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Semiconductores (Implementado Como Interruptor)

Tovar, Luis, Tangarife, Sebastin.


luistovar145131@correo.itm.edu.co, sevast_t15@yahoo.es
Instituto Tecnolgico Metropolitano

OBJETIVOS.
Analizar el funcionamiento de circuitos de
conmutacin con transistores BJT y MOSFET en
rgimen dinmico, utilizando el programa de
simulacin PROTEUS.
Procedimiento
Aplique una onda cuadrada de amplitud 0-3V y
frecuencia de 25KHz a los circuitos con
transistor NPN y MOSFET que mont en el
laboratorio.

Teniendo en cuenta el esquemtico de la imagen


1 en el que un voltaje en conjunto con una
resistencia hace que circule una corriente por la
base del transistor en la entrada de Q1 hay 3V
sea ON lo satura y as permite el paso de la
corriente entre colector y emisor dando como
resultado el encendido de un Bombillo a 12V DC.
Dada la alta frecuencia de salida la Bombilla
siempre se ver encenda.
Para medir la corriente en la carga agregamos una
resistencia Shunt como en el circuito de la imagen
2

Para cada uno de los circuitos tome las medidas


indicadas en la siguiente tabla. Utilice una
resistencia shunt para medir la corriente que se
pide.

L1
12V

1. Transistor NPN Darlington

R2
0R1

V2

De acuerdo al circuito de simulacin de la imagen


1

12V
R1(1)
TD=0
TR=1n
TF=1n
PW=50%
FREQ=25000
V1=0
V2=3

Q1

R1

TIP122

100Ohm

L1
12V

R2
0R1

V2
12V
R1(1)
TD=0
TR=1n
TF=1n
PW=50%
FREQ=25000
V1=0
V2=3

R1

Q1
TIP122

Imagen 2

100Ohm

Imagen 1

Las resistencias Shunt son usadas principalmente


dentro de los elementos de medicin como
galvanmetros y ampermetros y su funcin es
ampliar el lmite de medicin de corriente en el
caso de los ampermetros. En este caso elegimos
una resistencia Shunt de un valor de 1 0hm para
que no nos tumbe demasiado voltaje y un valor en
watts de potencia de 30W para que la corriente
que transcurra por ella no eleve la temperatura y

no nos altere el valor de la resistencia, puesto que


si ocurriese, nos variara el valor de la medicin.
Esta resistencia shunt va conectad en serie con la
carga, y en paralelo a las puntas de medicin de
ampermetro. Por otra parte nos da seguridad al
medir ya que protege el ampermetro de
sobrecargas de potencia.

2. Transistor MOSFET canal N


Vc

R1
Q2

Mediciones
VCE
VBE
Corriente carga

Valor Max/ Min


12V/1,25V
0,77V/0,48V
2,15A
Se obtienen los siguientes datos:

Y la forma de onda para VCE es:

Y la forma de onda para VBE es:

Para un TIP122 la disipacin de potencia es de


65 W a 25 , pero en nuestro montaje:
P=I CV CE
P=2,1 A0,8 V
P=1,68 W

Q1
Control

R2

R3

Q3

En este circuito omitiremos Rg ya que esta es


utilizada para acelerar la carga del condensador
virtual que se genera entre Gate-Source debido a
las juntas de los materiales semiconductores al
interior del encapsulado.
Se debe establecer una corriente muy pequea
que permita a Q1 Saturarse y Q2 entrar corte
cuando S1 est en ON, llevando un Voltaje
V3=12V a la unin de los emisores de Q1 y Q2.
Usamos un IRF540N transistor de potencia
Mosfet de canal N activado por voltaje. El
IRF540Ncuenta con un rango de Voltaje en Gate
de 20V; el fabricante nos indica que el voltaje de
umbral para que se forme el canal que haga
transitar los electrones entre Drain-Source es de
mnimo 2V, y al aplicarle los 12V establece el
canal necesario de sobra para hacer transitar la
corriente que necesita la bombilla para encender.
Al poner S1 en OFF se retira el voltaje de B1, Q1
entra en corte y Q2 en saturacin y se establecen
0V en la unin de los emisores de Q1 y Q2
permitiendo que se descargue rpidamente el
condensador virtual Gate-Source por Q2 quien
tiene su colector a tierra, haciendo desaparecer el
canal en Q3 (Mosfet) y apagando la Bombilla.

P=2,1 A0,8 V

De este circuito se obtienen los siguientes datos:


Mediciones
VE
VDS
Corriente de Carga
forma de onda de VE
Chanel C son:

Valor Max/ Min


12V/0V
12V/0V
2,15A
Chanel A y VDS

Y la

P=1,68 W

El siguiente circuito se emplea para activar con


una seal digital y de manera aislada, una carga
conectada a tierra.
VCC

V1

U1
6

R4

R4(1)

5
2
4

Q1
R2

TIP31

OPTOCOUPLER-NPN

R3

CARGA

TresTierras distintas

Donde:

Para un IRF540N la disipacin de potencia es de:


P=I CV CE

La seal digital entra al opto acoplador generando


de un lado un haz de luz que satura la base foto
sensible de un transistor dentro del mismo
encapsulado permitiendo as el flujo de corriente
entre colector-emisor determinada por R3, se
ajusta el valor de corriente con R2 que permite
saturar Q1 dando paso a la corriente entre
Colector-emisor y energizando la carga. Pero
como sta tiene tierra en ambos lados, nunca se
encender. Y las 3 tierras distintas solo son 2, Una
tierra de control que maneja bajas seales y una
tierra de potencia que trabaja con voltajes y
corrientes ms altas. Donde el opto acoplador me
permite independizar el control de la potencia
para que no se altere o termine quemndose.
Los retardos de seal son despreciables ya que la
frecuencia de oscilacin de la seal de entrada es
muy alta, y esta se ve reflejada a la salida.