1.

MATERIALES COMPUESTOS:
1.1. Introduccin: Son un grupo importante
de otros materiales, producto de la
combinacin de metal-cermico, metalpolmero,
cermico-polmero,
metalpolmero-cermico.
1.2. Definicin: Es un material multifase,
obtenido
artificialmente
cuyas
propiedades resultan del aporte de sus
componentes, mediante un principio de
accin combinada (contribucin de
propiedades). Ejm: vidrios blindados,
melamine, aspas de helicptero, chaleco
antibalas, MDF.
1.3. Clasificacin:
- Reforzado con partculas: Grandes,
Pequeas.
- Reforzado con fibras: Continuas
alineadas, discontinuas cortas (alineadas,
orientadas al azar).
- Estructurales: Laminares, Paneles
sndwich
1.4. Materiales compuestos reforzados con
partculas: se subdividen en:
- Reforzados con partculas grandes:
- Reforzados con partculas pequeas:
(consolidados por dispersin).
Existe una matriz que puede ser metlica,
cermica o polimrica y el refuerzo que
pueden ser partculas grandes > 100nm y
pequeas: 10 100 nm
(1nm = 10-9 m = 1u), 1A = 10-10 m
Ejm: Pb (matriz) PbO2 (refuerzo)
(bateras)
Ag CdO (contactos elctricos)
Co ThO2 (reactores nucleares)
Be BeO (industria aeroespacial)
En los materiales compuestos reforzados con
partculas grandes, las partculas son
equiaxiales, es decir presentan gran
comportamiento en cualquier direccin y
cuanto menor es el tamao de partculas,
tanto mejor su comportamiento. Ms que la
distribucin por peso, interesa la distribucin
por volumen.
1.5. Materiales compuestos consolidados
por dispersin:
Se trata de materiales que pueden ser
reforzados con particulas finas de orden de
10 a 100nm de tamao y que estos pueden
ser metlicos y no metlicos, la fase
dispersa nodebe reaccionar qumicamente
con la matriz para que puedaobtener
material compuesto. Se tiene una serie de
material compuesto de esta categora como:

Ejm: Al2O3 en una matriz de Al (Al2O3 de

0,1 a 0,2 um) SAP.
ThO2 en una matriz de Ni (3% ThO2) TD
(nquel con Th disperso).
Otros ejm:
Ag-CdO mat. para contactos elctricos.
Be-BeO industria aeroespacial y
reactores nucleares.
Pt-ThO2 filamentos de componentes
electrnicos
1.6. Materiales compuestos reforzados
con fibras:
Son los ms importantes debido a su
elevada resistencia y rigidez.
Utilizando materiales de baja densidad
tanto para la matriz como para la fibra se
obtienen mat. Compuestos con fibras que
tienen
resistencia
y
mdulos
excepcionalmente altos.
a) Influencia de la longitud de la fibra:
existe una longitud critica que depende
de:
- El dimetro de la fibra.
- La resistencia mecnica de la fibra.
- La resistencia de la unin matriz-fibra
Se habla de fibras continuas cuando:
l >> lc (l >> 15 lc) y las de menor
longitud, fibras cortas o discontinuas.
Tambien intervienen la orientacin de la
fibra:
- Fibras orientadas longitudinalmente.
- Fibras orientadas transversalmente.
Para el caso de fibras orientadas
longitudinalmente, la fuerza en el material
compuesto es igual a la sumatoria de las
fuerzas en la matriz y en la fibra.
F(MC) = Fm + Ff
1.7. Materiales
compuestos
estructurales:
Son
materiales
obtenidos en forma laminar. Se
tienen:
a) Materiales laminares
b) Materiales tipo sndwich
Caracteristicas:
- Alta resistencia mecnica.
- Alta resistencia a la corrosin.
- Baja densidad.
- Buena apariencia.
Ejm: Triplay, frmica, melamine, MDF
En los materiales compuestos laminares se
utilizan los mismos principios respecto a
materiales compuestos.
Principio de Accin combinada.
1.9 paneles sndwich

Usos: Sistema cristalino, Aire acondicionado,

caja acsticas,Tabique de divisin
Caracteristicas
elctricas.tiene
esta
configuracin materiales electrnicos usados
para almacenar corriente
El comportamiento electrnico esta en relacin
al numero de capas presente la distribucin en
volumen de los materiales componentes nos
dar la informacin para los clculos
correspondientes.
II VIDRIOS
Propiedades y fabricacin
Materiales tipos cermicos k se fabrican a
partir de la slice , cuarzo , arenas , caliza ,
carbonato de sodio ,
SiO2 + Cao =Na2O + otros = vidrios.
Operaciones: (manufactura de vidrio) mesclar,
fundir, agregar adictivos, moldear, tamizar,
extruir, recocer, templar
2.1) estructura de los vidrios:
Que es un vidrio? Producto de fusin
inorgnica k solidifica sin cristalizar
Material amorfo: Son silicatos no cristalinos k
contienen otros oxidos adems de CaO ,
K2O, Na2O, PbO2, Al2O3,P2O3, SiO2(arena
de cuarzo), Silicatos (Sio3), ortosilicatos
(SiO4), pirosilicatos
En los vidrios hay un cierto reglamento en sus
atomos (ortosilicato)

La solucin de tetraedros dan cadenas de esta

manera
se considera la estructura
(pirosilicatos)

Existen sustancias q son formadores de

vidrios, modificadores y intermedios
Formadores
modificadores intermedios
De vidrio
B2O3
Y2O3
TiO2
SiO2
MgO
SnO2
GeO2
CaO2
PbO
P2O5
PbO2
Al2O3
V2O3
NaO2
VeO

Existe una relacin oxido / silicio es mayor 2,5

es difcil k se forme vidrio (relacin atmica_ si
la relacin atmica es menor a 2,5 se forma
vidro)
2.2)PROPIEDADES:
a) propiedades fsicas. temple de fusin 500 - 1600 C
densidad 2.2 a 2,7 g/cc
resistencia la traccin 300 700 kg/cm 3
resistencia a la compresin 105 kg/cm2
dureza 6 a 7 mho
mdulo de rotura
vidrio recocido 350 550 kg/cm2
vidrio templados 1850 2100 kg/cm 2
b) propiedades qumicas
resistencia a los cidos, HCl ,H2SO4, HNO3,
CH3COOH excepto: HF, H3PO4
resistencia a los lcalis: NaOH,KOH
2.3) composicin y diagrama de fase de
vidrio
Vidrio (SiO2) , O:Si
Modificadores
Formadores de vidrio
2.4) diseo de vidrio sdico clcico (SiO2CaO-Na2O)
La mayor produc. De vidrio corresponde a los
sdico clcico de acuerdo al diagrama ternario
se pude seleccionar una determinada
composicin y verificacin la solucin oxigeno:
silicio se disea vidrio por lo tanto es un
procedimiento sencillo
2.5) proceso de elaboracin de vidrio
Diagrama de flujo
1. (SiO2-CaO-Na2O-retorno)
2. Horno para fundir vidrio
Combustible gaseoso (gas natural)
Combustible liquido (petrleo)
Modificadores, Intermedios
3 .Horno
Vidrio plano
Objeto de vidrio
Luego de producirlo sometemos a un
tratamiento trmico
2.6) tratamiento trmico
1. recocido: Se eliminan las tenciones internas
del proceso los cambios brusco temp. y
choque trmico
2.- templado: Es el tratamiento k se da a sireto
vidrio Ejm. Parabrisa de vehculos (como
vidrios protectores) q consiste en calentar el
vidrio a una determinada temp. superior a la
temperatura vidria y inferior a la temp de

ablandamiento pa luego enfriar a temp

ambiente usando acido , aire , aceite.
SEMICONDUCTORES: Los semiconductores
son elementos que tienen una conductividad
elctrica inferior a la de un conductor metlico
pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor ms utilizado es el silicio, que
es el elemento ms abundante en la
naturaleza, despus del oxgeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio.
- Conductores: Los e- tienen libertad de
movimiento. Ejm: los metales, predomina el
enlace metlico.
- Aislantes: Materiales en que los e- no
tienen libertad de movimiento. Predomina el
enlace
covalente.
Ejm:
cermicos,
polmeros.
La teora de bandas es una manera de explicar
la conductividad
Banda de conduccin
Intervalo prohibido
Banda de valencia
La energa necesaria para saltar el intervalo
prohibido < 2.5 electrovoltios.
Se ha descubierto un grupo de elementos y de
compuesto
q
presentan
una
cierta
conductividad son los semiconductores
La Conductividad depende de:
a) La temperatura, aumenta la conductividad
en el incremento de la temperatura
b) Incorporacin de impurezas, permite el
comportamiento del semiconductor
c) La energa luminosa,
Los semiconductores convertidos en: Diodos,
transistores, sensores, diferentes dispositivos
electrnicos.
3.2 principales tipos de semiconductores
a. Semiconductores
intrnsecos:
son
aquellos cuyo carcter semiconductor
responden a su propia naturaleza qumica
(a su propia estructura electrnica)
ejemplo; silicio y germanio.
Se caracteriza por tener una estructura de
bandas de energa con un intervalo
prohibido de energa <2.5 ev. (electro
voltios).
El Si y Ge, pertenecen al grupo IVA de la
tabla peridica es decir que tiene 4 e - de
valencia.
La conductividad esta basado en el
movimiento de algunos electrones.
b. Semiconductores extrnsecos: son aquellos
cuya semiconductividad esta basada en la
incorporacin de impurezas (dopado).

Las impurezas pueden ser elementos del

grupo: III A: Al, Ga, B, In
VA: P, As, Sb
La semiconductividad est referido al
movimiento de electrones tipo n (-)
-1.6 x 10 -19 amp.seg (carga e-)
La semiconductividad est referido a los
huecos electrnicos tipo P (+) 1.6 x 10 -19
amp.seg (carga hueco)
3.3
Semiconductores
Elementales
Intrnsecos
Son los que su carcter semiconductor
responde a su propia estructura son inherentes
ejm. Si, Ge
3.4 Semiconductores Extrinsecos Tipo (p) Y
Tipo (n)
Son semiconductores cuyo comportamiento se
debe a la incorporacin de impurezas (tcnica
del dopado).
Elemento III A: Al, Ga, B, In .. tipo p
Elemento VA: P, As, Sbtipo n
Tipo
p:
semiconductores
cuya
semiconductividad se debe al movimiento de
huecos electrnicos o partcula de carga (+)
Tipo
(n):
semiconductores
cuya
semiconductividad se debe al movimiento de
electrones o partculas (-)
Se pueden establecer uniones np Diodos
- Polarizacin directa; hay conduccin
elctrica, toma el valor 1.
- Polarizacin inversa; no hay conduccin
elctrica, toma el valor 0.
3.5 comportamiento de un semiconductor
respecto a la conductividad elctrica y la
temperatura
a) respecto a la conductividad elctrica: en un
semiconductor extrnseco. La conductividad de
semiconductor est referida a la contribucin
de las partculas de la carga (-) y (+).
b)
con
respecto
a
la
temperatura
(conductividad elctrica de Si intrnseco con la
temperatura).
Log (m)-1
Log T (K)
Con la grfica observamos que cuando se
relaciona los valores de los logaritmos de y T
se establece una relacin directa y
proporcional (la lnea recta lo seala as).
3.6 dispositivos semiconductores
a) uniones rectificadoras n_p Ejm. LED
b) transistores n_p_n
p_n_p un transistor
puede servir como un amplificador ya que el
voltaje se incrementa al pasar los electrones
del emisor a la base y este al colector

conforme flucta el voltaje del emisor la

corriente
del
conductor
cambia
exponencialmente.
1.- LA MANUFACTURA DE MATERIALES
COMPUESTOS EXIGE UNA SERIE DE
PROCEDIMIENTOS DE ORDEN TECNICO.
Describa
2.- LA INDUSTRIA AEROESPACIAL SE HA
VISTO
DESARROLLADA
POR
LA
UTILIZACION
DE
MATERIALES
COMPUESTOS QUE MATERIALES CREE
QUE SE USAN Y PARA QUE EXIGENCIAS EN
SU USO?
-los materiales compuestos reforzados con
partculas. Ejm: Be(matriz)-BeO(refuerzo) que
se utiliza muxo en la industria aero espacial por
sus grandes propiedades una de ellas es que
son de baja densidad, son materiales livianos,
pero con una gran resistencia mecnica y a la
corrosin.
3.-DISTINGA ENTRE UN VIDRIO CALCICO
PARA FABRICAR ENVASES DE USO

RUTINARIO Y UN VIDRIO RESISTENTE AL,

CHOQUE TERMICO, EJ. PIREX
SiO 2CaONa 2 O
-vidrio sdico-calcico (
:
vidrio de mayor produccin y procedimiento
sencillo. Se aplica un tratamiento trmico de
recocido.
-vidrio resistente al choque trmico pirex: su
tratamiento trmico es templado se calienta el
vidrio a una determinada temperatura superior
a la del vidrio e inferior a la temperatura de
ablandamiento, se enfra a temperatura
ambiente.
4.- EXPLIQUE APOYADO EN GRAFICOS LA
MANUFACTURA Y FUNCIONAMIENTO DE
LOS SEMICONDUCTORES TIPO n Y TIPO p
Tipo p: semiconductores cuya conductividad se
debe al movimiento de huecos electrnicos o
partculas de carga positiva.
Tipo n: semiconductores cuya conductividad se
debe al movimiento de electrones o partculas
negativas.
se pueden establecer iones np- diodos. Los
semiconductores tipo n y tipo p son llamados
semiconductores extrnseco.