INTRODUO

O transstor (portugus europeu) ou transistor (portugus brasileiro) um componente

eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o
principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So
utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais
eltricos, alm de retificadores eltricos em um circuito, podendo ter
variadas funes. O termo provm do ingls transfer resistor
(resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus
inventores.O processo de transferncia de resistncia, no caso de um
circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente
varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a
esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do
transistor varia dentro de determinados parmetros pr-estabelecidos pelo
projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao de
corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente,
ocasiona o processo de amplificao de sinal.
Entende-se por amplificar o procedimento de tornar um sinal eltrico
mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados
por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado por
exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo
microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas com
potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo d-se
o nome de ganho de sinal.
Inveno
O transstor de silcio e germnio foi inventado nos Laboratrios da Bell
Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain em 1947 e,
inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen,
Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados
com o Nobel de Fsica em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um
transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld
antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificao da corrente
no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para
converter-se no transistor de juno bipolar (BJT). O objetivo do projeto

era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as vlvulas

termoinicas usadas nos sistemas telefnicos da poca.
Os transistores bipolares passaram, ento, a ser incorporados a diversas
aplicaes, tais como aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rdios
transistorizados. Mas a indstria norte-americana no adotou
imediatamente o transistor nos equipamentos eletrnicos de consumo,
preferindo continuar a usar as vlvulas termoinicas, cuja tecnologia era
amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente
os rdios portteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser
adotado em escala mundial. No houve muitas mudanas at ento.
Nessa poca, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor
Transistor de Efeito de Campo formado por Metal, xido e Silcio) ficou
em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface inviabilizavam
a construo dos MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell
Labs, fabricaram e conseguiram a operao de um transistor MOS. Nessa
poca, os transistores MOS eram tidos como curiosidade, devido ao
desempenho bastante inferior aos bipolares.
A grande vantagem dos transistores em relao s vlvulas foi demonstrada
em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro
circuito integrado, consistindo de um transistor, trs resistores e um
capacitor, implementando um oscilador simples. A partir da, via-se a
possibilidade de criao de circuitos mais complexos, utilizando integrao
de componentes. Isto marcou uma transio na histria dos transistores,
que deixaram de ser vistos como substitutos das vlvulas e passaram a ser
encarados como dispositivos que possibilitam a criao de circuitos
complexos, integrados.
Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser
encarado como um dispositivo vivel para circuitos digitais integrados.
Nessa poca, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que
manteve o uso do MOS restrito at o fim da dcada de 60. Entre 1964 e
1969, identificou-se o Sdio Na como o principal causador dos problemas
de estado de superfcie e comearam a surgir solues para tais problemas.
No incio da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados,
apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS) j ter sido
introduzido por Weimer. O problema ainda era a dificuldade de eliminao
de estados de superfcie nos transistores NMOS.
Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia
PMOS. Em 1971, a mesma empresa lanava o primeiro microprocessador

do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado

para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas
de estado de superfcie e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior
velocidade e maior poder de integrao.
O domnio da tecnologia MOS dura at o final dos anos 70. Nessa poca, o
NMOS passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos
CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes
problemas com consumo de potncia (que alta nesse tipo de tecnologia).
Com isso, a tecnologia CMOS comeava a ganhar espao.
A partir da dcada de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a
tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricao de circuitos, por volta
do ano 2000.
Alguns nmeros
O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMOS e
tinha frequncia de 0,2 MHz. Ano de fabricao: abril/1972 3500
transistores com 10 um ou 10000 nm, com uma tenso de trabalho de 5 V;
10 anos depois, a Intel lanou o 80286, com frequncias de 6, 10 e 12
MHz, fabricado com tecnologia CMOS 134.000 transistores 1,5 mcron
ou 1500 nm, com uma tenso de trabalho de 5 V;
O Pentium 4, lanado em janeiro de 2002, trabalha com frequncias de
1300 a 4000 MHz, com 55 milhes de transistores CMOS 130 nm. A srie
de chips Radeon 2000, por exemplo, atinge os 500 milhes de transistores,
chegando casa dos 40 nm.
A placa de vdeo da AMD Radeon HD 6870, lanada em outubro de 2010,
trabalha com frequncias de 900 MHz na GPU, 4200 MHz de frequncia
de memria do tipo GDDR5 (interface de 256 bits), tem 1,7 bilho de
transistores, com processo de fabricao de 40 nm e um Core de 255 mm2.
Importncia
O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou
invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos
computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do
transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em
enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios.

 conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados

circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou
mesmo milhes de transistores , juntamente com outros componentes como
resistores e condensadores. Por exemplo, o microprocessador Cell do
console Playstation 3 tem aproximadamente 234 milhes de transistores,
usando uma arquitetura de fabricao de 45 nanmetros, ou seja, a porta de
controle de cada transistor tem apenas 45 milionsimos de um milmetro.
Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase
universal para tarefas no-mecnicas. Visto que um dispositivo comum,
como um refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle,
hoje frequente e muito mais barato usar um microprocessador contendo
alguns milhes de transistores e um programa de computador apropriado
para realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje em dia, tm substitudo
quase todos os dispositivos eletromecnicos, a maioria dos sistemas de
controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva
eletrnica, desde os computadores aos carros.
Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a
informao. Com os computadores transistorizados a oferecer a habilidade
de encontrar e ordenar rapidamente informaes digitais, mais e mais
esforos foram postos em tornar toda a informao digital. Hoje, quase
todos os meios na sociedade moderna so fornecidos em formato digital,
convertidos e apresentados por computadores. Formas analgicas comuns
de informao, tais como a televiso ou os jornais, gastam a maioria do seu
tempo com informao digital, sendo convertida no formato tradicional
apenas numa pequena frao de tempo.
Fabricao

Smbolos dos transistores bipolares

Os materiais utilizados na fabricao do transistor so principalmente o

Silcio (Si), o Germnio (Ge), o Glio (Ga) e alguns xidos. Na natureza, o
silcio um material isolante eltrico, devido conformao das ligaes
eletrnicas do seu tomo, gerando uma rede eletrnica altamente estvel.
Atualmente, o transistor de germnio menos usado, tendo sido substitudo
pelo de silcio.
O silcio purificado e passa por um processo que forma uma estrutura
cristalina em seus tomos. O material cortado em finos discos, que a
seguir vo para um processo chamado de dopagem, onde so introduzidas
quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados
(conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrnica,
introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de silcio. O Silcio realiza
ligaes covalentes de quatro eltrons. Quando adicionamos uma impureza
com 3 eltrons na ltima camada, faltar um eltron na ligao covalente,
formando os buracos e caracterizando a pastilha como pastilha P.
Quando adicionamos uma impureza com 5 eltrons na ltima camada, vai
sobrar um eltron na ligao covalente com o silcio. Esses eltrons livres
tm pouca interao com seu tomo, ento qualquer energia fornecida o faz
sair, sendo assim um eltron livre (assim se forma a pastilha N, que tem
esse nome por ter maior nmero de eltrons livres). A pastilha P tem menos
eltrons livres e mais "buracos" e a Pastilha N tem mais eltrons livres que
buracos. No podemos dizer que a pastilha P positiva nem que a pastilha
N negativa, porque a soma total de eltrons igual soma total de
prtons. Quando unimos a pastilha P e a pastilha N, os eltrons livres em
excesso na pastilha N migram para a pastilha P e os buracos da pastilha P
migram para a pastilha N. Deste modo a pastilha P fica negativa e a
pastilha N fica positiva. Isto o diodo.
O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P
(unindo-se dois diodos), criando-se um transistor do tipo PNP. O transistor
do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada
base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do
componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do
transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for NPN.
Cientistas portugueses do Centro de Investigao de Materiais (Cenimat)
da Faculdade de Cincias e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa,
conseguiram fabricar pela primeira vez transistores com papel . Essa equipe
de investigadores foi liderada por Elvira Fortunato e Rodrigo Martins.

Funcionamento

Transstor moderno de alta potncia

No transistor de juno bipolar ou TJB (BJT Bipolar Junction Transistor
na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor feito
injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno
coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor
polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base suficiente para
estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta
corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com
o ganho. Isso permite que o transistor funcione como amplificador pois ao
se injetar uma pequena corrente na base se obtm uma alta tenso de sada.
No entanto o transistor de silcio s permite seu funcionamento com uma
tenso entre base e emissor acima de 0,7V e 0,3V para o germnio.
Caractersticas de um transistor

Smbolo do transstor em calada portuguesa na Universidade de Aveiro

O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta

do transistor ou por hFE, que dado pela expresso iC = iB x
iC: corrente de coletor
iB: corrente de base
: beta (ganho de corrente DC)
Configuraes bsicas de um transistor:
Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC) , cada uma com suas
vantagens e desvantagens.
Base comum (BC)
Baixa impedncia(Z) de entrada.
Alta impedncia(Z) de sada.
No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de corrente igual a um.
Coletor comum (CC)
Alta impedncia(Z) de entrada.
Baixa impedncia(Z) de sada.

 No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.

Amplificao de tenso igual a um.
Emissor comum (EC)
Mdia impedncia(Z) de entrada.
Alta impedncia(Z) de sada.
Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180.
Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.
Os transistores possuem diversas caractersticas. Seguem alguns exemplos
dos parmetros mais comuns que podero ser consultadas nos datasheets
dos fabricantes:
Tipo: o nome do transistor.
Pol: polarizao; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP.
VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor.
IC: corrente mxima do coletor.
PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar
hFE: ganho (beta).
Ft: frequncia mxima.
Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o
transistor nos fornece a identificao dos terminais.
Existem tambm outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de
campo (transistores FET, de Field Effect Transistor); neste caso, o
controle da corrente feito por tenso aplicada porta.
FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor, Transistor de
Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona atravs do

efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas

aplicaes na rea de amplificadores (operando na area linear), em chaves
(operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga.
Os FETs tm como principal caracterstica uma elevada impedncia de
entrada o que permite seu uso como adaptador de impedncias podendo
substituir transformadores em determinadas situaes,alm disso so
usados para amplificar frequncias altas com ganho superior ao dos
transistores bipolares.
Polarizao
Um FET para uso geral apresenta trs terminais: porta (gate), fonte (source)
e dreno (drain),que permitem seis formas de polarizao, sendo trs as mais
usadas: fonte comum (fonte ligado entrada e sada simultaneamente),
porta comum (porta ligada entrada e saida simultaneamente) e dreno
comum (dreno ligado entrada e saida simultaneamente).
Categorias
O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua
vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias:
MOSFET tipo Intensificao;
MOSFET tipo Depleo.

Corte em seo de um MOSFET tipo-n

Os termos depleo e intensificao definem o seu modo bsico de
operao, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal xido
Semicondutor.
Histria
Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld em 1926 e por Oskar
Heil em 1934.
Em 1960 John Atalla desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias de
William Shockley sobre o efeito de campo.

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

I . Introduo
Desde a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, pelos
laboratrios Bell em 1957, houve um grande avano nos dispositivos
semicondutores de potncia.
Para serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiturem
as rudimentares vlvulas ignitron, phanotron e thyratron, os dispositivos
semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas
tenses reversas em seu chaveamento. Alm disso, em vrias aplicaes de
eletrnica de potncia, h necessidade de uma operao em elevadas
freqncias de chaveamento dos dispositivos semicondutores, como, por
exemplo, os inversores de tenso, necessrios para a construo de filtros
ativos de potncia. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem
possuir baixas perdas de potncia durante o chaveamento.
At 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados
para o controle de potncia em aplicaes industriais. Desde 1970, vrios
tipos de dispositivos semicondutores de potncia foram desenvolvidos e se
tornaram disponveis comercialmente. Estes dispositivos podem ser
amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potncia, os tiristores,
os transistores bipolares de juno de potncia, os MOSFETs de potncia,
os SITs (Static Induction Transistor) e os IGBTs (Insulated Gate Bipolar
Transistor), assunto desta dissertao.
Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares
de potncia elevada impedncia de entrada dos MOSFETs, o IGBT se
torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potncia de uso
industrial e at mesmo em eletrnica de consumo e embarcada.
Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que
permitem sua utilizao no controle de elevadas correntes com muitas
vantagens, como baixas perdas no estado de conduo. No entanto, as suas
caractersticas de entrada, exigindo correntes elevadas de base, j que
operam como amplificadores de corrente, trazem certas desvantagens em
algumas aplicaes.
Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de potncia
podem tambm controlar potncias elevadas com muitas vantagens pelo
fato de exigirem tenso para o disparo, pois, embora sejam dispositivos de
alta impedncia tm como desvantagem uma baixa velocidade de

comutao devida s capacitncias de porta (Gate) que aumentam com a

intensidade de corrente (Largura do canal) que deve ser controlada. No
entanto, para baixas correntes de conduo atravs do canal, o MOSFET
pode operar com elevadas freqncias.
O IGBT rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua
elevada impedncia de entrada com as pequenas perdas em conduo dos
TBP (Transistores Bipolares de Potncia). Sua velocidade de chaveamento
determinada, a princpio, pelas caractersticas mais lentas as quais so
devidas s caractersticas do TBP. Assim, a velocidade dos IGBTs
semelhante dos TBP; no entanto, nos ltimos anos tem crescido
gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de
kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de
Ampres.
Juntando o que h de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT
um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutao
de carga de alta corrente em regime de alta velocidade.
Abaixo, apresentamos um grfico contendo uma comparao entre
os principais dispositivos semicondutores de potncia quanto s suas
caractersticas de tenso, corrente e freqncia de operao. Nesta figura,
vemos que os tiristores so os dispositivos que conseguem suportar os
maiores valores de corrente e tenso, mas no podem operar em
freqncias de chaveamento elevadas. Como podemos ver a partir desta
figura, os IGBTs possuem uma capacidade de suportar maiores tenses e
podem operar em mais altas freqncias que os transistores bipolares de
potncia e podem suportar maiores tenses e correntes que os MOSFETs
de potncia. Como podemos notar a partir deste grfico, a regio de
operao segura do IGBT maior que as regies reservadas ao MOSFET e
ao transistor TBP, o que era desejado.

Apresentamos aqui nesta dissertao como operam fisicamente os

IGBTs e apresentaremos o modelo para descrio do seu funcionamento.
Sero tambm mostradas as pginas do manual de um fabricante de IGBT
para ilustrar as caractersticas de operao deste dispositivo. Por fim, ser
apresentada uma aplicao dos IGBTs em eletrnica de potncia para
mostrar a utilidade do dispositivo.

II . Operao Fsica do IGBT

Na figura a seguir, apresentamos a estrutura de um tpico IGBT de

canal tipo N. Todas as discusses apresentadas aqui esto relacionadas com
o dispositivo de canal tipo N, pois o canal tipo P anlogo e possui uma
operao fsica dual quela apresentada para o de canal tipo N.

Sua estrutura muito semelhante quela apresentada por um transistor

MOSFET. Onde, no caso o IGBT, teremos uma dupla difuso de uma
regio do tipo P e uma do tipo N.
Abaixo da regio da porta (Gate), uma camada de inverso pode ser
formada a partir da aplicao de uma certa tenso entre a porta e o emissor
(emitter), tal como feito em um MOSFET para faz-lo entrar em
conduo.
A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um
MOSFET a incluso de um substrato P+ (O smbolo + foi colocado
para indicar que esta regio fortemente dopada, enquanto que o smbolo
- indica que a regio fracamente dopada) onde conectado o terminal
de coletor (collector). Esta mudana tem como efeito a incluso de
caractersticas bipolares ao dispositivo. Esta camada P+ tem como objetivo
a incluso de portadores positivos lacunas na regio de arrastamento
(Drift region) como feito em um transistor bipolar do tipo pnp.
Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de porta
est conectado duas regies isoladas do material semicondutor atravs
de uma camada isolante de xido de silcio (SiO 2) ao invs de ser apenas
uma regio como costumamos ver em MOSFETs. Assim, como veremos,
o IGBT apresenta formao de dois canais ao invs de apenas um.

O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os

estados de conduo (On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados
pela tenso de porta, assim como em um MOSFET.
Se aplicarmos uma pequena tenso de porta positiva em relao ao
emissor, a juno J1 da figura anterior ficar reversamente polarizada e
nenhuma corrente ir circular atravs dessa juno. No entanto, a aplicao
de uma tenso positiva no terminal de porta far com que se forme um

campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das

lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse
mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo da porta.
Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos
terminais de porta, no haver conduo de corrente entre o emissor e o
coletor porque a juno J2 estar reversamente polarizada, bloqueando a
corrente. A nica corrente que poder fluir entre o coletor e o emissor ser a
corrente de escape (leakage).
Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de
breakdown, determinada pela tenso breakdown da juno J2. Este um
fator extremamente importante, em particular para dispositivos de potncia
onde grandes tenses e correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown
da juno J2 dependente da poro mais fracamente dopada da juno,
isto , a camada N- . Isto s deve ao fato de que a camada mais fracamente
dopada resulta em uma regio de depleo desta juno mais larga. Uma
regio de depleo mais larga implica em um valor mximo de campo
eltrico na regio de depleo que o dispositivo poder suportar sem entrar
em breakdown mais baixo, o que implica no fato de que o dispositivo
poder suportar altas tenses na regio de corte. Esta a razo pela qual a
regio N- da regio de arrastamento mais levemente dopada que a regio
tipo P da regio de corpo (Body). Os dispositivos prticos geralmente so
projetados para possurem uma tenso de breakdown entre 600 V e 1200 V.
Ao aplicarmos uma tenso entre porta e emissor do dispositivo,
fazendo a porta possuir uma tenso positiva com relao ao emissor, uma
corrente de pequena intensidade e de curta durao circula pela porta de
forma a carregar a capacitncia parasita que existe entre a porta e a poro
semicondutora logo abaixo do terminal de porta. Como j foi dito, a tenso
faz com que um campo eltrico aparea entre o terminal de porta e a poro
de semicondutor p logo abaixo da porta. Este campo eltrico atrai alguns
eltrons livres da prpria regio tipo p e alguns eltrons livres das pores
n+ localizadas dentro desse substrato p, em virtude do fato de essa regio
estar fortemente dopada. Ao aumentarmos a tenso entre a porta e o
emissor, conseqentemente, aumentaremos esse campo eltrico e mais
portadores negativos sero atrados para a regio imediatamente abaixo do
terminal de porta.
Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge um determinado
valor limite que depende do dispositivo conhecida como tenso de
limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a quantidade de eltrons
livres atrados pelo campo eltrico tamanha que a regio imediatamente
abaixo da porta acaba por se transformar do tipo p para o tipo n, fenmeno

conhecido como inverso sendo a camada que sofreu o processo recebe o

nome de camada de inverso, mais comumente conhecida como canal.
Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo n entre a
pequena regio n+ e a regio de arrastamento, tal canal permite a conduo
de corrente atravs de uma pequena regio na juno J1 que estava
reversamente polarizada antes de a tenso entre porta e emissor atingir o
valor limiar. Dessa forma, eltrons sero transportados atravs deste canal
at a regio de arrastamento onde iro fazer parte da corrente que circula
pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo com que o diodo
formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a
camada p+ conectada ao coletor injeta lacunas positivamente carregadas na
regio de arrastamento n-.
Essa injeo de lacunas da regio de arrastamento causa a modulao
da condutividade da regio de arrastamento onde as densidades de ambos
os portadores, eltrons livres e lacunas, atingem valores muito mais
elevados que quela que a regio n- geralmente apresenta. esta
modulao de condutividade que d ao IGBT sua baixa tenso de conduo
entre os terminais de coletor e emissor do IGBT por causa da reduzida
resistncia da regio de arrastamento isto se deve ao fato de que a
condutividade de um material semicondutor proporcional densidade de
portadores deste material. Assim, o IGBT poder drenar correntes elevadas
com poucas perdas de potncia, assim como o que ocorre em um transistor
bipolar.
Algumas das lacunas injetadas na regio n- so recombinadas nesta
mesma regio com os eltrons livres desta camada. No entanto, a maior
parte das lacunas que alcanam a regio no se recombinam e alcanam a
juno J2 que est reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram
um campo eltrico favorvel ao seu movimento, justamente por causa da
polarizao reversa da juno. Com este campo eltrico da juno J2, as
lacunas sero arrastadas por meio da corrente de difuso pela regio de
arrastamento atravessando a juno J2 at serem coletadas pela regio do
tipo p onde est conectado o terminal de coletor.
A operao fsica do IGBT descrita aqui ilustrada na figura
apresentada abaixo:

Analisando a figura acima e verificando como a operao fsica do

IGBT, podemos facilmente deduzir um modelo para descrever o
funcionamento do dispositivo usando apenas componentes eletrnicos
conectados de forma a funcionar de modo equivalente ao IGBT. Olhando a
figura acima, vemos que temos ao longo do dispositivo trs fatias de
semicondutores formando uma juno PNP que a mesma que forma um
transistor bipolar de potncia cuja base conectada regio central e os
terminais de coletor e emissor so conectados do mesmo modo que no TBP.
Na parte de cima da figura, temos uma estrutura que opera exatamente
como um MOSFET de potncia cuja corrente de dreno injetada na regio
de arrastamento que corresponde base do transistor PNP de potncia que
temos ao longo do IGBT. Essa corrente de dreno do MOSFET atua como o
disparo do transistor. Assim, podemos modelar o IGBT pelo circuito
equivalente da figura abaixo.

A figura 3 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito

equivalente do IGBT que inclui o transistor parasita pela regio tipo n+ da
fonte do MOSFET, a regio de corpo do MOSFET do tipo p e a regio de
arrastamento tipo n-. Neste modelo tambm apresentada a resistncia
lateral da regio tipo p da regio de corpo. Se a corrente fluindo atravs
dessa resistncia for elevada o suficiente, teremos uma queda de tenso que
ir polarizar diretamente a juno entre esta camada semicondutora e a
regio n+ ativando o transistor parasita que forma um tiristor parasita
juntamente com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT. Uma vez
que o tiristor tenha sido disparado, h uma elevada injeo de eltrons
livres oriundos da regio tipo n+ na regio tipo p do substrato do
MOSFET, fazendo com que a tenso de gate no influa mais na operao
do dispositivo assim como o que ocorre com os tiristores fazendo com
que o controle da operao do IGBT seja perdido. Este fenmeno
denominado latch-up , quando ocorre, geralmente conduz destruio do
dispositivo. Geralmente, os fabricantes de IGBT constroem o molde da
superfcie do emissor em forma de uma tira estreita, enquanto que a
geometria utilizada em MOSFETs baseada em clulas concentradas, tal
fato permite que se evite o disparo do tiristor parasita existente na estrutura
do IGBT.
Na figura apresentada a seguir, temos o smbolo utilizado em circuitos
para designar o IGBT. Neste smbolo vemos detalhes que lembram tanto o
smbolo usado para transistores bipolares como o smbolo usado para

MOSFETs. Tambm apresentamos um desenho do aspecto do IGBT

produzido como componente discreto pela International Rectifier.

Os IGBTs so componentes usados principalmente como

comutadores em conversores de freqncia, inversores etc. Nestas
aplicaes, normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo
com isso aparecer tenses inversas elevados, contra as quais o dispositivo
deve ser protegido. Essa proteo feita com o uso de diodos ligados em
paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tenso
reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de
corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um
curto. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o
diodo bloqueie a tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se
soma corrente de carga a qual chamada de corrente reversa de
recuperao do diodo IRR. O mximo de corrente I RR ocorre quando a soma
das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo se iguala tenso de
alimentao. Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de
corrente, e isso faz com que o pico de sobretenso aparea devido

variao de corrente nas indutncias parasitas. Este pico de tenso

responsvel por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a
conduo de dois dispositivos semelhantes quando usados numa
configurao de meia-ponte, como o que ser mostrado no exemplo de
aplicao desse dispositivo.
Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo
dispositivo de comutao o Efeito Miller.
O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletoremissor (VCE) atravs da capacitncia existente entre a porta e o coletor do
dispositivo (CGC).
Isso que dizer que uma variao da tenso entre o coletor e emissor
(VCE) tem o mesmo efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de
polarizao , onde a intensidade desta corrente dada pela expresso:

I G C GC VCE

VCE
t

Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso

entre coletor e emissor. As maiores variaes de C CG ocorrem justamente
com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em conseqncia disso
temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:

Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e VGE igual a

zero ou negativo com uma corrente constante carregando a porta, um
aumento linear da tenso de porta obtido.
Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE a corrente de
polarizao de porta usada para carregar C GC, e a tenso de porta
permanece constante.
Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, C GC
aumenta de valor de tal forma que, uma pequena variao de VCE
suficiente para levar a um aumento da corrente de porta. Somente quando a

corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de porta

aumenta.

Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa , VGE positiva ou

maior que a tenso limiar Vth a tenso de porta inicialmente decresce
quase que linearmente (pela fonte de corrente constante de descarga). A
diminuio da capacitncia com o aumento da carga aumenta a tenso.
Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da porta,
a tenso porta-emissor se mantm constante.

Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de

descarga da porta usada para manter a tenso de porta constante. O
processo de carga termina quando VCE alcana a tenso de operao.
devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutao
(ligado ou desligado) usada antes de tudo para mudar a carga C GC. Isto
explica porque, carregando ou descarregando , a porta tem sua velocidade
de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de C GC e VCC
regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na
porta usada. Isso esclarece porque um resistor de grande valor ligado em
srie com a porta faz que todos os eventos que envolvam a comutao de
uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado.
As caractersticas de tenso e corrente de um IGBT se assemelham
muito com as caractersticas de um transistor MOSFET e de u transistor
bipolar de potncia. Para uma visualizao das caractersticas de um IGBT
real, apresentamos aqui o manual dos IGBTs fabricados pela Mitsubishi,
no formato .PDF.

III . Aplicaes de IGBT Um Inversor de Tenso.

Uma das aplicaes de IGBT que mais so utilizadas em eletrnica de

potncia a construo de inversores de tenso, os quais produzem tenso
alternada atravs de tenso contnua. Tal processo muito utilizado na
construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso
HVDC (High Voltage Direct Current) de energia eltrica. A Usina de Itaipu
pertencente ao Brasil e ao Paraguai (que durante muitos anos foi a maior
usina hidreltrica do mundo) produz energia com o sistema de corrente
alternada, sendo que metade da produo (pertencente ao Brasil) gerada
em 60Hz e a outra metade (pertencente ao Paraguai) gerada em 50Hz. No
entanto, boa parte da energia produzida pela parte paraguaia vendida ao
Brasil que consome tenso alternada em 60Hz. O problema foi resolvido
instalando-se um retificador de potncia que transforma a tenso a ser
transmitida em tenso contnua e a energia transmitida em DC at os
centros consumidores (o principal a cidade de So Paulo) onde
novamente alternada, agora em 60Hz para ser enviada aos transformadores
que iro abaixar a tenso para a distribuio entre os consumidores de
energia. Este inversor de tenso pode geralmente ser construdo com o uso
de GTOs (Gate Turn-Off Thyristor) ou IGBTs. No caso de inversores de
tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-se
preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em
elevadas freqncias.
O bloco bsico de construo de um inversor de tenso usando IGBTs
apresentado no esquema abaixo:

As tenses de porta de cada um dos IGBTs so controladas a partir de

uma Mquina de Estados Finitos, onde cada estado corresponde ao
chaveamento de apenas trs IGBTs (cada um em uma associao em srie
diferente com um na parte de cima e outro na parte de baixo), a ordem de
chaveamento mostrada nos grficos apresentados abaixo, onde temos as
tenses em cada uma das chaves com o tempo e a tenso total entre a fase
C e o neutro da associao em Y na sada do transformador apresentado na
figura acima.

Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito

ao neutro formada por seis segmentos idealmente retos, como mostrado
na figura. Por isso, este bloco funcional denominado de um inversor de 6
segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a mesma forma
de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma
em relao outra.

Esta forma de onda na sada semelhante a uma forma de onda

senoidal, embora ainda possua muita distoro harmnica (possui
componentes harmnicos de freqncias mais altas). Para melhorar o
desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais
blocos de inversores de 6 segmentos como o mostrado acima em srie, da
seguinte forma apresentada na figura abaixo:

Cada um dos inversores mostrados na figura acima idntico ao

inversor de 6 segmentos do esquema anterior e geram as mesmas formas de
onda. No entanto, o primeiro transformador do tipo Y-Y, fazendo com que
a forma de onda na sada no apresente nenhuma defasagem com relao
ao sinal original; j no caso do segundo transformador do tipo -Y, temos
que a sada ser defasada em 30 com relao forma de onda original.
Assim, a sada deste inversor ser formada pela forma de onda de 6
segmentos normal somada a esta mesma forma de onda deslocada de 30, o
que ir gerar uma forma de onda na sada de 12 segmentos como mostrado
abaixo:

Como podemos ver, essa forma de onda se aproxima mais de uma

senide do que a forma de onda anterior. Para suavizar esta forma de onda
de forma que se aproxime mais de uma senide, bastando para isso utilizar
um filtro passa-baixas para eliminar as componentes de altas freqncias
que so responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e
causam um elevado fator de distoro harmnica.
Este exemplo foi apresentado aqui para ilustrar uma forma de
aplicao do IGBT na prtica, como uma chave em aplicaes de elevadas
potncias.

BIBLIOGRAFIA:
Winkipedia.com.br
http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT