Problemas de Examen

FUNDAMENTOS DE
ELECTRNICA

1 CURSO DEL GRADO

Ingeniera de Tecnologas y
Servicios de Telecomunicacin

REA DE TECNOLOGA ELECTRNICA

DPTO. INGENIERA ELECTRNICA Y COMUNICACIONES
CENTRO POLITCNICO SUPERIOR
UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA
CURSO 2014-2015

Problemas de Examen

NDICE:
TRANSISTORES BIPOLARES

TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

11

AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y DIODOS

12

TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS Y AO

16

SOLUCIONES:
TRANSISTORES BIPOLARES

18

TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS

23

AMPLIFICADORES OPERACIONALES
AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y DIODOS
TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS Y AO

25

AUTORES:
Copyright 2012

Julio David Buldain Prez & Eduardo Laloya Monzn

rea de Tecnologa Electrnica

Dpto. Ingeniera Electrnica y Comunicaciones
Escuela de Ingeniera y Arquitectura - Universidad de Zaragoza

Fundamentos de Electrnica - 1 Ingeniera de Tecnologas y Servicios de Telecomunicacin

Problemas de Examen

TRANSISTORES BIPOLARES:
1. En funcin del valor de la resistencia R el transistor de la figura puede encontrarse en corte,
activa o saturacin. Da justificadamente un valor de R para cada caso. Datos: VBE=0.7V y b=450.
1 2V
1K

10 W

1K

2. Determina de cuantas maneras se puede llevar este transistor a saturacin, modificando una
de las resistencias. Condiciones iniciales: Vcc=15V, Vbb=5V, Vee=0V, Rc=7K, Rb=100K,
Re=1K, b=50, VBE=0.7V.
Vcc

Rc
Rb
Vbb

Re
Vee

3. Determinar la ganancia en tensin vo/vi para seales alternas del amplificador de la figura,
con y sin condensador CE conectado como se indica. Suponer que C1 y C2 se comportan como
cortocircuitos a las frecuencias de trabajo y que el BJT est en activa.

Vcc

R1

Rc
C2

C1
Ce

vi

R2
Re

RL v o

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Problemas de Examen

4. En el circuito de la figura tenemos R1=70K, R2=30K, Rc=1K2, RL=1K, Rg=0K6, Vcc=10V,

y el BJT: b=200, VBE=0.7V. Considerar los condensadores como cortocircuitos en seales.
a) Calcular el punto de operacin del transistor suponiendo activa.
b) Dibujar el circuito equivalente en seales con sus corrientes correctamente sealadas.
c) Deducir la expresin analtica de la ganancia en corriente sobre RL respecto de la
corriente suministrada por el generador.
d) Qu valor de RL hara que el transistor trabajase en el punto medio de su
recta dinmica de carga?
e) Calcular los valores de C1, C2 para una frecuencia de corte inferior de 100 Hz.
f) Hallar la frecuencia de corte superior del circuito si los valores de las
capacidades parsitas son C = 10pF, Cm = 1pF.
Vcc

R1

Rc

C2

C1
Rg
R2

vg

vo

RL

5. En el circuito tenemos: b1=b2=100, VBE1=VBE2=0.7V, R1=10K, R2=20K, Re=60W,

Rg=0K6, RL=30W, Vcc=15V.
a) Calcular el punto de trabajo de ambos transistores.
b) Dibujar la recta de carga de continua del transistor Q2.
c) Dibujar el circuito equivalente en seales de toda la etapa.
d) Calcular el valor la ganancia en tensin AV = vo/vg de la etapa.

+Vcc

R1
Q1
Rg

C1

Q2
C2

vo

R2

vg

Re

RL

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Problemas de Examen

6. En el circuito de la figura tenemos: b1=b2=100, Vcc=10V, Rg=0K6, R1=33K, R2=10K,

R3=4K6, R4=1K, RL=0K15, VBE1=VBE2=0.7V.
a) Calcular el punto de trabajo de ambos transistores.
b) Dibujar la recta de carga de continua de cada uno de los transistores,
indicando el punto de trabajo.
c) Dibujar el circuito equivalente en seales de toda la etapa.
d) Calcular el valor la ganancia en tensin de la etapa: Av = vo/vb1.
e) Calcular los valores de condensadores para que la frecuencia inferior de corte
(fic) sea 20Hz.
Vcc

R3
R1
Q2
Rg

C1

Vb1
Q1

Vo
RL

vg
R2

R4

C2

7. Para el circuito de la figura, suponiendo que: b1=b2=100, Rg=2K, R11=15K, R12=2K5,

RC1=3K3, RE1=1K, R21=20K, R22=20K, RE2=8K2, RL=1K5, Vcc=15V.
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
b) Dibujar el modelo para seal del circuito completo.
c) Dibujar la recta dinmica de carga de los transistores Q1 y Q2 indicando los
valores numricos de las grficas, as como el punto Q.
d) Calcular la ganancia de cada una de las etapas asociadas a Q1 y Q2 y la
ganancia total del circuito: Av1 = vb2/vb1 , Av2 = vo/vb2 , Av = vo/vb1.
e) Calcular la frecuencia inferior de corte (fic) (C1=50mF, C2=50mF, C3=10mF,
C4=50mF).
Vcc

R21

RC1

R11

C2
Rg

C1

Vb1

Vb2
Q2

Q1

C4

vo
vg

R12

RE1

C3

R22

RE2

RL

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Problemas de Examen

8. Para el circuito de la figura, suponiendo que: b1=b2=100, Rg=1K, R11=10K, R12=2K2,

RC1=3K, RE1=1K, R21=15K, R22=30K, RC2=4K3, RL=10K,Vcc=15V.
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
b) Dibujar el modelo para seal del circuito completo.
c) Dibujar la recta de carga para seal de los transistores Q1 y Q2 indicando los
valores numricos de las grficas, as como el punto Q.
d) Calcular la ganancia de cada una de las etapas asociadas a Q1 y Q2 y la ganancia
total del circuito: Av1 = vb2/vb1 , Av2 = vo/vb2 , Av = vo/vb1.
Vcc

R21

RC1

R11

C2
Rg

C1

Vb1

Vb2
Q2

Q1

C4

vo
R12

vg

R22

C3

RE1

RC2

RL

9. En el circuito tenemos: b1=b2=100, VBE1=VBE2=0.7V, Rg=0K6, R1=2K5, R2=15K, R3=1K,

R4=4K7, R5=150W, Vcc=10V.
a)
c)
d)
e)

Calcular el punto de trabajo de ambos transistores.

Dibujar el circuito equivalente en seales de toda la etapa.
Calcular el valor de la ganancia en tensin de la etapa: Av = vo/vb1.
Calcular los valores de condensadores para que la frecuencia inferior de corte
(fic) sea 20Hz.
Vcc

R3

C2

R1
Rg

C1

Vb1
Q1

Q2

vo

vg
R2

R4

R5

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Problemas de Examen

10. Para el circuito de la figura 1=2=125, Vcc=10V, Rg=0K6, R11=10K, R12=2K2, RC1=3K6,
RE11=220W, RE12=680W, R21=30K, R22=30K, RE2=1K2, RL=270W.
a)
b)
c)
d)
e)

Calcular los puntos de trabajo de los transistores Q1 y Q2.

Dibujar la recta esttica de carga del transistor Q2.
Dibujar el circuito equivalente para seal de toda la etapa: Av = vo/vb1.
Dibujar la recta de carga dinmica del transistor Q2.
Calcular el valor de la ganancia en tensin de este amplificador.
Vcc

R21

RC1

R11

C2
Rg

C1

Vb1

Vb2
Q2

Q1

C4

vo
RE11

R12

vg

R22

C3

RE2

RL

RE12

11. Para el circuito de la figura, la de ambos transistores es 100, Vcc=12V, Rg=50W, R11=56K,
R12=39K, RC1=RE1=1K, R21=39K, R22=56K, RC2=RE2=1K, RL=16W.
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
b) Dibujar el modelo para seal del circuito completo.
c) Dibujar la recta esttica de carga del transistor Q1, indicando los valores
numricos de corte con los ejes, as como el punto Q1.
d) Calcular la ganancia de cada una de las etapas asociadas a Q1 y Q2 y la ganancia
total del circuito: Av1 = vb2/vb1 , Av2 = vo/vb2 , Av = vo/vb1.
e) Calcular la frecuencia inferior de corte (fic) (C1=30mF, C2=50mF, C3=5mF,
C4=30mF, C5=5mF).

Vcc

C5
R21

RC1

R11

RE2

C2
Rg

C1

Vb1

Vb2
Q2

Q1

C4

vo
vg

R12

RE1

C3

R22

RC2

RL

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Problemas de Examen

12. Para el circuito de la figura: Vcc=12V, R1=20K6, R2=3K4, R3=3K29, R4=961W, R5=32W,
Rg=500W, VBE1=VBE2=0.7V, b1=100, b2 =200.
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
b) Dibujar el modelo para seal del circuito completo.
c) Dibujar las rectas esttica y dinmica de carga del transistor Q2, indicando los
valores numricos de corte con los ejes, as como el punto Q2.
d) Calcular la ganancia del circuito: Av = vo/vb1.
e) Calcular la frecuencia inferior de corte (fic) (C1=20mF, C2=1mF).
Vcc

R3
R1
Q2
Rg

C1

Vb1
Q1

Vo
RL

vg
R2

R4

C2

TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS:

1. En el circuito de la figura ambos BJT tienen b=100 y
|VBE=0.6v|. RB=160 W y RL=12W. VCC = 15 V. En el zner
puede suponerse: Vz=5v6, Izmin=10mA, Izmax=50mA.

Vcc

Se pide:
a)

b)

RB

RZ

Q2
Q1

Elegir RE de manera que RL vea una corriente de

0.5A, asegurando que ambos transistores trabajan
en zona activa.

RL
Vz

RE

Escoger la RZ para que el zner est polarizado en

zona zner.

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2. Obtener el punto de trabajo de los transistores. Datos: Vcc=12V, R1=600W, R2=R3=1K,

b1=10, b2=100, |VBE=0.6v|, VZ = 5v2.
Vcc

RZ

R1

Q2
Q1

Vz

R3

R2

3. Obtener los puntos de operacin de los transistores. Datos: b=500; |VBE| = 0v7; |VCEsat|=0v2;
K= 0.5mA/v2 , VT = 4.5V
+15V

1K5
7K
T2
T1
1uF
68K

26K5

10K

-15V

4. Deducir los valores de R1, R2, R3, R4 y la K del MOS para que los transistores trabajen en
los puntos de operacin: Q1 = (3.2V, 1.5mA) en Activa y Q2 = (4V, 5mA) en Saturacin.
Sabiendo que el zner tiene Vz = 6V, Izmin = 1mA, Izmax = 100mA, que el BJT tiene b=200 y
VEB = 0.7V y que la tensin umbral del MOS es -2V. La alimentacin Vcc = 9V.
Vcc

R3

R1
T2

T1
Vz

R2
R4

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Problemas de Examen

10

5. Deducir los valores de R1, R2, R3, R4 y la K del MOS para que los transistores trabajen en
los puntos de operacin: Q1 = (4.5V, 1.5mA) en Activa y Q2 = (4V, 5mA) en Saturacin.
Sabiendo que el zner tiene Vz = 3v7, Izmin = 1mA, Izmax = 100mA, que el BJT tiene b=200 y
VBE = 0.7V y que la tensin umbral del MOS es 1V. La alimentacin Vcc = 9V.
Vcc

R4

R2

Vz

T1
T2
R3

R1

6. Dado el siguiente circuito, con los datos que se indican determinar los valores de las
resistencias R1, R2, R3, R4 y R5. Suponer b=400 en el transistor bipolar y VT=2V y
K=1mA/V2 en el MOSFET de acumulacin.
+15V

R1

R3

1mA

R5

1mA
+

4V

3V

R2

R4

2K

7. En el circuito, justifica el modo de operacin de cada uno de los transistores. Datos: en los
bipolares |VBE|=0.7V en activo o saturacin y b=200, en el MOS: VT=4V y K=1mA/V2.
+5V

1K8

1nF

0.47K

1K

T2
T1

1K5

1K

T3

1k 2

-5V

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11

AMPLIFICADORES OPERACIONALES:
1. Qu limitacin afectar antes a la salida del amplificador operacional conforme vi aumenta
de 0 a 6V?. IOmax=(20mA,-40mA).
R2 =300K

1 2V

R1 =100K

vo
vi
R3 =0K6

Ro=0K5

-1 2V

+ 5V

2.

En el circuito de la figura, calcula las corrientes Io1 e Io2

R

sabiendo que R=1K.

Io2
AO_1
R

Io1

R
AO_2
R

3. Calcula la intensidad i en funcin de vi y R en el

siguiente circuito. Suponer que en el AO predomina la
realimentacin negativa.

R
+Vcc

R
vi

-Vcc

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Problemas de Examen

12
R

4. Calcular la relacin iout/vin del circuito de la figura.

Suponer que predomina la realimentacin negativa.

+Vcc

R
v in

-Vcc

R
RL
i out

AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y DIODOS:

1. Analiza el siguiente circuito y representa la funcin de transferencia entre vo y vi. La entrada
vi toma valores entre 20 a +20 voltios. El diodo se supone ideal. Vcc=15V.
R
+Vcc

vi

2R

+Vcc

vo
AO_2

AO_1

Vcc

2.

Vcc

Analiza el circuito de la figura considerando diodos y AO ideales. Datos: Vcc=15V.

a) Identifica al menos 3 bloques funcionales en el circuito de la figura.
b) Calcula la salida vo en funcin de vi.
c) Determinar el valor de las resistencias R1 y R2, de forma que vo sea no nula
en caso de que vi salga del rango 0.2V.
vi
+Vcc
5V

+Vcc
-5V
AO_2

AO_1

R1

D1

R1
Vcc

(+)

Vcc

Ro
R2

R2

vo

D2

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Problemas de Examen

13

3. En el circuito de la figura la seal vi est generada por una fuente de seal que tiene una
impedancia de 0K6. Considerar diodos ideales.
a) Identifica tres bloques funcionales que componen el circuito de la figura.
b) Deduce la funcin de transferencia vo/vi.
b) Dibuja la seal que se observara en la salida vo, si la seal medida en el
generador es: vi = 1 + 3 sen(wt) (V).
Datos: |VCC|=9V, Vz=3V, Vg=0V, R1=1K2, R2=1K.

+Vcc

R2

vo

vi

Vz
-Vcc

R1

4. En el circuito de la figura, cada cierto tiempo de medida, los interruptores se cierran para
descargar los condensadores. Datos: |Vcc|=10V.
a) Identifica al menos 5 bloques funcionales en el circuito.
b) Deduce la funcin de salida vo, considerando los diodos y AO ideales.
Vcc
Vcc

R
R
D1

AO_2

C1

S1

V AO1

DAO1

-Vcc

vo

vi
Vcc

D2

C2

S2

AO_2

Ro
V AO2

DAO2

-Vcc
R
R

-Vcc

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Problemas de Examen

14

5. Dado el siguiente circuito, determina vo en funcin de vi y las resistencias para cualquier

valor de vi. El diodo se supone ideal.
R1

R2

R3

R4

vi
+Vcc

+Vcc

AO_1
AO_2

AO_2

vo
-Vcc

-Vcc

R2
Vcc
+Vcc

6. Dibuja dos periodos de la seal vo del siguiente circuito.

Donde v1=6sen(2wt)V, v2=6sen(wt)V, Vref=4V y Vcc=10V.
Suponer diodos ideales (Vg=0V).

v1

vo

AO_1
AO_2

D1
V ref

-Vcc
+Vcc

D2
AO_2

v2
-Vcc

7. Identifica al menos 5 bloques funcionales en el circuito de la figura, considerando los diodos

y operacionales ideales. Deduce la funcin de salida vo que realiza.

+
AO_1

D1

v AO1

v1
D2

C1

v2

AO_3

D3

+
+
AO_2

v AO2

D4

C2

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vo

Problemas de Examen

15

8. Identifica al menos 5 bloques funcionales en el circuito de la figura, considerando los diodos

y operacionales ideales. Deduce la salida vo en funcin de la temperatura, teniendo en cuenta que
R(T) = R1+KT; R1 = 0.1K.
+ 1 5V
+ 1 5V

2K2

AO_1

4K7

4K7

+ 1 5V
-1 5V
AO_3

vo

+ 1 5V

R1

-1 5V

R(T)
AO_2

-1 5V

9. Identifica al menos 5 bloques funcionales en el circuito de la figura, considerando los diodos

y operacionales ideales. Deduce la funcin de salida v3 que realiza, teniendo en cuenta que los
fotodiodos proporcionan una corriente: ID = 10(nA/Lux)L; donde L es la intensidad luminosa
medida en luxes.
1K

9 9K
+ 1 5V

+ 1 5V

AO_1

D1

v1

+ 1 5V

D2
-1 5V

4K7
AO_3

v3
4K7
-1 5V

+ 1 5V

1 0 0K

1 0 0K
AO_2

v2

-1 5V

1K

9 9K

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Problemas de Examen

16

TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS Y AO:

1.

En la figura siguiente se muestra un conversor tensin-corriente.

a) Calcula la intensidad iL en funcin de la tensin de entrada vi, para vi>0 y suponiendo los
transistores en modo activo.
b) Utilizando el circuito, se quiere convertir una tensin que vara entre 0 y 10V en una
intensidad de 0 a 10mA. Si R1=1K y R2=0K1, determina el valor necesario para R3.
c) En el caso anterior, Cul sera el valor mnimo para Vz?
d) Qu sucede si vi se hace negativa?
Datos: Considera los AOs ideales y alimentados entre +Vcc y Vcc. El diodo zner se supone
ideal y de tensin VZ. En los BJT: b=400.
Vcc

vi

R3

R1

T1

AO1

Vz

T2

AO2

RL

R2

iL

2. En la entrada a una cabina de seguridad con dos puertas, cada puerta tiene asociado un
detector de paso como los de la figura (Puerta entrada con LED1-Fototransistor1 y puerta de
salida con LED2-Fototransistor2), de manera que cuando la puerta est cerrada, bloquea la luz del
LED correspondiente que va a su fototransistor.
a) Seala y nombra la operacin de 3 bloques electrnicos del circuito.
b) Deducir el comportamiento del LED3 en funcin del estado de las puertas.
c) Indica qu hay que cambiar en el circuito para que el LED3 se encienda cuando cualquier
puerta est abierta.
d) Calcula la potencia que consume el LED1.
Datos: Considera el AO ideal. Los LED necesitan VON=1.2V y al menos 10mA para lucir
correctamente. Los fototransistores en conduccin (con luz del LED) presentan una tensin
colector-emisor de 0.2V; sin luz estn en corte.
+5V
0k27

10K

0k27

100K

Va
400K
C1

741
0k27

C2

-5V
LED1

LED2

LED3

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Problemas de Examen

3.

17

En el circuito de la figura vi es una seal de amplitud 5V.

a) Seala y nombra la operacin de 3 bloques electrnicos del circuito.
b) Deducir cuando luce el LED en funcin del valor de vi y de las resistencias R1 y R2.
c) Calcula la potencia que consume el LED1 y el N-MOS.
Datos: Considerar los diodos con tensin umbral 0.6V, el LED con VON=1.2V, ION=50mA, y
el NMOS con K=2mA/V2, VT=10V.
1 5V
1 5V
+

vi

1 5V
AO
R1
-15V
R2

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Problemas de Examen

18

SOLUCIONES
TRANSISTORES BIPOLARES:
1. El transistor est en corte desde R=0W; hasta R=0.62W; para mayores valores de R, el
transistor est en activa hasta R=11.24W; para valores superiores de R, el transistor est en
saturacin.
2. El transistor est en Activa: Q=( 3.58V, 1.42mA ); El transistor entra en saturacin (lmite
Vce=0.7V) cuando:
- Aumentamos Rc hasta 9K02
- Disminuimos Rb hasta 69K58
- Disminuimos Re hasta 147W
3.
Sin Ce, la Zce=inf, con Ce, la Zce=0, para seales.

Av =

- b ( RC || RL )
vo
;
=
vi r + (b + 1) R || Z
p
e ce

4. a) El transistor est en Activa: Q1=( 5.43V, 2.07mA );

b)
ig
+
vi
-

v
Rg
R1||R2

ib
rp

ie
+
vp
-

E
+

RL

vo
-

b ib
C

c)

i
( R1|| R2) (b + 1)
;
A = e=
i i
r + ( R1|| R 2) + (b + 1) R
g p
L

d) RL = 317W; y el transistor tiene Q1=( 1.73V, 5.45mA ) en Activa;

e) Req1 = 19K6, C1 = 81.2nF; Req2 = 1k2, C2 = 1.32mF: usamos C1 = 812nF; C2 = 1.32mF;
f) Reqm=0k6, fscm= 265,25MHz; Reqp =19W, fscp=837,65MHz; estimamos: fsc=201,45MHz;

5. a) Los transistores estn en Activa: Q1=( 5.7V, 1.42mA ); Q2=( 6.4V, 143mA );

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Problemas de Examen

19

b)
| IC2 |
Recta esttica
de carga

250mA

Q2

ICq2=143mA

VCEq2=6.4V

15V

| VCE2|

c)
ig

Rg

ib1

v1

vi

rp1

R1||R2

+
vp1
-

ie1= ib2

v1

ie2
2

+
vp2
-

rp2

c1

e1

b ib1

e2

b ib2

RL

Re

vo
-

c2

d) Av = 0.9;
6. a) Los transistores estn en Activa: Q1=( 1.03V, 1.5mA ); Q2=( 8.16V, 12.15mA );
b)
| IC1 |

| IC2 |
Recta es t tica
de carga

1.8 mA

Recta es t tica
de carga

6 6.6mA

Q1

ICq1 =1.6 mA

Q2
ICq2 =16 mA

VCEq1 =1.54V

1 0V

| VCE1|

| VCE2|

VCEq2 =7.6V 1 0V

c)
ig
+

vi

ib1

v1
Rg
R1||R2

rp1

ib2

c1
+
vp1
-

b ib1
e1

rp2

R3

ie2
2

+
vp2
-

+
e2

b ib2

RL

c2

d) Av = -209.8;

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vo
-

Problemas de Examen

20

e) Req1 = 1K97, C1 = 4.04mF; Req2 = 20.8W, C2 = 382.6mF: usamos C1 = 40mF; C2 = 382mF;

7. a) Los transistores estn en Activa: Q1=( 8.9V, 1.4mA ); Q2=( 8.3V, 0.81mA );
b)
ig

Rg

vi

ib1

v1
1

rp1

R11||R12

c1
+
vp1
-

+
vp2
-

rp2

RC1

e2

b ib1
e1

ie2

ib2

v2

R21||R22

RL

vo
-

RE2

b ib2
c2

c) Rdin1 = 2K43; Rdin2 = 1K27;

d) Av1 = -136; Av2 = 0.98; Av = -133.16;

e) Req1=2K95, fic1= 1Hz; Req2=12K6, fic2=0.25Hz; Req3=27.15W, fic3=586.2Hz;
Req4=1554.75W, fic4=2.04Hz; estimamos: fic=589.56Hz;
8. a) Q1=( 7.2V, 1.94mA ) en Activa; Q2=( 0.2V, 3.44mA ) en Saturacin;
b)
ig
+

vi

ib1

v1
Rg
R11||R12

rp1

c1
+
vp1
-

v2

ib2

ic2
2

c2

b ib1

RL
e1

RC1

R21||R22

RC2
e2

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vo
-

Problemas de Examen

21

c)
| IC1 |

| IC2 |
Recta dinmica
de carga

Recta dinmica
de carga
ICq1 =1.95mA

ICq2 =3.44mA

Q1

1 5V

VCEq1 =7.2V

| VCE1|

Q2

VCEq2 =0.2V

| VCE2|

1 5V

d) Todas las ganancias son de valor cero.

9. a) Q1=( 6.584V, 0.707mA ) en Activa; Q2=( 7.99V, 13.21mA ) en Activa;

b)
ig
+
vi
-

ib1

v1
1

Rg

rp1

R1||R2

ib2

c1
+
vp1
-

b ib1

rp2

R4
e1

e2

+
vp2
-

ie2

R5

vo
-

b ib2
c2

c) Av = -646;
d) Req1 = 1K916, C1 = 4.14mF; Req2 = 37W, C2 = 215mF: usamos C1 = 41mF; C2 = 215mF;
10. a) Q1=( 4.5V, 1.2mA ) en Activa; Q2=( 5.7V, 3.58mA ) en Activa;

b)
| IC2 |
8.33mA

ICq2 =3.58mA

Recta es t tica
de carga

Q2

VCEq2 =5.7V

1 0V

| VCE2|

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Problemas de Examen

22

c)
ig

Rg

+
vi
-

ib1

v1

c1
+
vp1
-

rp1

R11||R12

v2

b ib1
e1
ie1

RE11

ib2
rp2

R21||R22

RC1

ie2
e2

+
vp2
-

RL

RE2

b ib2

vo

c2

d) Rdin = 220W;

e) Av = -1400;
11. a) Q1=(5.2V, 3.4mA ) en Activa; Q2=( 5.2V, 3.4mA ) en Activa;
b)
ig
+
vi
-

ib1

v1
1

Rg

c1
+

rp1

R11||R12

vp1
-

b ib1

v2

ib2
rp2

c2

2
vp2

b ib2

RL
e1

RC1

R21||R22

e2

RC2

vo
-

c)
| IC1 |
6 mA

ICq1 =3.4 mA

Recta es t tica
de carga

Q1

VCEq1 =5.2V

1 2V

| VCE1|

d) Av1 = -56.6; Av2 = -2.13; Av = 120.6;

e) Req1=0.76K, fic1= 6.96Hz; Req2=1K7, fic2=1.86Hz; Req3=7.7W, fic3= 4133Hz; Req4=1016W,
fic4=5.22Hz; Req5=16.5W, fic5=6060Hz; estimamos: fic=10207Hz;

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Problemas de Examen

23

12. a) Q1=( 5V , 1mA ) en Activa; Q2=( 6.7V , 165.7mA ) en Activa;

b)
ig
+
vi
-

ib1

v1
Rg

R1||R2

rp1

v2

c1
+
vp1
-

b ib1
e1

ib2
rp2

e2

ie2

vp2

R5

R3

vo
-

b ib2
c2

c) Rdin = R5;

d) Av = -86.8;
e) Req1=1K84, fic1= 4.3Hz; Req2=28.13W, fic2=5657Hz; estimamos: fic=5661Hz;

TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS:

1. a) RE = 1K;
b) RZ en ( 188W, 935W );
2. Q1 = ( 6.8V, 1.034mA ); Activa
Q2 = ( 4V, 3.46mA ); Activa
3. Q1 = ( 2V, 1mA ); NPN en Activa
Q2 = ( 8V, 2.2mA ); NMOS en Saturacin
4. R1 en ( 30W, 3K ); R2 = 1K; R3 = 1K; R4 = 2K86; K = 5mA/V2;
5. R1 en ( 53W, 5K26 ); R2 = 2K; R3 = 1K; R4 = 1K; K = 20mA/V2;
6. R1 = 3.05R2; R3 = 8K3; R4 = 2K7; R5 = 10K;
7. Q1 NPN en Corte
Q2 = ( 4.3V, 2.9mA ); NMOS en Saturacin
Q3 = ( 0V, 4.31mA ); PNP en Saturacin

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Problemas de Examen

24

AMPLIFICADORES OPERACIONALES:
1. Limitacin por corriente de salida positiva cuando vi > 2.5V;
2. Io1 = 10mA; Io2 = -10mA;
3. Suponemos que predomina la realimentacin negativa: i = -vi/R;
4. Suponemos que predomina la realimentacin negativa: Iout = - vin/R;
AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y DIODOS:
1. Para vi > 0 vo = -vi;
Para vi > 15V vo = -Vcc = -15V;
Para vi < 0 vo = Vcc = 15V;
2.

a) Etapa comparadora no-inversora con AO1, etapa comparadora inversora con AO2; Diodos
D1 y D2 con Ro en configuracin de selector de tensin mxima.
b) Si Vi < -Vref Vo = 15V - Vg;
Si Vref > Vi > -Vref Vo = 0V;
Si Vi > Vref Vo = 15V - Vg;
c) R1 = 24R2;

3. a) Rectificador de media onda (diodo y R1), seguidor de tensin (AO), recortador con zner.
b) Si Vi < 0V Vo = 0V;
Si 4.5V > Vi > 0V Vo = 2Vi/3;
Si Vi > 4.5V Vo = 3V;
c)

vi

vo

4V
2.6 6V
1V

0.6 6V

-2V

4. a) D1 y C1 en captura de mxima Vi, D2 y C2 en captura de mnima Vi, AO1 comparador noinversor, AO2 comparador inversor, DAO1 y DAO2 en detector de mxima tensin.
b) Si Vimax > Vcc/2 Vo = Vcc;
Si Vcc/2 > Vimax y Vimin > -Vcc/2 Vo = 0V;
Si Vcc/2 > Vimin Vo = Vcc;
5. Si Vi < 0V Vo = - (R2Vi) / (2R1);
Si Vi > 0V Vo = (ViR4R2) / (R1R3);
6. Si v1>4V v2<4V vo = -10V;
Si v1<4V y v2>4V vo = +10V;
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Problemas de Examen

25

v1, v2
6V
4V
0V

-6V

vo
1 0V

-1 0V

7. Bloques funcionales: D1, D2 y C1 es una captura de mxima tensin en v1 o v2; D3, D4 y C2

es una captura de mnima tensin en v1 o v2; AO1, AO2 y AO3 como seguidores de tensin.
vo = [max(v1, v2, 0V) + min(v1, v2, 0V)]/2;
8. Bloques funcionales: Zner como estabilizador de tensin; puente de resistencias; AO1 y AO2
como seguidores de tensin; AO3 como comparador.
Si T > 0C Vo = +15V;
Si T < 0C Vo = -15V;
9. Bloques funcionales: D1 y D2 como sensores de luz; AO1 y AO2 como amplificadores no
inversores; AO3 como seguidor de tensin.
Vo = 0.05(V/lux)(L1 + L2);
TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS Y AO:
1. a) Si Vi < Vz iL = R1Vi /R2R3;
Si Vi > Vz iL = R1Vz /R2R3;
b) R3 = 10K;
c) Vzmin = 10V;
d) iL = 0V;
2. a) Bloques funcionales: LED1 y LED2 en sensores de paso con sus respectivos
fototransistores; AO como comparador;
b) LED3 luce si ambas puertas estn cerradas.
c) Invertir las conexiones de entrada al amplificador operacional.
d) Pot = 16.88mW;
3. a) Bloques funcionales: puente rectificador de diodos; AO como comparador; N-MOS como
fuente de corriente.
b) LED3 luce si: |Vi| - 1.2V < [ 15V R2 / (R1 + R2) ];
c) PotLED = 60mW; PotNMOS = 0.69W;

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