POSMEC 2014 Simpsio do Programa de Ps - Graduao em Engenharia Mecnica

Faculdade de Engenharia Mecnica Universidade Federal de Uberlndia

26 a 28 de Novembro de 2014, Uberlndia - MG

AVALIAO DE UM MODELO DE CARACTERIZAO SIMPLIFICADO

PARA CELULAS FOTOVOLTAICAS MULTIJUNO
Elena Pearanda Chenche, LEST, ing.elenap@gmail.com
Oscar Saul Hernandez, LEST, oscarshm5@gmail.com
Enio Pedone Bandarra, LEST, bandarra@mecanica.ufu.br
Resumo. Foi realizada a simulao em Matlab de um novo modelo simplificado para caraterizao de clulas
fotovoltaicas multijuno. A fim de reproduzir da melhor forma possvel o comportamento real destes dispositivos,
foram utilizados os dados encontrados na literatura, para definir cinco dos parmetros prprios de um clula solar
(Iph, I0, Rs, Rsh e n) para o modelo eltrico de um diodo sob duas diferentes condies de radiao. Assim foram
avaliadas as vantagens e as dificuldades que apresenta o modelo simplificado para caracterizao de clulas
fotovoltaicas multijuno em referncia ao modelo tradicional SEM.
Palavras chave: fotovoltaico, caracterizao, multijuno, modelagem, Matlab.
1. INTRODUO
Atualmente, no campo de energia solar, as clulas fotovoltaicas multijuno apresentam rendimentos que as pem
em posio de destaque como os dispositivos de maior eficincia na converso de energia solar em energia eltrica,
atingindo at 44% (Nishioka et al. 2010; King et al. 2009). Para alcanar esses altos valores na gerao de potncia
eltrica, estes dispositivos so usados em aplicaes de alta concentrao solar, atravs de lentes de Fresnel ou espelhos
parablicos. No entanto, como acontece em todos os outros sistemas para gerao de energia eltrica, de suma
importncia conhecer as caractersticas eltricas do mesmo. Porm, enquanto h uma grande experincia na modelagem
do comportamento dos sistemas fotovoltaicos tradicionais ou monojuno, nem todos estes modelos so diretamente
aplicveis para as clulas fotovoltaicas de alta concentrao. Assim, a fim de compreender melhor o comportamento
elctrico das clulas fotovoltaicas multijuno, em referncia s condies de funcionamento (irradincia, temperatura,
distribuio espectral, etc.), nos ltimos anos diferentes autores vm desenvolvendo modelos matemticos que
permitam a previso adequada da curva caracterstica IV, e o deslocamento da mesma para distintas condies
ambientais. Particularmente neste trabalho realizada a avaliao do modelo proposto por Fernandez et al. (2013). Esse
modelo baseado na modelagem tradicional de um diodo (SEM), porm apresentando algumas variaes que visam
diminuir a complexidade na implementao do modelo.
2. MODELOS PARA CARACTERIZAO DE CELULAS FOTOVOLTAICAS
2.1. Modelo de um diodo ou SEM
Uma clula solar multijuno pode ser encarada como um arranjo de clulas solares tradicionais (monojuno)
ligadas em srie como mostrado na Fig. 1, onde as fontes de corrente representam a corrente fotogerada (Iph) de cada
subclula ou subcamada, os diodos modelam as junes PN responsveis pela corrente de saturao reversa (I0) e pelo
fator de idealidade (n) de cada subclula, a resistncia em srie (Rs) modela a queda de tenso devido resistncia do
material na clula (em alguns modelos esta resistncia pode ser totalizada como a soma das resistncia em srie de cada
subclula) e finalmente, representando uma fuga de corrente, adicionado um resistor paralelo (Rsh). Este modelo
tambm conhecido pela sigla em ingls SEM (Single Exponential Model). Porm, existe uma variante do esquema
eltrico onde incorporado um diodo em paralelo com o diodo da Fig. 1, com o propsito de modelar o fenmeno de
difuso e recombinao de portadores minoritrios na regio de depleo da juno PN. A Eq. (1), modela a corrente de
sada da subclula i, onde Vth a diferena de potencial eltrico ganho devido a temperatura. Este termo fica definido
mediante a Eq. (2) na qual k a constante de Boltzmann e q a carga do eltron.

Ii

V i I i Ri V i

s 1

i
nV

th

I i I i exp
ph

kT
V
th q

I i Ri
s
Ri
sh

(1)

(2)

Elena Pearanda, Oscar Saul Hernandez e Enio Pedone Bandarra Filho

Avaliao de um Modelo de Caracterizao Simplificado para Clulas Fotovoltaicas Multijuno

Figura 1. Modelo de um diodo aplicado a uma clula multijuno

No obstante, o que verdadeiramente interessa conhecer a corrente e a tenso da clula multijuno como um
nico elemento. Assim, por se tratar de um arranjo em serie a corrente total da clula multijuno ser limitada pela
subclula que gere a mnima corrente como se indica na Eq. (3). De maneira oposta a tenso total da clula multijuno
dada pela soma das tenses de cada subclula como mostra a Eq. (4).
I min I i

(3)

V V i

(4)

2.2. Modelo Simplificado de Fernandez

O modelo proposto por Fernandez (2012) planteia algumas consideraes que modificam a Eq. (1):
O valor de Rsh muito elevado, assim os efeitos deste termo no modelo podem ser desprezados;
O termo exponencial muito maior do que 1 e;
Na condio de curto circuito (V=0), a corrente igual a corrente fotogerada.
Estas mudanas ficam evidentes na Eq. (5), onde Isc representa a corrente de curto circuito. Consequentemente, a
tenso pode ser descrita segundo a Eq. (6).
Ii

V i I i Ri

i
nV

th

I i I i exp
sc

Ii Ii

i i
V i niV ln sc
I Rs
th I i

(5)

(6)

Este modelo baseia-se na utilizao de uma clula multijuno equivalente de dupla juno, esta inovao foi criada
a partir do analise da Eq. (3), devido as prprias caractersticas do material semicondutor da subclula inferior (Ge) que
no permitem, em nenhum dos casos, que a corrente fotogerada desta subclula seja menor que as correntes fotogeradas
das outras camadas. Assim possvel omitir este termo da anlise da Eq. (3). Porm, mesmo tendo uma clula
equivalente de s duas junes, a tenso total da clula deve ser igual a tenso da clula de tripla juno, este fato
evidenciado nas Eq. (7) e (8), onde o ndice e significa equivalente.
I

sce

min

I sc1,

sc2

(7)

POSMEC 2014 Simpsio do Programa de Ps - Graduao em Engenharia Mecnica

26 a 28 de Novembro de 2014, Uberlndia - MG

V V
V
oc
oc1e
oc2e

(8)

A corrente de saturao inversa da nova clula equivalente obtida substituindo na Eq. (6) a condio de tenso em
circuito aberto (V=Voc, I=0). Assim, esta pode ser definida como mostra a Eq. (9), onde m o fator de idealidade do
diodo equivalente e tratado como um parmetro de ajuste.
Vi

I i I i exp oce
0 sc
mV
th

(9)

Em consequncia, a tenso da clula multijuno exposta na Eq. (10), onde o ndice j representa cada um dos
pontos da curva caracterstica de clula, e a resistncia em srie totalizada como a soma de cada uma das resistncias
em series de cada subclula.
I1 I
sc
j
V mV ln
j
th I 1

I2 I

sc
j
ln

I 2
0

I R
j s

(10)

Por ltimo, a Eq. (11) apresenta uma correo devido resistncia paralela na corrente de sada da clula
multijuno.
R
I

V I R
j
j s
I

j
R

(11)

3. METODOLOGIA E RESULTADOS
Foi implementado o modelo SEM e o modelo simplificado de Fernadez et al. (2013), para realizar a caracterizao
de uma clula tripla juno em duas diferentes condies de concentrao (X=1000W/m2), porm mantendo constantes
a condio de temperatura (25C) e do espectro da irradincia. A fim de reproduzir da melhor forma possvel o
comportamento real da clula fotovoltaica, foram utilizados os dados experimentais dos trabalhos de Sakurada et al.
(2011) e Segev et al. (2012), os quais esto sumarizados na Tab. (1).
Tabela 1. Propriedades de uma clula multijuno para diferentes concentraes
Concentrao
Parmetro
Iph (A)
I0 (A)
n
Rs ()
Rsh ()

InGaP
6.7522x10-3
3.30x10-15
1.97
0.0236
16.0x106

1X
InGaAs
7.7126x10-3
6.00x10-11
1.75
0.0012
4.5x106

Ge
10.094x10-3
3.00x10-5
1.96
0.0008
540

InGaP
4.292
1.101x10-13
1.993
7.195x10-3
587

350 X
InGaAs
4.792
2.813x10-13
1.278
3.352x10-3
389

Ge
6.101
8.543x10-7
1.421
2.492x10-4
100

Foi utilizado o mtodo Newton-Raphson para resolver a Eq. (1) devido no linearidade da mesma. Para a
implementao do modelo de Fernandez (2012), o autor recomenda utilizar 1.96 como valor inicial para o fator de
idealidade do diodo equivalente da clula.
Tabela 2. Resultados obtidos a partir dos modelos implementados.
Concentrao
1X
Parmetro
SEM
Fernandez
Isc (A)
6.7522 x10-03
6.7522 x10-03
-3
Impp (A)
6.4618 x10
6.4794 x10-03
-3
Pmpp
14.760 x10
14.756 x10-03
Voc (V)
2.5697
2.5697
Vmpp (V)
2.2842
2.2774
FF
0.85067
0.85045
*Sakurada et al. 2011 e Segev et al. 2012

Experimental*
6.74x10-3
-14.475 x10-3
2.53
-0.849

SEM
4.292
4.1158
11.372
3.1818
2.7631
0.8427

350 X
Fernandez
Experimental*
4.292
4.308
4.2053
4.215
11.880
11.991
3.1818
3.2
2.8251
2.845
0.86996
0.87

Elena Pearanda, Oscar Saul Hernandez e Enio Pedone Bandarra Filho

Avaliao de um Modelo de Caracterizao Simplificado para Clulas Fotovoltaicas Multijuno

Na Tabela (2), so mostrados os principais pontos da curva caraterstica da clula tripla juno, obtidos mediante os
modelos implementados, sendo possvel tambm apreciar os pontos experimentais extrados dos trabalhos de Sakurada
et al. (2011) e Segev et al. (2012). Na Fig. (2), podem-se determinar as principais diferenas entre os dois modelos
implementados para as duas condies de operao.

a).

b).

Figura 2. Curva caracteristica de uma celula tripla juno para os modelos implementados: a). Sem concentrao (X=1)
b). Com concentrao X=350
4. CONCLUSES
Como pode ser observado na Tab. (2) e na Fig. (2), o modelo SEM em comparao com os dados experimentais
apresentou o menor erro na condio sem concentrao, j na condio de concentrao (X=350) apresentou potncia
mxima e fator de preenchimento (FF) menores que o esperado. O modelo proposto por Fernandez (2012) apresentou
boa concordncia nos resultados para as duas condies de radiao, porm mostrou grande dependncia dos
parmetros de sada com o parmetro de ajuste (fator de idealidade do diodo).
No modelo SEM por se tratar de uma expresso no linear, previsto que a implementao seja um pouco mais
complexa que no modelo de Fernandez (2012). No entanto, como o modelo de Fernandez (2012) deve ser realizado por
processo iterativo o custo computacional foi maior.
5. REFERNCIAS
Fernndez E. F., et al., 2013, A two subcell equivalent solar cell model for IIIV triple junction solar cells under
spectrum andt emperature variations. Solar Energy 92:2219.
Fernndez E. F., 2012, Modelizacin y caracterizacin de clulas solares III-V multi-unin y de mdulos de
concentracin. PhD thesis, University of Santiago de Compostela.
King RR, et al., 2009, Band-gap engineered architectures for high-efficiency multijunction concentrator solar cells.
Proc. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conf., pp. 55-61
Nishioka K., Sueto T., Uchida M., Ota Y., 2010, Detailed analysis of temperature characteristics of an
InGaP/InGaAs/Ge triple-junction solar cells. Journal of Electronic Materials 39(6):704-708 |
Sakurada Y., Ota Y., Nishioka K., 2011, Simulation of temperature characteristics of InGaP/InGaAs/Ge triple-junction
solar cell under concentrated light. Japanese Journal of Applied Physics 50:04DP13
Segev G., Mittelman G., Kribus A., 2012, Equivalent circuit models for triple-junction concentrator solar cells. Solar
Energy Materials & Solar Cells 98:57-65
6. RESPONSABILIDADE PELAS INFORMAES
Os autores so os nicos responsveis pelas informaes includas neste trabalho.