Caractersticas de los transistores

El transistor produce resultados que pueden ser comparables a los de un tubo de vaco, pero
hay una diferencia bsica entre los dos dispositivos.
El tubo de vaco es un dispositivo controlado por tensin mientras que el transistor es un
dispositivo controlado por corriente. Un tubo de vaco funciona normalmente con su rejilla
polarizada en el sentido negativo, o de alta resistencia, y su placa est polarizada en sentido
positivo, o de baja resistencia. El tubo conduce slo por medio de electrones, y su
contrapartida en cuanto a conduccin es el transistor NPN, cuyos portadores mayoritarios
son siempre electrones. No hay equivalente de tubo de vaco para los transistores PNP,
cuyos portadores mayoritarios son los huecos.
El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la polarizacin en el
electrodo de base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarizacin a un punto
situado aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturacin se situar el
punto de trabajo del transistor en la regin activa de funcionamiento. Cuando funciona en
esta regin el transistor es capaz de amplificar. Las caractersticas de un transistor
polarizado en la regin activa se pueden expresar en trminos de tensiones de electrodo y
de corrientes lo mismo que en los tubos de vaco.
El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de
ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y
reactancias. Estas relaciones se denominan parmetros hbridos y definen los valores
instantneos de tensin y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los
parmetros permiten predecir el comportamiento del circuito en particular sin construirlo
realmente.
A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del
transistor:
1. Ganancia de tensin: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia
de entrada. La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente
500 ohmnios, mientras que la resistencia de salida es relativamente alta,
ordinariamente ms de 20.000 ohmnios. Para un transistor de unin la ganancia de
resistencia suele ser mayor de 50.
2. Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Aunque un
transistor de unin tenga un valor de alfa menor que la unidad, si por el contrario posee
una ganancia de resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de salida
es extremadamente alta, la ganancia de tensin ser aproximadamente 1.800
3. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de
resistencia. Es del orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y
conexin de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de
rejilla a masa, ctodo a masa y placa a masa en la terminooga del tubo de vaco.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y
desde el circuito de entrada hasta el de salida no se produce inversin de fase de la seal. El
circuito de emisor a masa tiene una impedancia de entrada ms alta y una impedancia de
salida ms baja que el circuito de base a masa, y se produce una inversin de fase entre la
seal de entrada y la de salida. Esto proporciona ordinariamente la mxima ganancia de
tensin en un transistor. El circuito de colector a masa tiene impedancia de entrada
relativamente alta, impedancia de salida baja y no produce inversin de fase de la seal
desde el circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y la ganancia de
tensin son ambas bajas.

Parmetros caractersticos del transistor

En este captulo, se exponen los principales parmetros que se utilizarn para el trabajo con
transistores.
Parmetro
El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se produce en la
corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de la

corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacion de
8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los transistores
el valor del parmetro se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parmetro de un transistor
La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las corrientes de emisor y
colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir
una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un transistor es la relacin que
existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y la variacin de la
corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente
de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As,
nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro
lado, los transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se
pueden considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en
vez de utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar h FE. As por
ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una

hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede
encontrarse entre estos valores.
Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos
indiquen que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma
sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unin del diodo colector aumenta el nmero de portadores minoritarios y,
por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las
hojas de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las
variaciones que sufre con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor
mximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese lmite, para mayores
valores de dicha corriente, la ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia de
tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes
temperaturas ambiente.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de
la ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer errores sustanciales, que
invalidaran las condiciones de trabajo requeridas por el diseo inicial.
Relacin entre los parmetros y
Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = I C/IE y = IC/IB y teniendo en
cuenta la relacin existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor I E =
IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros,
tal como se indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una ganancia
de corriente de 150, operaramos as:

Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las
uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la
ruptura de dichas uniones si la tensin que se aplica no supera los valores mximos fijados
en las hojas de especificaciones tcnicas.

1. Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas

inversamente con la tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca la
circulacin de una pequea corriente de fuga (I CBO) que no ser peligrosa hasta
que no se alcance la tensin de ruptura de la unin. Normalmente esta tensin
suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada
por el fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con
las siglas VCBO.
2. Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el
colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de
emisor a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca un pequeo
flujo de electrones que emite el emisor y que se sienten fuertemente atrados
por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequea corriente de
fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que ocurra anteriormente, el valor de
esta corriente est determinado por la tensin colector-base (V CEO) aplicada.
En las hojas tcnicas tambin aparece la tensin mxima de funcionamiento

(VCEO) que en ningn caso debe ser superada, para evitar el peligro de
destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones
tcnicas aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura: V CBO =
30V y VCEO = 20V, lo que significa que este transistor nunca deber operar con
tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada

Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste, visto
desde los bornes de entrada.
Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en la figura de
abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-emisor y las de la
corriente de base, que se corresponden con la tensin y la corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva caracterstica

de transferencia.
Regiones de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o del signo
de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transitor, ste se puede
encontrar en alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el grfico de la
derecha. Estas regiones son; Regin activa directa, Regin de saturacin, Regin de corte y
Regin activa inversa. A continuacin podemos observar el comportamiento de cada una de
estas regiones.
La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor-base.
Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base procedentes del

emisor podemos observar que all donde haba un hueco pasa a haber, tras la
recombinacin, un in negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de
iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor.
En este caso se impedira la circulacin de la corriente, es decir, es necesario que la
corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrn recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice
la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente I B pequea) la capacidad de
inyectar electrones ser baja, debido a la repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la
propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia directa de corriente, o

bien ganacia esttica de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el potencial
positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar origen a la corriente de
colector IC
Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drsticamente el nmero de
portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta
tambin
Regin activa inversa
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor-base y a una polarizacin
directa de la unin colector-base. Esta regin es usada raramente.

Regin de corte
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el
modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga
mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan
lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prcticos, a un circuito abierto.
Regin de saturacin
Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin den esta regin
corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta
como un interruptor cerrado (VCE 0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mcima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto
(VCBO), o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V CEO), la
unin colector - base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de
cualquier diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones
por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor
en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la
zona de base que reduce el paso de dicha polarizacin se crea un campo magntico
trransversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea
zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha
zona es proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la
VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno
degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este
fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el
nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es
producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica
inferior derecha).

El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria

durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra
unas curvas lmite en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como
curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para
corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con la
polarizacin inversa de la unin base-emisor se produce la focalizacin de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de I C y
VCE durante el toff vienen reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.

Curvas caractersticas
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y

bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro
parmetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operacin(Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan V BE con IB y
VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base IB. Estas grficas reciben el nombre
de curvas caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a
la de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para
localizar averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado que
la unin base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguir el
mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas VCE-IC
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de

base, a travs de la relacin IC=+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representacin estar
formada por rectas horizontales (independientes de V CE) para los diversos valores de I B (en
este caso se ha representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I B para no emborronar el grfico.
Para IB=0, la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est
representada por el eje de abscisas. Por contra, para V CE=0 el transistor entra en saturacin,
luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco ms compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente

independiente de la tensincolector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para V CE=0, sino
que hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una
tensin de saturacin comprendida entre 0.1V y 0.3V.

Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se

puede comprobar que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen
pequeas variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual
se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin V CE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unin del colector
entra en la regin de ruptura y ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin
VCE es muy pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy dbil,
obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensin de polarizacin inversa
VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.
Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada
resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos
la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga R L. La tensin aplicada a esta
resistencia se corresponder con la tensin total aplicada por la fuente V CC menos la cada
de tensin que se produce entre el colector y el emisor V CE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es
encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga

para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte,
punto de saturacin, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspondiente a la corriente de base igual a cero (I B=0). Dada la escasa polarizacin directa a que
queda sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prcticamente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga I CEO). Haciendo una
aproximacin, se puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la
interseccin de la recta de carga con el eje horizontal, es decir cuando V Cecorte=VCC.
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de
saturacin. En este punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la
operacin de transistor, dentro de los lmites de la recta de carga. Haciendo una
aproximacin, se puede decir que el punto de saturacin aparece en la interseccin de la
recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce tambin el efecto de

saturacin en el transistor.

El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma normal y que,
normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el punto de
trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (I B), se busca el punto de
interseccin de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene
que procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima.
Esto se consigue eligiendo valores adecuados de la tensin de fuente V CC y de la resistencia
de carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, est siempre por
debajo de la curva de potencia mxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta
situacin:
Obtencin de la Ganancia a partir de las curvas caractersticas

La ganancia en corriente de un transistor se defina como la relacin que se da entre la

variacin de la corriente del colector y la variacin de corriente de base. Para determinar
dicha ganancia se puede recurrir a las caractersticas del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas caractersticas del transistor ensayado es la que
se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en V CE=20V, segn las curvas de la figura de la
izquierda, la intensidad de colector variar entre I C=28mA e IC=43mA, mientras que la
intensidad de base lo har entre IB=0.10mA e IB=0.15mA. La ganancia se calcula as:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el

transistor, es decir, la tensin que se le est aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, ser para esa tensin de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.
Curva de mxima potencia del transistor
Una de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un transistor, es que, a partir de
stas se pueden determinar los lmites de funcionamiento del mismo. Estos lmites estn
determinados por una potencia mxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su
destruccin.
Veamos en qu consiste ste fenmeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que vara en funcin dela
intensidad que se le aplique a su base I B. Por esta resistencia variable circula una corriente
IC, relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorfica o calentamiento,
debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensin V CE,
aplicada entre el colector y el emisor, por la instensidad de colector I C. (P = VCEIC).
Como esta potencia se transforma ntegramente en calor, provoca un aumento de la
temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los lmites admisibles, provocar la
destruccin del mismo.
La potencia mxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en
las hojas de especificaciones tcnicas.
As, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia mxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia mxima sobre la familia de curvas de
colector, para as poder determinar para qu tensiones de colector-emisor y corrientes de
colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.

Por ejemplo, para no superar los valores lmite, en el caso del transistor BC107 se deber
cumplir en todo momento la expresin:

Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el producto
VCEIC=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector
del transistor BC107, y en las que se ha aadido la curva de potencia mxima.
La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de
funcionamiento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la potencia es
mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destruccin por la
accin del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la hiprbola, y en la cual la
potencia es inferior a 300mW.
Influencia de la temperatura ambiente en la potencia mxima de
un transistor
La potencia mxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la
temperatura mxima permitida en la unin colector Tj(max). Esta temperatura nunca debe
ser superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las
hojas de caractersticas del componente. As, por ejemplo, el transistor BC107 posee una
Tj (max) de 175C.
La potencia mxima a que puede trabajar un transistor tambin depende de la temperatura
ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a
travs del encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la

temperatura de este aire (temperatura ambiente), peor ser la ventilacin del transistor, y
por lo tanto, menor la potencia mxima que se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de caractersticas tcnicas se indica la potencia mxima para
una temperatura ambiente de 25C.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que encontrar la potencia
mxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de
reduccin, como la que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la potencia mxima es
de 125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia mxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un
disipador de calor, o aleta de refrigeracin en la superficie de la cpsula del mismo, de esta
forma, se consigue que el calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.

El transistor como amplificador

Introduccin
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora de los
sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental,
pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de
seal mayor de la que absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red de dos puertas),
resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros
relativamente simples que nos proporcionan informacin sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y

de las seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la seal
dbil y otra por donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias a la
aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de
entrada.
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas que
siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores trmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su

entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la
ganancia de un amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a
la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se
pueden observar tres tipos de ganancia:ganancia en tensin, ganancia en corriente y
ganancia en potencia.

De esta forma podemos definir los siguienteas parmetros:

1.
2.
3.
4.
5.

Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su
impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es
vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De
todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico
de un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin
distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (V p) o Voltios pico-pico
(Vpp).
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir del circuito
de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuracin denominada de emisor
comn.

El generador Veb asegura que la unin base-emisor est polarizada en sentido directo. Una
batera Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensin de polarizacin inversa a la unin del emisor.

El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea amplificar, es el que

contiene a la base y el emisor. El circuito de salida est conectado a las terminales del
colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de salida.
Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de entrada
cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son I e, Ib e I0, con los
sentidos indicados en la figura.
A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se producen en dichas
intensidades si se modifica ligeramente la tensin Web, aplicando una ddp adicional a la
entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo suficientemente
pequeo para que las variaciones de intensidad que provoca estn relacionadas linealmente
con l.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de una
diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
a. Variacin de la intensidad de salida (-I0).
Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I 0. Dicha
intensidad tiene, tres componentes: I pb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor
polarizado en el modo activo, la corriente I pb es muy superior a las otras dos
(unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de
clculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer
que:

Suponiendo que la variacin de Veb, incremento de V, es pequeo, la variacin

de la corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor

depende de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura
ambiente, gm vale unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector.
b. Variacin de la intensidad de entrada (-Ib)

La corriente de base, tiene, segn hemos expuesto, tres componentes: I ne, Ibb e
Inc. De ellas, tan slo las dos primeras dependen directamente de la tensin V eb.
Nos limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones.
De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en funcin de la

intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos que:

El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un

incremento de la tensin Veb. As al disminuir la barrera de potencial en la
unin emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el
emisor, aumentando la concetracin de portadores minoritarios en la base, lo
que conduce a un incremento de la tasa de recombinacin. Debido a ello,
Ibb crece.
Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial antes citada, supone
un incremento del nmero de electrones inyectados en el emisor desde la base,
con lo que se produce un aumento de la corriente I ne.

c. Variacin de la tensin colector-emisor (Vce).

La tensin colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variar como:

La expresin anterior implica que el incremento de la tensin colector-emisor

puede aumentar sin lmite, sin ms que incrementar suficientemente la
resistencia de carga R0. Tal suposicin no es cierta cierta ya que hay que tener
presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido
en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin inversa V cb sobre la anchura
de la base, W. Valores muy elevados de g mRm suponen una importante
variacin de Vcb, lo que modificara notablemente la anchura W, no siendo
vlidas entonces las premisas del modelo utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensin:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una
seal alterna de pequea amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequea
para que puedan ser despreciados los efectos dinmicos que no han sido
tenidos en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente alterna
-Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -I b que exista para un incremento de
tensin 0, se superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la
intensidad de base.
De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una corriente alterna de
amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a
-Ic (corriente de colector para un incremento de tensin 0).
Se define ganancia en intensidad como:

Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de intensidad puede

tomar valores muy elevados.
De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:

En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como

en tensin.

Otros datos - Limitaciones en los transistores

El transistor es un componente real y como tal tienen unos lmites electrnicos que
condicionan su utilizacin. Teniendo en cuenta que el transistor se compone de diodos, es
de suponer que los lmites sern parecidos a los del diodo; los ms importantes son la
tensin inversa mxima, la potencia mxima y la corriente mxima.
Tensin mxima inversa: Si aumentamos en exceso la tensin
colector-emisor podemos llegar a la tensin de ruptura del diodo
base-colector y destruir el diodo.
Corriente mxima: Es anlogo al introducido para los diodos: una
corriente excesiva destruira al dispositivo.
Potencia mxima: Dependiendo de cmo este fabricado el
transistor, ser capaz de disipar un mximo de potencia.
Algunas aplicaciones de los transistores

El concepto de transistor bipolar permite una amplia variedad de aplicaciones relacionadas

con la electrnica de seal y la electrnica de potencia. La electrnica de seal, o ms bien
conocido como pequea seal, es aqul entorno electrnico que trata seales de baja
potencia, relacionado tanto con el espectro de baja frecuencia como con el de frecuencias
medias y altas. Estamos hablando de circuitos de rececpcin de audio, de recepcin de
radio, de adaptadores de lneas de transmisin, etc. Todas ellas poseen un denominador
comn: los nveles de potencia empleados.
Los transistores se utilizan especialmente en tres campos:

En amplificacin, ya sea de tensin o corriente. En estos casos el

transistor opera en la zona lineal de trabajo. El concepto de
amplificacin viene impuesto por las condiciones elctricas de
numerosos dispositivos electrnicos.

En el tratamiento de la seal. Para este tipo de aplicaciones el

transistor puede operar tanto en la zona lineal como en la zona no
lineal, todo depende del tipo de aplicacin que se desee
implementar. Estamos hablando de dispositivos como los
generadores de corriente, los multiplicadores de dos seales, etc.

Como elementos adaptadores y aisladores entre etapas distintas de

un circuito elctrico. Se puede emplear el transistor para aislar dos
etapas de un determinado dispositivo y eliminar problemas que
pudieran aparecer.

Por ltimo, podemos generalizar que los transistores sin pequeos

dispositivos empleados en todo tipo de circuitos, ya sea relacionados
con la electrnica digital o analgica, ya que forman el alma mater
de los actuales microprocesadores y dems elementos digitales.

Las tres configuraciones: base comn, emisor comn, colector

comn

Anlisis de un transistor en corriente continua

En la zona de corte el transistor no deja pasar corriente ni a la entrada ni a la salida. En
saturacin, con pequeas variaciones de tensin se producen grandes variaciones de
corriente, mientras que en activa la corriente de colector de mantiene proporcional a la
corriente de base. Podemos pensar que en activa la corriente de colector se mantiene
proporcional a la corriente de base. Podemos pensar que en la zona activa, si la corriente de
base sufre pequeas variaciones, stas sern transmitidas a las corrientes de colector. Esas
variaciones en la corriente de colector producirn a su vez variaciones en la tensin
colector-emisor.

Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de seal alterna y
sustituiremos los componentes por su equivalente para continua.
En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida. La
aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de amplificacin: bajo
determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea proporcional
a la corriente de base.
Anlisis de un transistor en corriente alterna
Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los mtodos tradicionales
de anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen del estudio de las
ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores.
Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, el ms
popular es del modelo en parmetros h.

A la entrada, la seal se encuentra con una resistencia h ie y un generador de tensin

pendiente de la tensin colector-emisor, hre*Vce. A la salida, un generador de corriente
refleja la dependencia entre la corriente de colector y la corriente de base, h fe*ib y la
resistencia 1/hoe representa la resistencia de salida.

Trabajar con los parmetros h constituye una gran ventaja ya que podemos sustituir el
transsitor por este sencillo circuito que nos permitir hallar la expresin de la seal de
salida en funcin de la seal de entrada y de los parmetros de transistor.

Condensadores de acoplo y desacoplo

La resistencia de un condensador al paso de una corriente elctrica depende de la
frecuencia. De ah que se hable de diferentes comportamientos en continua y en alterna:

Condensadores de acoplo: Se utilizan para transmitir o conectar

seales alternas de un punto de un circuito a otro sin que afecte el
comportamiento en continua. En continua el condensador se abre y
por lo tanto impide que la seal alterna llegue al nodo. Sin embargo,
en alterna es un corto y l seal pasa sin problemas.
Condesadores de desacoplo:Tienen como misin proporcionar un
camino directo a masa para las seales alternas sin alterar el
comportamiento del circuito en continua.