Universidad Nacional Del Callao

Facultad De Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Profesional De Ingeniera Electrnica

Ciclo 2015 A

LABORATORIO N4
Profesor: Cuzcano Rivas Abilio
Integrantes:
Asencios Saldivar, Julio
Huaman Correa, Anthony David
Zanes La Torre, Alejandro
Asignatura:
Laboratorio de Circuitos Electrnicos
Grupo Horario:
91 G
Tema: AMPLIFICADORES JFET EN CORRIENTE
ALTERNA
2015 A

Laboratorio De Circuitos Electrnicos

Experiencia N 4

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Ciclo 2015 A

AMPLIFICADORES JFET EN CORRIENTE

ALTERNA
I.

OBJETIVOS:
Disear, calcular, simular e implementar un amplificador empleando el
anlisis en AC y DC transistorizado.
Definir el punto de polarizacin ptimo para un amplificador lineal sin
distorsin.
Determinar los parmetros importantes para un amplificador
transistorizado como la impedancia de ingreso y de salida, ganancias de
voltaje e intensidad.
Realizar un anlisis en ac y dc para el diseo de un amplificador
transistorizado.
Analizar el comportamiento del transistor FET en circuitos de
polarizacin.

A partir de las mediciones obtenidas, comparar los resultados tericos

con los resultados prcticos.

Utilizar herramientas de simulacin para analizar el comportamiento de

los circuitos implementados

II.

MARCO TERICO:
En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada
(corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de
colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada
que controla la corriente de salida. La corriente que circula en la
entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio).
Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo
tal como un micrfono de condensador o un transductor pieza
elctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes. Los FETs,
bsicamente son de dos tipos:

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El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET. El transistor

de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin
conocido como semiconductor de xido de metal, MOS, o
simplemente MOSFET.
El anlisis de CA de una configuracin del JFET requiere el desarrollo
de un modelo de CA de seal pequea para el JFET. Un componente
importante del modelo de ca reflejara el hecho de que un voltaje de
ca aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente
controlara el nivel de corriente del drenaje a la fuente.

AMPLIFICADOR EN FUENTE COMUN

Un amplificador en fuente comn es aquel en el que se aplica una
seal de entrada de CA a la Compuerta y la seal de salida de CA se
toma de la terminal del drenador. La terminal de fuente es Comn
tanto para la seal de entrada como para la de salida. Las
configuraciones bsicas para este Amplificador pueden incluir un
resistor de fuente RS; o dos resistores Rs en serie (R S=RS1+RS2), donde
Slo uno de ellos cuenta con un capacitor en derivacin (conectado
en paralelo a este); o puede ser una Configuracin donde RS=0. Un
ejemplo de este tipo de amplificador que utiliza dos resistores RS se
Ilustra en la Figura 2. El circuito utiliza un JFET canal N polarizado
mediante un divisor de voltaje. Si Este circuito se modifica de tal
forma que R1= (circuito abierto), entonces la polarizacin del
Amplificador cambia a la de un JFET autopolarizado. La resistencia de
carga RL as como la fuente de Seal de CA vs se encuentran
acoplados a la red de polarizacin mediante capacitores
(denominados Capacitores de acoplamiento).

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Anlisis de CD.
El circuito que se ilustra en la Figura 3(a) muestra el circuito
equivalente de CD para el amplificador fuente comn de la Figura 2.
En el anlisis de CD se considera la impedancia de los capacitores
como infinita de tal forma que estos actan como circuitos abiertos.
Tambin la red de polarizacin de la compuerta se ha simplificado
mediante la aplicacin del teorema de Thevenin, las ecuaciones para
la red de la compuerta se presentan enseguida. La resistencia de
compuerta es dada por: RG = R1 || R2. Generalmente IGSS es muy
pequea por lo que para efectos prcticos se considera como I GSS=0,
el resistor RG mantiene a la compuerta en aproximadamente VGG
volts de CD. VGG se obtiene aplicando un divisor de voltaje:

En el caso de un red de autopolarizacin donde R1=, las ecuaciones

son RG=R2 y VGG=0V. El anlisis de la malla compuerta-fuente
arroja la ecuacin: De esta relacin se despeja el voltaje VGS y se
sustituye en la ecuacin de Shockley:

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Anlisis de CA.
La Figura 4 muestra el circuito equivalente de CA para el amplificador
fuente comn que se ilustra en la Figura 2. Para obtener este circuito
se consideran los capacitores en corto circuito al Igual que la fuente
de CD. Enseguida se reemplaza el modelo simplificado del JFET
mostrado en la Figura 1(b).

Las ecuaciones para el clculo de la ganancia de voltaje, ganancia de

corriente, resistencia de Entrada y resistencia de salida se presentan
a continuacin.
Tipos de configuraciones:

Ecuaciones usadas en este tipo de configuracin:

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Ganancia de Corriente:

A 2=

i2
i1

Impedancia de entrada:

Z i=

Vi
i1

Ganancia de tensin:

A v=

V2
V1

Impedancia de salida:

Z0=

III.

MATERIALES:

IV.

V2
i2

Osciloscopio.
Multmetro.
Transistor 2N4222a.
Resistencias de 33k, 20k, 10k, 3k y 150.
Condensadores de 10uF y 100uF.
Generador de seales.

DISEOS A ANALIZAR:
En DC:

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En AC:

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V.

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IMPLEMENTACION EN EL LABORATORIO:

Vi

1,54 V

Vo

6,46 V

Ii

-6,08.10-6 uA

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Io

-1,68 mA

Av

4,20

Ai

276,32.106

Vi

0,59 mV

Vo

1,85 mV

Ii

-14,43.10-6 uA

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Io

-25,99.10-6 uA

Av

3,14

Ai

1,80

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VI.

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PARTE MATEMATICA DEL CIRCUITO:

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VII.

C
O
N
C
L
U
S
I
O
N
E
S
:

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Segn los clculos hechos en el laboratorio, se comprueba que la

corriente del drain (drenaje) depende del voltaje de gate
(compuerta) source (fuente) (vgs). De ah la grfica principal del
transistor.
Nos damos cuenta que los transistores de efecto de campo son
sensibles a la tensin, por eso utilizamos una alta impedancia de
entrada (expresado en mega ohmios), de este concluimos que los
fet nos permiten almacenar carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
La tensin de ruptura es funcin de vgs as como de vds. Conforme
aumenta la magnitud entre compuerta y fuente, disminuye la
tensin de ruptura.
VIII.

CUESTIONARIO:
Qu es el voltaje de ruptura?
Como se muestra en la grfica, la ruptura ocurre en el punto C
cuando ID comienza a incrementarse muy rpido con cualquier
incremento adicional VDS. La ruptura puede daar
irreversiblemente el dispositivo, as que los JFET siempre se operan
por debajo de la ruptura y dentro de la regin activa.

Cules son las ventajas de usar transistores JFET?

1. Los FET son dispositivos sensitivos al voltaje que tienen alta
impedancia de entrada. Puesto que esta impedancia de entrada es
bastante ms alta que la de los BJT, los FET se prefieren sobre los BJT
en su uso como la etapa de entrada para un amplificador.
2. Los JFET genera menos ruido que los BJT.

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3. Los FET son ms estables respecto a la temperatura que los BJT.

Cules son las desventajas de los JFET?
1. Los FET usualmente exhiben una pobre respuesta de frecuencia
debido a una alta capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET exhiben una pobre linealidad.
3. Los FET se daan con el manejo debido a la electricidad esttica.
Qu es la regin de saturacin?
En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin
lineal, el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas
en amplificacin.
Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la
tensin VGS cuya ID es prcticamente independiente de la tensin
VDS.
La ecuacin que relaciona la ID con la VGS se conoce como
ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que viene dada por
donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la
corriente de saturacin.
Esta corriente se define como el valor de ID cuando VGS=0, y esta
caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente
de corriente de valor constante (IDSS).
Qu aplicaciones tiene el transistor JFET?

Amplificador

Conmutador analgico

Multiplexado

Troceadores

Amplificador de aislamiento

Amplificador de bajo ruido

Resistencia controlada por voltaje

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IX.

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Control de ganancia automtico

RECOMENDACIONES:
Saber polarizar un transistor JFET, saber hacer la conexin de cada uno
de sus pines ya que esto influye totalmente en el resultado final. Se
recomienda ver el DataSheet del transistor JFET.
Tener cuidado al calcular las pendientes de las rectas de carga, siempre
resultan ser muy engorrosas.
Tener en cuenta que siempre la reta de carga Dinmica tendr mayor
pendiente que la recta de carga Esttica, si tus resultados salen
completamente lo contrario a esto, revisar los clculos hechos.

X.

BIBLIOGRAFA:

Floyd L. Thomas
Boylestad
electrnicos
Savant
Schiling

Dispositivos Electrnicos Octava Edicin

Teora de circuitos y dispositivos
Diseo Electrnico
Circuitos Electrnicos

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