APELLIDOS Y NOMBRES:

ROMERO V., JOSEPH

FACULTAD:
ING. ELECTRICA Y ELECTRONICA
CURSO:
CIRCUITOS ELECTRONICOS 1

TEMA:
FOTODIODO PIN
PROFESOR:
VIVAS

Fotodiodo PIN
Este diodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material
semiconductor, introducida entre la unin de dos capas de materiales
semiconductores tipo n y p. Se aplica una tensin de polarizacin inversa.
Figura 44.

La luz entra al diodo por una ventana muy pequea y es absorbida por el
material intrnseco, el cual agrega la energa suficiente para lograr que los
electrones se muevan de la banda de valencia a la banda de conduccin y se
generen portadores de carga elctrica que permiten que una corriente fluya
a travs del diodo.
Los elementos ms utilizados en la fabricacin de este tipo de detectores
son el Germanio y ltimamente se utiliza el GaAs, GaInAs, InP, con
resultados muy buenos.
Los diodos PIN requieren bajas tensiones para su funcionamiento, pero
deben utilizar buenos amplificadores.

Presentan tiempos de vida

relativamente altos. Que podran reducir nicamente por factores externos

y son los ms indicados para el uso en la segunda y tercera ventana de
transmisin (1300 y 1550 nm).

Simbologia
Diodo Pin

Estructura de fotodiodo PIN

Diodo Pin

(+) alta eficiencia

(+) predominio del arrastre rapidez
() Id (W)

Principio de operacin
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de
suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y
crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de
agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos
portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente.

Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama

polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente
elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la
corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido
inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su
funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir
un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la
luz.

Principio de funcionamiento
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y
otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de
material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias
de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que
incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando
est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen
de 100 a 1000 V.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P
de baja resistividad representada, est esta formada por difusin de
tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est
formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i
es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p.
Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p)
hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos
fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N.
Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en
la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la
emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p(P de
alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos
del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin
inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N.
En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente
igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa.

Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene

una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de
la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15
hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo,
100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la
regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente
mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es
proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo
que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores
normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN,
comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P
se difunden en la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La
corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas
concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin
de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea.
Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin
disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con
su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximacin, la
resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la corriente
IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por
una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones
directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin
inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad
parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la
inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la
cpsula.

Aplicaciones del fotodiodo pin

En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar

como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de
microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar
como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto
en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.

conmutador de RF

resistencia variable

protector de sobretensiones

fotodetector

El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene

capacidad para manejar alta potencia.

Necesidad de fotodetectores
Receptores:
Comunicacin por fibra ptica ,mandos a distancia
Lectores pticos:
CD, DVD
cdigos de barras
Sensores:
Presencia, ngulo, composicin qumica.
Monitores de luz:
Control de lseres
Cmaras: vdeo, visin nocturna