SEMICONDUTORES

CONDUO NO ESTADO SLIDO

Os semicondutores sem qualquer sombra de dvida revolucionaram a
tecnologia dos circuitos eletrnicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas
dimenses aliadas a uma operao eficiente e confivel.
Os diodos e os transistores bipolares so os dispositivos semicondutores mais
conhecidos e utilizados. O transistor foi inventado em 1.948 por J. Bardeen e W. H.
Brattain da Bell Telephone Laboratories.
O nome transistor derivado de transferncia de resistncia, indicando assim
um dispositivo de estado slido.
Os elementos germnio e silcio so os mais utilizados na fabricao de diodos
e transistores.
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
O semicondutor um material que possui uma resistncia entre um condutor e
um isolante. A principal caracterstica de um semicondutor a sua estrutura atmica,
que permite uma conduo maior, mediante a adio de impurezas. A adio de
elementos de impureza em uma estrutura pura de germnio ou silcio denomina-se
dopagem.
A finalidade da dopagem aumentar a quantidade de cargas livres (positivas ou
negativas), que podem mover-se mediante uma tenso externa.
Quando o nmero de eltrons livres (cargas negativas) aumentado, o
semicondutor do tipo negativo ou tipo N; diminuindo o nmero de eltrons livres o
semicondutor torna-se do tipo P. Desta forma no semicondutor dopado do tipo N
prevalecem as cargas negativas, enquanto que no tipo P prevalecem as cargas
positivas.
Quando os dois tipos so unidos, o resultado uma juno PN ou NP.

Uma juno PN na realidade um diodo semicondutor, que tem como

caracterstica principal conduzir corrente em uma nica direo.
CARACTERSTICAS DO SEMICONDUTOR
As principais caractersticas do semicondutor puro (sem dopagem) so:
a) resistncia maior do que os condutores metlicos, porm menor do que
isolantes;
b) coeficiente negativo, isto , a resistncia diminui com o aumento da
temperatura;
1

c) a valncia dos tomos que constituem esses semicondutores 4; isto

significa que a ltima camada desses tomos possui 4 eltrons.
ELTRONS E PRTONS NO TOMO
Embora existam vrias maneiras de agrupamento dos eltrons e prtons em um
tomo, existe uma combinao especfica que resulta em um arranjo estvel do mesmo,
isto , cada tipo de combinao estvel de eltrons e prtons determina o tipo de
tomo.
Os tomos possuem um ncleo composto por prtons (com carga positiva) e
neutrons (sem carga), prevalecendo ento no ncleo carga positiva e, eltrons nas
rbitas (carga negativa), formando assim um arranjo eletricamente estvel por
possurem uma quantidade de prtons no ncleo igual ao nmero de eltrons nas
rbitas. A quantidade de prtons no ncleo e eltrons nas rbitas denominada
nmero atmico (NA); a quantidade de prtons no ncleo igual a quantidade de
eltrons nas rbitas.
As rbitas so anis concntricos ao redor do ncleo nos quais esto os
eltrons em um movimento semelhante ao do sistema solar, no qual os planetas giram
em torno do sol e em torno de si mesmos. O movimento de rotao de um eltron
denominado spin.
Por exemplo, o tomo de hidrognio cujo arranjo mostrado abaixo possui em
sua estrutura um eltron e um prton.

O tomo de hidrognio possui NA (nmero atmico) igual a 1, isto , possui

apenas um eltron na rbita K e um prton no ncleo.
O ncleo tende a atrair o nico eltron enquanto que o eltron tende a vencer a
fora de atrao do ncleo. Como essas foras so mecanicamente balanceadas, o
eltron permanece em sua rbita ao redor do ncleo. O prton e o ncleo possuem
carga elementar igual (1,6 x 10 -19 C), porm a massa do ncleo cerca de 1.840 vezes
maior do que a massa do eltron.
Os tomos podem ter vrias rbitas ou camadas (no mximo sete), nas quais
esto distribudos os eltrons. Estas camadas so identificadas pelas letras K, L, M, N,
O, P e Q. Cada rbita possui um nmero mximo de eltrons, determinando assim as
caractersticas do elemento.
A tabela abaixo mostra as rbitas de um tomo e a quantidade mxima de
eltrons por rbita.

RBITA
OU
CAMADA
K
L
M
N
O
P
Q

N MXIMO DE
ELTRONS
2
8
8 ou 18
8, 18 ou 32
8 ou 18
8 ou 18
8

de especial importncia a quantidade de eltrons na rbita ou camada mais

distante do ncleo. A camada externa1 requer 8 eltrons para a estabilidade do tomo,
exceto quando o mesmo possui apenas uma rbita a qual tem no mximo 2 eltrons.
O tomo de carbono, cuja configurao mostrada abaixo possui 6 eltrons, e
portanto NA = 6.

Observa-se que na ltima camada existem apenas 4 eltrons, a qual pode ter no
mximo 8 eltrons, estando portanto incompleta.
Quando vrios tomos de carbono so agrupados, tendem a entrar em
covalncia, compartilhando os eltrons de sua ltima camada. Desta forma em uma
ligao covalente cada tomo de carbono enxerga na ltima camada 8 eltrons, o que
constitui uma configurao estvel.
tomos com 8 eltrons na ltima camada apresentam uma configurao
estvel, isto , no tendem a doar e nem receber eltrons a no ser em condies
especiais como calor, luz, campo eltrico, etc.
RESUMINDO:
1.
tomos estveis: so tomos com a ltima camada saturada;
2.
tomos quimicamente ativo: so tomos que no possuem a ltima
camada saturada;
3.
Eltrons de valncia: so os eltrons da ltima camada ou rbita de um
tomo;
4.
Eltrons livres: so os eltrons que participam da corrente eletrnica.
CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES
1

A camada externa recebe tambm o nome de valncia

3

Quando os eltrons podem mover-se facilmente de tomo para tomo em um

material, este denominado condutor. Em geral os metais so bons condutores, sendo
a prata o melhor vindo em seguida o cobre.
A estrutura atmica dos condutores permite que os eltrons da ltima camada
movimentem-se facilmente com um mnimo de oposio.
O cobre, cuja estrutura mostrada abaixo um excelente condutor, pois possui
na ltima camada apenas 1 eltron, o qual pode movimentar-se com muita facilidade.
Em virtude disto, este eltron recebe o nome de eltron livre.

Em geral os bons condutores possuem apenas 1 eltron na ltima rbita ou

camada de valncia.
Um material cujos tomos tendem a permanecer em suas camadas de valncia
so denominados isolantes porque no podem conduzir corrente eltrica com
facilidade. No entanto, os isolantes so capazes de armazenar eletricidade melhor do
que os condutores.
Materiais como mica, vidro, borracha, papel, etc. so tambm denominados
dieltricos, muito utilizados na fabricao de capacitores. Desta forma, os isolantes
so muito teis quando deseja-se bloquear a passagem de corrente.
O semicondutor um elemento que conduz menos do que os metais
condutores porm muito mais do que os isolantes (carbono, germnio e silcio so os
semicondutores mais conhecidos).
A tabela a seguir mostra alguns tipos de condutores e semicondutores.
GRUPO

ELEMENTO

Metais condutores, em Prata

ordem de condutncia
Cobre

SMBOLO

N
ATMICO

ELTRON
DE
VALNCIA

Ag
Cu

47
29

+1
+1
4

Semicondutores

Gases ativos
Gases inertes

Ouro
Alumnio
Ferro
Carbono
Silcio
Germnio

Au
Al
Fe
C
Si
Ge

79
13
26
6
14
32

Hidrognio
Oxignio
Hlio
Neon

H
O
He
Ne

1
8
2
10

+1
+3
+2
4
4
4
1
-2
0
0

ESTRUTURA DO CRISTAL
A figura abaixo ilustra um bloco de silcio onde seus tomos esto ligados em
covalncia de tal forma a formar uma trelia cristalina pura, compartilhando seus
eltrons de valncia.

Cada tomo de silcio dentro da estrutura cristalina enxerga 8 eltrons na

camada de valncia caracterizando assim uma configurao estvel.
A estrutura acima ilustrada recebe o nome de cristal intrnseco pois no possui
qualquer tipo de dopagem. Um cristal intrnseco tende a se comportar como um
isolante em baixas temperaturas.
CORRENTE INTRNSECA
Quando um cristal intrnseco de germnio ou silcio no sofre influncias
externas como luz e calor por exemplo, os eltrons de seus tomos tendem a
permanecer em suas rbitas com suas ligaes covalentes, pois neste caso no h
nenhum meio de romper essas ligaes e portanto, no h eltrons livres para
estabelecer corrente eletrnica.
Particularmente em baixas temperaturas as ligaes covalentes permanecem
intactas e o cristal tende a comportar-se como um isolante.
Em temperaturas mais elevadas (como por exemplo uma fonte de calor
externa), h energia trmica suficiente para fazer com que o cristal liberte alguns
eltrons de suas ligaes covalentes, que podem movimentar-se aleatoriamente dentro
do cristal.
Ligaes covalentes tambm podem ser quebradas pela ao de um campo
eltrico proveniente de uma diferena de potencial.
5

Quando uma ligao covalente quebrada fica com deficincia de um eltron e

portanto o tomo assume a condio de on positivo, uma vez que a quantidade de
eltrons passa a ser menor do que o nmero de prtons no ncleo. Isto eqivale dizer
que quando o eltron deixa o tomo este adquire carga positiva.

Para cada eltron que deixa o tomo origina-se uma lacuna, logo, o nmero de
eltrons e lacunas est equilibrado dentro da estrutura atmica de um material
semicondutor puro.
A quantidade de eltrons e lacunas que se forma dentro da estrutura do material
depende da quantidade de energia aplicada (mais calor, mais ligaes covalentes
quebradas.
Os eltrons percorrem a estrutura at se alojarem nas lacunas, onde pode
deduzir-se que as lacunas percorrem a estrutura de forma anloga aos eltrons, porm
em sentido contrrio. Neste caso o movimento de eltrons e lacunas recebe o nome de
corrente intrnseca.
Portanto, a corrente intrnseca ocorre em virtude da quebra de ligaes
covalentes em uma estrutura cristalina, proveniente de fontes externas de energia.
A figura a seguir mostra o movimento aleatrio da corrente eletrnica em uma
estrutura cristalina intrnseca submetida a uma fonte externa de energia.

Na estrutura acima foram quebradas sete ligaes covalentes (representadas

pelas linhas hachuriadas) de forma que dentro da estrutura existem sete eltrons livres
6

e sete lacunas. As setas representam o movimento dos eltrons que conforme pode-se
observar, no tem direo definida.
No entanto, ao aplicar-se nos extremos do cristal uma tenso (p/ex. uma
bateria), os eltrons dirigem-se ao polo positivo enquanto que as lacunas movimentamse em sentido contrrio, conforme ilustra a figura abaixo:

Quando a fonte externa de energia sobre a estrutura for removida, as ligaes

covalentes tendem a restabelecer-se cessando tambm a corrente.
DOPAGEM DE UM CRISTAL INTRNSECO
O processo de dopagem em um cristal intrnseco cria no mesmo cargas livres
(eltrons ou lacunas), dependendo do tipo de impureza usada no processo; aps a
dopagem o cristal intrnseco recebe o nome de cristal extrnseco.
No processo de dopagem so utilizadas impurezas do tipo trivalente e
pentavalente; as impurezas trivalentes possuem 3 eltrons de valncia e as
pentavalentes 5 eltrons de valncia.
A figura a seguir ilustra uma forma comum de representar impurezas trivalentes
e pentavalentes.

FORMAO DO CRISTAL N
Quando uma impureza pentavalente adicionada a um cristal intrnseco de
silcio, ao se combinarem com os tomos do cristal haver o excesso do 5 eltron que
ficar no seu lugar simplesmente pela fora de atrao do ncleo do tomo da
impureza, isto , este eltron poder ser deslocado com facilidade, recebendo ento o
nome de eltrons livre.

As impurezas pentavalentes criam uma fonte de eltrons livres, sendo portanto,

denominadas impurezas doadoras. N refere-se ao fato de haver conduo no cristal
atravs de eltrons, que possuem carga negativa.
A tabela abaixo mostra alguns tipos de impurezas pentavalentes usadas na
fabricao de semicondutores.
Elemento
Smbolo
N atmico
Valncia
Antimnio
Sb
51
5
Arsnio
As
33
5
Fsforo
P
15
5
Analisando a figura abaixo, deduz-se que o nmero de eltrons livres igual ao
nmero de impurezas pentavalentes adicionadas a um cristal intrnseco.

FORMAO DO CRISTAL P
Quando uma impureza trivalente adicionada a um cristal intrnseco de silcio,
ao se combinarem com os tomos do cristal haver a falta de um eltron para
completar os 8 eltrons de valncia, isto , a falta desse eltron eqivale a uma carga
positiva livre. P refere-se ao fato de haver conduo no cristal atravs de lacunas, as
quais possuem carga positiva.

A tabela a seguir mostra alguns tipos de impurezas trivalentes (denominadas

aceitadoras) utilizadas na fabricao de semicondutores.
Elemento
Alumnio
Boro
Glio
ndio

Smbolo
Al
B
Ga
In

N atmico
13
5
31
49

Valncia
3
3
3
3

A figura abaixo mostra que o nmero de lacunas criadas em um cristal

intrnseco corresponde a quantidade de impurezas trivalentes adicionadas ao mesmo.

PORTADORES MAJORITRIOS E MINORITRIOS

Em um cristal dopado os portadores majoritrios ocorrem devido a adio de
impurezas, enquanto que os portadores minoritrios so provenientes da quebra das
ligaes covalentes, principalmente quando ocorre elevao da temperatura.
TIPO DE
PORTADORES
PORTADORES
CRISTAL
MAJORITRIOS
MINORITRIOS
P
lacunas
eltrons
N
eltrons
lacunas

O aumento da temperatura provoca a quebra de mais ligaes covalentes,

aumentando a quantidade de portadores minoritrios cujo fluxo contrrio ao dos
portadores majoritrios, que neste caso ir interferir no fluxo dos portadores
majoritrios.
JUNO PN - DIODO DE JUNO
Ao se combinar um cristal do tipo P com um cristal do tipo N obtm-se um
diodo.

Para entender como formado um diodo de juno, consideremos os cristais N

e P conforme ilustra a figura abaixo:

No tomo aceitador foi adicionado um eltron da unio vizinha, formando

ento um on negativo. O on negativo deixa uma lacuna.
Do tomo doador foi retirado o 5 eltron, tornando-o um on positivo. O
eltron retirado excedente (livre).
Ao se juntar os dois cristais, a primeira impresso de que os eltrons livres do
cristal N tendem a combinar-se com as lacunas do cristal P, porm tal no ocorre.
Quando os eltrons do cristal N tentam atravessar a juno, so repelidos pelos
ons negativos (aceitadores) do cristal P; da mesma forma as lacunas do cristal P so
repelidas pelos ons positivos (dadores) do cristal N.
Porm, os eltrons e lacunas nas proximidades da juno combinam-se.
10

Nas proximidades da juno o cristal P adquire uma pequena carga negativa,

pois as lacunas combinam-se com os eltrons livres do cristal N; ao mesmo tempo o
cristal N adquire nas proximidades da juno uma pequena carga positiva pela perda
dos eltrons livres que se combinaram com as lacunas do cristal P.
Forma-se ento nas proximidades da juno uma regio de transio, tambm
conhecida como regio de barreira de potencial. Em ingls muito utilizada a
expresso depletion region (regio de depleo).
conveniente salientar que essa combinao ocorre somente nas proximidades
da juno. Eltrons e lacunas mais distantes no se combinam pois sofrem a fora de
repulso das cargas positivas na juno do cristal N e das cargas negativas na juno
do cristal P, conforme dito anteriormente.
Veja como isso ocorre na ampliao mostrada a seguir.

Para que eltrons e lacunas se combinem necessrio vencer a fora de

repulso das cargas opostas dentro da regio de transio.
Nas proximidades da juno, ou mais especificamente na regio de transio
ocorre a difuso dos portadores de um lado para outro da juno (isto pode ocorrer
devido a uma energia trmica) e, esse movimento recebe o nome de corrente de
difuso.
Isto resulta em uma ddp (diferena de potencial) que pode ser representada por
uma pequena bateria imaginria, conforme ilustra a figura a seguir.

11

Isto significa que uma lacuna do cristal P poder combinar-se com um eltron
do cristal N aps vencida essa tenso ou essa barreira de potencial.
A bateria imaginria usada somente para representar os efeitos internos, uma
vez que esse potencial no se pode medir quando o diodo est fora do circuito.
Quando o diodo faz parte de um circuito, esse potencial (barreira de potencial) pode
ser verificado atravs de medies indiretas.
Para os diodos de silcio essa tenso varia de 0,55V a 0,7V e para os diodos de
germnio varia de 0,15 a 0,3V.
Costuma-se adotar os valores tpicos de 0,7V para diodos de silcio e 0,3V para
os diodos de germnio, salvo especificao em contrrio.
Desta forma, para que haja a recombinao dos demais portadores necessrio
uma tenso externa que vena a barreira de potencial.

fcil deduzir-se pela figura acima, que as lacunas e os eltrons so impelidos

at a juno pelos plos positivo e negativo da bateria externa respectivamente.
Vencida a barreira de potencial, ocorre a combinao entre lacunas e eltrons.
POLARIZAO DIRETA DA JUNO PN (DIODO)
Para produzir um fluxo de corrente atravs de um diodo, a mesmo deve ser
polarizado diretamente, isto , a barreira de potencial deve ser neutralizada.
Polarizar diretamente um diodo significa tornar o anodo mais positivo do que
o catodo, ou seja, aplica-se uma tenso negativa no catodo e uma tenso positiva no
anodo, conforme ilustra a figura a seguir.

12

a) os eltrons livres do cristal N so impelidos juno pelo polo negativo da

bateria;
b) as lacunas do cristal P so impelidos juno pelo polo positivo da bateria;
c) na juno ocorre ento a combinao dos portadores;
d) para cada lacuna do cristal P que se combinar com um eltron do cristal N,
um eltron de uma unio das proximidades do terminal positivo da bateria deixa o
cristal e penetra no polo positivo da bateria, originando uma lacuna que tambm
impelida juno;
e) simultaneamente um novo eltron penetra no cristal N atravs do terminal
negativo da bateria e se difunde at a juno; como resultado, a regio de transio
torna-se significativamente mais estreita;
f) com o aumento da tenso externa gradualmente vencida a barreira de
potencial e a corrente aumenta; uma vez vencida a barreira de potencial a corrente
aumenta bruscamente;
g) essa corrente e denominada corrente direta (I D) e seu sentido do cristal N
para o cristal P (sentido real), ou seja, do catodo para o anodo.

Na polarizao direta a resistncia interna do diodo (juno) assume um valor

extremamente baixo e o diodo comporta-se como uma chave eletrnica fechada. A
figura a seguir ilustra um diodo diretamente polarizado e seu respectivo circuito
equivalente.
Observe que no circuito equivalente foi considerado o sentido convencional
para a corrente.

13

POLARIZAO REVERSA DA JUNO PN (DIODO)

A polarizao reversa consiste em tornar o anodo mais negativo do que o
catodo ou o catodo mais positivo do que o anodo, o que eqivale a aplicar uma tenso
negativa no anodo e uma tenso positiva no catodo.
Na polarizao reversa ocorre justamente o contrrio da polarizao direta.
Os eltrons e as lacunas afastam-se da juno provocando um aumento
significativo da regio de transio. Desta forma no ocorre a combinao entre
eltrons e lacunas e portando no circula corrente pelo diodo.

Na polarizao reversa a resistncia interna do diodo assume valores

elevadssimos e o mesmo comporta-se como uma chave eletrnica aberta. A figura
abaixo ilustra um diodo polarizado reversamente e seu respectivo circuito equivalente.
Observe que no circula corrente pelo circuito.

Teoricamente nenhuma corrente deveria circular pelo circuito. No entanto, uma

corrente muito pequena (da ordem de alguns microampres pode ser observada.

14

Isto pode ser explicado facilmente: alguns eltrons e lacunas dos cristais P e N
respectivamente que devem sua existncia graas a energia trmica (quebra de ligaes
covalentes) so impelidos juno pois so repelidos pela bateria (os eltrons do
cristal P so repelidos pelo polo negativo da bateria e as lacunas do cristal N so
repelidas pelo polo positivo da bateria).
Neste caso haver a combinao dos portadores minoritrios, constituindo uma
corrente reversa muito pequena, tambm conhecida como corrente de fuga.

Com o aumento da temperatura a corrente reversa (I R) ou de fuga aumenta,

interferindo na corrente direta do diodo.

CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO DE JUNO DE SILCIO

ID = corrente direta
15

IR = corrente reversa
VD = tenso direta
VR = tenso reversa
Observa-se na curva acima que a partir de 0,7V a corrente direta sobe
bruscamente, sendo limitada pela resistncia externa do circuito.
Se a tenso reversa for muito elevada a corrente reversa sobe a um valor
bastante elevado, sendo esse valor denominado corrente de avalanche. Note-se que a
corrente de avalanche pode variar numa faixa de valores bastante ampla (pontos A e B)
com uma variao muito pequena da tenso reversa. Esse fenmeno denominado
efeito Zener.
Quando atingida a regio de ruptura a corrente reversa aumenta bruscamente
e danifica o diodo a menos que, tenha uma construo especial que permita sua
utilizao nessa regio (regio Zener).
Portanto, em sua operao normal o diodo no deve atingir a regio Zener. Os
fabricantes especificam a mxima tenso reversa antes de atingir a regio Zener, desta
forma, a tenso reversa mxima permitida para um determinado diodo menor do que
a tenso Zener.
APROXIMAES DO DIODO
Na anlise de circuitos com diodos, podemos levar em conta trs
aproximaes:
1 APROXIMAO - DIODO IDEAL
VD = 0V

2 APROXIMAO
VD = 0,7V

3 APROXIMAO - DIODO REAL

VD = 0,7V + VrB
VD = 0,7V + ID.rB

Geralmente utiliza-se a segunda aproximao na anlise de circuitos com

diodos.
Exemplo:
No circuito a seguir, calcule a corrente e a potncia no resistor.
16

Soluo:
I=

V Vd
6 0,7
=
= 24,1mA PR = 220 . 24,1mA2 = 127,78mW
R
220

RETA DE CARGA
A reta de carga um mtodo grfico atravs do qual pode-se determinar o
ponto de operao de um diodo (tenso e corrente).
Tomemos como exemplo o circuito abaixo:

RS = resistor limitador de corrente

(com RS maior, menor ser a corrente no diodo)
Desta forma, RS mantm ID dentro das especificaes do diodo.
Equao bsica: I =

E V
Rs

Para traar a reta de carga de um diodo, devemos levar em conta dois pontos:
saturao e corte.
CONDIO 1 - SATURAO
V=0
I=

20
= 20mA
100

CONDIO 2 - CORTE
V = 2V
I=

22
=0
100

17

Desta forma foram determinados os dois pontos necessrios para traar a reta
de carga:
ponto 1: I = 20mA; V = 0 (saturao)
Na saturao considera-se o diodo em curto e portanto, a tenso nos seus
extremos ser igual a zero.
ponto 2: I = 0; V = 2V (corte)
No corte considera-se o diodo aberto; desta forma no circular corrente pelo
circuito. A tenso entre os pontos A e K ser 2V.
A interseco entre a reta de carga e a curva do diodo nos fornece o ponto de
operao do diodo, tambm denominado ponto Q (quiescente).
Analisando o grfico do nosso exemplo, verificamos que a corrente de
operao do diodo de 13mA e a tenso 0,7V.
Qual ser a tenso no diodo para uma corrente de 5mA?
Analisando o grfico verificamos que essa tenso de 1,5V.
Comprovando:
aplicando LKT V = E - VRS, onde VRS = RS . I
logo: V = 2 - (100 . 0,005) = 2 - 0,5 = 1,5V
EXERCCIO RESOLVIDO
Utilizando a 2 aproximao, calcule a corrente no resistor de 2k no circuito a
seguir.

18

Aplicando Thvenin:
1 - Remove-se o resistor de 2k e curtocircuita-se as fontes;
Observe-se que por tratar-se da 2 aproximao o foi considerada a barreira
de potencial de 0,7V no diodo.
2 - Calcula-se Rth;
3 - Calcula-se Vth.

Rth =

12 x8
= 4,8k
12 8

Vth =

12 x8
= 4,8V
12 8

O circuito equivalente Thvenin mostrado abaixo.

Vth - (4,8k.I) - 0,7V - (2k.I) = 0

4,8V - 0,7V = (4,8k + 2k).I
4,1V = 6,8k.I
I=

4,1V

6,8k = 602,9A

RESISTNCIA CC DO DIODO
19

RCC (resistncia para corrente contnua) de um diodo, a razo entre a tenso

total no diodo e a corrente que circula pelo mesmo.
Existem duas maneiras de medir essa resistncia: direta e inversa. Tomemos
como exemplo o diodo 1N8146, em que foram obtidos trs valores de tenso e
corrente, para clculo da resistncia direta, (RD) conforme ilustra a tabela abaixo.
VD
ID
Medidas

0,65V
8mA
1

0,75V
18mA
2

0,85V
30mA
3

Calculando a resistncia direta para cada medida:

1 medida: RD = 0,65V
2 medida: RD = 0,75V
3 medida: RD = 0,85V

8mA

= 81,25

18mA

= 41,67

30mA

= 28,3

Concluso:
medida que a corrente aumenta a RCC diminui.

Para o mesmo diodo tomemos como exemplo trs medidas para o clculo da
resistncia reversa (RR), conforme ilustra a figura abaixo. Para esse diodo a tenso de
ruptura 150V.
Tenso inversa (VR)
Corrente inversa (IR)
Medidas

25V
30A
1

50V
65A
2

100V
4A
3

Calculando a resistncia reversa para cada medida:

1 medida: RR =

25V

2 medida: RR =

50V

3 medida: RR =

100V

30nA

= 833M

65nA

= 769M

4uA = 25M

Concluso:
Ao se aproximar da tenso de ruptura a RCC diminui
20

EQUAO CARACTERSTICA
Atravs da equao baixo podemos calcular a corrente direta que circula pela
juno de um diodo, em funo de uma corrente reversa dada e em funo da
temperatura:

I=

Io. e .VT 1
V

I = corrente direta
Io = corrente reversa ou de fuga
=

VT =

Ge = 1

Si = 2
T(K)
11600

T(K) = temperatura em kelvin = (273 + C)

V = tenso direta (VD)

e = constante = 2,718
A frmula a seguir tambm poder ser usada:

I = Is.

e T ( K ) 1

KV

Is = corrente reversa de saturao ou de fuga

K = 11600 / , onde
T(K) = 273 + C

Ge = 1

Si = 2

V = VD
e = constante = 2,718
INFLUNCIA DA TEMPERATURA
A temperatura um dos fatores que mais influenciam no funcionamento de um
diodo; com o aumento da temperatura a tenso direta (V D) diminui e a corrente reversa
(IR) aumenta. Isto pode ser observado na figura abaixo.

21

Para minimizar os efeitos da temperatura utiliza-se dissipadores de calor

principalmente em diodos para potncias 5W.
Alguns parmetros devem ser levados em conta no dimensionamento dos
dissipadores de calor.
Tais parmetros referem-se a resistncia trmica entre o invlucro e a juno e
entre o invlucro e o meio ambiente, assim definidos:

JC = resistncia trmica entre a juno e o invlucro

CA = resistncia trmica entre o invlucro e o meio ambiente (ar)
A figura abaixo ilustra uma forma prtica de representar esses parmetros.

Quando um dissipador acrescentado devem ser levados em conta outros

parmetros:

CS = resistncia trmica entre o invlucro e o dissipador

SA = resistncia trmica entre o dissipador e o ambiente (ar)

22

A unidade de medida da resistncia trmica () C/W (graus celsius por watt).

A resistncia trmica total (JA) pode ser ento calculada com ou sem
dissipador de calor:

JA = JC + CS + SA (com dissipador)
JA = JC + CA (sem dissipador)
O circuito equivalente para representar as resistncias trmicas acima
mencionadas mostrado abaixo.

Para evitar danos ao diodo, a temperatura da juno (T J) nunca deve ser

ultrapassada.

TJ = (PD . JA) + TA, em C

TJ = PD (JC + CS + SA) + TA, em C
EXEMPLO 1: Determinar se a temperatura da juno de um diodo semicondutor est
sendo excedida nas seguintes condies de operao:
PD = 20W
TA = 25C
Tjmax = 150C
JC = 2C/W
CS = 0,5C/W
SA = 2,5C/W
Soluo:
TJ = PD . (JC + CS + SA) + TA
TJ = 20 . (2 + 0,5 + 2,5) + 25
TJ = 100 + 25 = 125C
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Resposta: 125C
Operao segura pois no ultrapassa a TJmax de 150C especificada pelo
fabricante.
EXEMPLO 2: Determine a corrente que circula pela juno de um diodo de silcio na
temperatura de 40C, sabendo-se que sua corrente reversa de 1A.
Soluo:
Utilizando a frmula:

I = Io.

.VT
1
e

V = 0,7V
=2
VT =

T(K)

11600

273 + 40
= 0,027
11600

I = 1 x 10

0,7

-9

=1

2,718 2(0,027) 1

x 10-9

0,7

0,054
2,718 1

I = 1 x 10-9 (2,718 12,963 - 1) = 425,77A 426A

Podemos tambm utilizar a frmula:

I=

Is. e T ( K ) 1
KV

V = 0,7
=2
K=

11600
= 5800
2

T(K) = 273 + 40 = 313

I = 1 x 10

5800 . 0,7

-9

2,718

313

= 1 x 10-9 (2,718 12,971 - 1)

I = 429,19A 429A
RESISTNCIA MDIA (Rm)
Se dispusermos de dois valores de VD podemos calcular a resistncia
mdia do diodo. Normalmente isto ocorre quando um sinal AC de grande magnitude
for aplicado ao diodo fazendo com que os valores de VD flutuem, conforme sugere a
figura abaixo.

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A resistncia mdia pode ser calculada pela frmula:

Rm =
VD = VD2 - VD1
ID = ID2 - ID1

V D
ID

EXEMPLO 3: Considerando os mesmos dados do exemplo 2, calcule a

resistncia mdia do diodo supondo uma VD = 0,9V.
Soluo:
Aproveitaremos os valores calculados para VD = 0,7V.

Calculando I2:

I2 = 1 x 10

0,9

-9

2,718 0,054 1

= 1 x 10-9 (2,71816,667 - 1)

I2 = 17,28mA
0,9 - 0,7

0,2

Rm = (17,28 - 0,426) .10 -3 = 16,854 . 10 -3 = 11,867

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