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PRACTICA N 1,

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
INGENIERIA MECANICA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 1
DISPOSITIVOS PASIVOS, MULTIMETRO Y FUENTE DE PODER
Conocer los datos bsteos para adquirir y emplear elementos pasivos en

circuitos electrnicos tiles; asi como aprender a utilizar el multmetro y la


fuente de poder.

ISradoBcSd*
Los elementos pasivos, tambin llamados recprocos, son aquellas en los
que su funcin no se afecta por la direccin del flujo de corriente o la
direccin de su conexin dentro del circuito. Estos elementos son
fundamentalmente

las

resistencias,

capacitores,

inductores,

transformadores e interruptores.
LA RESISTENCIA: Es un elemento que se constituye normalmente de
carbn, alambre o material semiconductor en circuitos integrados. Este
elementos describe la tendencia a impedir el flujo de cargas elctricas a
travs de l. El voltaje instantneo es directamente proporcional a la
corriente que pasa por ella. La constante de proporcionalidad es el valor
hmico de la resistencia; esta relacin, propuesta por Ohm, es:
V = R!

PRACTICA N 2,

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

En este elemento su valor se especifica en el cuerpo de la misma, ya sea


en forma numrica o mediante un cdigo de colores, el cual se muestra en
la figura 1.
LA CAPACITANCIA: Un capacitor es normalmente un listn de papel o
material aislante entre dos listones de aluminio o de cualquier material
conductor, que se enrollan juntos, obteniendo en un volumen muy
pequeo dos placas en paralelo de gran dimensin. Este elemento tiene la
peculiaridad de que almacena energa en forma de campo magntico o
voltaje entre sus dos placas. Las ecuaciones que rigen este elemento son
las siguientes:
q = CV
(dq/dt) = i = C{dv/dt)
Si se aplica al condensador un voltaje variable v = sen cot, entonces se
tendr:
i

i - C(d(sen ot)/dt) i
= C eos o>t i *
Cc> sen(ot +
90) i - Coj sen
ot i = Cj V
V = (1/Co)(t/j)i
V = Xc(1/j)i
V = (-Xcj)i con
Xc - 1/Cco 1/
= -j
de estas relaciones es necesario puntualizar lo siguiente;
a) La capacidad de almacenar carga elctrica es la capacitancia.
b) La capacitancia se mide en Faradios.
c) La oposicin al paso de la corriente elctrica se denomina reactancia
capacitiva <Xc).

CODIGO DE COLORES PARA RESISTORES


RESISTORES DE PELICULA DE CARBON

COED

nt_j
A

Tolerancia

1* cifra

B
2* cifra

multiplicar

NEGRO

NEGRO

NEGRO

CAFE

X1C

+-1
%

CAFE

CAFE

ROJO

X102

+!- 2
%

ROJO

ROJO

X100G

ORO
+/- 5 %

NARANJA

NARANJA X1

KQ

0
CAFE
1

ROJO
2

NARANJA
3
AMARILLO

4
VERDE

5
AZUL

e
VIOLETA

AMARILLO

AMARILLO

X10KQ

VERDE

VERDE

X100K2

AZUL

AZUL X1 MQ

6
VIOLETA

VIOLETA

X10MG

GRIS

GRIS

ORO X 0.112

8
BLANCO
9

B
BLANCO

PLATA X 0.01 a

FIGURA 1

PLATA

+MC
%
SIN COLOR

+/ 20
%

CODIGO DE COLORES PARA CAPACITORES


CAPACITORES DE POLIESTER METALIZADO
NEGRO
0

NEGRO
0

CAFE

CAFE

ROJO

ROJO

NEGRO
X1 pF

NEGRO
+/- 20 %

CAFE

VERDE

ROJO

X 10 pF

+/- 5%

200 V

PLATA

NARANJA

+/-10 %

300 V

ROJO
X100
pF

CAFE
100 V

d) La reactancia capacitiva se mide en Ohms.


e) Esta reactancia depende de la capacitancia C y de la frecuencia oo.
NARANJA

NARANJA
3

NARANJA
X 1 KpF

AMARILLO
4

AMARILLO
X 10 KpF

VERDE
5

VERDE
S

VERDE
X 100 KpF

AZUL

AZUL

AZUL

X1 MpF

VIOLETA
7

VIOLETA
7

VIOLETA
X 10 MpF

GRIS

GRIS

BLANCO

BLANCO

3
AMARILLO
4

FIGURA 2

AMARILLO
400 V

f)

Existe un defasamiento de la corriente respecto al voltaje, de tal

manera que la corriente se adelanta 90 respecto al voltaje, lo cual se


representa con el operador j, o lo que es lo mismo, el voltaje se atrasa 90
respecto a la corriente, representndolo con el operador -j.
En los capacitores adems de su capacitancia se manejan otros datos
como el factor de disipacin o prdida, el cual est dado por:
D = (1/coCpRp) - CsRseo
LA INDUCTANCIA: Es aquella propiedad de un dispositivo de almacenar
energa elctrica en forma de campo magntico. Su funcionamiento se
basa en el principio de que la circulacin de corriente en un conductor,
produce un campo magntico en su entorno el cual induce una corriente
en un conductor afectado por este campo. El voltaje de un inductor es
directamente proporcional al cambio de la corriente elctrica que circula
por l. Esta constante de proporcionalidad se mide en Henrys y es el valor
de la inductancia. As, tenemos que:
V = L(dl/dt)
si I = sen
<ot
V = L(d(sen cot)/dt)
V = Leo eos eot
V = Lea sen (cot + 90)
V = Leo j sen eat
V = Leo IV
V = XL j Y
En este elemento se puede enfatizar lo siguiente:
a) La inductancia L de un inductor se mide en Henrys.
b) La oposicin al paso de la corriente se llama reactancia inductiva y se
mide en Ohms.
c) La reactancia depende de la inductancia L y de la frecuencia a>.

d) En este elemento tambin se tiene un defasamiento de 90, que


representa un adelanto el voltaje respecto a la corriente o, lo que es lo
mismo, un atraso de la corriente respecto al voltaje.
En los inductores reales se presentan efectos resistivos adems de los
reactivos, sin embargo, la resistencia nunca se especifica y, en lugar de
ella, el fabricante proporciona el factor de calidad con valores estndar de
cerca de 1000, el cual est dado por:

Q = (oL/r)

Los inductores se forman devanando alambre en bobinas de varias


formas y en ncleos de distintos materiales, como aire, metal, etc. El valor
de una bobina se especifica en el cuerpo de la misma y se debe medir con
un puente de inductancias o medidores de factores de calidad.
EL TRANSFORMADOR: Este elemento est constituido bsicamente por
dos circuitos aislados elctricamente, pero afectados directamente uno
con otro por campos magnticos, ya que ambos devanados se encuentran
sobre el mismo ncleo. Este elemento se disea para transferir energa
elctrica de un devanado primario a uno secundario, cambiando con ello
los

niveles

de

corriente

voltaje.

Al

ser

el

transformador

fundamentalmente dos bobinas, se rige por las siguientes ecuaciones:


(Vp/Vs) = (Np/Ns)
(Ip/ls) = (Ns/Np)
Ps = N Pp
donde,
V = Representa el voltaje.
I ~ Es la intensidad de corriente.
P = Potencia.
N = Nmero de vueltas del embobinado
correspondiente, p = Devanado primario del
transformador, s = Devanado secundario del
transformador.

EL MULTMETRO: Es un elemento capaz de medir voltaje de CA y CD,


corriente de CA y CD, temperatura, ganancia, frecuencia, capacitancia,
resistencia, inductancia, continuidad y niveles lgicos.
LA FUENTE DE PODER: Es un instrumento que convierte voltaje y
corriente de alterna a voltaje de directa.

1Investigue las especificaciones para comprar una resistencia.


2. -

Mencione

diferentes

tipos

de

capacitores.

Investigue

las

especificaciones para comprar o emplear de manera segura un capacitor.


3. - Mencione los tipos de bobinas que existen y diga De qu depende la
inductancia en una bobina?.
4. ~ D varias clasificaciones de transformadores mencionando el
principio de clasificacin.
5. - Investigue las especificaciones del siguiente transformador: 127/30 V,
2 A, tap central.
6. - Calcule los voltajes y corrientes en cada una de las resistencias de los
circuitos de las figuras 5 y 6, de esta prctica.
7. - Encuentre la resistencia equivalente entre los puntos a y b para la
combinacin mostrada en la figura 3:
3

8. - Enuncie tas leyes de KirchofF


9. - Enuncie los teoremas de Thevenin y Norton.

PRACTICA N 1

10.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- Reduzca el siguiente circuito para obtener el voltaje de Thevenin

(Vth) y la resistencia de Thevenin (Rth) (fig. 4).


R1=1K R3=100Q

Figura 4

1 M i d a todas las resistencias que va a emplear en esta prctica.


a) Con qu realiz la medicin?.
b) Cmo emple el instrumento?.
c) Cmo conect los elementos a medir?.
d) Cules fueron sus valores?.
2.

- Mida el voltaje de su fuente, varindolo desde el valor mnimo

hasta el mximo.
a) Qu instrumento emple?.
b) Cmo emple el medidor?.
c) Cmo conect las puntas de prueba?.
d) Qu valores obtuvo como mnimo y como mximo?.
3. - Mida el voltaje de la lnea de alimentacin.
a) Con qu realiz la medicin?.
b) Cmo emple el medidor?.
c) Qu controles accion para realizar esta medicin?.
d) Cmo conect las puntas de prueba?.
e) Cul fue el valor medido?.
4. - Arme el circuito del puente de Wheatstone, figura 5.
5. - Mida los voltajes y corrientes de todas las resistencias. En una tabla
registre sus mediciones.

PRACTICAN0 1

6.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- Arme el circuito de la escalera de entrada del convertidor digitala

R1 =1 IC
R2 = 100
f R3 =
1.2 K R4
= 120 Q

Figura 5. Fuente de Wheatstone.

V = 2QV

Figura 6. circuito en escalera de un convertidor D/A


analgico, figura 6.
7.

- Mida los voltajes y corrientes de todas las resistencias. En una tabla

registre sus mediciones.

-10 resistencias de 1 Kf a V* W.
- 5 resistencias de 2.2 Kf a 1/a W.
- 3 resistencias de 100 f a 1/a W.
- 3 resistencias de 1.2 Kf a Va W.
- 3 resistencias de 120 f a

/a

W.

PRACTICA N 1

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

*1 j -i ; r- ; r "v ^
J-

--urvjpVT T,JS- --..JL.-

GUIA PARA MEDICIONES ELECTRONICAS Y


PRACTICAS DE LABORATORIO
Stanley Wolf y Richard F. M. Smith.
Ed. Prentice Hall
INSTRUMENTACION INDUSTRIAL
Antonio Creus Ed. Marcombo
Manuales de instrumentos de laboratorio
Ttulo correspondiente Editorial del
fabricante
Ubicados para su consulta en el rea de manuales del edificio L3 primer piso.

Se recomienda al instructor que antes de realizar la presenta prctica:


- Explique y muestre los instrumentos a los alumnos en cuanto a sus
controles principales y de la manera como se deben conectar.
- Recomendar con nfasis la conexin del multmetro como ampermetro,
aclarar que si no se instala correctamente se puede daar.

10

PRACTICAN0 2

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
*

INGENIERIA MECANICA ELECTRICA


LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRAQTtCA N 2
AREAS DE APLICACION DE LAS MEDICIONES ELECTRONICAS.
GENERADOR DE FUNCIONES Y OSCILOSCOPIO

Que el alumno conozca las diferentes reas de aplicacin de tas

mediciones electrnicas y que recuerde o aprenda a utilizar el generador


de funciones y el osciloscopio.
Las mediciones y la instrumentacin electrnica, tienen un campo de
aplicacin muy amplio, ya que en la a actualidad en casi todas las
ciencias ms de un 70% de los sistemas, transductores, controladores y
medidores son electrnicos, algunas de las reas de aplicacin de la
tecnologa electrnica son tas siguientes:
FISICA

FISIOLOGIA

QUIMICA

MEDICINA

GEOLOGIA

ESTUDIO DEL MEDIO AMBIENTE

BIOLOGIA

INGENIERIA

PRACTICAN0 2

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

En la fsica clsica se realizan mediciones de fuerza, temperatura,


presin, intensidad luminosa, por transductores electrnicos. En la fsica
nuclear se detectaba-radiactividad de alta energa con los contadores de
centelleo; en la fsica de estado slido se estudia la composicin
estructural de la materia y sus propiedades con la ayuda de los cristales
piezoelctricos, las tcnicas de rayos x, transductores de efecto Hall,
voltmetros, fuentes de potencia, espectroscopios y el ciclotrn. En el
estudio de la fsica de baja temperatura se usa el carbn y materiales
semiconductores, en la extraccin de seales dbiles, de entre el ruido
que las rodean, se emplean circuitos electrnicos avanzados como los
amplificadores de enclavamiento.
Los ingenieros qumicos utilizan una amplia variedad de instrumentos y
mtodos electrnicos en su quehacer profesional, por ejemplo, usan
medidores de PH y la polarografa para determinar la concentracin de
hidrgeno en las sustancias; el cromatgrafo, el espectrmetro de
absorcin y la absorcin atmica son instrumentos y efectos que se
emplean para anlisis qumico de gases, sustancias disueltas en lquidos
y contenidos minerales en slidos.
Los gelogos realizan mediciones geofsicas y oceangraficas tales
como sismos y movimientos de corteza terrestre, fallas geolgicas,
campos magnticos del planeta, as como exploraciones petrolferas. Para
estas actividades se auxilian con acelermetros, medidor de interferencia
lser, el medidor de bscula, magnetmetros y gefonos.
En la medicina y fisiologa se realizan mediciones-diagnstico
involucrando

tcnicas

de

medicin

electrnica,

como

el

electrocardiograma (EK6), electroencefalograma (EEG), para medir la


actividad elctrica del corazn y el cerebro. Tambin se realizan
mediciones para investigacin como la ultrasonografa para mujeres
embarazadas y el electroretinograma usado para estudiar la respuesta
elctrica de la retina del ojo a la luz.

PRACTICAN0 3

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

En biologa, se estudia la clula que es la unidad ms pequea de vida


mediante generadores de funciones y de pulsos y amplificadores
diferenciales; para estudiar condiciones internas de animales vivos, se
emplean circuitos integrados ingeribles que generan radiofrecuencias
que se pueden propagar a travs del animal y se captan en el espacio
externo.
En el estudio del medio ambiente se cuenta con los registradores para
gases, lquidos y slidos. Los medidores de polucin de gases se emplean
para medir la calidad del aire, para lo cual se emplean los espectrmetros
y el lser infrarrojo, con ellos se mide el monxido de carbono (CO), el
dixido de carbono (CO2), el dixido de azufre (SO2), xidos de nitrgeno,
ozono e hidrocarburos sin quemar. La deteccin de la polucin de slidos
se lleva a cabo por medio de analizadores de alimentos con los
cromatgrafos de gases y suelos con los espectrmetros.
En la ingeniera el uso de circuitos e instrumentos electrnicos es
imprescindible, y solo mencionaremos casos para ejemplificar, en el
entendido que an lo no mencionado es igualmente importante. En el
rea de las comunicaciones electromagnticas se emplean instrumentos
como receptores de seales va satlite artificial, los mismos satlites
artificiales, los equipos de intercomunicacin con fibra ptica y lser,
todo el sistema telefnico de Mxico o de cualquier pas, los equipos de
medicin, como analizadores de espectro, los medidores y simuladores
de jiter, analizadores de estados lgicos. En el rea de la automatizacin,
se tienen los servomecanismos, las mquinas de control numrico y los
robots. En la bioingeniera se cuenta con una gran variedad de sistemas,
por ejemplo de regulacin y suministro de insulina empleado en la
atencin

de

los

diabticos,

brazos,

piernas,

rganos

sensoriales

electrnicos que auxilian a los minusvlidos. En la ingeniera de las


calculadoras se cuenta con los microprocesadores, las computadoras
analgicas, las computadoras digitales y todos sus perifricos.

PRACTICAN0 4

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

1. - Investigue cules son los mdulos que integran un generador de


funciones y diga para qu se emplea normalmente.
2. - Investigue cules son los mdulos que integran un osciloscopio y
diga para qu se emplea normalmente.
3. - Investigue que son las figuras de Lissajous, para qu se emplean y
como se interpretan.
4. - Qu es el ngulo de defasamiento y para qu nos sirve conocerlo?
5. - Calcule los voltajes en pada resistencia de la figura 1, si la seal
producida por el generador es una senoide de 10 Vpp de amplitud y 1000
Hz.
6. - En el circuito de la figura 2 describa un procedimiento para calcular
el voltaje en la resistencia y el ngulo de defasamiento.

1. - Encienda el generador de funciones y el osciloscopio.


2. - Ajuste el generador de funciones para que nos proporcione una seal
senoidal de 10 Vpp y 1000 Hz de frecuencia.
3. - Introduzca esta seal en el osciloscopio y obsrvela en la pantalla del
mismo. Puede utilizar cualquiera de los dos canales A o B.
4. - Gire la perilla de excitacin del generador de funciones, para variar
el voltaje pico a pico de la seal senoidal. Observe esta variacin en el
osciloscopio. Para una correcta observacin ajuste la perilla de seleccin
de voltaje de los amplificadores verticales del osciloscopio.
5. - Gire la perilla de calibracin del osciloscopio y observe lo que sucede
con la seal.
NOTA: El botn de barrido interno del osciloscopio debe estar
presionado. Aunque puede utilizar cualquier canal, se recomienda no
emplear el canal B si no se emplea el canal A.

PRACTICAN0 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

6. - Accione los siguientes controles del generador de funciones, observe


lo que sucede en la pantalla del osciloscopio y anote su interpretacin.
- ------a) El rango de frecuencias.
b) Dial de frecuencias.
c) Selector de funciones.
d) Selector de nivel de componente de directa.
7. - Accione los siguientes controles del osciloscopio, observe la accin
de cada uno de ellos y anote su interpretacin.
a) Intensidad.
b) Foco.
c) Buscador de seal.
d) Posicin horizontal.
e) Tiempo/di visin
f) Expansor.
g) Botn de GND.
h) Nivel de disparo.
i) Botn de AC/DC.
8. - Ajuste el generador de funciones para que nos proporcione una seal
senoidal de 10 Vpp y 1000 Hz de frecuencia.
R1 =1KQ

----------------W-----------GENERADO
R
DE
FUNCIONE
S

<P2=680Q

R3=82Q
Figura 1

9.

* Arme el circuito de

la figura 1. Aplique la seal del generador de funciones ajustado en el


punto 8. Mida la amplitud pico a pico de cada una de las tensiones

PRACTICAN0 6

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

presentes en las resistencias y registre los oscilogramas. Utilice el canal A


y una vez asignado este utilice el canal B.

PRACTICAN0 7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

10. - Arme el circuito de la figura 2, con el generador de funciones


operando igual que en el punto anterior.
11. - Conecte la entrada vertical del osciloscopio a la salida V del circuito,
V

Figura 2

y la entrada horizontal a la salida H.


12.

- Presione el botn X-Y del osciloscopio. En la pantalla deber

observar la figura 3. Centre correctamente dicha figura y mida Yi y Y2.


Figura 3

NOTA: Para la correcta realizacin de este inciso, asegrese que la seal


abarque la misma distancia vertical que horizontal; por ejemplo,
*

debe llenar 6 cuadros verticalmente y 6 cuadros horizontales.


13. - Calcule el ngulo de defasamiento utilizando la relacin:
0 ~ are sen (Y1/Y2)
14. - Conecte la base de tiempo interno del osciloscopio y emplee los
canales verticales A y B para conectarlos en las terminales V y H del
circuito de la figura 2.
15. -

Mida

el

ngulo

de

defasamiento

entre

estas

seales

del

osciloscopio, comprelo con el obtenido en el punto anterior. Justifique


cualquier diferencia con el obtenido en la figura 5.

PRACTICAN0 8

16.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- Repita et procedimiento de los puntos 10 al 15, cambiando en el

circuito de la figura 2, el capacitor por una bobina, figura 4. (Este punto


se har demostrativo).
---------------- ------------

GENERADO
L j 30mH
DE
*H
-' .....
FUNCIONES
R < 2.2K&
GND
Figura 4
j

17.

- Arme el circuito de la figura 6, conectando el generador con una

onda senoidal sin importar su amplitud ni frecuencia a la entrada vertical


A det osciloscopio y el devanado secundario del transformador a la
entrada horizontal.

Figura 5

18.

- Ajuste la amplitud y la frecuencia del generador de funciones,

hasta poder observar los esquemas mostrados en la figura 6. Explique a


su instructor las figuras mostradas, que significan y como se interpretan.

Figura 7
PRACTICAN0 9

Figura127V
6

60 Hz

OSCILO SCO PIO

0o 45

90

U5

180

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- 2 Resistencias de 1 KCi a 1/z W.


- 2 Resistencias de 680 a Vz W.
- 2 Resistencias de 82 . a % W.
- 2 Resistencias de 2.2 KQ a Va W.
-

2 Capacitores de 0.047 |iF a 16 V.

-Transformador 127/30 a 2A con tap


central.
Se recomienda al instructor que antes de realizar esta prctica,
explique a los alumnos como utilizar el generador de funciones y el
osciloscopio, as como resolver sus dudas a cerca de la obtencin de las
mpedancias, tensiones en CA y ngulos de fase.

EL OSCILOSCOPIO
Paul E. Klein Ed.
Marcombo
METODOS EXPERIMENTALES PARA INGENIEROS
Jack Holman Ed. Me Graw Hitl
i

INSTRUMENTACION INDUSTRIAL
Antonio Creus Ed. Marcombo

PRACTICAN0 10

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

GUIA PARA MEDICIONES ELECTRONICAS Y


PRACTICAS DE LABORATORIO Stanley Woif,
Richard F. M. Smith Ed. Prentice Hall

PRACTICAN0 3

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON

INGENIERIA MECANICA ELECTRICA


LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRCTICA N 3
DIODOS: PARMETROS Y CARACTERSTICAS

Conocer los diferentes tipos de diodos semiconductores, sus parmetros


y su regin de operacin en la caracterstica correspondiente de cada tipo
de estos elementos bsicos de la electrnica achia).
a) Informarse de los diferentes tipos de diodos que existen y de los que se
pueden conseguir en el mercado.
b) Conocer los parmetros completos de los diodos ms importantes.
c) Conocer la aplicacin natural de cada tipo de diodo.
d) Determinar la caracterstica y la regin de operacin de un rectificador.
e) Determinar la caracterstica y la regin de operacin de un zener.
f)

Determinar la caracterstica y la regin de operacin de un diodo

emisor de luz.

Surgimiento v evolucin de los semiconductores


En la electricidad-electrnica antigua, se estudiaban indistintamente los
circuitos elctricos y los electrnicos, ah los elementos bsicos eran la
resistencia, el condensador, la inductancia y las fuentes de energa

PRACTICAN0 2

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

elctrica; sin embargo, la necesidad de controlar intensidades de comente


operando a diferentes frecuencias, requiri de nuevos elementos y as, los
ingenieros del rea inventaron los bulbos de vaco o de gas, tales como el
diodo, el triodo, el tetrodo, pentodo, etc.
Con esto, la incipiente comunicacin electrnica tuvo un desarrollo
significativo, pero an se presentaban problemas graves en los sistemas
electrnicos a base de estos elementos. Problemas tales como el volumen,
la fragilidad y el alto consumo de energa fue lo que requiri a los fsicos e
ingenieros buscar nuevos elementos. En 1883 Faraday y Bequerei
presentan los materiales semiconductores como una 'posibilidad para
construir elementos electrnicos que superaran en mucho a los bulbos. Sin
embargo, todava se requiri de aproximadamente un siglo para que,
despus de la segunda guerra mundial, en 1948 los laboratorios de Bell
Telephone empezaran a producir a gran escala todos los productos
semiconductores

que

en

la

actualidad

conocemos.

Posteriormente,

infinidad de industrias electrnicas hicieron lo mismo, algunas de estas,


son: Motorola, Signetics, National, Texas, y otras. Productos hechos a base
de semiconductores son: diodos, transistores, tiristores, amplificadores
operacionales, compuertas lgicas, circuitos secuenctales, memorias,
controladores lgicos programabas, entre otros.
En la actualidad, los productos semiconductores se distinguen en grupos
o familias dependiendo del nmero de elementos concentrados en una
pastilla semiconductora o chip, as tenemos:

PRACTICAN0 3

NIVEL DE INTEGRACIN

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

N DE COMPONENTES

N DE
PUERTAS

Pequea escala de integracin (SSI)

10 a 100

la 10

Mediana escala de integracin (MSI)

100 a 1.000

10 a 100

1,000 a 10,000

100 a 1,000

Muy gran escala de integracin (VLSI)

10,000 a 100,000

1,000 a 10,000

Super gran escala de integracin (ULSI)

100,000 a 1,000,000

10,000 a 100,000

Gran escala de integracin (LSI)

PRACTICAN0 4

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Tambin se puede hablar de familias lgicas, sobre todo en circuitos para


electrnica digital, dependiendo del tipo de elementos empleados, as:
RTL.- Familia lgica de resistencia-transistor.
DTL.- Familia lgica de diodo-transistor.
TTL.- Familia lgica transistor-transistor.
MOS.- Tecnologa a base de elementos de metal-xido semiconductor.

1. - Investigue cuales son los diferentes tipos de diodos que existen,


mencione sus nombres, caractersticas y aplicaciones.
2. - Consulte los manuales de elementos discretos (que se encuentran en
el laboratorio), y d Ia3 caractersticas de los siguientes diodos:
a) 1N4006

b) TZ12

c) led

3. - Explique cul es la diferencia entre un diodo 1N4001 y un diodo


1N4007.
4. - Mencione el modelo matemtico del diodo y su curva caracterstica,
con todas sus acotaciones y regiones.

1 A r m e los siguientes
circuitos:
R=1K
R=1K

2.

- Conecte uno a uno los diodos 1N4006 y zener, efecte las

siguientes indicaciones:

PRACTICAN0 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

a) Encienda y vare el voltaje de la fuente empezando por 0 V, haga


incrementos como lo indica la tabla 1, anote las lecturas del ampermetro
y del voltmetro.

-
VD VOLTS 0 0.1 0.2 0.4 0.6 os 1.0 1.2 1.4
ID A
1N4M6
ID M A
TZI2

Tabla 1
b) Apagar la fuente de voltaje e invertir los diodos, de tal manera que los
circuitos queden como se muestran a continuacin:

R=1K

R= IK

c) Encienda y vare nuevamente la fuente de voltaje de acuerdo a la


tabla
2. Anote las lecturas de voltaje y de corriente.
VD VOLTS
ID mA
IN4HH
ISD A
TZ12

4 6

10 12 14 16 18 20
\

Tabla 2
d) Trace un sistema de ejes cartesianos con los valores obtenidos en las
tablas 1 y 2, las curvas caractersticas de cada uno de los diodos. Use el
eje horizontal para los voltajes del diodo y el eje vertical para las corr
entes. Use papel milimtrico.

PRACTICAN0 6

3.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- Repita los incisos empleando ahora un diodo emisor de luz. Llene

las tablas 3 y 4.
R-1K

R=1 K

VD VOLTS

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

ID ittA
Led

4.

- Arme el circuito de la figura 3. Ponga especial atencin como se

conecta el osciloscopio, este se usar con barrido horizontal externo y se


aplicar el voltaje del diodo; mientras que en el conector de barrido
*

vertical se aplicar el voltaje de la resistencia de 1 KQ.


El generador de funciones aplica un voltaje senoidal de 10 Vpp y una
frecuencia pequea de entre 50 y 100 Hz a travs del diodo. La corriente
del diodo lo, se muestra como una deflexin vertical porque es
proporcional al voltaje que aparece a travs de la resistencia de muestreo
de la corriente (Ri) del circuito. Como Ri- 1 KQ, la sensibilidad vertical del
voltaje

de

la

figura

en

la

pantalla

(Volts/div),

se

convierte

PRACTICAN0 7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

automticamente en mA/div. R1 limita tambin la mxima disipacin de


potencia en el diodo, as, si Vpp = VD entonces Vpp/Ri es la corriente
mxima del diodo.
La diferencia de fases entre las dos seales aplicadas a las dos placas
deflectoras del osciloscopio debe ser cero para que se vea la figura, de no
ser asi, aparecer una csrccterstica V-l que es una curva cerrada en lugar
de una lnea nica. sto se puede observar aumentando la frecuencia del
oscilador a ms de 10 KHz.
OSCILOSCOPIO

Figura 3

-4 Diodos 1N4006.
-2 Diodos zener T212, de 6 o 12 volts a 1 W.
- 3 Diodos emisores de luz, (led).
- 3 Resistencias de 1 Kfi a % W.
- Transformador 127/30 volts con tap central, 2 A.

ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS


Robert boylestad, Louis Nashelsky Ed.
Prentice Hall

PRACTICA N 4

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
1

.f

INGENIERIA MECANICA ELECTRICA


LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 4
CIRCUITOS CON DIODOS RECTIFICADORES

Introducir al alumno en los aspectos prcticos del diodo, utilizado como


rectificador, para el diseo de fuentes de poder y en circuitos
procesadores de seales, como son los recortadores, sujetadores,
multiplicadores, etc.

La juntura p-n es la clula bsica de los dispositivos y circuitos


electrnicos; su formal conocimiento es muy recomendable. El diodo es el
ms sencillo de los dispositivos semiconductores y est formado por una
seria juntura p-n. Sus caractersticas se asemejan a las de un sencillo
interruptor. Tiene una amplia gama de aplicaciones. El diodo se describe
matemticamente

mediante

una

ecuacin

de

tipo

exponencial

logartmica y es marcadamente no lineal. Sin embargo, existen modelos


que simplifican el manejo de los diodos, siendo el denominado diodo
ideal el ms utilizado. En esta prctica se trabajar con diversos circuitos
considerando que los diodos son ideales.

PRACTICA N 4

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

1. - Qu es el voltaje de rizo y cul es la expresin matemtica que lo


representa?.
2. - Dados los circuitos 1 y 2 del formato de esta prctica, indique el
sentido de la corriente en cada semiciclo de la onda de alimentacin y
describa la forma de onda del voltaje en la carga.
3. - Explique qu son y como estn formados (con diodos) los siguientes
circuitos:
-

recortador

sujetador o fijador de nivel

rectificador de V2 onda

rectificador de onda completa

multiplicador de voltaje

1Impamente los circuitos de las figuras 1 y 2.


2. - Dibuje las formas de onda, mostradas en el osciloscopio, del
voltaje existente en RL.
3. - Conecte un capacitor de 1000 pF a 100V, en paralelo con la
resistencia de carga. Dibuje la forma de onda resultante.
4. - Modifique el circuito de la figura 2 para obtener las figuras 2b y 2c.
Dibuje la forma de onda de la seal en RL.
5. - En los circuitos de las figuras 2b y 2c, conecte el capacitor de 1 JF a
100V en paralelo con la carga, pero antes de ello justifique la orientacin,
con respecto a la polaridad, con que se deba conectar el capacitor.
6. - Implemento el circuito de la figura 3. Aplique una seal senoidal de
20 Vpp y 1 KHz de frecuencia. Dibuje la seal del voltaje Vo, observada en
el osciloscopio.

10K
Q
Figura 1 a

Figura 2

---Vv

o
+

RL=10K

Vi

2S Di

Vo

Figura 4
Figura 3

7. - Vare alternativamente V1 y V2. Observe como vara Vo.


8. - Si V1=0V y V2=5V, dibuje la seal de Vo.
9. - Si V1=5V y V2=0V, dibuje la seal de Vo.

10. - Implemente el circuito de ia figura 4. Acote la seal mostrada en el


osciloscopio. Aplique un Vi cuadrado de 10 Vpp, 1 KHz y V=2.5 V, V= - 5
V. Dibuje las seales de Vo.
11. - Implemente el circuito de la figura 5. dibuje la forma de onda
mostrada en el osciloscopio.
C, D, C, = Cj =1tF, 10V

RL > 1MQ
Figura 5

12.

- Cambie el valor de RL por uno menor. Observe el voltaje de salida

en el osciloscopio, Qu es lo que sucede?. Explique.


- 4 Diodos 1N4006
T-

M*

----------------

- 3 Resistencias de 10 KO a 'A W.
- 3 Resistencias de 1 MQ a Ya W.
-1 Capacitor de 1 jaF a 100 V.
-1 Capacitor de 1000 |.iF a 100 V.
- Transformador 127/30, con tap central, 2 A.

Al iniciar la prctica, se sugiere al instructor aclarar las dudas de los


alumnos sobre la operacin de los capacitores y el clculo de su
capacitancia.
Con relacin a las figuras 2b y 2c, se sugiere al instructor hacer
referencia a las fuentes de voltaje bipolares.

ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS


Robert Boylestad, Lous Nashelsky Ed.
Prentice Hall
CIRCUITOS ELECTRONICOS
Donald L. Schilling, Charles
Belove Ed. Alfaomega Marcombo

PRACTICAN0 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
INGENIERIA MECANICA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 5
DIODOS ESPECIALES

Conocer algunos de los diodos de uso particular y observar su


aplicacin.
Conocer el uso del diodo zener y su comportamiento cuando se usa
corriente alterna o corriente directa.
Conocer el uso del led infrarrojo y del optotransistor en forma directa
aplicando seales de A.C.
Conocer el funcionamiento de los dispositivos anteriores en su
presentacin de circuito integrado.

El inters en los dispositivos sensibles a la luz se ha incrementado a un


ritmo casi exponencial en los ltimos aos. El campo resultante de la
optoelectrnica cobrar un gran impulso de investigacin a medida que se
realicen esfuerzos para mejorar los niveles de eficiencia.
A travs de los medios de divulgacin, los ingenieros se han dado
cuenta de que las fuentes luminosas ofrecen una fuente de energa nica.

PRACTICAN0 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

El fotodiodo es un dispositivo semiconductor de unin p-n cuya regin


de operacin est limitada a la regin de polarizacin inversa. Hay que
recordar-que la corriente de saturacin inversa est normalmente limitada
a unos cuantos microamperes. Ello se debe slo a los portadores
minoritarios generados en forma trmica en los materiales tipo n y p. La
aplicacin de luz en la unin dar como resultado una transferencia de
energa de las ondas luminosas incidentes a la estructura atmica, lo que
origina un nmero incrementado de portadores minoritarios y un mayor
nivel de corriente inversa.
Los diodos emisores infrarrojos son dispositivos de estado slido de
arseniuro de galio que emiten un haz de flujo radiante cuando se
polarizan directamente. Cuando la unin se polariza en forma directa, los
electrones de la regin n se recombinarn con los huecos en exceso del
material tipo p en una regin de recombinacin diseada especialmente
emparedada entre los materiales tipo p y tipo n. Durante este proceso de
recombinacin se rada energa alejndose de la fuente en forma de
fotones. Los fotones que se generan sern reabsorbidos en la estructura o
abandonarn la superficie del dispositivo como energa radiante.
El fototransistor tiene una unin p-n de colector a base fotosensible. La
corriente inducida por efectos fotoelctricos es la corriente de base del
transistor. Si asignamos la notacin L para la corriente de base
fotoinducida, la corriente de colector resultante , en una base aproximada,
es:

U=0L

Este tipo de transistor es muy parecido a un transistor bipolar tpico,


como es de esperarse un incremento en la intensidad luminosa
corresponde a un aumento en la corriente de colector. Algunas de las
reas de aplicacin de estos dispositivos incluyen las lectoras de tarjetas
perforadas, los circuitos lgicos de computadora, control luminoso,
indicacin de nivel, relevadores y sistemas de conteo.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PRACTICAN" 5

Los optoaisladores son dispositivos que se componen simplemente de


un paquete que contiene un led infrarrojo y un fotodetector tal como un
diodo
de silicio, un par de transistores Darlington o un SCR. La respuesta de
longitud de onda de cada dispositivo se ajusta para que sea la ms
idntica posible y permitir el mejor acoplamiento posible.-

1. - Qu es optoelectrnica?.
2. - Cules son los dispositivos optoelectrnicos ms comunes?,
(mencione sus nombres, qu son y su aplicacin).
3. - Cul es el funcionamiento de un diodo zener?.

1 A r m e el circuito de la figura 1. La fuente de voltaje debe estar en 0 V.

a) Habilite en el osciloscopio los canales A y B y fije a un mismo nivel las


dos lneas.
b) Empiece a elevar el voltaje de la fuente en intervalos de dos volts y
observe lo que sucede. Elabore una tabla con sus mediciones.
c) En papel milimtrico dibuje las formas de onda observadas cuando la
fuente tiene 25 V.

PRACTICAN0 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

d) Anote sus conclusiones.


2.- Implemento el circuito de la figura 2.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PRACTICAN" 5

a) Encienda et generador de funciones y ajsfelo para obtener una onda


senoidal de 1 KHz de frecuenqia.
b) Dibuje la forma de onda que aparece en el osciloscopio que
corresponde a los puntos a y b, cuando la seal de entrada tiene una
amplitud de 10 Vpp y cuando tiene 15 Vpp.
c) Observe que sucede con la onda cuando la seal del generador de
funciones se varia de 0 a 20 Vpp con 1 KHz de frecuencia.
d) Anote sus conclusiones.
3.- Implmente el circuito amplificador con acoplamiento ptico de la
figura 3.
FU|^ A FUENTE B

a) Dibuje las ondas de entrada y salida.

PRACTICA Nu 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

b) indique qu sucede cuando se vara la distancia entre el Led y el


fototransistor.
c) Diga que sucede cuando se coloca un Led de luz visible en lugar del
Led infrarrojo.
d) Qu sucede si se coloca una hoja de papel entre el Led y el
fototransistor? (Haga la prueba con los dos Leds).
e) Escriba sus conclusiones.
FUENTEB

4.

-1triplemente el circuito de la figura 4, que es un circuito

amplificador con acoplamiento ptico.


a) Dibuje las ondas de entrada y salida.
b) Escriba sus conclusiones.

- 3 resistencias de 330 Q a 1/a W.


- 3 resistencias de 1 KH a Yz W.
- 3 resistencias de 10 KQ a Yz W.
- 2 diodos zener T213.
- 2 diodos zener TZ6.
-1 led infrarrojo (SK2005).
-1 fototransistor (ST80061 SK2031 ECG3031).

PRACTICA Nu 5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- 2 leds de luz visible.


-1 capacitor de 4.7 pF a 16 V.
- 1 Cl 4N28 o equivalente.

ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS Robert Boy testad, Louis


Nashelsky Ed. Prentice Hall
ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS Y PROCESAMIENTO PARALELO
Kai Hwang
Ed. Me Graw Hit!
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
Y. N. Bapat
Ed. Me Graw Hill
Manual de optoacopladores Motorola

PRACTICA N 6

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
INGENIERIA MECANICA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 6
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Conocer lo relacionado a este dispositivo electrnico, su circuito


equivalente, sus parmetros ms importantes y sus aplicaciones ms
comunes.
Aprender a identificar tas terminales mediante la prueba con el hmetro,
aprender a polarizar el JFET, conocer su comportamiento dinmico y
experimentar con un circuito prctico a base de FET.

De la misma forma que el diodo semiconductor signific un gran avance


frente a los componentes a los que sustituy funcionatmente, el transistor
no solo ampla los campos de aplicacin de la electrnica de su poca,
sino que supone el inicio de una evolucin vertiginosa que, partiendo de
los aos 50, llega a los actuales circuitos integrados y microprocesadores.
Los transistores son dispositivos cuya resistencia interna puede variar en
funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que
sean capaces de regular la corriente que circula por el circuito en que se

PRACTICAN 6

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

encuentra conectado. De dicho comportamiento se deriva el nombre de


estos elementos TRANSFER-RESiSTOR.
TRANSISTORES
BIPOLARES
PNP

"P
N
IG- FET

CANALP

UNIPOLARES

1
CANAL N

JFET

de i^tuniento de enriquecimiente
rrn ri
nu mac m mee IMI mu mm

JFET

de
agotamiento

rf~n

mu mu miu mes

J
________

IG-FET

de
enriquecimien
to
mas mu nuu

El transistor de efecto de campo es, en lo escencial, un dispositivo de


tres terminales denominadas puerta, drenador y surtidor, y es el resultado
de dos uniones semiconductoras. Este dispositivo normalmente se emplea
como amplificador o como interruptor. Su comportamiento depende de la
conduccin de un solo tipo de portadores de carga, los electrones o los
huecos, lo que lo clasifica como UNIPOLAR, el cual puede ser de canal N o
canal P y, estos a su vez, pueden ser de UNION o IGFET de puerta aislada
por una o varas capas de diferentes materiales.
Este dispositivo es muy utilizado en aparatos electrnicos como sistemas
de comunicacin, sistemas de cmputo, sistemas de control automtico,
instrumentos de medicin, etc.

1. - Cmo es en magnitud la resistencia de una juntura semiconductora


en directa y en inversa?.
2. - Investigue el valor aproximado de las resistencias de estas junturas.
3 - Presente dos circuitos de polarizacin para transistores de efecto de
campo.

PRACTICA N 6

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

4. - Mencione los modelos matemticos de un JFET y diga cul es el


modelo ms utilizado.
5. - Dibuje las curvas caractersticas de este dispositivo.
6.

Investigue

las

expresiones

matemticas

que

definen

la

transconductancia y la ganancia de voltaje en un JFET.


7. - Para el circuito de la figura 3 calcule el punto de operacin esttico, o
punto de polarizacin, definido por ID Y Vos para el FET.
8. - Para el circuito de la figura 4 diga en que configuracin est
alambrado el transistor y cual es la ganancia del amplificador.
Considere ganancia de voltaje = Vo/Vi

1 A r m e el circuito de la figura 2.

Con el multmetro, en funcin de hmetro, mida la resistencia entre cada


una de las terminales del FET, alternando las puntas del multmetro. Llene
las siguientes tablas:
BASE ROJA

RESISTENCIA

1-2

1-3

2-1

2-3

3-1

3-2

BASE
PRACTICA N 6

2.

RESISTENCIA

NEGRA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

1-2

1-3

2-1

2-3

3-1

3-2

- Observando en qu rengln de las tablas se encuentran los valores

de resistencia menores a infinito, y fijndose en cul punta del multmetro


fu la que qued fija, determine cual terminal del FET es la compuerta.
Coloque la punta del multmetro positiva en esta terminal y alterne la
punta negra entre las otras dos terminales de tal forma que vea cual es la
medicin instantnea que hace el multmetro. El valor de resistencia que
sea mayor nos indicar que la otra terminal es el surtidor, y el que tenga
un valor menor ser el drenador.

%) = 12 V
D

Figura 3
3.

- Arme el circuito de la figura 3 y, con los valores de ID y Vos de

origen terico calculados en el punto 7 de la tarea de casa, y con los


valores medidos haga una tabla.

PRACTICA N 6

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Figura 4
4.

- Arme el circuito de la figura 4, observe las seales de entrada y salida en los canales A y 8

del oscloscopio, respectivamente. De esta observacin determine la ganancia de voltaje. Tome en


cuenta que la seal de entrada de este circuito no debe sobrepasar 1 Vpp. La frecuencia no debe de
pasar de los 50 KHz.
- 3 resistencias de 10 MQ a Ya W.

MATERIA
L
- 3 resistencias de 2.2 KH a 1/a W.
- 3 resistencias de 1 KH a V W.
- 2 resistencias de 10 K a Va W.
- 3 capacitores de 100 JJF a 16 V.
- 2 FET's

DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS

PRACTICA N1 7

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
INGENIERIA MECANICA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N0 7
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ). Parte I

Identificar el transistor fsicamente, as como el tipo (NPN PNP).


Aprender a identificar las terminales base, colector y emisor, con a
prueba del hmetro.
Aprender a obtener el parmetro Beta (hfe) por mtodos prcticos.
Conocer los tipos de polarizacin del transistor.
Conocer algunas de las aplicaciones bsicas de este dispositivo.

INT ROD^eQpH
El transistor bipolar de juntura es un dispositivo de doble unin y de tres
terminales. Su concepcin terica fue desarrollada por Shockley en el ao
1949 y se construy el primero en 1951. En su operacin intervienen los
dos tipos de portadores de carga, los electrones y los huecos, lo que le da
la denominacin de bipolar, aparte de que su nombre de deriva de la
contraccin de las palabras inglesas transfer-resistor.

PRACTICA N 7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

En su concepcin ms simple un TBJ est formado por dos diodos


espalda

con

espalda

fsicamente

consiste

en

tres

capas

semiconductoras, alternando el tipo de material. As se tienen los


transistores PNP y NPN.
Las tres capas son diferentes entre s. La base es la capa ms angosta y
la menos contaminada, el emisor tiene dimensiones intermedias y es la
capa ms contaminada y, el colector, es la capa ms ancha con un nivel
de contaminacin intermedio. El colector y el emisor siempre son de un
mismo material, ya sea P N, y la base es del otro material N P.

1. - Qu es un transistor bipolar de juntura y por qu se le llama as ?.


2. - Qu son los parmetros [3 (beta) y a (alfa) y cmo se relacionan
entre s?.
3. - Dibuje los smbolos el transistor, diferenciando entre NPN y PNP, as
como sus terminales.
4. ~ Dibuje y explique qu es un amplificador tipo Darlington.
5. - Del circuito de la figura 1 calcular: loo, IBQ, VCEQ; con los siguientes
parmetros: p - 200, VBE = 0.7 V, VBB = 1.5 V , Vcc = 9V,
6. - Del circuito de la figura 2 calcular: Ico, IBQ, VCEQ; con los siguientes
parmetros: p = 200, VBE - 0.7 V, Vcc = 9 V.
7. - Para el circuito de la figura 3 calcular su punto de operacin Q(VCEQ,!
CQ)

si el transistor tiene una p = 200 y VBE - 0.7 V.

8. - Para el circuito de la figura 4, obtener un transistor equivalente con


sus respectivos parmetros (VBE y p) y sus puntos de operacin.
9. - Investigue en los manuales tas caractersticas de los transistores
8C548, BC558 y BC547; TIP 41 y TIP 32C.

1.- Ajuste el multmetro para medir resistencia, en prueba de diodos o en


2 KU. Monte el transistor en el protoboard, de tal manera que la parte
frontal quede hacia donde usted se encuentra, asigne un nmero a cada

PRACTICA N" 7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

pata del transistor y llene tas siguientes tablas atendiendo a ta posicin


de las puntas det multmetro.
BASE ROJA

RESISTENCIA

1-2

1-3

2-1 .

2-3

3-1

3-2

BASE

RESISTENCIA

NEGRA
1

1-2

1-3

2-1

2-3

3-1

3-2

3. - Localice el rengln que tenga valores menores a infinito.


Nota: si existen ms de dos valores menores a infinito en cualquier
tabla, ei transistor est daado.
4. - El color de la base nos indica si el transistor el PNP o NPN, adems de
qu terminal es la base. (Base roja, el transistor es NPN, base negra, el
transistor es PNP).
5. - Considerando que RBE > RBC, se localizan el emisor y el colector.
6. - Repita el procedimiento para cada uno de los otros transistores.
7. - Arme el circuito de la figura 1, mida le, IB, calcule (3 con los datos
anteriores.
8. - Arme el circuito de la figura 2 y mida Ve, VCE, le e IB. Compare estos
valores con los obtenidos tericamente.
9. - Alambre el circuito de la figura 3, utilizando como

RB

un

potencimetro de 500 KH, ajustado al valor usado tericamente. Mida IB, le


y obtenga el parmetro (3.

Vcc = 9 V

10. - Arme el circuito de la figura 4 y mida le, IBI, IB2 y Vo.


11. - Obtenga la {3 equivalente del circuito y compare con los valores
tericamente obtenidos.
12. - Anote sus conclusiones.

TBJDE
POTENCIA
n TBJDEBAJA
Q
Y 2 V1
+Ycc=18
MEDIANA
POTENCIA

PRACTICA N 7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Figura 4
En ta figura 3 el instructor podr variar el punto de operacin.
En ta figura 4, el instructor podr referir aplicaciones para este circuito en
el campo de la electrnica de potencia.

- 5 resistencias de 1 Kf a Yz W.
- 2 resistencias de 3.9 KQ a V2 W.
- 5 resistencias de 220 f a Yz W.
- 2 resistencias de 12 KQ a
- 2 resistencias de 2.2 KH a

Yz

W.

Yz

W.

- 2 resistencias de 120 O a

Yz

W.

- 2 resistencias de 100 Q a

Yz

W.

-1 potencimetro de 500 KQ sin switch.


- 2 transistores BC548.
- 2 transistores BC558.
- 2 transistores BC547.
-1 TiP 41.
-1 TIP32C.

PRACTICA N 7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS


Robert Boylestad, Louis Nashelsky Ed.
Prentice Hall
CIRCUITOS ELECTRONICOS Donald
L. Schilling, Charles Belove Ed.
Alfaomega marcombo
Manuales de transistores Editados
por los fabricantes.

PRACTICA N 8

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

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INGENIERIA MECANICA ELECTRICA


LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 8
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA. PARTE II

Observar el comportamiento del TBJ como amplificador lineal, en sus tres


configuraciones bsicas y conocer algunas de sus aplicaciones.
Determinar la ganancia de voltaje y de corriente en un amplificador, en
sus tres configuraciones bsicas, emisor comn, colector comn y base
comn.
Observar como se comporta et TBJ como regulador de voltaje.

El funcionamiento de un TBJ depende del lugar geomtrico que ocupe el


punto de operacin Q(VCEQ,ICQ), en su curva de transferencia. Existen tres
posibilidades, el TBJ puede estar en corte, en saturacin o en la regin
activa directa. Por lo regular las primeras dos posibilidades se ocupan para
la electrnica digital y la regin activa para la electrnica analgica.
Si el punto de operacin est en la regin activa, el transistor se
comporta como un amplificador lineal y es nicamente en esa regin
donde se satisface propiamente la relacin:

PRACTICAN0 8

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

le = p IB

Cuando un TBJ opera como un amplificador lineal, puede presentar alguna


de las tres configuraciones tpicas: BASE COMUN, COLECTOR COMUN Y
EMISOR

COMUN.

En

cada

una

de

ells

se

dan

las

siguientes

particularidades:
a) En base comn, hay amplificacin de voltaje pero no de corriente y las
seales de entrada y salida estn en fase.
b) En colector comn, hay amplificacin de corriente pero no de voltaje y
las seales de entrada y salida estn en fase.
c) En emisor comn, hay amplificacin de voltaje y de corriente y la seal
de salida est defasada 180 con respecto a la de entrada.

1.
la

- Para el circuito de la figura 1 calcule el punto de operacin y dibuje

recta de carga para C. D., acotando todos los valores importantes.


r vcc.
RcSlKQ
Vi = 20mVpp Ci, CE ,Ce QO 0=200 VBE=0.7V
'CE

R2 > 2.2 KG

R E S 220

R L SIOKG

Figura 1
2. - Para el circuito de la figura 1 dibuje la recta de carga para C. A.,
acotando todos los valores de inters.
3. - Con referencia a la recta de carga para C. A., .en dnde debera estar
localizado el punto de operacin para que el amplificador tenga la mxima
variacin simtrica absoluta en la corriente de colector ?.

PRACTICAN 8

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

4. - Dibuje el modelo de seal pequea (corriente alterna de pequea


amplitud) para un TBJ y defina sus parmetros.
5:

Qu importancia tienen los capacitores para configurar un

amplificador con TBJ como el de la figura 1 ?.'


6. - Qu significa que la ganancia en un amplifiacor tenga signo
negativo?.
7. - Cul debe ser la mxima amplitud del voltaje de salida en un
amplificador para que no exista distorsin en su seal ?.

1.- Arme el circuito de la figura 2.


Vcc = 9 V

Cj= C2 =C3 = lOOtT

Vi = 20 mVpp
Figura 2

2. - Conecte la tierra F al punto B, la carga D al punto C, y la fuente A al


punto E.

PRACTICAN0 8

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

3. - Observe las seales Vi y VL en el osciloscopio. Calcule la ganancia de


voltaje AV = VL / Vi y la ganancia de corriente Ai =

/ i. Diga de qu

configuracin se trata.
4. - Ahora conecte la tierra F al punto C, la carga D al punto E, y la fuente
A al punto B.
5. - Repita el punto 3.
6. - Conecte la tierra F al punto E, la carga D al punto C, y la fuente A al
punto B.
7. - Repita el punto 3.
8. - Arme el circuito de la figura 3. Debe de tener en cuenta que Vi es un
voltaje no regulado que se debe de obtener de un circuito rectificador de
onda completa, como el que se muestra en la figura 4 o algn otro
equivalente.
y

+
Vi

R 1#
]000|iF - a 25
Y
+

POTENCIOMETRO 500 K

Q = TIP 41
ligara 3

PRACTICAN 8

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Si en esta figura 4, RL es una resistencia de 1 W, dele los valores de 100

Figura 4

KQ, 10 Kf, 1 KO, observe la variacin del voltaje Vi.


9.

- Quite la resistencia RL

de la figura 4 y acopelo a la entrada del circuito de la figura3. Haga variar


a RL con los mismos valores anteriores y observe la variacin del voltaje Vo.
-

El instructor podr comentar con los alumnos la respuesta de la pregunta


7 de la tarea de casa.
Tambin podr mostrar el funcionamiento de una fuente de voltaje,
regulada y variable, operando el potencimetro de 500 KD.

- 3 resistencias de 1 KQ a Vx W.
- 2 resistencias de 12 KQ a Ya W.
-

2 resistencias de 2.2 Kf a
% W. > 2 resistencias de
220 fa1/iW.

PRACTICAN0 8

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- 3 resistencias de 10 KQ a Ya W.
- 2 resistencias de 100 KQ a % W.
- 4 capacitores de 100 p,F a 25 V.
-1 capacitor de 1000 ^F a 25 V.
-1 potencimetro de 500 Kf.
-4 diodos 1N4006.
- 2 transistores 8C547.
-1 TIP41.

ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS


Robert Boylestad, Louis Nashelsky Ed.
Prentice Hall
CIRCUITOS ELECTRONICOS Donald L.
Schilling, Charles Belove Ed.
Atfaomega marcombo.
j

PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Albert


Paul Malvino Ed. Me Graw Hill
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y AMPLIFICACION DE SEALES
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith Ed. Me Graw Hill
ELECTRONICS: BJT's, FETsand MICROCIRCUITS E. James Angelo
Jr.
Ed. Me Graw Hill

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
INGENIERIA MECANICA ELECTRICA
t

LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 9
REGULADORES DE VOLTAJE UTILIZANDO CIRCUITOS BASICOS CON
DIODOS ZENER Y TRANSISTORES DE PASO TBJ.

Observar y conocer el funcionamiento de algunos circuitos reguladores

de voltaje construidos con semiconductores.


En la prctica del diodo zener como regulador de voltaje, fue posible
observar que una combinacin de diodo zener con resistencia, resulta
poco eficiente cuando la corriente que fluye hacia la carga se
incrementa.

Tal

situacin

presenta

serios

inconvenientes

de

calentamiento y cada de voltaje elevados en la resistencia y en el diodo,


por tal razn, los componentes del circuito suelen ser bastante
voluminosos o de tamao suficientemente grande para obtener buena
disipacin de calor; esta situacin resulta bastante indeseable o poco
prctica en fuentes reguladas de alta capacidad.

Por otra parte, el diodo zener tambin se ve sometido a cambios de


corriente que debe absorber para mantener la estabilidad del voltaje en
elcircuito lo cual trae como consecuencia que su diseo sea crtico y
deficiente. Las desventajas antes mencionadas ponen fuera de uso a este
regulador en algunos casos, sin embargo, es utilizado ampliamente en
fuentes reguladas de baja capacidad.
La figura 1, ilustra el mismo circuito regulador zener comentado
anteriormente, pero ahora ha sido agregado un transistor de paso (Q1), a
travs del cual fluye la corriente principal (ICE) entre sus terminales
colector-emisor y no a travs de la resistencia como en el caso
comentado, obsrvese que la corriente (lz) en el diodo zener es mnima.

VOLTAJE

RECULADO

El zener est conectado a la base del transistor (Q1) en configuracin


de colector comn, de manera tal que el voltaje en la base se mantiene
constante a Vz, por consiguiente el voltaje de emisor tambin es
constante de valor, Vz -- VBE del transistor.
Cabe hacer notar que en el circuito de colector comn, la corriente que
requiere la base es 1/p veces la corriente que fluye a travs del colector
al emisor, as, un diodo zener de baja potencia regular el voltaje de la
base de un transistor con capacidad de corriente elevada segn el valor
de p (beta).
Cuando el zener no puede alimentar suficiente corriente al transistor,
se agrega un segundo transistor para que acte como amplificador de
corriente tal como se muestra en la figura 2.

VOLTAJE
RECULADO

PRACTICA N9

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Para observar en el circuito que Q2 excita a la base de Q1 y el diodo


zener mantiene constante el voltaje, el voltaje de emisor de Q1, est
dado por:
VE = Vz - VBEI - VBE2

y la corriente que fluye hacia la carga se obtiene del producto de las


betas de los transistores y la corriente de base de Q2.
Segn sea la existencia en la regulacin del voltaje, los circuitos
requeridos para cumplir con este propsito se vuelven ms complejos, de
tal forma que en estos casos se recurre al uso-de circuitos integrados
como elementos de precisin.
Para cumplir con nuestro objetivo enfocaremos esta prctica a la
aplicacin del transistor en reguladores de voltaje.
Por medio de los transistores, es posible lograr excelente regulacin en
la

fuente

de

poder

por

medio

de

circuitos

realimentados

cuyo

funcionamiento se basa en la comparacin del voltaje que sale del


regulador y un voltaje de referencia previamente establecido, as, se
genera una seal que se opone a los cambios. Usualmente, esta funcin
la hace un transistor de paso en serie con la salida regulada.
Los reguladores con retroal i mentacin, se clasifican en lineales (el
transistor opera en modo activo) y de conmutacin (el transistor opera en
estado de encendido y apagado), cabe sealar que este ltimo es ms
eficiente.
El diagrama de bloques de la figura 3, muestra el regulador con retroal
i mentacin descrito anteriormente, aqu, R2 y R3, forman un divisor de

PRACTICA N5

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

voltaje que sirve para tomar una muestra de) voltaje de salida regulado y
hacer posible la comparacin con el voltaje de referencia.

Figura 3
La figura 4 es el diagrama elctrico correspondiente al diagrama de
bloques mostrado en la figura anterior, aqu, el diodo zener proporciona el
voltaje de referencia citado.

1 D e s c r i b a el funcionamiento del circuito mostrado en la figura 4.


2. - Investigue el funcionamiento de los reguladores de conmutacin.
3. - Proporcione un diagrama de un regulador de voltaje ajustable Con
retroal i mentacin, explique su funcionamiento.
4. - En el circuito de la figura 1, el voltaje de la fuente es variable y tiene
unos lmites de 8 a 16 Volts, la carga vara entre 0 y 10 Kf y, el diodo
zener se caracteriza por Izmin = 1 mA y Vz = 12 V.
Para este circuito, calcule el valor de R1, su potencia y ta potencia del
zener, para lo cual debe investigar el valor de la beta y caractersticas
generales del transistor 2N3055.

PRACTICA N6

5.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

- Cul es la configuracin de la figura 1?, Cules son las

principales caractersticas de Zo, Av y Ai, para esta configuracin ?.

1 A r m e el circuito de la figura 1.
2. - Haga las modificaciones necesarias para calcular ef porcentaje de
regulacin de carga si:
% Reg (VLmx- VLmin) / VLmx
VLmx

Vi_para II mnima.

VLmin VLpara II mxima.


3. - Efecte las mediciones necesarias para calcular el porcentaje de
regulacin en ta lnea para los extremos de RL, si:
% Reg = ( VL / VF )(1 / Vuom) x 100 VL
VLmx- VLmn cuando VF es mximo y mnimo
respectivamente.
Vf = VFmx- VFmn.

VLnom Tensin de salida cuando VF = 12 V.


CUESTIONARIO
1 C u l es el campo de aplicacin de las fuentes reguladas de DC?
2. - Qu funcin realiza el capacitor C1 de la figura 2?
3. - Cmo considera que son tos porcentajes de regulacin calculados?
4. - Para el caso del regulador de voltaje ajustable investigado tendr la
misma tendencia el porcentaje de regulacin?
5. - De acuerdo a su criterio, son buenos estos reguladores?, explique el
por qu de su respuesta.

- Resistencia de valor calculado en la tarea de casa ( R 1 ) .


- 2 diodos zener 1N963 (12 V).

PRACTICA N7

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

-1 transistor 2N3055.
-1 potencimetro de 10 Kfi.
-1 resistencia de 50 f a 10 Watts.

ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS


Robert Boylestad, Louis Nashelsky Ed.
Prentice Hall
CIRCUITOS ELECTRONICOS Donald
L. Schilling, Charles Belove Ed.
Alfaomega - marcombo
PRACTICAS DE ELECTRONICA. 1 Semiconductores bsicos:
C. Angulo, A. Muoz, J. Pareja Ed. Me Graw Hill
ELECTRONICA DEL ESTADO SOLIDO BASICA. Vol. 1
Van Valkenburg, Nooger, Neville Ed. CECSA

PRACTICA N IO

DISPOSmVOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO


ARAGON
INGENIERIA MECANICA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PRACTICA N 10
AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Conocer et uso de tos amplificadores operacionales, as como


implementar circuitos electrnicos bsicos que contengan amplificadores
operacionales integrados.

Los amplificadores operacionales (opamps), se usan en electrnica de


baja potencia tanto en aplicaciones analgicas como digitales, sin
embargo, hay que recordar que la principal causa de usar un opamp es
por sus aplicaciones analgicas, que implican realizar tanto circuitos
lineales como no lineales.
El trmino amplificador operacional originalmente signific un circuito
amplificador

usado

en

computadoras

analgicas,

para

realizar

operaciones matemticas tales como la integracin, la diferenciacin,


suma, resta, etc. La versatilidad matemtica del opamp no est, sin
embargo, limitada a este tipo bsico de expresiones lineales. Mediante el
uso de elementos no lineales, como diodos, relays, swiches,

PRACTICA N" 10

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

semiconductores exponenciales, etc., en sus retroal i mentaciones, los


amplificadores operactonales pueden ejecutar una gran variedad de
funciones.
Algunas de las configuraciones bsicas de circuitos empleando opamps
son: amplificadores no inversores, inversores, sumadores, Testadores,
integradores, derivadores, seguidores de voltaje, etc. Algunos de ellos se
implementarn y se verificar su funcionamiento durante la presente
prctica.

1 I n v e s t i g u e el diagrama de los siguientes circuitos.


a) Lineales: seguidor, sumador, amplificadores en configuracin no
inversores, inversores.
b) No lineales: rectificadores de precisin, amplificador logartmico y
comparador.

1 . -A rm e el circuito de la figura 1.
GENERADOR
DE FUNCIONES

OSCILOSCOPIO

Figura 1
En el generador de funciones habilite una onda senoidal de 1 Vp y 1 KHz
y observe la salida en el osciloscopio, realizando los diagramas
correspondientes a Vi -1 , Vo -1 y Vo - Vi.

PRACTICA N" 10

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Las dos primeras grficas hgalas en un solo diagrama voltaje - tiempo.


Conteste las siguientes preguntas:
Qu pasa si se aumenta el voltaje en el generador de funciones ?.
Qu pasa si se aumenta la frecuencia ?.
Dibuje dos ejemplos y anote sus conclusiones.

Figura 2
Arme el circuito de la figura 2, coloque el generador de funciones y el
osciloscopio de la misma manera que en el circuito anterior y observe que
sucede si se amplifica la seal de entrada. Hay lmite para la
amplificacin ?. Anote sus conclusiones.
2.- Arme el siguiente circuito:
10 K Q

Figura 3
Obtenga del generador de funciones una seal de las mismas
caractersticas que en el punto anterior y alimente las entradas V1 y V2
con ella.
Cmo se ve la onda de salida ?. Anote sus conclusiones.
Vare la amplitud y la frecuencia de la seal, observe y anote sus
conclusiones.

0.001 tF

MATERIAL

- 3 resistencias de 1 KQ a

Vz

- 3 resistencias de 10 KQ a

W.

Vz

W.

- 2 resistencias de 9.1 KQ a

/z

W.

- 2 resistencias de 4.7 KQ a

Vz

W.

- 2 resistencias de 100 KQ a
- 2 resistencias de 330 Q a

Vz

Vz

W.

W.

-1 capacitor cermico de 0.001 pF a 10 V.


- 2 Cl 741 (opamps).
ELECTRONICA. TEORIA DE CIRCUITOS
Robert Boylestad, Louis Nashelsky Ed.

BIBLIOGRAFIA
Prentice Hall
INTRODUCCION A LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES
CON APLICACIONES A C.l. LINEALES Luces M. Faulkenberry

Ed. Limusa
INTRODUCCION AL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.
TEORIA Y APLICACIONES J. V. Watt, L. P. Huelsman,
G. A. Korn Ed. Gustavo Gil
AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS
INTEGRADOS LINEALES
Robert F. Coughlin, Frederick F. Driscoll
Ed. Prentice Hall