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Dopagem:
O germnio e o silcio so elementos tetravalentes de estrutura cristalina tipo
tetradrica, com ligaes por covalncia, assemelhando-se ao diamante. Cada tomo
cercado por quatro vizinhos, sendo as ligaes feitas por quatro pares eletrnicos. Os
quatro eltrons de valncia do tomo de germnio considerado entram na composio
destes pares, os outros eltrons so fornecidos pelos tomos vizinhos do tomo
considerado. Os eltrons de valncia so os nicos que participam dos fenmenos de
conduo eltrica do semicondutor.
O silcio basicamente extrado da areia e tem sido utilizado por sculos na fabricao
de utenslios de ferro, porcelana e tijolos. Na sua forma pura no presta construo de
dispositivos eficientes; sua condutividade muito pequena para usos prticos. A eles so
misturadas, ento, "impurezas" (tomos de outros elementos com aproximadamente as
mesmas dimenses dos tomos do semicondutor) tri ou pentavalentes na proporo, em
peso, de algumas partes por milho. A "dopagem" do semicondutor, como chamada a
preparao da liga, feita sempre sobre cuidadoso controle e tem como objetivo reduzir
a resistividade do material. O silcio dopado ento, pode atuar como condutor ou como
no condutor, dependendo da polaridade de uma carga eltrica aplicada no material. Se
as impurezas forem elementos trivalentes, o semicondutor denominado tipo P (de
positivo), se forem pentavalentes, tipo N (de negativo). Na verdade quando isolados
ambos tipos so eletricamente neutros, mas semicondutores do tipo N possuem eltrons
livres (um para cada tomo de impureza), enquanto semicondutores tipo P possuem
lacunas livres (buracos aptos a receberem eltrons).
Junes P-N:
Uma juno P-N a regio que separa um semicondutor do tipo p de outro do tipo n.
Essa regio possui caractersticas muito peculiares, o que justifica a grande diversidade
de dispositivos semicondutores existentes. Naturalmente qualquer juno deste tipo
possui uma propenso a conduzir corrente no sentido p n (lembrando que a corrente
eltrica sempre arbitrada no sentido contrrio ao do fluxo de eltrons). Ou seja, os
eltrons excedentes so requisitados pelos buracos excedentes. Mas essa corrente no
ocorre espontaneamente porque os dois tipos de semicondutores so eletricamente
neutros e um eltron que se desprende do seu tomo sofrer uma fora de atrao (fora
de Coulomb) do prton com o qual ele configurava um "estado ligado". Porm uma
corrente externa pode fornecer os eltrons necessrios para neutralizar os prtons. Mas a
situao no assim to simples, conforme analisaremos.
Em seu estado natural (sem voltagem externa), uma juno P-N cria uma regio de
depleo ao seu redor, cuja largura depende da concentrao de impurezas em ambos
tipos de semicondutores (que podem e normalmente so diferentes dos dois lados da
juno) e tambm da temperatura. No material tipo n essa regio possui carga positiva e
caracterizada pelas lacunas dos eltrons que atravessaram a juno (aleatoriamente) e
foram coletados pelas lacunas do material tipo p. Consequentemente, no material tipo p
essa regio ter uma carga negativa, pois a mesma caracterizada pelos eltrons
coletados do semicondutor tipo n. Esta separao de cargas gera um campo eltrico
interno, que atua como uma barreira de potencial a qual os prximos eltrons que
tentarem cruzar a juno devero suportar. Essa barreira normalmente projetada para
ter um valor de aproximadamente 0,7 volt e responsvel pela caracterstica universal
dos diodos.
Quando se aplica uma tenso no material tipo p maior do que a do terminal do material
tipo n diz-se que a juno est polarizada diretamente, e basta que esta diferena se
aproxime do valor da barreira de potencial para o dispositivo comear a conduzir.
Quando a tenso entre os dois terminais supera a tenso da barreira, a condutividade
aumenta enormemente, e a corrente passa praticamente desimpedida.
Quando a tenso aplicada ao terminal tipo n diz-se que a juno est polarizada
reversamente, e a mesma apresenta uma resistncia muito grande. Se esta tenso for
alta, pode ocorrer uma "ruptura". Existem dois tipos de ruptura: efeito zener e efeito
avalanche.
O ruptura zener ocorre quando a tenso externa tal que ocasiona a quebra de ligaes
covalentes e a gerao de pares eltron-lacuna O efeito avalanche ocorre quando a
tenso externa acelera um eltron livre a tal velocidade que o choque do mesmo com
outros eltrons liberam os mesmos que por sua vez tambm so acelerados e libertam
outros eltrons numa avalanche eletrnica. A tenso necessria para que estes eventos
ocorram varia bastante, podendo ser de uns 5 volts (diodo zener) at valores bem
maiores. No caso de SCRs estes efeitos sero desprezados, pois mesmo sob as altas
tenses s quais so submetidas as junes no se observa estes efeitos.
A Estrutura NPNP:
Conforme mencionado anteriormente um SCR construdo dopando-se quatro materiais
e concatenando-os de modo a formar uma seqncia NPNP com trs junes P-N, duas
em um sentido e uma no outro. Aplica-se ento uma tenso no anodo (terminal do
material tipo p externo) em relao ao catodo (terminal do material tipo n externo).
Desta forma polariza-se diretamente as duas junes de mesmo sentido e reversamente a
terceira juno. Esta ltima impede, a princpio, a conduo de corrente pelo
dispositivo. Mas se aplicarmos uma tenso a seo tipo p interna (a ser chamada de
GATE), conforme a figura 2.3, podemos polarizar diretamente todas as junes P-N,
levando a carga ao estado "ON".
Figura 3.6 Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.
c) Taxa de crescimento da tenso direta
Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de
maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial.
Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o
SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno
dada por:
(3.1)
Onde Cj a capacitncia da juno.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta
de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a
corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.
Como entre o gatilho e o ctodo h uma juno PN, temos uma tenso de
aproximadamente 0,7V. Desta forma, analisando o circuito da figura 5.2. podemos
determinar os requisitos para o circuito de disparo do SCR.
VI
D G
I
S
P
Assim, a tenso VDISPARO necessria
para proporcionar a corrente de
A
disparo IG atravs da resistncia limitadora
RG pode ser dada por:
R
VDISPARO I G RG 0,7
Um SCR pode disparar por rudo de corrente no gatilho. Para evitar estes
disparos indesejveis devemos utilizar um resistor RGK entre o gatilho e o ctodo
que desviar parte do rudo, como indica a figura 5.3. Em alguns tipos de SCR, a
resistncia RGK j vem internamente no componente para diminuir sua
sensibilidade.
iC
d
t
d
v
Assim, quando for aplicada uma tenso VAK a capacitncia da Juno J2
far circular uma corrente no gatilho tanto maior quanto maior for a variao da
tenso no tempo (v/t). Esta corrente no gatilho pode ser suficiente para
disparar o SCR.
O valor mximo de dv/dt dado pelo fabricante em catlogos. O disparo por
degrau de tenso deve ser evitado pois pode provocar queima do componente ou
disparo intempestivo. O circuito de proteo chamado de Snubber e ser estudado
adiante.
Luz ou Radiao:
Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante (ftons,
raios gama, nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes do semicondutor,
haver maior combinao de pares eltrons-lacunas, provocando maior corrente de
fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. o caso do SCR ativado por
luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier).
BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR
O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR
uma chave de reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o
controle. A nica forma de bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo I A para
um valor menor que o valor da corrente de manuteno I H durante um certo tempo.
Este o tempo necessrio para o desligamento do SCR, toff.
Devemos portanto lembrar:
Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente extinta a
corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa.
Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o estado
de no conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo IA
deve ser reduzida a um valor abaixo do valor da corrente de manuteno
Comutao Forada:
Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo.
Como a corrente no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente
de nodo atravs da Comutao Forada. H duas formas para isso:
Desviando-se a corrente por um caminho de menor impedncia provocando
IA < IH;
Aplicando-se tenso reversa e forando-se a operao na regio de
polarizao reversa. Note que isso tambm far IA < IH.
A Figura 7.2 apresenta um circuito para Comutao Forada onde a chave Ch1
permitir um caminho que drenar a corrente do SCR levando-o ao bloqueio.
Aplicaes de SCR
Se a chave estiver fechada ,haver uma corrente de porta durante o ciclo positivo do
sinal de entrada ,ligando o SCR . O resistor R1 limita a corrente de porta .Quando o
SCR comea a conduzir ,a tenso anodo catodo (Vf) cai para um valor de conduo
,resultando numa forte reduo na corrente de porta ,com uma perda muito pequena no
circuito de porta. Para o ciclo negativo do sinal de entrada o SCR desliga ,pois o anodo
fica negativo em relao ao catodo .O diodo D1 para evitar a inverso da corrente de
porta .
Na mesma figura so apresentadas as formas de onda para a corrente e tenso na carga .
O resultado um sinal retificado de meia onda atravs da carga . Se for desejada a
conduo em menos do que 180 graus , pode - se fechar a chave em qualquer instante
durante o ciclo positivo do sinal de entrada . A chave pode ser eletrnica ,
eletromagntica ou mecnica , dependendo da aplicao .
A figura (2) mostra um circuito capaz de estabelecer um ngulo de conduo entre 90 e
180 graus .
at o valor necessrio para o disparo , que pode ser estabelecido em qualquer ponto
entre 0 e 90 graus , conforme mostrado na figura . Se R1 for pequeno , O SCR dispara
quase que imediatamente , resultando na mesa ao do circuito da figura 1 (180 graus d
conduo) . Porm , conforme apontado acima , aumentado R1 ser necessria uma
tenso de entrada maior (positiva) para disparar o SCR . Conforme a figura 2 ,o controle
pode ser feito aps a fase de 90 graus , uma vez que o valor mximo da entrada ocorre
neste ponto . Se o disparo falhar neste ponto e nos pontos anteriores , quando o sinal de
entrada est aumentado , dever acontecer o mesmo quando o sinal estiver diminuindo .
Em termos tcnicos , essa operao chamada controle de fase de meia onda por
resistncia varivel . um mtodo efetivo de controle da corrente rms e , portanto , da
potncia de carga .
Uma terceira aplicao bastante comum do SCR no regulador de carregador de bateria
. A figura (3) mostra os componentes fundamentais ao circuito .
que defeitos transitrios afetem o SCR . Conforme a carga continua , a tenso da bateria
sobe at o ponto em que Vr seja suficientemente alto para dar os 11 V para ligar o zener
e disparar o SCR2 . Nessas condies o SCR2 corresponder a um curto circuito ,
resultando no circuito divisor de tenso determinado por R1 E R2 , que manter V2 em
nvel muito baixo para disparar o SCR1 . Quando isto ocorrer a bateria estar totalmente
carregada , e o estado aberto do SCR1 cortar a corrente de carga .Portanto , o regulador
recarrega a bateria sempre que a tenso cai e evita sobrecarga quando ela est
totalmente carregada .
A ltima aplicao para o SCR a ser descrita mostrada na figura 4 .
um sistema de emergncia para iluminao de uma nica fonte , que manter a carga
de bateria em 6 V para garantir a sua disponibilidade e tambm fornecer a energia DC
para uma lmpada de aviso em caso de falta de energia .
Haver um sinal retificado de onda completa nos terminais da lmpada de 6 V devido
aos diodos D1 e D2 . O capacitor C1 carregar at uma tenso um pouco menor que a
diferena entre o valor de pico do sinal retificado de onda completa e a tenso DC nos
terminais de R2 produzida pela bateria de 6V . Em qualquer situao , o potencial do
catodo do SCR1 mais alto que o do anodo , e a tenso porta catodo negativa ,
garantindo que o SCR no conduz . A bateria est sendo carregada atravs de D1 e R1 a
uma taxa determinada por R1 . A bateria estar se carregando apenas quando o anodo de
D1 for mais positivo que seu catodo . O nvel DC do sinal retificado de onda completa
manter a lmpada de sinalizao acesa quando houver energia . Havendo falta de
energia , o capacitor C1 se descarregar atravs de D1 , R1 e R3 at que o catodo de
SCR1 seja menos positvo que o anodo . Ao mesmo tempo o n entre R2 e R3 se tornar
positivo estabelecendo uma tenso porta catodo suficiente para disparar o SCR . Uma
vez disparado , a bateria de 6 V se descarrega atravs do SCR1 mantendo assim a
iluminao . Ao voltar a energia o capacitor C1 se recarregar e restabelecer o estado
de no conduo do SCR1 , conforme descrito acima .
Este terminal extra permite um controle para desligar o dispositivo, quando a corrente
principal atravs do dispositivo no tenha ainda descido abaixo do valor corrente de
reteno. O Gate nodo o terminal usado para desligar Chave Controlada de Silcio.
O Gate Cathodo o terminal usado para ligar Chave Controlada de Silcio. Por
conseguinte, o motor no pode estar em srie com o nodo.
Quando o boto "on" atuado, a voltagem aplicada entre o Gate Catodo polariza a
juno base-emissor, e o SCS ir ligar. O transistor de topo do SCS est pronto para
conduzir, aps ter sido fornecido com um caminho para fluir corrente a partir do seu
terminal emissor (terminal anodo do SCS) atravs da resistncia R2 para o polo positivo
da fonte de alimentao. Tal como no caso do SCR, ambos os transistores ligam e
mantm no modo ligado (auto polarizao). Quando o transistor inferior liga, ele conduz
uma corrente de carga do motor, e o motor comea a girar.
BIBLOGRAFIA
http://www.corradi.junior.nom.br/Apostila_Tiristor_SCR.pdf
http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/scr/
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/htmlfile/harmo/fpcap3/cap3.html
http://www.professorhumbertoifsp.pro.br
http://eletronicadepotenciai.blogspot.com.br/2013/02/aula-04-chavecontrolada-de-silicio.html