Introduction aux circuits

intgrs
GIF-2000
Hiver 2013

Transistors comme les cellules de

base
Les Circuits intgrs utilisent le
transistor comme cellule de base
Le transistor a t invent en 1947
par william shockley et ses collgues
chercheurs de la compagnie
Bell Tlphone.
Le premier MOSFET a t construit
en 1960.
Aujourd'hui, la technologie CMOS
(Complementary MOS) est consider comme l'lment
fondamental des circuits intgrs, grce sa simplicit de
fabrication et sa consommation extrmement rduite.

Transistors comme les cellules de base

Pour connaitre les limitations dun circuit intgr
comme la vitesse ou dissipation thermique, Il faut
connaitre les caractristiques du transistor.

Limitation de vitesse

M2

M1

tpHL (Rn C)

consommation d'nergie
Vdd

Vin

Vout
CL

Energy/transition = CL * Vdd2
Power = Energy/transition * f = CL * Vdd2 * f
indpendant de la taille des transistors!!

Not a function of transistor sizes!

Need to reduce CL , Vdd, and f to reduce power.

Circuits intgrs

Intel Pentium 4 (2004)

Circuits intgrs

Dans les annees 50, les composants electroniques etaient

fabriques separement.
En 1958, Jack Kilby, employ par Texas Instruments,
crait le tout premier circuit intgr
Kilby avait tout simplement
reli entre eux diffrents
transistors en les cblant
la main
Dans un circuit integre,
les differents composants
sont fabriques sur la meme piece de semiconducteur: c'est le
circuit integre (IC)

tapes de fabrication

tapes de fabrication

tapes de fabrication

chelle d'intgration
L'chelle d'intgration dfinit le nombre de portes
par botier
SSI (small scale integration) petite : infrieur 12
MSI (medium) moyenne : 12 99
LSI (large) grande : 100 9 999
VLSI (very large) trs grande : 10 000 99 999
ULSI (ultra large) ultra grande : 100 000 et plus

Exemple: Microprocessors
Presentation:

60 YEARS OF THE TRANSISTOR

1947 2007
Intel

i7-3930K (Sandy Bridge-E)

Transistor count: 2.27 billion
Launch Date

Q4'11 Instruction Set

64-bit

# of Cores

Lithography

32nm

Clock Speed

3.2
GHz

Max TDP

130 W

Max Turbo
Frequency

3.8
GHz

VID Voltage Range

0.6001.350V

Intel Smart
Cache

12 MB

Recommended
Customer Price

$583 $594

Loi de Moore
En avril 1965, 6 ans aprs linvention du circuit
intgr, Gordon Moore, co-fondateur dIntel 3 ans
plus tard, a fait une prdiction connue plus tard
comme la loi de Moore: le nombre de transistors
dun circuit intgr doublera chaque anne
A ce moment, lquipe de Moore travaillait la
conception dun circuit ... 60 transistors
En 1975, Moore a fait passer 2 ans la dure du cycle
Ds la in des annes 80, la dure du cycle est de 18
mois. Et la loi est applique tous les paramtres de
la technologie, notamment vitesse et performance

Densit de puissance

(tuyre de missile)

Une limite infranchissable?

Actuellement la gravure la plus fine en production est

22 nm, soit moins de 100 atomes de diamtre.
Diamtre moyen dun atome de silicium: .220 nm
Il n'est pas possible de fabriquer quelque chose de plus
petit qu'un atome
Est-ce que c'est la fin?

References
Technologie digitale, Eduardo Sanchez
www.diuf.unifr.ch/pai/ca/lectures/6.Technologie.pdf
Wikipdia: http://fr.wikipedia.org
www.intel.com
Digital Integrated Circuits, J. Rabaey et al. Second Edition, 2003