVADOR
iL
io
vL
Vd
IC
IC,pico
Vo =vo(t)
io
vL
Vd
ton
Vo =vo(t)
io
vL
Vd
Vo =vo(t)
I C , Pico =
V
1
I L = o (1 D )TS ;
2
2L
C ( RMS )
V
C , Pico
= o (1 D )T
S
3
2 3L
15 de 37
16 de 37
CONVERTIDOR ELEVADOR
Modo de Conduccin Continua
iL
iL
io
CONVERTIDOR ELEVADOR
Lmite entre modos de Conduccin
io
vL
vL
Vd
Vo
Vd
a)
Vo
b)
IL=Id
ton=DLimTS
En el Lmite:
I LB =
Como:
TS Vo
Io
2
D(1 D )
= 1 D , ser: I oB =
Id
2L
Haciendo: I LB,max =
V o TS
1
=
=
Vd t off 1 D
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
TS Vo
e
8L
I oB,max =
2 TS Vo
27 L
I LB = 4 D( 1 D)I LB,max
Resulta:
17 de 37
TV
1
i L,pico = S 0 D(1 D )
2
2L
I oB =
27
D( 1 D)2 I oB,max
4
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
18 de 37
CONVERTIDOR ELEVADOR
Modo de Conduccin Discontinua
CONVERTIDOR ELEVADOR
Relacin de transformacin con Vd Constante
4 Vo
D =
27 Vd
Vo
I
1 o
Vd
I oB,max
Zona de conduccin
discontinua
DTS
Vo 1 + D
=
Vd
1
i L,pico =
Id =
TS V0
D(1 D ) y calculando el
L
Vd
DTS (D + 1 )
2L
T V
Io
1
I o = S d D 1
=
y
resulta:
I d 1 + D
2L
4 Vo
D =
27 Vd
Vo
I
1 o
Vd
I oB,max
19 de 37
20 de 37
CONVERTIDOR ELEVADOR
Rizado de la tensin de salida
CONVERTIDOR ELEVADOR
Efecto de componentes no ideales
Vo/Vd
Ideal:
1/(1-D)
Real
ton
1
1 D
0
Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos
reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
Vo =
Q I o DTS Vo DTS
=
=
; (Area del rectngulo sombreada)
C
C
RC
Vo DTS DTS
=
=
Vo
RC
Dnde:
= RC
21 de 37
22 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Modo de Conduccin Continua
L
L
Vd
Vd
vL
iL
Vo =vo
vL
L
iL C
Vo
Vd
vL
iL
io
io
Vo
R
io
a)
b)
Convertidor Reductor-Elevador
L
Vd
vL
iL
Vo =vo
io
Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conduccin)
ton
L
Vd
vL
iL
Vo =vo
io
Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conduccin)
Vo
D
=
Vd 1 D
I o 1 D
=
Id
D
23 de 37
24 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Modo de Conduccin Continua
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Lmite entre Modos de conduccin
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador en el lmite entre los
modos de Conduccin Continua y Discontinua: D=0.4
L
Vd
vL
L
iL C
Vo
Vd
vL
iL
io
Vo
io
a)
b)
ton
En el Lmite:
I LB =
ton
TV
1
TV
iL,pico = S d D I LB = S o (1 D ) ,
2L
2
2L
Io 1 D
TV
=
D I o = I L (1 D ) I oB = S o (1 D )2
Id
2L
I = I + I
d
o
L
Definiendo:
I LB,max =
TS Vo
2L
I LB = (1 D )I LB,max
Tema 14. Convertidores DC/DC I.
25 de 37
I oB,max =
TS V o
2L
, resulta:
I oB = (1 D ) I oB,max
2
26 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Modo de Conduccin Discontinua
Regulador elevador-reductor: Modo de Conduccin Discontinua D=0.4
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Modo de Conduccin Discontinua
Regulador elevador-reductor: Modo de Conduccin Discontinua D=0.6
TS
1TS
ton=DTS
V d DTS + ( V o ) 1TS = 0
IL =
ton
Vo
D
=
Vd 1
I o 1
=
Id
D
Vd
DTS (D + 1 )
2L
1
Vo I o 2
D=
Vd I oB ,max
27 de 37
28 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Relacin de transformacin con Vd Constante
D=
Vo I o
Vd I oB ,max
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Rizado de la tensin de salida
1
2
ton
Zona de conduccin
discontinua
Vo =
Relacin de transformacin de un convertidor reductor-elevador, en modos
de funcionamiento continuo y discontinuo
29 de 37
Q I o DTS Vo DTS
=
=
C
C
RC
Vo DTS DTS
=
=
Vo
RC
Dnde:
= RC
30 de 37
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
Efecto de componentes no ideales
CONVERTIDOR DE CK
iL1
C1
L1
iL2
L2
vL1
Vo/Vd
vL2
C2
Vd
Ideal:
D/(1-D)
Vo
io
Real
VC1 = Vd + Vo ,
L1
iL2
L2
vL1
1 D
0
Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos
reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
vL2
C2
Vd
Vo
io
iL2
L2
vL1
Vd
C1
vL2
C2
R
Vo
io
31 de 37
32 de 37
CONVERTIDOR DE CK
iL1
iL2
L1
C1
L2
vL1
vL2
vC1
Vd
CONVERTIDOR DE CK.
Modo de Conduccin Continua
C2
R
Vo
io
a)
iL1
iL2
L1
L2
vL1
vL2
vC1
Vd
C2
R
Vo
io
b)
VC1
1
=
Vd 1 D
(VC1 Vo )DTS + ( Vo )(1 D )TS = 0 VC1 = 1
L2:
Vo
D
I L1 = I d
Vo
D
Io 1 D
=
=
Luego:
donde
y
Vd 1 D
Id
D
I L2 = I o
L1:
33 de 37
34 de 37
CONVERTIDOR DE CK.
Modo de Conduccin Continua
CONVERTIDOR DE CK.
Lmite entre Modos de Conduccin
35 de 37
36 de 37
iL
id
io
IC
iC
C
Vd
Vo
id
iL
io
vL
iC
Vd
IC
Vo
Vo
id
L
Vd
IC
vL
iL
iC
io
Id
L1
id
IC
C1
iL2
L2
vL1
vL2
C2
Vd
iC
io
37 de 37
Vo
INTRODUCCIN
Objetivo: Estudio de los circuitos ms usados en las fuentes de
alimentacin reguladas (de amplio uso en la alimentacin de equipos
electrnicos).
1 de 39
Caractersticas:
Regulacin de la tensin de salida a un valor Vo constante
(dentro de un rango de tensiones de entrada y corrientes de
salida.
Aislamiento galvnico entre entrada y salida, sin emplear
transformadores de 50Hz.
Permitir si se precisa ms de una tensin de salida aisladas
entre s.
En este tema slo se va a analizar el funcionamiento en modo de
conduccin continua (en las fuentes de alimentacin L suele ser de un
valor bastante grande).
Se va a suponer que Vo es constante (C se supone de un valor elevado).
2 de 39
CONVERTIDOR PUENTE
id
+
Donde cada
interruptor es
en realidad:
S3
S1
CONVERTIDOR PUENTE
io
Vd
Carga
S2
Vo = V A VB
Potencia
positiva o
negativa
io
B
S4
S1
Si
Di
Vo
Generacin del
Retraso
Si IGBT o MOS
Esquema del convertidor Puente (4 cuadrantes)
id
S2
id
+
S1
Vd
D1
A
S2
io
Carga
Vd
D1
io
Carga
Corriente Inversa
del Diodo
S2
D2
a)
a)
S1
D2
b)
B
S1
S2
tc
tc
tc
b)
Los dos casos presentados son solo ejemplos, por simetra se pueden encontrar
otros ejemplos.
3 de 39
4 de 39
CONVERTIDOR PUENTE
CONVERTIDOR PUENTE
iO
Puede estar
abierto o cerrado
S1
Vd
Conducen
D1 y D4
iO<0
VO=Vd S4
Puede estar
abierto o cerrado
iO
VA =Vd
D4
Conducen
S 2 y D4
S2 D2
S3
0
0
1
0
0
1
0
0
1
io>0
S4
0
1
0
0
1
0
0
1
0
VO Conduce
-Vd D2 D3
0
D2 S4
-Vd D2 D3
-Vd D2 D3
0
D2 S4
-Vd D2 D3
0
S1 D3
Vd S1 S4
0
S1 D3
S1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
S2
0
0
0
1
1
1
0
0
0
S3
0
0
1
0
0
1
0
0
1
io<0
S4
0
1
0
0
1
0
0
1
0
Vd t onA + 0 t offA
TS
= Vd D A
Estados Posibles
S2
0
0
0
1
1
1
0
0
0
VA =
Circulacin de Corriente por dos Diodos aplicando una tensin nula. (Si io>0,
la corriente circulara por D2 y S4).
S1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
Si S1 = on (S 2 = off ) V A = Vd
Si S1 = off (S 2 = on) V A = 0
Luego:
D4
VA =Vd
iO<0
VO=0 S4
S1
io<0
Vd
S2
Vd
io>0
Vd
D1
VO Conduce
Vd D1 D4
Vd D1 D4
0
D1 S3
0
S2 D4
0
S2 D4
-Vd S2 S3
Vd D1 D4
Vd D1 D4
0
D1 S3
5 de 39
Vo=VA-VB=Vd(DA-DB)
VA=Vd si io<0
VA=0 si io>0
6 de 39
id
id
Filtro LC
S3
S1
io
Vd
Carga
S2
Vo=VAN-VBN
Vd
B
S4
Ts
2Vtri
A
C
B
S4
S2
Vo
c
a
r
g
a
N
Convertidor Puente alimentando una carga de continua con filtro LC
Vd
Vd
S3
Vo (t ) = VA VB
io
S1
)
Vcontrol + Vtri t on
=
=D
)
2 Vtri
TS
)
Vcontrol = Vtri ( 2 D-1 )
1
[Vd t on Vd (TS t on )]
Vo =
TS
V
Vo = )d Vcontrol = k Vcontrol
Vtri
Vd
toff
ton
Vd
Ts
2Vtri
toff
7 de 39
ton
8 de 39
D1
S3
S1
D1
Io
S3
D3
S4
D4
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
S2
D4
D2
Vo
Vd
D1
S3
S1
D1
Io
-Vd
S3
D3
S4
D4
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
D4
S2
D2
Vo
Vd
9 de 39
10 de 39
Vd
Vd
11 de 39
12 de 39
Vd
Vo=Van-Vbn
Vd
Van se genera
comparando
Vtri con Vcon
Vbn se genera
comparando
Vtri con -Vcon
Vd
2Vtri
Ts
)
)
t on Vcont + Vtri
TS
2 Vtri
Vo = V d D A V d D B =
Vd
V
=
) Vcont = k Vcont
o
Vo = Vd (D A D B )
DA =
tri
13 de 39
14 de 39
D1
S3
S1
D1
Io
S3
D3
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
S2
D4
D1
S3
D2
Vo
S4
D4
S1
D1
Io
S3
D3
S4
D4
Io
Vd
Vd
S2
D2
Vo
S4
S2
D4
D2
Vo
S1
D1
S3
D3
S1
D1
Io
Vd
D2
Vo=0
S4
S2
D4
D1
S3
D2
D3
D2
D4
S1
D1
S3
D3
Io
Vd
Vo=0
S2
S4
Io
Vd
D3
Vd
Vo=0
S2
S3
Io
Vo=0
S4
D4
S2
D2
S4
D4
15 de 39
16 de 39
Vd
Ts
17 de 39
18 de 39
Transf. AF
Filtro
EMI
Rectif. +
Filtro
Controlador
Rectif.+
Filtro
Convertidor
DC/DC
Potencia
Vo
Filtro
EMI
Rectif. +
Filtro
Convertidor
DC/DC
Entrada RED
50 60 H z
Entrada RED
50 60 H z
Drivers
Puertas
Controladores PWM
Tierra 1
Transf. AF
con varios
devanados
secundarios
Realimentacin
Transf. AF
Tensin DC
regulada
Amplificador
de error
Rectif.+
Filtro
Vo1
Rectif.+
Filtro
Vo2
Rectif.+
Filtro
Von
VRe f.
Tierra 2
Aislamiento
Galvnico
Esquema General de una Fuente de Alimentacin
Objetivos:
Aislamiento galvnico entre Red y
Vo .
Vo
N2
multiplicar por N .
1
19 de 39
20 de 39
Tensiones DC
no reguladas
Tensin DC
no regulada
Ld 2
Transformador Ideal
Ld 1
Convertidor
Reductor-Elevador
+Vd
L
Lm
V1
V2
i2
N1 N 2
+ Vd
+ Vd
V1 V2
=
N1 N 2
Convertidor Flyback
Igualdad de potencias: P = V1 i1 = V2 i 2
Vd
i1
i
= 2
Relacin de corrientes:
N 2 N1
N2
N1
Inductancias de dispersin:
posible (fuerte acoplamiento magntico entre primario y secundario).
Ya que la energa que almacenan la deben absorber los interruptores.
21 de 39
22 de 39
Vd
io
id = 0
i m V1 = Vd
Vd
N2
N1
id = im = iSW
Vo
R
C
Lm
im=iL
io
id = 0
i=0
V1 = Vd
Vd
Vd
N2
N1
R
C
Vo
N1: N 2
N1: N 2
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Cerrado
iD
N1
Vo
N2
im
Io
Vo
N1: N 2
Vd
t
Lm
I Lmax = I Lmin +
Integrando en un ciclo la tensin aplicada a la inductancia de magnetizacin:
V d DTS
( 0<t<t on = DTS )
Vd DTS
Lm
N1
V o (1 D )TS = 0
N2
Vo
N
D
= 2
Vd
N1 1 D
23 de 39
24 de 39
N1
Vo
N2
im
Io
Vo
C
N1: N 2
i L (t ) = I Lmax
i D (t ) = i L (t )
Vd D N 1
V N
N1
= I Dmax
t = I Dmax o 1
(1 D ) Lm N 2
N2
Lm N 2
I Dmin = I Dmax
Vo
Lm
N1
N2
(1 D )TS
ton
Vo TS (1 D) 2 N 1
I
=
(1 D)TS
Dmax
2 Lm
N 2
Vo (1 D )TS N 1
I o = (1 D) I Dmax
2 Lm
N 2
1
Io =
TS
I Dmax =
Io
V (1 D )TS
+ o
1 D
2 Lm
N1
N2
I Dmin =
Io
V (1 D )TS
o
1 D
2 Lm
N1
N2
N1
V
Vo = d
N2
1 D
Tema 15. Convertidores DC/DC II.
25 de 39
26 de 39
D1
V2
V1
Vd
N1
io
iL
Vo
D2
N2
V1 = Vd ;
ton
V L = Vd
V2 =
N2
Vo
N1
N2
Vd
N1
(0 < t < t on )
Esta tensin debe ser positiva (es un reductor visto desde V2 ) luego en este
intervalo
i L aumenta.
i L circula por D2 y
< t < TS ) i L disminuye.
V L = Vo
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.6 y a=0.5
(t on
Igualando la integral de
N
Vd 2 Vo t on = Vo (TS t on )
N1
N
Vd 2 Vo D = Vo (1 D)
N1
27 de 39
Vo N 2
=
D
Vd N1
28 de 39
i3
iL
D1
N1
i1
io
iLM
N3
N2
Lm
V1
VL
i2
N1
i1
Vo
Lm
D1
V2
V1
VL= V2- Vo
Vo
D2
V2= Vd(N2/N1)
Vd
isw= iLM+ i1
isw
io
V1= Vd
Vd
D2
N3
iL= i2
N2
D3
D3
i1=-iLM
iLM
Lm
N1
N3
iL
io
N2
D1
V2
V1
VL= - Vo
Vo
D2
V1= -VdN1/N3
Vd
isw= 0
D3
Lm
N1
N3
iL
D1
V2
V1
io
N2
VL= - Vo
D2
Vo
V1= 0
Vd
isw= 0
D3
29 de 39
30 de 39
V1 = Vd
(0 < t < t on ) ,
i1 = i m
V1 =
tm
N1
V
N3 d
(t on < t < t on + t m )
Vd t on =
N1
V (t )
N3 d m
ton
tm
N
= 3 D
TS
N1
Se tiene que cumplir que:
t m < toff
tm
N
< 1 D luego : (1 - D max ) = 3 Dmax
N1
TS
1
Dmax =
N3
1+
N1
31 de 39
32 de 39
T1
Vd
D3
D1 T3
D1
N2
V1
B
T2
iD1
D2
T4
iLm
VL
Vo1 iL
Lm
N1
D4
R
C
N2
iD2 D2
ton
33 de 39
34 de 39
Vo
T1
Vd
T2
io=iL(N2/N1) V1=Vd
+iLm B
D2
iD1= iL
D3
D1 T3
T4
Vd
T2
D1 T3
iLm
T4
T1
iL
N2
N1
R
C
Vo
Vd
D3
D1
N2
N2
iD1=iL/2
V1=-Vd iLm
T4
T1
iL
R
C
Vo
Vd
D1 T3
D3
i1=0
D2
iD1=iL/2
R
C
Vo
D3 conduciendo
io=- iLm
V1=Vd iLm
T2 y T3 conduciendo
N2
V Vo
N1 d
D2
T4
D4
VL
iL
Vo1=0
Lm
T2
D1
N2
Vo1=Vd(N2/N1)
T1 T4 V1 = +Vd
N2
V
V01 =
T2 T3 V1 = Vd
N1 d
iL
Vo1=0
iD2=iL/2 D2
D4
iD2= iL D2
VL =
VL
N2
N1
D2
Lm
R
C
iD2=iL/2 D2
D1
D4 conduciendo
N2
V
N
Vd Vo D TS = Vo TS (0.5 D) o = 2 2 D
Vd
N1
N1
35 de 39
Vo
N2
N1
D4
D1
VL
Lm
N1
i1=0
N2
io= iLm
T2
D3
Vo1=Vd(N2/N1)
T1 y T4 conduciendo
iD1=0
D1 T 3
iD2=0 D2
Si conducen:
VL
Lm
D4
D2
N2
D1
36 de 39
EAINV 1
PWM
COMPARATOR
PWM
LATCH
1.5V
SD
R
RAMP 7
CS 3
OSCILLATOR
CT
CURRENT LIMIT
COMPARATOR
VCC-0.43V
5 OUT
CLK
REFERENCE
& UVLO
SLEEP
COMPARATOR
SLEEP
2.2V
VCC 4
VCC
UVLO
8 3V REF
3V REF
GND 6
SLEEP
RSLEEP
1MEG
MSLEEP
RCS
RVSENSE1
91k
RSLEEP
24k
CVCC 10F
C 3VREF
100nF
ton/2
CRAMP
680pF
ton/2
RCOMP CCOMP
8 3VREF
GND
UC 1573
CBULK
10F
7 RAMP
1 EAINV
OUT 5
2 EAOUT
RVSENSE2
39k
CS 3
4 VCC
MSWITCH
LBUCK
6 GND
DBUCK
VOUT
COUT
100F
GND
+5V
OUT
37 de 39
38 de 39
REF
MIN OFF-TIME
GENERATOR
1 .2 5 V
R EF
POLARITY
START-UP
TRIG
Q
E R R OR
AM P
LX
F /F
S
FB
Q
R
S TA R T- U P
C O M PA R AT OR
ISET
T R IG
M AX O N -T IM E
G E N E R AT O R
Q
(10s)
1V
SHD N
C O N T R OL
VCC
G ND
Conectar si se usa
una sola fuente
C1
VCC
+2.7V
TO +5.5V
10F
35V
L1
47 H
C3
0 .1 F
D1
SHDN
VCC
FB
C4
REF
R1
576k
1%
R2
31.6k
1%
POL
+24V
LX
MAX 629
ISET
VOUT
M BR 0 5 40 L
CF
150pF
C2
1 0F
35V
Realimentacin de
la tensin VOUT
GND
0.1 F
39 de 39
INTRODUCCIN
Smbolos para la Representacin de Convertidores CC/CA (Inversores)
CA
CC
CA
CC
APLICACIONES:
Actuadores para motores de corriente alterna. Permite variar la
tensin y la frecuencia de estos motores.
Fuentes de alimentacin ininterrumpida (UPS). Genera una tensin
senoidal a partir de una batera con el fin de sustituir a la red
cuando se ha producido un corte en el suministro elctrico.
Generacin fotovoltica. Genera la tensin senoidal de 50Hz a
partir de una tensin continua producida por una serie de paneles
fotovoltaicos.
En este tema, se considerar nicamente el funcionamiento a bajas
frecuencias, es decir: los interruptores conmutando a la frecuencia de la
red.
1 de 35
2 de 35
INTRODUCCIN
INTRODUCCIN. Armnicos
+Vd /2
Vd /2
1
0
Armnicos para
D=0.5
iA
SA
Vd /2
VZ
-Vd /2
Posicin 0
Posicin 0
t
Vz
Vd
2
Vd
2
iA
Vd
2R
iA
Carga inductiva
de valor L
Vd T
2L
0
Vd T
2L
Armnico
fundamental
Carga resistiva
de valor R
Vd
2R
t1
t0
T
t
T
3 de 35
4 de 35
INTRODUCCIN. Armnicos
INTRODUCCIN. Armnicos
0.5
0.5
Armnico nm.
1
en funcin de D
2
5 de 35
1
en funcin de D
2
6 de 35
Flujo de Potencia
I,P
CONVERT.
BOBINA
O
CA/CC
CONDENSAD.
INVERSOR
FILTRO
DE
CARGA
VC
CARGA
a)
+
Batera
I,P
sn ( t )
Control
RED
s1 ( t )
s2 ( t )
VC
b)
Circuito de Alimentacin de Inversores. (a) Alimentacin Mediante un
Rectificador Controlado. (b) Alimentacin Mediante Otro Inversor
VAC
7 de 35
8 de 35
INTRODUCCIN. Clasificacin
IL
DA+
iA
TA+
Vd /2
A
TA-
Vd /2
DA-
VC
(b)
Inversores con: (a) Fuente de Tensin (VSI). (b) Fuente de Corriente (CSI)
Inversores de baja frecuencia (onda cuadrada).
Inversores de alta frecuencia (modulacin por anchura de pulsos).
TA+
t1 + t1
TA
t0
Inversores no resonantes.
Inversores resonantes.
VA
t 0 + t 0
t1
Vd
2
0
Vd
2
9 de 35
10 de 35
TA+
DA+
TA
TA+
Vd
2
Vd
2
iA (t0 )
DA
TA
a)
Vd
2
O
TA+
TA
c)
DA
b)
Vd
2
DA+ i ( t )
A 1
TA+
Vd
2
D A+ i ( t + t )
0
A 0
Vd
2
D A
DA+ i ( t + t )
A 1
1
Vd
2
TA
DA
d)
11 de 35
12 de 35
iA
Z
Z
Vd
2
a)
iA
SA
Vz
V pulso
b)
V A = Vd
t c t alm
sig (i A )
TS
13 de 35
14 de 35
Vd
2
TA+
iA
A
Vd
2
TB+
DA+
DB+
O
DB
TB
Vd
2
sA i
A
VZ
Vd
2
Vd
2
iB
DA
TA
INVERSOR TRIFSICO
TA+
A
Vd
2
TA
DA+
iA
DA
TB+
DB+
iB
DB
TB
TC+
DC+
iC
C
TC
DC
sB
B
Estado
-Vd
Vd
15 de 35
16 de 35
INVERSOR TRIFSICO
Vd /2
iB
iA
0
SA
iC
SB
SC
Vd /2
t
Tensiones en las tres ramas del inversor. Determinacin de la tensin del
neutro de la carga:
Vd
2
VA0
VAN
VBN
VCN
Vd
2
VN0
Vd
2
Vd
2
(a)
SB
SC
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
(b)
Interruptores
Estado SA
Z
V
V
V
V
Z Vd
2 d = d d = d
b) VNO = 3
3
2
3
6
6
2
2Z
2Z
S2, S4 y S6
Luego:
t
y las tensiones aplicadas a la carga por fase son:
17 de 35
18 de 35
Tensiones fase-fase
Componente
Fundamental
19 de 35
20 de 35
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
SA
0
1
1
0
0
0
1
1
SB
0
0
1
1
1
0
0
1
Tensiones/Vd
TA+
DA+
t
S2
S3
1
V A
2 V
3 B
V
2 C
2V
R= d
3
S1
S4
iA
DB
iB
TA
TB+
D A
DB+
jIm
1
Re 2
2
Im = 3
3
0
TB
Re
S0, S7
S6
S5
A
B
2Vd
V
V
; VB = d ; VC = d , resulta:
Por ejemplo, para S1: V A =
3
3
3
Re =
2Vd
2Vd
; Im = 0 , cuyo mdulo es:
3
3
para S5: V A =
Re =
Vd
V
2V
; VB = d ; VC = d , resulta:
3
3
3
Vd
V
2Vd
; Im = d , cuyo mdulo es:
3
3
3
21 de 35
22 de 35
TA+
T1
T2
T3
D1
D2
D3
T4
T5
T6
D4
D5
D6
TC+
DC+
D2
T3
D3
T1
D1
A
T2
iA
iB
T4
D4
T5
D5
D6
V d
T
A
DB+
TB+
DA+
DA
TB
DB
TC
DC
A
B
C
23 de 35
24 de 35
iC
Vd/
2
DA
+
TA+
D1
T1
D+
T1
D1
T4
D4
Vd/
2
Vo=-Vd/2
D-
D+
Vd/
2
D1
D1
D-
D+
TA+
D+
Vd/
2
Io<0
DA
+
TA+
Vd/
2
D1
Vo=Vd/2
D4
T4
TA-
TA+
Vd/
2
D1
T1
T4
Vd/
2
DA
+
D4
DA
-
Vd/
2
T4
D4
Io <0
Vd/
2
Vd/
2
D+
T1
T4
Vd/
2
D1
D4
DTA-
DA
-
D+
TA+
T1
Io>0
Vo=Vd/2
Vd/
2
D+
TA+
D4
TA-
DA
-
Vo=-Vd/2
TA+
DA
+
T1
D1
T4
D4
TA-
DA
-
Io<0
Vo=0
D-
DA
-
DA
+
Vd/
2
T1
DA
-
TA-
Vd/
2
D+
Vo=0
Vd/
2
D1
D-
DA
-
DA
+
T4
D-
Io>0
D-
Vo =0
Vd/
2
TA+
Io<0
DA
+
D1
T1
Vo=-Vd/2
DTA-
D+
Io>0
Vd/
2
D1
DA
-
TA-
TA-
Vd/
2
T1
D-
DA
-
TA-
D4
T4
Vd/
2
D-
DA
+
Vo=-Vd/2
Vd/
2
T1
Vd/
2
TA+
DA
+
T1
Vo =0
D+
Io>0
D4
T4
DA
-
TA+
Io >0
DA
+
TA+
T1
Vd/
2
TA-
DA
+
TA+
Io<0
D4
T4
DA
-
TA-
D1
T1
Vd/
2
D+
Vd/
2
Vo=-Vd/2
D-
Vd/
2
D+
Io>0
D4
T4
Vd/
2
DA
+
TA+
Vd/
2
DA
+
D1
T4
D4
TA-
DA
-
Io <0
T4
D4
TA-
DA
-
Io>0
Vo=Vd/2
Vd/
2
D-
D+
TA+
DA
+
T1
D1
T4
D4
TA-
DA
-
Io<0
Vo=Vd/2
D-
Vo =Vd /2
D-
25 de 35
26 de 35
Vd /2
iB
iA
0
SA
SB
iC
SC
Vd /2
VA0
VAN
VBN
VCN
VN0
N
Circuito Equivalente del Inversor Trifsico de tres niveles
La tensin VN0 se puede calcular aplicando el Teorema de Superposicin:
2 +V
2 +V
2 =
V N 0 = V A0
B0
C0
Z + Z
Z + Z
Z + Z
2
2
2
(V + V B 0 + VC 0 )
V N 0 = A0
3
Las tensiones VA0 ,VB0 y VC0 pueden tomar los valores: +Vd /2 , -Vd /2 y 0.
Luego los posibles valores de VN0 sern: 0, Vd /6 , Vd /3 y Vd /2
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S1
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
VAN
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
VBN
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
VCN
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
VN0
0
-1/6
0
1/6
0
-1/6
0
1/6
0
-1/6
0
1/6
SA
+
+
+
+
0
0
+
SB
0
+
+
+
+
+
0
-
27 de 35
28 de 35
SC
0
0
+
+
+
+
+
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
VAN
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
VBN
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
0
-1/3
-1/2
-2/3
VCN
0
-1/3
-1/2
-2/3
-1/2
-1/3
0
1/3
1/2
2/3
1/2
1/3
SA
+
+
+
+
0
0
+
SB
0
+
+
+
+
+
0
-
SC
0
0
+
+
+
+
+
2 Niveles
3 Niveles
0.6
0.4
0.2
0
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
jIm
S6
S5
S4
Componente
Fundamental
S3
S7
S2
S8
Re
S9
S1
S10
S11
S12
Tema 16. Inversores I.
29 de 35
30 de 35
Im
T1+
D1
+
T2+
D2
+
T3+
D3
+
Vd
/5
D+
Vd
/5
D+
D+
D4
+
T4+
Re
D+
D+
D+
D+
D5
+
T5+
Vd
/5
31 de 35
D-
D-
D-
DD2
-
T2-
Vd
/5
D-
D-
Vd
/5
k=
T1+
T2+
T3+
T4+
T5+
T1T2T3T4T5-
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
Tensin de Salida
Vo=k*Vd
4/5 3/5 2/5 1/5 0
0 0 0 0 0
1 0 0 0 0
1 1 0 0 0
1 1 1 0 0
1 1 1 1 0
1 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 0 1 1 1
0 0 0 1 1
0 0 0 0 1
DD3
-
T3-
D-
Vo
D1
-
T1-
Estado de interruptores
D+
D+
DT4-
D4
-
T5-
D5
-
D-
Vd
4/5Vd
3/5Vd
1/2Vd
2/5Vd
1/5Vd
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
32 de 35
Componente
Fundamental
Vd
Niveles
4/5 Vd
3/5 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
0
-1/5 Vd
-2/5 Vd
-3/5 Vd
-4/5 Vd
-Vd
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Armnicos
Armnicos y Distorsin Armnica Total de VA0 en inversores Multinivel
Vd
4/5 Vd
3/5 Vd
1/2 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
t
3
33 de 35
11
13
15
Nmero de Niveles
Tema 16. Inversores I.
34 de 35
3
0,3
Armnicos
0,25
0,2
0,15
0,1
0,05
Vd
2 Niveles
3 Niveles
4 Niveles
5 Niveles
6 Niveles
7 Niveles
Vd/2
t
Tensiones de salida en inversores multinivel
Tema 16. Inversores I.
35 de 35
INTRODUCCIN
Vd
DA +
TA +
io
ts = 1 f
s
V$tri
D A V AN
TA
Vcont
V$tri
V$tri
ts = 1 f
s
+ Vd
2
V AO
Vcont
Vd
2
V$tri
+ Vd
2
V AO
Vd
2
1
si Vcontrol > Vtri TA + (on) V AO = + Vd
2
1
si Vcontrol < Vtri TA (on) V AO = Vd
2
Tema 17. Inversores II. 3 de 28
cont
ma = : ndice de modulacin (podra ser >1)
Vtri
mf =
fs
: Relacin de frecuencias.
f1
Tema 17. Inversores II. 4 de 28
Si
Si
ts
Vtri
ton
Va,cont
2Vtri
=
ts
ts
2Vtri
Vtri
Vtri
Va
VAO =
VA0
=
2 ts
ts 2 ts
0
t
V AO =
Si:
f1 =
1
2
, ser:
(V AO )1 = Vcontrol
Vtri
Va,cont Vd
2
Vtri
es decir,
Vd
V
= ma d sen ( 1 t ) (ma 1)
2
2
(V ) = m
AO
(Vcontrol Vtri )
V
d
2
ma
h
1 (Fund.)
mf
mf2
mf4
2mf1
2mf3
2mf5
3mf
3mf2
3mf4
3mf6
4mf1
4mf3
4mf5
4mf7
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
1.242
0.016
0.4
1.15
0.061
0.6
1.006
0.131
0.8
0.818
0.220
0.190
0.326
0.024
0.370
0.071
0.335
0.044
0.123
0.139
0.012
0.083
0.203
0.047
0.163
0.012
0.157
0.070
0.008
0.132
0.034
0.314
0.139
0.013
0.171
0.176
0.104
0.016
0.105
0.115
0.084
0.017
1.0
0.601
0.318
0.018
0.181
0.212
0.033
0.113
0.062
0.157
0.044
0.068
0.009
0.119
0.050
6 de 28
para ma1
ma<1:
5 de 28
1,4
1,4
ma=0.2
25
0.2
1,2
0.4
0.6
0.8
1.0
1,2
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,2
75
1
0,4
49 51
99101
73
23 27
77
97
0,2
103
1.0
0.2
ma=1.0
0.9
0.8
mf=25
0,6
0.7
h ma
25
0.6
0.5
0.4
23 27
0.3
47
53
4951
0.2
71
75
73
0.1
21
29
45
55
69
79
101 105
99
107
97 103
95
77
81
93
1
21
23
25
27
29
0,2
0,4
0,8
0,2
0,4
0,6
0,8
0,016
1,242
0,016
0,061
1,15
0,061
0,131
1,006
0,131
0,22
0,818
0,22
1
0,018
0,318
0,601
0,318
0,018
7 de 28
8 de 28
ma < 1 :
La ventaja de
de salida, y adems los armnicos que aparecen son de alta frecuencia (para m f
Si m f es un nmero entero impar, entonces ser:
1
) (Funcin impar: Simetra
f (t ) = f (t ) y tambin f (t ) = f (t +
2
(V$ )
Para mf=15
AO 1
Esto implica que solo habr armnicos impares y coeficientes de tipo seno. (en
fase con la seal).
Vd
sobremodulacin
lineal
onda cuadrada
- Cuanto mayor sea mf ms fcil ser filtrar los armnicos que aparecen.
= 1,278
ma
3,24
(V ) = (V h )
AO 1
AO h
(V$ )
AO 1
4 Vd
V
= 1,278 d
2
2
h= 3, 5, 7.
( )
9 de 28
salvo variando
10 de 28
Vd .
11 de 28
12 de 28
Va
Vtri
Vd/2
0
0
t
Va
DA+
TA-
DA-
Vd
C
TA+
Vd/2
0
t
T1
T0
Va
Vtri
0
T3
T1
Va
0
T2
T0
TA+
DA+
TB+
Vsin
DB+
Vsal Bipolar
Vd/2
0.5
io
Vd/2
TA-
DA-
DB-
TB-
N
-0.5
-1
-1.5
1.5
V$01 = ma Vd (m a 1)
4
Vd < V$01 < Vd ( ma > 1)
Vsin
Vsal Unipolar
0.5
-1
-1.5
0.9
Bipolar
Unipolar
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
13
16
19 22
25
28
31 34 37
40
43
46
49
52
55
58
61
64
67
70
73
armnico
VAN
Vd
0
Vd
0
VBN
0
Vd
Vd
0
Vo =VAN VBN
Vd
-Vd
0
0
V A = Vd
t c t alm
sig (i A )
TS
V(i<0)
Vo(t)
V(i>0)
Real
Ideal
V(i<0)
I>0
io(t)
I<0
I>0
I<0
PUENTE TRIFSICO
N1
Vd/2
TA+
DA+
TB+
TA-
TB-
DB-
TC-
Va
DC+
iC
B
DA-
TC+
iB
iA
A
Vd/2
DB+
Vtri
Vb
DC-
V
V$
con m a = cont
V$AN 1 = ma d
2
V$T
V
3
ma d = 0,612 ma Vd
V LL1RMS =
2
2
Vc
Va
Formas de ondas
Vtri
Vcontrol,A
Vcontrol,B
Vcontrol,C
Vb
t
Vc
0
t
t
S0
S1
S2
S7
S2
S1
S0
S*
S1
D1 = ma cos
sen
3
2
sen
D2 = ma
3
D0 = 1 D1 D2
Re
S0, S7
S6
S4
S*
Re
S0, S7
--t0 /2
+-t1
++t2
S6
S5
S0
--t0 /2
S*
Si
S1
+-t1 /2
Ciclos impares
S1
S2
S1
S0
S2
S3
S2
S3
S5
jIm
( D1 S1 + D2 S 2 ) = S *
jIm
S4
S7
S7
+++
t0 /2
+++
t0 /2
Ciclos pares
S2
S1
++t1
+-t2
S0
--t0 /2
S2
++t2
S1
+-t1 /2
S0
--t0 /2
S2
++t2 /2
S7
+++
t0 /2
O bien
S7
+++
t0 /2
S2
++t2 /2
S1
+-t1
t
t
Armnico
a) Vo=0.8Vd/2
b) Vo=0.2Vd/2
DA +
TA
DA
iAerr
iAMedida
Corriente Real
Consigna de Corriente
Vcont
iA/C
Inversor
Vd
2
Medida de
corriente
Modulador PWM
iA
Controlador
PI
TA +
Consigna iA
Vd
2
Comparador
iB/C
Vtri
B
C
iC/C
1/fs
Control PI de la Corriente
Frecuencia
variable
Medida de
corriente
iAerr
A
iA/C
Inversor
Consigna iA
V AN
Comparador
iAMedida
VHis
Banda
de Histresis
B
C
iB/C
iC/C