UNIDAD I

Dispositivos semiconductores de electrnica industrial

1.4 Descripcin y caracterstica de funcionamiento de Tiristores: SCR,

TRIAC,DIAC, GTO, IGBTS

SCR:
Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos
estados estables: en uno conduce, y en otro est en corte (bloqueo directo, bloqueo
inverso y conduccin directa).

El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en

conduccin del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio
SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se hace positiva
(tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando siendo esta tensin
positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.
El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, a.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente
slo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el
semiciclo en que el nodo del SCR es ms positivo que el ctodo. Esto significa que
el SCR no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad
del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que
el SCR tenga polarizacin inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la
carga.

Introduccin
Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier)
Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposicin pnpn Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y
Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta.
Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi
ideal, rectificador y amplificador a la vez.

El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin

al ctodo no circular la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la
puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar hasta que no se remueva la
tensin en el nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.
Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su
vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido
del SCR.

Operacin controlada del rectificador controlado de silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de
silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido a
sus capacidades de alta temperatura y potencia.
La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos
capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En
la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1

La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms. Un SCR acta a semejanza

de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de
corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un
interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente
del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida.

METODOS DE CONMUTACION:
Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs
del mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento).
Hay dos mtodos bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de
corriente andica y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las
figuras Figura 6 y Figura 7.

Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupcin de la corriente andica

En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un

interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El
interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje
de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR,
reducindola a un valor menor que IH.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una
corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor
que conecta una batera en paralelo al circuito.

Figura 7: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

Forma de onda del SCR

TRIAC:
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la
familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional (SCR) es que ste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos
SCR en direcciones opuestas (Y su comportamiento es ese).
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

Aplicaciones ms comunes

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.
Funciona como interruptor electrnico.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como
atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los
sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No
obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos,
se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC
se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente
alterna.

La forma de controlarse es la misma descrita del SC, debido a su poca estabilidad

(un poco mayor que el SCR) en la actualidad su uso es muy reducido.

Forma de onda del TRIAC

DIAC (Diodo de Corriente Alterna):
Es un tiristor de control cuyas siglas en ingles significan diodo interruptor de
corriente alterna. El componente tiene una estructura bastante compleja pues su
circuito equivalente es una conexin en paralelo de 4 capas complementarias. De
manera sencilla el DIAC opera como 2 diodos conectados en paralelo inverso lo que
le da su caracterstica de bidireccionalidad.
El DIAC entra en conduccin cuando se le aplica un voltaje que alcanza el voltaje
de ruptura ( VBO) de especificacin.
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar
TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales:
MT1 (A1) y MT2(A2).

Voltaje de ruptura o conduccin +VBO +VBR

Corriente de ruptura o conduccin IBO IBR
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en forma opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin
del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no
conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra
en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando:

+Vs o - Vs es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
circuito abierto

+Vs o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un

cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grfico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia
de 0.5 a 1 watt.)

GTO(Gate Turn-Off Thyristor):

Un Tiristor GTO o simplemente GTO (Tiristor de encendido y apagado por puerta)

es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo
pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor
normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa
en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado
de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).

A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha
sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la
tecnologa en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado
nuevas soluciones para mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una
franja significa dentro de la electrnica de potencia, especialmente en aquellas
aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los
4000 A.

El GTO es un tiristor con capacidad de externa de bloqueo, la puerta le permite controlar las
dos transiciones: pasa de bloqueo conduccin y viceversa .

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de
los tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y
bloquearse a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G.

El mecanismo de disparo es parecido al SCR: Suponiendo que esta polarizado,

cuando se inyecta una corriente a la puerta, circula una corriente entre puerta y
ctodo. Si se mantiene una corriente en el nodo superior a la corriente de
mantenimiento se puede hacer conducir el GTO sin necesidad de la compuerta, esta
corriente es conocida con corriente andica.

La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a

la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas
centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el
restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2.
CARACTERISTICAS DEL DIODO:

Como se muestra en la figura se muestran las caractersticas estticas corrientevoltaje del GTO, se muestra que si una corriente positiva pasa por la compuerta el
dispositivo pasara de un estado de apagado aun estado de encendido. Por lo
contrario si la corriente es negativa pasara de un estado de encendido a apagado,
con ello tenemos el dominio del dispositivo en todo momento. Cabe aclarar que al
tener las ms funciones que un SCR, este dispositivo es un poco ms costoso que
un SCR.
APLICACIONES:
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser
apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos de conversiones de dcdc y circuitos inversores a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e

IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores

de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son
tiles porque las caracteristicas de conmutacin que posee, pueden ser usadas para
regular la potencia, como el factor de potencia.
A nivel industrial algunos usos son:
Troceadores y convertidores.
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Soldadura al arco.
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Traccin elctrica
Ventajas de los GTO sobre los SCR

Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que

da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen.
Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de
bobinas de induccin en la conmutacin.
Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms
altas.
Una eficiencia mejorada de los convertidores.

Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.

Ms alta capacidad de voltaje de bloqueo.

Alta relacin de corriente de pico controlable a corriente promedio.

Alta relacin de corriente de pulsacin pico a corriente promedio,tpicamente
de 10:1.
Alta ganancia en estado activo tpicamente de 600 Seal de compuerta
pulsada de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO
pasa a una saturacin ms profunda debido a la accin regenerativa. Por otra
parte, un transistor bipolar tiende a salirse de saturacin.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor):

El transistor bipolar de puerta aislada IGBT, del ingls es un dispositivo semiconductor
que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de
potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores
de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Simbolo

Circuito equivalente

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces,
en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas
elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin
que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin,
barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Caractersticas
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
medias energas como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina
de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos
colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de
amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad
de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin
de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia
es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los
segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin
de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas
de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Practicas
rbol navideo para 120 voltios corriente alterna, 1 diac y 9 leds

rbol navideo con 9 leds, 120 voltios de corriente alterna y un DIAC para apagar y encender los
leds y con esto darles el efecto de flash.
Fragmento del texto original:
R1 se encarga de reducir el voltaje, D1 es el encargado de rectificar la corriente, C1 filtra los residuos
de corriente alterna y cuando se carga completamente el DIAC recibe su corriente de umbral y por
lo mismo permite que los leds se enciendan momentneamente, luego el DIAC descarga el C1 y los
leds se apagan, para luego iniciar nuevamente el ciclo.
Se recomienda sumo cuidado al ensamblar el circuito ya que por el circulan 120 voltios.