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Curso

: Laboratorio Electrnica Analgica

Profesor

: FARRO CHIRINOS, Leslie Christian

Informe Nro.

:2

Tema

: Rectificador de Onda Completo con Filtro por

Capacidad y Curvas del Transistor Bipolar BJT

Mesa Nro.

: 1

Integrantes

Fecha de experimento

: martes 16 de mayo del 2015

Hora

: de 15:30 a 17:00

2015-II

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Rectificador de Onda Completa con Filtro por

Capacidad
Rectificador de Onda Completa:
El rectificador de onda completa utiliza ambas mitades de la seal senoidal de entrada, para
obtener una salida unipolar, invierte los semiciclos negativos de la onda senoidal. En la figura se
muestra una posible estructuracin en la que el devanado secundario es con derivacin central
para obtener dos voltajes vs, en paralelo con las dos mitades del devanado secundario con las
polaridades indicadas.
Cuando el voltaje de lnea de entrada (que alimenta al primario) es positivo, las seales vs sern
positivas; el D1 conduce y D2 esta polarizado inversamente, la corriente que pasa por D1
circulara por R y regresara a la derivacin central del secundario. El circuito se comporta
entonces como rectificador de media onda, y la salida durante los semiciclos positivos ser
idntica a la producida por el rectificador de media onda.
Durante el semiciclo negativo del voltaje de CA de la lnea, los dos voltajes sern negativos; el
diodo D1 estar en corte y D2 conduce, la corriente conducida por D2 circulara por R y regresa
a la derivacin central. Por lo tanto durante los semiciclos negativos tambin el circuito se
comporta como rectificador de media onda, excepto que ahora D2 es el que conduce. Es
importante decir que la corriente que circula por R siempre circulara en la misma direccin y
por lo tanto Vo ser unipolar.

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Filtro por Condensador o Capacitancia:

La mision de los rectificadores es conseguir transformar la tension alterna en tension continua,
pero solamente con los rectificadores no se obtiene la tension continua deseada, por lo que se le
aplica un filtro por condensadores. Conociendo las caracteristicas de un condensador y viendo
su capacidad de almacenamiento de energia, lo podemos utilizar como filtro para alisar la seal
de salida.
Este elemento se opone a las variaciones bruscas de tension que se le aplica. Cuando la tension
aplicada entre sus bornes aumenta, se crea una diferencia de potencial de signo contrario a la
aplicada a los bornes oponiendose asi a la variacin brusca de la tensin.
La carga y descarga del capacitor suaviza o reduce las variaciones en la seal. El voltaje de la
seal rectificada y filtrada se conoce voltaje de rizo o ripple y puede controlarse con el
tamao del capacitor. El voltaje de rizo medido de pico a pico es:

V r (p p )=(

1
)V
fCR L p

Dnde f es la frecuencia de entrada, R L es la resistencia de carga, C la capacitancia y V p, el

voltaje de pico de la seal rectificada antes de aadir el capacitor.

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Transistor Bipolar BJT

Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas

entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad
en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
BJT NPN

BJT PNP

Ecuaciones del Transistor BJT:

Aplicando la 1 Ley de Kirchhoff al BJT:

i E =i B +i C

El parmetro del BJT es el cociente corriente colector y corriente de emisor:

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iC
iE

Curvas del Transistor:

El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib) y de salida (Ic vs.
Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo. As, tambin
disminuir Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector independiente de la
Vce, si es mayor de 0,2 v.

Al aplicar la 2 Ley de Kirchhoff a la malla formada por la tensin de alimentacin,

resistencia de colector, colector y emisor, se obtiene la relacin entre la corriente de
colector y la tensin colector emisor, dependiendo de la resistencia de carga (Rc).
CC = RC + CE = C C + CE V V v i R v

Refleja todos los puntos posibles de funcionamiento que pueden darse cumpliendo la
ecuacin de malla del colector. BB = RB + BE = B B + BE V V v i R v
Para definir la recta de carga, se hallan los puntos de la interseccin de la recta con los
ejes.

Simulacin en Proteus
Rectificador de Onda Completa con Filtro por Capacidad:

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1.- Ensamble el siguiente circuito:

2.- Verifique que el enchufe para 220 VAC est en buenas condiciones.
3.- Conecte los 220 VAC al primario del transformador.
4.- Con el multmetro, mida la tensin DC en la salida (V L)
5.- Con el multmetro, mida la tensin eficaz en el secundario del transformador.
6.- Con el osciloscopio, mida la forma de onda de tensin en la salida, (V L).
Dibuje la forma de onda anotando los valores pico y los tiempos.

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Transistor bipolar BJT

1.- Mida las resistencias y los potencimetros con el multmetro y anote los
valores.
2.- Determine los terminales del transistor con el multmetro (use las escalas para
diodos y de ganancia del transistor).
3.- Ensamble el siguiente circuito:

4.- Verifique las conexiones, ajuste la fuente 12V DC y conctela al circuito.

5.- La corriente de base (IB) la puede ajustar con el potencimetro P 1 de 1K.
La corriente de base (IB) la puede medir indirectamente con la tensin en la
resistencia de 10K.
La tensin colector-emisor (VCE) la puede ajustar con el potencimetro P 2 de 10K.
La corriente de colector (IC) la puede medir indirectamente con la tensin en la
resistencia de 100.
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6.- Curvas IC vs. VCE:

Ajuste y mantenga IB en 40A y llene la siguiente tabla:

Ajuste y mantenga IB en 80A y llene la siguiente tabla:

7.- Curvas IC vs. IB: ( = IC / IB) y curvas IB vs. VBE:

Mantenga VCE = 5V y llene la siguiente tabla:

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