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X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) Electron Spectroscopy for

Chemical Analysis (ESCA)


LSAP del Centro de Astrobiologa (CAB, CSIC-INTA), Ctra. de Ajalvir, km 4, 28850 Torrejn de Ardoz, Madrid, Espaa
Que es?
Manipulador de precisin, XY
12.5mm, Z 155mm, (0 a 360)

Se trata de una tcnica de anlisis, para obtener informacin


qumica, en superficies de materiales slidos

Sistema de XPS en Ultra Alto Vaco


Manipulador

Circuito de
refrigeracin

Fuente de Rayos-X

Porta muestras

Fuente de Rayos-X

Porta muestras con horno y


sistema de refrigeracin

Muestra ~ 1cm2
Horno

Detector de 9 canales

Detector

-100 C < T < 500 C

Requisitos
La muestra a estudiar se debe encontrar en condiciones de Ultra Alto Vaco (<10-9 mbar.). Y ser expuesta en estas condiciones
frente a una fuente de Rayos-X, que ofrezca una radiacin monocromtica de baja energa.

Objetivo de la tcnica
Determinar la composicin y el estado qumico, de los elementos
presentes en la superficie de materiales slidos. Materiales aislantes y
conductores pueden ser analizados en superficie, en reas de unas
pocas micras

Informacin Analtica

Emisin de
electrones

Anlisis elemental Se determina un espectro que identifica, los elementos


atmicos presentes en la superficie, en una profundidad de hasta 20 ngstrom.
Todos los elementos, excepto el hidrogeno y el helio, son detectados.

Funcionamiento
La superficie de la muestra es irradiada por los fotones que provienen de
una fuente de Rayos-X, en condiciones de UHV. La fotoionizacin que
tiene lugar y los electrones (fotoelectrones) con una energa cintica Ek
sern recolectados. Ek y hv estn relacionadas mediante la expresin de
Einstein Ek = hv EB, donde EB es la energa de ligadura por debajo del
nivel de Fermi (EF). La energa de estos electrones es funcin directa de
la energa de ligadura caracterstica de los tomos presentes en dicha
superficie. De esta manera los foto-electrones de inters, poseen
relativamente poca energa cintica. Puesto que los niveles estn
cuantizados la distribucin en energa cintica que proporciona N(E)
consiste en una serie de bandas discretas que, esencialmente refleja la
estructura electrnica de los tomos en la muestra. Esta energa
determina el espectro XPS de un compuesto qumico. XPS es una
tcnica de superficies, ya que solamente los electrones que se
encuentran en los tomos en la superficie, pueden escapar y ser
detectados. Los que se deben a las colisiones inelsticas dentro de la
superficie (20 a 50 ngstrom), no pueden escapar con la suficiente
energa para ser detectados.

hv

Anlisis qumico Se determina adems el estado qumico de cada elemento a


travs de su energa de ligadura. Se pueden detectar concentraciones elementales
muy bajas (0.1%. )De este modo se puede determinar el estado de oxidacin del
tomo, los enlaces qumicos y la estructura cristalina. Existen tablas con las
energas de ligadura de todos los elementos qumicos presentes en la naturaleza.

10 nm
muestra

Composicin en sistemas multicomponente Se puede identificar la


concentracin de los elementos en los espectros, y determinar el rea que ocupan
cada uno de los mximos de esos espectros. Por medio de estos patrones de
estudio, se determina la concentracin qumica de los constituyentes presentes en
la superficie.
Espesores en el crecimiento y de capas delgadas y moleculares

EKin

Salida Agua

EVac

Especificaciones tcnicas fuente de Rayos-X

Entrada Agua

nodo: Al, Mg

EFermi

Voltaje del nodo: +15kV; 0 a 40 mA


Potencia: AL 400W; Mg 300W

Aplicaciones

Refrigeracin: Agua > 3.5 bar; >2.5 l/min.

Anlisis de contaminantes en pelculas delgadas

Distancia de focalizacin (regular): 15mm

Medida de la composicin qumica

Ctodo: Tungsteno

Cuantificacin de los perfiles de concentracin de compuestos en


superficies
Identificacin del estado qumico de la superficie en pelculas
delgadas

Salida Agua

Presin de funcionamiento: 5xE-5 mbar

E2

Entrada Agua

Ventana de radiacin: Aluminio


Bakeout: 250C

hv

EB

Peso: 10 Kg.

Cabeza del Anodo

E1

Espectro PNA sobre Au


Muestra de PNA, depositada sobre una
capa de Au. Espectro XPS, con nodo de
Magnesio, hv = 1253.6 eV

=15
Bande de
valencia
N 1s
Au

C 1s

Ventajas

XPS Resuelto en ngulo

Plasmn
de Au

More Surface
Sensitive

= 90
Less Surface
Sensitive

1. Informacin qumica a partir de corrimientos en energa


de fotoelectrones
2. Dao al haz mnimo. Mnimos efectos de carga
3. Rpida recogida de espectros (<5 min)
4. Cuantificacin con precisin mejor que el 10%
5. Gran reproducibilidad, estrecho rango de sensibilidad

6. Accesible base de datos

Desventajas
O 2p

Au 4d

Au 4f

Information depth = dsin


d = Escape depth ~ 3
= ngulo de emisi
emisin relativo a la superficie
= Inelastic Camino libre medio

1. Posibilidades limitadas para anlisis de reas muy


pequeas
2. No se puede utilizar en muestras muy aislantes
3. Informacin solo superficial

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