CMOS

INDICE
- FENOMENOS DE LAS DESCARGAS ELECTROMAGNETICAS
DE LOS CMOS
- INDICE SEGUN LAS CARACTERISTICAS DE LOS CMOS

LA FAMILIA LOGICA CMOS

La familia lgica CMOS es, junto con la TTL, una de las familias lgicas ms
populares. Utiliza transistores MOSFET complementarios (canal N y canal P)
como elementos bsicos de conmutacin. CMOS es una abreviacin de
Complementary
Metal
Oxide
Semiconductors
(semiconductores
complementarios de xido metlico). Los circuitos integrados digitales fabricado
mediante tecnologa CMOS se pueden agrupar en las siguientes categoras o
subfamilias bsicas:
CMOS ESTANDART
CMOS DE ALTA VELOCIDAD (HC)
CMOS COMPATIBLE CON TTL (HCL)
CMOS EQUIVALENTE A TTL c

Familia
estndar

CMOS

La familia CMOS estndar comprende principalmente los dispositivos que se

designan como 40XX (4012, 4019), etc.) Y 45XX (4528, 4553, etc.). Existen dos
series generales de dispositivos CMOS designadas A y B.
Los dispositivos de la serie A se designan con el sufijo A (por ejemplo 4011A)
o simplemente no lo traen (4011 = 4011A). Todos los dispositivos de la serie B
llevan el sufijo B (por ejemplo 4029B).
La principal diferencia entre los dispositivos de las series A y B est en que los
CMOS B contienen una circuitera interna de proteccin que reduce el riesgo
de dao del dispositivo por el fenmeno de descarga electrosttica .
De otro lado, los dispositivos CMOS B tienen frecuencia de operacin ms
altas, tiempos de propagacin ms cortos y mayor capacidad de salida (fan-out)
que los dispositivos de la serie A. En este curso se trabaja con dispositivos de
ambas series (40XX, 40XXB, 45XX y 45XXB) pero preferiblemente con los e la
serie B
Caractersticas
integrados
CM
OS

de

los

circuitos

Las caractersticas ms sobresalientes de las

familias CMOS estndares 40 y 45 son, a grandes
rasgos, las siguientes:
Es la ventaja
Baja disipacin de ms
potencia.
sobresaliente. En estado de reposo, una compuerta

(74C14, 74C164, rtc.). Son pin por pin y funcin por

funcin equivalentes a los dispositivos TTL

correspondientes (especialmente a los de la serie
74L)
Conservan todas las caractersticas comunes a
los dispositivos CMOS estndares: baja
disipacin de potencia, buena velocidad de
operacin, amplios
mrgenes de oltaje, alta inmunidad al ruido, etc.

Se espera que la 74C sea la serie CMOS estndar

del

CMOS tpica consume alrededor de 10 nanovatios.

Este bajo consumo de potencia simplifica el diseo
y el costo de la fuente de alimentacin.
Por esta razn, los circuitos integrados CMOS se
utilizan extensamente en equipos operados por
pilas o bateras.
Buena verdad de operacin. Los circuitos

integrados CMOS son tpicamente ms lentos que

los TTL pero suficientemente rpidos para la
mayora de las aplicaciones. Pueden operar a
frecuencias hasta de 10 Mhz y tienen tiempos de
propagacin del orden de 10 a 50 nanosegundos
por compuerta.
Amplios mrgenes de tensin
de alimentacin

Los dispositivos de la serie 40XXA pueden operar

con tensiones entre + 3 y + 15 voltios y los de la
serie
40XXB con tensiones entre + 3 y + 18 voltios. La
tensin de alimentacin se designa como VDD.
Algunos valores tpicos para VDD son +5V y +
10V. Este, amplio rango de alimentacin
permite utilizar fuentes de voltajes no
reguladas.
Cuando se emplean circuitos TTL y CMOS en el
mismo sistema, se utiliza generalmente una tensin
de alimentacin de + 5V.
Cuando hay circuitos TTL y CMOS trabajando a
tensiones diferentes deben hacerse compatibles
los niveles lgicos de ambas familias mediante
circuitos apropiados de interfase.
Los niveles de voltaje de 0 a 0.3 VDD, para
estado bajo y de 0.7 VDD para el estado alto.
Por ejemplo, si se utiliza una tensin de
alimentacin VDD de 10V.
Los dispositivos CMOS interpretarn un voltaje
entre 0 y3 voltios como un estado lgico bajo 0 y

un voltaje entre 7 y 10 voltios con un estado lgico

alto 1.

Alta inmunidad al Los circuitos CMOS

ruido. son

esencialmente inmunes al ruido electromagntico

(EMI) externo generado por aparatos elctricos,
lneas de transmisin, descargas atmosfricas,
etc.
Esta caracterstica los hace excelentes en
aplicaciones industriales y automotrices, donde son
comunes los altos niveles de ruido.
Otros circuitos integrados CMOS
Adems de las series CMOS estndares 40 y 45
existen varias subfamilias CMOS cada vez ms
importantes. Las ms conocidas son:
Comprende los
CMOS equivalente a
TTL.
dispositivos designados como 74CXX y 74CXXX

futuro. Es un 50% ms rpida que las series 40 y

45, pero consume un 50% ms de potencia.

CMOS de alta velocidad. Comprende los

dispositivos designados como 74HCXX y
74HCXXX (74HC85,
74HC373, etc.). Tienen las mismas caractersticas
de entrada y de alimentacin de los dispositivos
CMOS estndares y son pin por pin compatibles
con los dispositivos TTL. LS correspondientes
(74LS85,
74LS373, etc.).
La serie 74HC ofrece velocidades de operacin
comparables a los de la serie 74LS TTL Schottky
de baja potencia y superiores a las de las series
40, 45 y
74C. En los dems aspectos, sus caractersticas
son similares a las de estas ltimas. Siguen
siendo sensibles al dao por electricidad
esttica.
CMOS de alta velocidad con entradas TTL
Comprende los dispositivos designados como
74HCTXX y 74HCTXXX (74HC74, 74HC190, etc.).
Poseen las mismas caractersticas de los
dispositivos HC, excepto que sus entradas son
compatibles con los niveles lgicos de TTL. Tienen
la misma configuracin de pines de los dispositivos
TTL Schottky de baja potencia o LS.

Los dispositivos HCT constituyen la mejor

alternativa de que se dispone actualmente para
convertir total o parcialmente sistemas basados
en lgica CMOS.
COMPARACION DE LAS FAMILIAS
LOGICAS

Una tecnologa ideal debera producir dispositivos

con una velocidad de operacin muy alta y un
consumo de potencia muy bajo. Como hemos
visto. Ninguna de las tecnologas antes analizadas
satisface al mismo tiempo ambas condiciones
porque las rpidas consumen ms potencia y
viceversa.
En la figura siguiente se comparan cualitativa y

grficamente las familias TTL 74, 74L, 74H, 74S,

74LS,
74ALS, 74AS y las familias CMOS 40, 45, 74C,
74HC
y 74HCT, desde los puntos de vista de
velocidad y consumo de potencia.
Como puede verse, los dispositivos fabricados
con tecnologa CMOS de alta velocidad (HC)
son lo ms prximo al ideal de familia lgica.
La tecnologa HC proporciona el mejor
compromiso entre velocidad de operacin y
consumo de potencia de todas las tecnologas de
fabricacin de citcuitos integrados digitales.

Entre los dispositivos TTL, excluyendo los de las

familias avanzadas, sobresalen por sus

caractersticas de velocidad y consumo los
fabricados con tecnologa Schottky de baja
potencia (LS).
En el momento actual, la 74LS es la serie
ms importante de la familia TTL y la ms

utilizada.

EL FENOMENO DE LAS
DESCARGAS ELECTROSTATICAS
DE LOS CMOS
Todos los dispositivos CMOS son particularmente

susceptibles al dao por descarga electrosttica

(ESD) entre cualquier par de pines.
La electrosttica o electricidad esttica consiste
en la creacin, conciente o inconsciente, de los
altos voltajes en la superficie de un material
aislante por efecto de friccin o frotamiento.
Esta sensibilidad a la carga esttica se debe
a la extremadamente alta impedancia de
entrada que caracteriza a los transistores

MOS.

Esta alta impedancia permiten que se desarrollen

fcilmente voltaje prohibitivos, capaces de

destruir la delgada capa de xido aislante que
separa la compuerta del canal en estos
dispositivos.
La electricidad esttica est siempre presente
en cualquier ambiente de trabajo. Se genera
cada vez que se frotan dos materiales

diferentes.

Cuando usted camina a travs de una alfombra

en un da seco, usted genera un voltaje esttico
(cralo) de
35000 V (35 KV) y manipulando una bolsa
plstica usted genera 20000 (20 KV).
Un circuito integrado CMOS se destruye con
voltajes estticos entre 250 y 3000 V y cuando

usted lo manipula inadecuadamente puede

aplicarle hasta
6000 voltios de electricidad esttica.

El efecto inmediato de una descarga

electroesttica de alto voltaje de un circuito
integrado CMOS es la destruccin definitiva o el
deterioro a corto o largo
plazo de la capa de xido aislante que separa la
compuerta del canal en sus transistores MOSFET
de entrada.
El dao por descarga electrosttica de los
dispositivos CMOS puede ser controlado o incluso
eliminarse el uso de una estrategia apropiada de
prevencin.
La idea bsica detrs de la mayora de tcnicas
es mantener todos los pines del dispositivo al
mismo potencial, para evitar que se desarrollen
voltajes

estticos excesivos entre ellos.

Otros mtodos son puro sentido comn: un
dispositivo CMOS no debe manipularse ms de lo
necesario. Esto es aplicable tambin a dispositivos
TTL Schottky y en general a cualquier circuito
integrado.
Los dispositivos CMOS vienen generalmente

empacados en contenedores que sirven para

reducir el riesgo de dao por descarga
electrosttica y mantienen todos los pines al
mismo potencial. Los contenedores ms comunes
(espumas y fundas) antiestticas) se ilustran en
la figura siguiente.
Es prudente conservar los dispositivos CMOS en
sus contenedores originales hasta que sea
tiempo de utilizarlos en el circuito de aplicacin.

Cuando se manipulan dispositivos CMOS puede

ser necesario adoptar precauciones extras para
prevenir descargas estticas. Se recomienda, por
ejemplo, que el usuario y la superficie de trabajo
estn puestos a tierra, esta ltima a travs de una
alta resistencia (2 a
10 M).
Otro mtodo es incrementar la humedad
relativa del sitio de trabajo. Las herramientas
tambin debern estar preferiblemente puestas
a tierra.
Las tarjetas de circuito impreso y en general los
productos terminados que contienen dispositivos
CMOS debern ser manipulados de la misma
forma que los circuitos integrados individuales y
almacenarse en espumas o bolsas antiestticas.
En resumen, existen tres reglas bsicas para
utilizar circuitos integrados CMOS y prevenir su
dao por electricidad esttica:
1.- Conserve el circuito integrado en su
contenedor original hasta que sea insertado en
el circuito de utilizacin.
2.- Conecte todas las entradas no utilizadas a un
nivel estable; esto es, envelas al positivo o al
negativo de la fuente, dependiendo del circuito. No
las deje flotantes.

3.- Revise cuidadosamente la polaridad de la

fuente de alimentacin. El positivo debe ir al
terminal identificado como VDD o VCC y el negativo
o tierra al terminal identificado como VSS o GND en
el manual del fabricante o en las especificaciones.