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Conduccin de calor
en estado estable en
paredes planas.
Equipo 2
2IV31
Al separar las
desde x=0, hasta x=L, se obtiene
variables e integrar
Resistencia Termica o
resistencia a la coduccion.
Es la facilidad que posse un material a permitir la transferencia de calor
atravez del mismo.
donde
Rtotal
Q=
T 1T 2
[ ] W
L1
L2
+
k 1A k 2A
Ejemplo:
Prdida de calor a travs de una pared
compuesta:
Una pared de 3 m de alto y 5 m de ancho
consta de ladrillos de 16 X 22 cm de seccin transversal horizontal (k =0.72
W/m C) separados por capas de mortero
(k =0.22 W/m C) de 3 cm de
espesor. Tambin se tienen capas de mortero de 2 cm de espesor sobre cada
lado del ladrillo y una espuma rgida (k= 0.026 W/m C) de 3 cm de espesor
sobre el lado interior de la pared, como se muestra en la figura. Las
temperaturas dentro y fuera son de 20C y 10C, respectivamente, y los
coeficientes de transferencia de calor por conveccin sobre los lados interior y
exterior son h1= 10 W/m2 C y h2= 25 W/m2 C, respectivamente. Si se
supone transferencia de calor unidimensional y se descarta la radiacin,
determine la razn de la transferencia de calor a travs de la pared.
SOLUCIN Se da la composicin de una pared compuesta. Se debe determinar
la razn de la transferencia de calor a travs de la pared.
Suposiciones 1 La transferencia de calor es estacionaria dado que no hay
indicacin de cambio con el tiempo. 2 La transferencia de calor se puede
considerar como si fuera unidimensional, ya que se realiza de manera
predominante en la direccin x. 3 Las conductividades trmicas son
constantes. 4 La transferencia de calor por radiacin es despreciable.
Propiedades Se da que las conductividades trmicas son k=0.72 W/m C,
para los ladrillos, k=0.22 W/m C, para las capas de mortero y k= 0.026W/m
C, para la espuma rgida.
lo cual da:
Ejemplo 2:
Resistencia por contacto de los
transistores
Cuatro transistores idnticos de
potencia con caja de aluminio estn
sujetos a uno de los lados de una
placa cuadrada de cobre de 20 cm x
20 cm y 1 cm de espesor (k =386
W/m C) por medio de tornillos que
ejercen una presin promedio de 6
MPa. El rea de la base de cada
transistor es 8 cm2 y cada uno de
ellos est colocado en el centro de
una seccin de 10 cm x 10 cm que
constituye la cuarta parte de la placa.
Se estima que la aspereza de la
interfase es alrededor de 1.5 m.
Todos los transistores estn cubiertos
de una gruesa capa de plexiglas, que
es un mal conductor del calor y, por tanto, todo el calor generado en la unin
del transistor debe ser disipado hacia el ambiente que est a 20C, a travs de
la superficie posterior de la placa de cobre. El coeficiente combinado de
transferencia de calor por conveccin/radiacin en la superficie posterior se
puede tomar como 25 W/m2 C. Si la temperatura de la caja del transistor no
debe sobrepasar los 70C, determine la potencia mxima que cada transistor
puede disipar con seguridad y el salto de temperatura en la interfase cajaplaca.
SOLUCIN
Cuatro transistores idnticos de potencia estn sujetos a una placa de cobre.
Para una temperatura mxima de la caja de 70C, se deben determinar la
disipacin mxima de potencia y el salto de temperatura en la interfase.
Suposiciones
1 Existen condiciones estacionarias de operacin.
2 La transferencia de calor se puede considerar como si fuera unidimensional,
aun cuando se reconoce que, en algunas partes de la placa, la conduccin de
calor ser bidimensional, dado que el rea de la placa es mucho ms grande
que el rea de la base del transistor. Pero la gran conductividad trmica del
cobre minimizar este efecto.
3 Todo el calor generado en la unin se disipa a travs de la superficie
posterior de la placa, ya que los transistores estn cubiertos por una gruesa
capa de plexiglas.
4 Las conductividades trmicas son constantes.
Propiedades
Se da la conductividad trmica del cobre como k =386 W/m C. La
conductancia por contacto es de hc=42 000 W/m2 C, la cual corresponde a
la interfase cobre-aluminio para el caso de unaaspereza de 1.31.4 m y una
presin de 5 MPa, la cual es suficientemente cercana a la que se tiene.
Anlisis Se dice que el rea de contacto entre la caja y la placa es de 8 cm2 y
el rea de esta ltima para cada transistor es de 100 cm2. La red de
resistencias trmicas de este problema consta de tres resistencias en serie
(interfase, placa y conveccin), las cuales se determina que son: