Transistor de induccin esttica

Transistor de induccin esttica_1Transistor de induccin

esttica_2Transistor de induccin esttica_3
Static induccin transistor abreviatura SIT, es un campo de
unin transistor de efecto. Es en los transistores de efecto
de campo de unin comunes desarrollados sobre la base de
los dispositivos de control de tensin unipolares, activo,
puerta, un drenador tres electrodos, y su corriente de
fuente-drenaje est limitado por el campo elctrico vertical
aplicada en el control de la puerta. Transistor de induccin
esttica es una conductividad de mltiples protones del
dispositivo, adecuado para aplicaciones de alta potencia.

Breve introduccin

Transistor de induccin esttica

Static SIT transistor de induccin (Transistor de induccin

esttica) naci en 1970, es en realidad un campo de unin
transistor de efecto. La pequea potencia de un dispositivo
de procesamiento de la informacin SIT estructura
conductora transversal a la estructura conductora vertical,
la SIT puede estar hecha de dispositivos de alta potencia.
SIT es una conductividad multi-protn del dispositivo, su
frecuencia de operacin y MOSFET de potencia
considerablemente, incluso ms que el MOSFET de
potencia, la capacidad de potencia mayor que el MOSFET
de potencia, por lo que es adecuado para aplicaciones de
alta potencia, ha estado en el equipo de comunicaciones
del radar, la energa ultrasnica amplificacin, amplificacin
de potencia del pulso y de calentamiento por induccin de
alta frecuencia en ciertos mbitos profesionales ha sido
ms aplicaciones.

Sin embargo SIT sin ninguna seal de la puerta es

conductiva cuando la puerta de la polarizacin negativa,
que se denomina como dispositivos del tipo de conduccin
normales, el uso no es conveniente. Por otra parte, la
resistencia SIT-estado, e hicieron que las prdidas en el
estado son grandes, as que sintese sin embargo, en la
mayora de los dispositivos electrnicos son ampliamente
utilizados.

Detalles

Static induccin transistor corriente - caractersticas de la

tensin

Fuente de corriente de drenaje est limitado por el campo

elctrico vertical aplicada en el control vfet puerta, que se

refiere a SIT. Transistor de induccin esttica es un nuevo

dispositivo que se puede utilizar para equipo de audio de
alta fidelidad, fuentes de alimentacin, el control motor,
comunicaciones, televisin reemisor y de radar, navegacin
y diversos instrumentos electrnicos.

1952 Japn Watanabe, Nishizawa et al modelo de

simulacin propuesto del transistor, en septiembre de 1971,
Japn Junichi Nishizawa SIT hallazgos publicados. A
mediados de la dcada de 1970, como los artculos de un
amplificador de audio en Japn ha sido el rpido desarrollo,
ha hecho que la mayor frecuencia de corte de 10 MHz, la
potencia de salida de 1 kW y 30 MHz, la potencia de salida
de hasta 2 kW transistor de induccin esttica. 1974, de
alta frecuencia y microondas potencia transistor de
induccin esttica tiene un mayor desarrollo Ha surgido una
potencia de salida de 100 vatios bajo GHz dentro de los
dispositivos sintetizados y 2 GHz, que coinciden con los de
salida de 10 vatios del dispositivo. Tiristores induccin
esttica ha hecho la conduccin de corriente de 30
amperios (cada de tensin de 0,9 voltios), el tiempo de
conmutacin de 110 nanosegundos. Adems, se ha
desarrollado un tipo MOS SIT SIT y bajo consumo de
energa, de alta velocidad de alimentacin lgica puerta de
circuitos integrados - Producto de retraso del valor terico
de hasta 1 10-15 coque menos. SIT tiene unas
caractersticas de salida de corriente no-saturacin y
tensin, que triodo caractersticas similares a la salida
(Figura 1).

Anlisis Estructural

Anlisis de estructura de transistor de induccin

esttica

SIT es un dispositivo controlado por voltaje. En el cero

voltaje de la puerta o de un pequeo voltaje de puerta
negativo, la regin del canal est completamente agotada,
fue estado de pinzamiento del canal cerca del lado del
electrodo fuente en la distribucin en forma de silla se
produce de barrera de la fuente al drenaje actual est
completamente controlado por esta barrera. Adems de
algunos de la tensin de drenaje, la barrera hacia abajo, la
corriente de fuente-drenaje comienza a fluir. Cuanto mayor
sea la tensin de drenaje, la ms grande, es decir, entre el
drenaje y la fuente de la tensin de drenaje SIT es por
induccin electrosttica para mantener la conexin
elctrica, as llamado transistor de induccin esttica. SIT y
el transistor de efecto de campo general (FET) en la
estructura de la principal diferencia es: canal SIT
concentracin de dopaje es baja, por el 1012 ~ 1015 cm -3,
FET en comparacin con 1015 ~ 1017 cm-3; SIT tiene un
canal corto, En las caractersticas de salida, las antiguas
caractersticas del transistor no saturadas, las
caractersticas pentodo saturados ltimo.

Estructura

Estructura de transistor de induccin esttica, hay tres

formas principales de formas estructurales:

Estructura de la puerta Buried

Estructura de la puerta Buried es una estructura tpica

(Figura 2), apto para dispositivos de baja potencia,
estructura de la puerta enterrada

Simblico transistor de potencia de induccin esttica

Estructura de electrodos de superficie

Los medios de comunicacin cubren la estructura de la

puerta

Cubriendo el dielctrico de la compuerta estructura de

China desarrollado con xito, esta estructura se aplica tanto
a dispositivo de bajo consumo de energa, tambin es
adecuado para la alta frecuencia y el dispositivo de
potencia de microondas, que se caracteriza por poco
proceso difcil, de alto rendimiento, bajo coste y adecuado
para la produccin en masa. China ha desarrollado SIT
dispositivo que tiene esta estructura son: 400 MHz, de 1 a
40 W; 1000 MHz, 1 a 12 watts y 1500 MHz, 6 watts SIT
dispositivo. Adems, en el sistema de 600 MHz de potencia
de disipacin de 2,3 vatios, menos de 3 dB de ruido del SIT
bajo ruido.

Ventaja

Y transistores bipolares en comparacin, SIT tiene las

siguientes ventajas:

buena linealidad y bajo ruido. Hecho con amplificador de

SIT, la calidad del sonido, el sonido, etc son mejores que los
transistores bipolares.

 alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida,

puede representar un circuito OTL directa.

SIT es un transistor sin base, sin portadores minoritarios

en la regin de la base del efecto de memoria, velocidad de
cambio rpido.

Es un dispositivo multi-carrier, a alta corriente tiene un

coeficiente de temperatura negativo, el propio dispositivo
tiene una temperatura de auto-equilibrio, la capacidad antiardiendo.

Sin efecto descomposicin secundaria, y de alta

fiabilidad.

rendimiento a baja temperatura a -19 funcione

correctamente.

resistencia a la radiacin de 50 veces mayor que los

transistores bipolares.

Historia

Transistor de induccin esttica_4Transistor de induccin

esttica_5
Estructura de transistor de induccin esttica se compone
de Japn Junichi Watanabe Nishizawa y presentada, y en
1970 por Junichi Nishizawa report el primer solo transistor
de induccin esttica. SIT de la estructura bsica, principio
de funcionamiento que el importante proceso que se realiza
en una capa epitaxial de alta impedancia P puerta
enterrada son veinte a finales de los aos 1960 y 1970, del
Instituto de Semiconductores Nishizawa desarrollado. Como
dispositivo de TIE muestra una caracterstica de
temperatura negativo, no causa concentracin actual, fcil
de conseguir un rea grande, el uso de una tecnologa de
crecimiento de cristales perfecta ha sido muy pequea
resistencia a la puerta; capa de alta resistencia en la
capacitancia entre los electrodos muy reducidos, con ello,
lograr un alto frecuencia, dispositivos de kilovatios de
energa SIT magnitud. Un dispositivo tpico tiene una
compaa de instrumentos musicales japonesa 200W
amplificador de audio de 60 MHz con SIT, Noreste Metal
Industries 300W, 1KW, 3KW un SIT potencia puerta
enterrados, estos dispositivos de energa exhibido
caractersticas tpicas normalmente abiertos, se puede
utilizar para el oscilador ultrasnico industrial
calentamiento por induccin de alta frecuencia. 1976
Junichi Nishizawa ha desarrollado una puerta plana
estructura SIT. Posteriormente Japn Textile Machinery
Manufacturing aprovechar automticamente esta
tecnologa para producir una 1000V, 200A del SIT de
alimentacin de tipo normalmente abierto, para un
ascensor DC / AC de velocidad del motor. Mediante la
reduccin de la puerta y el drenaje, la puerta y la
capacitancia de la lnea entre la resistencia a la puerta se
pueden reducir usando la estructura de la puerta
incrustado, Mitsubishi Electric y Toshiba 1979 desarrollaron
respectivamente en 10W 2 GHz; 1GHz100W SIT potencia de
microondas, la primera creacin de un transistor la banda

de frecuencias de microondas de potencia superior a 100 W

registros confirm el excelente desempeo SIT como un
transistor, y la fuente de alimentacin conmutada,
generador de ultrasonidos, un amplificador, la tecnologa
espacial de potencia de radio y otras aplicaciones que se
pueden desarrollar vigorosamente. Despus de una
cuidadosa investigacin y el desarrollo, en 1983 los Estados
Unidos GTE Corporation con compuerta de silicio planar y la
estructura enterrada-gate, el desarrollo exitoso de la banda
de 200 ~ 900 MHz, potencia de salida de 100 W y 1,2 GHz,
la potencia de salida de 25W de la TIE, para las
comunicaciones por satlite. 1986 a 50 MHz, la potencia RF
500W SIT entrar en el mercado. 1987 Toshiba normalmente
abierto 3 KW de potencia SIT, el material de 300KW de
calentamiento por induccin de alta frecuencia 100 KHz,
mientras que la realizacin de un trabajo de prueba
dispositivo 1MW 200KHz. Northeast Metal Industries, Ltd. de
Japn ser 50 ~ 100W SIT normalmente abierto para las
naves espaciales. SIT usando el KW clase 300W desarroll
el generador de ultrasonidos, el transductor, que incluye
ms de 75% de eficiencia de conversin; SIT desarrollado
usando la clase 300W 100KHz, 25V, fuente de alimentacin
de conmutacin 60A, la eficiencia es 70%. En ese momento
el nivel de SIT son: una frecuencia de corte de 30 ~ 50 MHz,
corriente continua de 250 A Tensin de bloqueo mximo de
2000V. A finales de los aos ochenta, IGBT, VDMOS, MCT
desarrollo de nuevos dispositivos, tales como la sustitucin
de los estudios SIT, los investigadores tienen que centrarse
en ms dispositivos con rasgos perfectos. Los principales
fabricantes de la japonesa Mitsubishi Electric, Toshiba
Corporation, Northeast Metal Industries, Ltd., Francia, CNET,
EE.UU. GTE Corporation.

Transistor de Induccin Esttica (SIT)

El Dispositivo mas importante bajo
desarrollo es el transistor de induccin

estatica (SIT) mostrado esquemticamente en

la figura 1. El SIT es un dispositivo portador
mayoritario (unipolar) en el que el flujo de
electrones de la fuente a el drenaje es
controlado por un potencial de barrera en el
semiconductor de dos dimensiones con forma
de silla de montar entre las compuertas
metlicas.Si el dopado y las dimensiones
laterales son escogidas adecuadamente, la
altura del potencial de barrera sera modulado
por la compuerta y el dranje. Debido a que la
corriente se incrementa exponencialmente
conforme la barrera es disminuido, las
caracteristicas de la salida del SIT son
usualmente no saturadas o de manera de
triodo, por ejemplo pareciendose a un triodo
de tubo al vacio.El SIT es importante como un
dispositivo de microondas a bahas frecuencias
en GHz porque este entrega potencia
extremadamente alta por unidad de area.
Figura 1.
Seccion
transversal
de un
transistor de
union esttica
(SIT). Los
electrones
fluyen de la
fuente a el
drenaje a
travs de un punto ensillado de potencial
electrostatico entre los electrodos de
compuerta.

La fabricacin del SIT requiere un

grabado anistrpico de pared recta de zanjas
de 2 3 m de profundidad usando una
grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en
ingles) seguida por una deposicin de
Metalizacion de Shottky en la zanja del fondo
sin cubrir la zanja lateral. Las dimensiones
laterales entre las zanjas de compuerta
oscilan en el orden de 0.5 1.5 m . Los
contactos de baja resistencia ohmica son
establecidos a las regiones de la fuente en el
techo de las uniones. La figura 2 (debajo)
muestra una foto SEM de un SIT completo
teniendo una ancho de unin de 1m y una
longitud total de union de 1 cm(100 dedos).
Para mas claridad , esta foto ha sido tomada
antes de la deposicin de las conexiones del
puente de aire de la fuente. Caracteristcas
experimentales estaticas VI son mas pequeas
en el SIT mostrado en la figura 3 .
El maximo voltaje de drenaje es de 250 volts,
la corriente de encendido en la rodilla es casi
80 mA/mm y la ganacia de bloqueo es
aproximadamente 10. Estos valores son
comparables a la mejor literatura reportada
para un SIT.

Figura 2. Foto SEM

de una gran area
experimental de un
dispositivo SIT
fabricado en el
laboratorio.Los

dedos de union son 1m de ancho y 100 m

de largo.

Figura 3. Caracteristicas VI
medidas de un SIT
experimental.El voltaje de
compuerta cambia desde
cero(arriba de la curva) a 18 V ( debajo de la
curva) en cambios de 2V.La escaka Horizontal
es de 20 V / div. El maximo voltaje de drenaje
mostrado enla foto es de 200 V .

Para alcanzar operacin a altas frecuencias ,

es necesario escalar agresivamente la escala
de la unin anchar las zanjas, incrementar el
dopado de la regin del canal y minimizar
capacitancias parsitas. La figura 4 muestra
otra fotografa SEM de la banda C del SIT
recientemente fabricado en el laboratorio. El
ancho de unin y los anchos de las zanjas son
0.5m cada uno. Los contactos de la fuente
son formados por una interconexin de puente
de aire para minimizar capacitancias
parasitas. Este dispositivo exhibi una

frecuencia de 7 GHz , el valor mas alto hasta

ahora reportado para un SIT.
Una grafica de corrientes a seal baja contra
frecuencia es mostrada en la figura 5
Figura 5