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1. INTRODUO
O transistor, desenvolvido em 1948 por SCOCKLEY BARDEEN
e BRATTAIN, foi o responsvel direto pelo atual
desenvolvimento da Eletrnica e da Informtica. Ainda que
nos dias de hoje, sua aplicao como componente isolado
seja um tanto restrita, este componente utilizado em larga
escala na construo de circuitos integrados.
Apenas como exemplo, citamos que um circuito integrado LSI
(large scale of integration) utiliza algumas dezenas de
milhares de transistores.
2. ESTRUTURAS DO TRANSISTOR
possvel construir dois tipos de transistores que so formados
por combinaes diferentes de materiais semicondutores. Os
materiais tipo P e tipo N so montados alternadamente em trs
camadas, resultando em transistor tipo NPN ou PNP.
B base
C coletor
3. FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
De forma sucinta, podemos explicar o funcionamento do transistor da
seguinte forma:
a) se a tenso entre a base e o emissor (VBE) for insuficiente para
vencer a barreira de potencial da juno PN da base/emissor (menor
que 0,7V), no h corrente circulando pelo transistor;
IC = 0
C
N
IB = 0
R
V
B
E
BB
IE = 0
CC
IC = 0
C
N
IB = 0
R
V
B
E
BB
IE = 0
CC
IC > 0
C
N
R
IB > 0
R
E
V
BB
IE = IB + IC
CC
C
N
R
I B m a io r
R
V
CC
E
BB
I E m a io r
4. CURVAS CARACTERSTICAS
As curvas caractersticas estabelecem as relaes de entrada e sada
do transistor. O circuito utilizado para o levantamento das curvas
caractersticas pode ser o seguinte:
IC (m A )
400
IB = 3 m A
300
200
IB = 2 m A
100
IB = 1 m A
IB = 0 m A
10
15
20
25
30
CE
(V )
300
200
IB = 2 m A
100
IB = 1 m A
IB = 0 m A
10
15
20
25
R E G I O
DE CORTE
30
CE
(V )
IB = 3 m A
300
200
IB = 2 m A
100
IB = 1 m A
IB = 0 m A
10
15
20
25
R E G I O
DE CORTE
30
CE
(V )
IC (m A )
400
R E G I O D E
SATU RA O
IB = 3 m A
300
200
IB = 2 m A
100
IB = 1 m A
IB = 0 m A
10
15
20
25
R E G I O
DE CORTE
30
CE
(V )
d) note que quando a corrente de base igual a 2mA, a corrente de coletor igual
a 200mA, isto , 100 vezes maior. Isto sugere que o transistor um amplificador
de corrente. A relao entre a corrente de coletor e a corrente de base
denominada de coeficiente de amplificao do transistor ( ou hfe):
R E G I O
A T IV A
IC (m A )
= IC
IB
400
R E G I O D E
SATURAO
IB = 3 m A
300
200
IB = 2 m A
100
IB = 1 m A
IB = 0 m A
10
15
20
25
R E G I O
D E CORTE
30
CE
(V )
Se 100 ,
podemos
considerar
que :
IE = I C
D
VRB
IB
VRL
M
IC
VCE
R
V e n tr = 5 V
VBE
V cc = 4 8 V
IE
2) clculo de RB :
VCC = 48V
= 100
Vmotor = 48V
VBE = 0,7V
VCEsat = 0V
D
VRB
IB
Imotor = IC = 2A
VRL
M
IC
VCE
R
V e n tr = 5 V
VBE
IE
V cc = 4 8 V
IC
IB
IB
IC
2
0,02A
100
D
VRB
IB
VRL
M
IC
VCE
R
V e n tr = 5 V
VBE
IE
V cc = 4 8 V
VRB = 4,3V
D
VRB
IB
VRL
M
IC
VCE
R
V e n tr = 5 V
VBE
IE
V cc = 4 8 V
- Clculo de RB:
RB
VRB
4,3
215
IB
0,02
RB = 215
D
VRB
IB
VRL
M
IC
VCE
R
V e n tr = 5 V
VBE
IE
V cc = 4 8 V
FIM DA APRESENTAO