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TRANSISTOR

1. INTRODUO
O transistor, desenvolvido em 1948 por SCOCKLEY BARDEEN
e BRATTAIN, foi o responsvel direto pelo atual
desenvolvimento da Eletrnica e da Informtica. Ainda que
nos dias de hoje, sua aplicao como componente isolado
seja um tanto restrita, este componente utilizado em larga
escala na construo de circuitos integrados.
Apenas como exemplo, citamos que um circuito integrado LSI
(large scale of integration) utiliza algumas dezenas de
milhares de transistores.

2. ESTRUTURAS DO TRANSISTOR
possvel construir dois tipos de transistores que so formados
por combinaes diferentes de materiais semicondutores. Os
materiais tipo P e tipo N so montados alternadamente em trs
camadas, resultando em transistor tipo NPN ou PNP.

O transistor possui trs terminais chamados de emissor, base e


coletor:
E emissor

B base

C coletor

A estrutura dos transistores representados a seguir apenas


funcional e no real. As simbologias usuais para os transistores
tipo NPN e PNP so as seguintes:

3. FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
De forma sucinta, podemos explicar o funcionamento do transistor da
seguinte forma:
a) se a tenso entre a base e o emissor (VBE) for insuficiente para
vencer a barreira de potencial da juno PN da base/emissor (menor
que 0,7V), no h corrente circulando pelo transistor;
IC = 0
C
N

IB = 0
R
V

B
E

BB

IE = 0

CC

b) ligando apenas a fonte de polarizao de coletor (VCC), entre o


coletor e emissor haver uma juno inversamente polarizada;

IC = 0
C
N

IB = 0
R
V

B
E

BB

IE = 0

CC

c) com a corrente entre base e emissor, a base fica carregada de


eltrons, sendo, ento atrados pelo potencial positivo da fonte Vcc,
ligado no terminal coletor do transistor;

IC > 0
C
N
R
IB > 0
R

E
V

BB

IE = IB + IC

CC

d) aumentando a corrente na base (IB), mais eltrons estaro


presentes na base, e, consequentemente, aumentar tambm a
corrente no coletor (IC);
I C m a io r

C
N
R
I B m a io r
R
V

CC

E
BB

I E m a io r

e) no transistor, uma pequena corrente na base provoca uma corrente


de 10 a 1.000 vezes maior no coletor.

4. CURVAS CARACTERSTICAS
As curvas caractersticas estabelecem as relaes de entrada e sada
do transistor. O circuito utilizado para o levantamento das curvas
caractersticas pode ser o seguinte:

Vbb - fonte de polarizao da base


Vcc - fonte de polarizao de coletor
RB - resistor de polarizao de base
RC - resistor de polarizao de coletor
VCE - tenso de coletor-emissor

VBE - tenso entre base-emissor


VCB - tenso entre coletor-base
IB - corrente de base
IC - corrente de coletor
IE - corrente de emissor

4.1 - CURVA CARACTERSTICA DE ENTRADA

Note que a curva caracterstica


de entrada semelhante de
um diodo, porque entre a base
e o emissor existe uma juno
PN que est diretamente
polarizada.

4.2 - CURVA CARACTERSTICA DE SADA

CURVA CARACTERSTICA DE SADA

IC (m A )
400
IB = 3 m A

300
200

IB = 2 m A

100

IB = 1 m A

IB = 0 m A

10

15

20

25

30

CE

(V )

a) a regio de corte ocorre quando a corrente de base (IB) igual a


zero. Isto faz com que o transistor no conduza corrente, nesta
situao diremos que o transistor est cortado.
IC (m A )
400
IB = 3 m A

300
200

IB = 2 m A

100

IB = 1 m A
IB = 0 m A

10

15

20

25

R E G I O
DE CORTE

30

CE

(V )

b) a regio de saturao onde a tenso VCE muito pequena. Neste


ponto o transistor atua como uma chave fechada
IC (m A )
400
R E G I O D E
SATURAO

IB = 3 m A

300
200

IB = 2 m A

100

IB = 1 m A
IB = 0 m A

10

15

20

25

R E G I O
DE CORTE

30

CE

(V )

c) a regio compreendida entre a regio de corte e de saturao denominada


de regio ativa ou regio linear. a regio onde o transistor utilizado como
amplificador de sinais.
R E G I O
A T IV A

IC (m A )
400
R E G I O D E
SATU RA O

IB = 3 m A

300
200

IB = 2 m A

100

IB = 1 m A
IB = 0 m A

10

15

20

25

R E G I O
DE CORTE

30

CE

(V )

d) note que quando a corrente de base igual a 2mA, a corrente de coletor igual
a 200mA, isto , 100 vezes maior. Isto sugere que o transistor um amplificador
de corrente. A relao entre a corrente de coletor e a corrente de base
denominada de coeficiente de amplificao do transistor ( ou hfe):
R E G I O
A T IV A

IC (m A )

= IC
IB

400
R E G I O D E
SATURAO

IB = 3 m A

300
200

IB = 2 m A

100

IB = 1 m A
IB = 0 m A

10

15

20

25

R E G I O
D E CORTE

30

CE

(V )

Se 100 ,
podemos
considerar
que :
IE = I C

5. TRANSISTOR COMO CHAVE


Este circuito muito utilizado em acionamentos de cargas (lmpadas,
motores eltricos, rels etc.). a forma mais simples de utilizao de
um transistor consistindo em operar em corte ou saturao,
semelhantemente a uma chave eltrica abrindo ou fechando. A
vantagem deste tipo de circuito que com uma pequena corrente,
acionamos uma carga de grande potncia.

Efetuando uma anlise do circuito, temos:


a) o funcionamento do circuito de entrada representado pela
equao:
Vent. = VRB + VBE
b) o funcionamento do circuito de sada obedece a equao:
VCE = VCC - VRL

Caso a carga seja indutiva (bobina de rel, por exemplo) no momento


do acionamento ocorre uma oscilao na tenso da bobina, gerando
tenses com picos positivos e negativos. O pico negativo gerado que
pode danificar o transistor eliminado com a instalao de um diodo
que curto circuita este pico negativo de tenso:

Exemplo - O circuito da figura a seguir mostra um transistor sendo utilizado para o


acionamento de um motor de corrente contnua (M). Quando Ventr = 0, o motor
estar desligado e para Vent. = 5V o motor estar ligado. Sabendo-se que o
transistor possui =100, VBE = 0,7V e que o motor opera com 48V e 2A, pede-se
calcular o valor de RB:

D
VRB

IB

VRL

M
IC

VCE
R
V e n tr = 5 V

VBE

V cc = 4 8 V

IE

a) se Vent. = 0V, o transistor estar cortado e o LED apagado;


b) se Vent. = 5V, o transistor estar saturado e o LED aceso. O
dimensionamento do circuito ser efetuado nesta situao

2) clculo de RB :
VCC = 48V
= 100

Vmotor = 48V
VBE = 0,7V

VCEsat = 0V

D
VRB

IB

Imotor = IC = 2A

VRL

M
IC

VCE
R
V e n tr = 5 V

VBE

IE

V cc = 4 8 V

- Clculo da corrente de base (IB):

IC
IB

IB

IC
2

0,02A
100

D
VRB

IB

VRL

M
IC

VCE
R
V e n tr = 5 V

VBE

IE

V cc = 4 8 V

- Clculo da tenso VRB:


Ventr = VRB + VBE
5 = VRB + 0,7
VRB = 5 - 0,7

VRB = 4,3V

D
VRB

IB

VRL

M
IC

VCE
R
V e n tr = 5 V

VBE

IE

V cc = 4 8 V

- Clculo de RB:
RB

VRB
4,3

215
IB
0,02

RB = 215

D
VRB

IB

VRL

M
IC

VCE
R
V e n tr = 5 V

VBE

IE

V cc = 4 8 V

FIM DA APRESENTAO