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Practica 2: Caracterizacion de Transistores de

Efecto de Campo y Amplificadores Basicos
Andres Pinilla, afpinillat@unal.edu.co, cod.262148
Laura Moreno, laamorenoro@unal.edu.co, cod. 262069

I.

I NTRODUCCI ON

El transistor de efecto de efecto de campo de semiconductor

de o xido de metal o MOSFET hace parte de los dispositivos
semiconductores de 3 terminales junto al amplificador BJT ya
tratado en la practica anterior. Este dispositivo, a diferencia
de su pariente tecnologico, requiere menor potencia para
funcionar y tiene una gran aplicacion en circuitos integrados
debido al cambio que trae usar el MOSFET en cambio de
resistencias y fuentes ajenas.
Otra de las ventajas de estos transistores es la simplicidad
que tienen los calculos de sus parametros debido a la
caracterstica de no permitir que circule alguna corriente
sobre la terminal de compuerta o Gate. Los dispositivos de
efecto de campo son usados al igual que los transistores de
union bipolar para construir amplificadores de pequena senal,
es decir, una senal AC que se encuentre en el rango de los
10mV a los 200mV .
Estos elementos necesitan de una senal contnua (DC) para
polarizar el transistor en su region de Saturacion. Una vez
establecido el punto de operacion Q del transistor mediante
calculos, se debe realizar el analisis de Pequena Senal del
transistor, para el cual se utiliza como herramienta principal
el modelo de pequena senal para baja frecuencia, en que
las fuentes de corriente continua son reemplazadas por una
conexion a tierra los condensadores de acople de entrada y
de salida son reemplazados por cortos circuitos.
2

En el caso particular de la practica de laboratorio, se

utilizara un circuito integrado en el que estan presentes varias
compuertas tanto N como PMos y se les debera hallar las
constantes dependientes de la fabricacion que muy pocas
veces son encontradas en las hojas de datos. Es por esto que
el laboratorio parte de la caracterizacion de los parametros
Kn(W/L), Kp(W/L) y los voltajes de umbral (Vtn ) y (Vtp )
Acto seguido, se disenaran e implementaran tres
amplificadores comunes en la teora de MOSFET: Fuente
comun, Compuerta comun y Drenaje Comun. A cada una de
las configuraciones se le hallaran los valores de la impedancia
de entrada (Zi ), la impedancia de salida (Zo ) y la ganancia de
voltaje (AV ). Finalmente se conocera tambien la frecuencia
superior de 3dB conocida como (FH ).
Facultad de Ingeniera, Universidad Nacional
Ing. Juan Felipe Gutierrez.laboratorio de Electronica Analoga II

II.

M ONTAJE Y P ROCEDIMIENTO

A continuacion se presenta el procedimiento que se puso

en practica para hallar los parametros experimentales de
cada uno de los montajes que se estipularon en la gua de
laboratorio. Los resultados presentados seran comparados
y analizados con los resultados teoricos y las simulaciones
realizadas en la seccion de analisis de resultados.
Para todas las configuraciones de amplificadores
presentadas, se utilizo el integrado CD4007 que contiene 6
transistores MOS, 3 canal N y 3 canal P.
1. Caracterizacion MOSFET (canal N):
Antes de iniciar con el diseno de amplificadores,
fue necesario caracterizar los 3 transistores canal N
del integrado CD4007, para luego poder utilizarlos
correctamente. Los parametros desconocidos y no
especificados en su hojas de datos eran Vt y k 0 n(W/L).
Para encontrar dichos valores se implemento para
cada transistor los montajes presentados en la Figura 1
respectivamente. Se utilizo un valor de VDD = 12V .
Con las mediciones realizadas se calcularon los
parametros de la siguiente manera:

Vt = VDD V oltmeter

(1)

1 0 W
VD Vt
kn
=
2
L
R(VDD VD )2

(2)

2. Caracterizacion MOSFET (canal P):

Al igual que en el anterior caso, los 3 transistores canal
P encontrados dentro del integrado fueron caracterizados
implementando los circuitos presentados en la Figura 2
para encontrar Vt y k 0 p(W/L) respectivametne. Dichos
valores se calcularon mediante las formulas 3 y 4
teniendo en cuenta las mediciones realizadas. Se utilizo
un valor de VDD = 12V .
Vt = VDD V oltmeter

(3)

Teniendo en cuenta las condiciones de diseno y

los anteriores valores, se calcularon los valores
de resistencia para obtener finalmente el circuito
presentado en la Figura 3

Figura 1: Circuito para conocer Parametro Vt y Kn de

Mosfet N.

VD
1 0 W
kp
=
2
L
R(VDD VD Vt )2

Figura 3: Diseno de amplificador Fuente Comun.

(4)

Se realizo el montaje fsico del circuito y la

tabla de datos obtenidos mediante simulacion y
experimentalmente se presenta en la siguiente seccion.
4. Amplificador Drenaje Comun:
Para este diseno se utilizo el transistor canal N No.1
con un Vt = 1,16V y 12 k 0 n W
= 120,7uA/V 2 .
L
Sin embargo, se tomaron los los mismos valores de
resistencias y capacitores que el caso anterior. Es decir,
simplemente se reubicaron los elementos acorde a esta
configuracion.
Su ganancia fue calculada teoricamente mediante el
modelo de pequena senal y se comparo con la obtenida
experimentalmente al implementar el circuito de la
Figura 4.

Figura 2: Circuito para conocer Parametro Vt y Kn de

Mosfet P.
3. Amplificador Fuente Comun:
Una vez se conocieron con certeza los parametros de
cada uno de los transistores, se procedio a disenar un
amplificador de fuente comun en base a los siguientes
valores seleccionados:

Figura 4: Diseno de amplificador Drenaje Comun.

ID = 1mA
VG = 6V
AV = 2,5V /V
Para el diseno se utilizo el transistor canal N No.2,
2
con un Vt = 1,16V y 21 k 0 n W
L = 112,9uA/V . En
base al modelo SPICE del transistor CD 4007, se tomo
= 0,005V 1 .

5. Amplificador Compuerta Comun:

En este caso se volvio a utilizar el mismo transistor de
la configuracion Source Comun, as como los mismos
valores de resistencias y capacitores. Se comprobo que
no hubiera cambio en los parametros DC y se paso a
realizar el analisis AC.

Su ganancia fue calculada teoricamente mediante su

modelo de pequena senal y se comparo con la obtenida
experimentalmente al implementar el circuito de la
Figura 5

No. MOSFET

Voltmeter
[V]

0,5 k0 p(W/L)
[uA/v 2 ]

5.8

120.7

5.5

112.9

5.3

107.7
0

Cuadro II: Mediciones y k n para MOS canal N

En las Tablas III y IV se presentan las mediciones

realizadas para cada uno de los transistores y los valores
calculados de Vt y k 0 p respectivamente. En el segundo
caso, se utilizo una resistencia R = 1k.

No. MOSFET

Voltmeter
[V]

Vt
[V]

-10.85

-1.15

-10.85

-1.15

-10.86

-1.14

Figura 5: Diseno de amplificador Compuerta Comun.

Cuadro III: Mediciones y Vt para MOS canal P

III.

R ESULTADOS

A continuacion se presentan los datos obtenidos mediante

la simulacion de los circuitos disenados y las mediciones
realizadas en el laboratorio para cada una de las tres
configuraciones realizadas.

No. MOSFET

Voltmeter
[V]

0,5 k0 n(W/L)
[uA/v 2 ]

-6.79

17.07

-6-60

16.92

-6.53

16.87

Igualmente, se presenta el calculo del error porcentual para

cada uno de los parametros principales de las configuraciones.
El error porcentual es calculado mediante la siguiente formula:
E%

CT Me
=
100
Me

Donde E % es el Error Porcentual, CT es el Calculo

Teorico y Me es el valor Medido Experimentalmente.
1. Caracterizacion MOSFET (canal N):
En las Tablas I y II se presentan las mediciones realizadas para cada uno de los transistores y los valores
calculados de Vt y k 0 n respectivamente. En el segundo
caso, se utilizo una resistencia R = 1k.

Cuadro IV: Mediciones y k 0 n para MOS canal P

3. Amplificador Fuente Comun:
El primer montaje corresponde a un amplificador fuente
comun al que se le aplico una senal de entrada de
20mV a una frecuencia de 10KHz. En primera medida,
se midieron los valores de los voltajes y la corriente
de polarizacion para contrastarlos con la teora. Estos
resultados se resumen en la tabla V junto con su error
porcentual.

No. MOSFET

Voltmeter
[V]

Vt
[V]

Param.

Valor
Teorico

Valor
Simulado

Valor
Exp.

Error
con respecto
a Teora

10.84

1.16

ID

1.04 mA

1.09 mA

1.09 mA

4%

10.84

1.16

VGS

4.04V

4V

4V

1%

10.84

1.16

VDS

3.5 V

3.16V

3.32 V

5%

Cuadro I: Mediciones y Vt para MOS canal N

2. Caracterizacion MOSFET (canal P):

Cuadro V: Cuadro comparativo analisis DC Fuente comun

Luego de conocer estos valores y considerar que no
variaban tanto con respecto a la teora, se paso a

analizar la parte correspondiente a los parametros AC.

En la Figura 6 se presenta la ganancia de 2,5V /V
obtenida mediante simulacion, y en la Figura 7 las
senales obtenidas en el laboratorio, en donde la escala
de las dos es de 20mV /cuadro, y la mas pequena
corresponde a la senal de entrada.
Es necesario decir que la ganancia que se vio en el
laboratorio vario con respecto a la que se buscaba
en la teora. En la siguiente seccion se comentaran
las posibles causas y la forma en la que se manejo
esta diferencia. En la tabla VI se presentan los valoes
asociados para la parte AC del amplificador fuente
comun.

En las Figuras 8 y 9 se presentan las ganancias

obtenidas mediante simulacion y en el laboratorio
respectivamente. La escala del osciloscopio trabajada
en el laboratorio es de 20mV /cuadro. Adicionalmente,
en el cuadro VII se presenta la tabla comparativa para
el amplificador drenaje comun.

Param.

Valor
Teorico

Valor
Simulado

Valor
Exp.

Error
con respecto
a Teora

AV

0.51V/v

0.513V/V

0.5V/V

2.9 %

Zin

250K

254K

244K

2.4 %

Zout

1.47K

1.2k

1.53K

4%

Cuadro VII: Cuadro comparativo analisis AC Drenaje comun

Figura 6: Simulacion ganancia amplificador Fuente Comun.

Figura 7: Resultado experimental amplificador Fuente

Comun.

Param.

Valor
Teorico

Valor
Simulado

Valor
Exp.

Error
con respecto
a Teora

AV

2.5 V/V

2.5V/V

1.1V/V

127.2 %

Zin

247K

246K

236K

4.4 %

Zout

6.01K

5.01K

6.3K

4.6 %

Cuadro VI: Cuadro comparativo analisis AC Fuente comun

4. Amplificador Drenaje Comun:

Figura 8: Simulacion ganancia amplificador Drenaje Comun.

Figura 9: Resultado experimental amplificador Drenaje

Comun.
5. Amplificador Compuerta Comun:
En las Figuras 10 y 11 se presentan las ganancias
obtenidas mediante simulacion y en el laboratorio
respectivamente. La escala del osciloscopio trabajada
en el laboratorio es de 20mV /cuadro. Adicionalmente,
en el cuadro VIII se presenta la tabla comparativa para
el amplificador compuerta comun, junto con los errores
porcentuales de los valores experimentales con respecto
a los valores de la teora.

Param.

Valor
Teorico

Valor
Simulado

Valor
Exp.

Error
con respecto
a Teora

Parametro

Fuente
Comun

Drenaje
Comun

Compuerta
Comun

AV

2.55V/V

2.47V/v

2.7V/V

5.8 %

AV

1.1V/V

0.5V/v

2.75V/V

Zin

785

787

680

13 %

Zin

236k

244k

680

Zout

6.01K

5.02K

5.81K

3%

Zout

6.3K

1.53K

5.81K

Cuadro VIII: Cuadro comparativo analisis AC Compuerta

comun

Cuadro IX: Cuadro comparativo de los tres amplificadores

presentaron a la hora de realizar el analisis AC, ya que

aunque los valores de polarizacion DC coincidieron
con los teoricos y eran acordes a lo esperado, nunca
se logro una ganancia de 2,5V /V en el laboratorio.
Luego de multiples intentos, la ganancia final fue de
1,1V /V , valor muy alejado del real, por lo que este
dato presenta un error porcentual bastante alto.

Figura 10: Simulacion ganancia amplificador Compuerta

Comun.

Luego de reevaluar el diseno planteado y verificar los

calculos realizados, se comprendio que la ganancia que
se estaba obteniendo en el laboratorio corresponde a la
ganancia que teoricamente se encontrara al despreciar
el valor de la resistencia ro en el modelo de pequena
senal. Teniendo en cuenta lo anterior, teoricamente se
obtiene una ganancia de 1,04V /V , por lo que el error
porcentual se reduce al 5,4 %
En este tipo de configuracion se presenta una inversion
de fase que se explica desde el punto de vista
matematico; aqu la fuente de corriente dependiente
que se modela a partir del analisis de pequena senal
entrega una corriente que producira un voltaje de salida
inverso y es por esto, que se debe asumir una corriente
con signo contrario (negativo). Se puede decir en otras
palabras, que la configuracion de tipo fuente comun
presenta un desface de 180 grados con respecto a la
senal de entrada y por este motivo se observa la inversion

Figura 11: Resultado experimental amplificador Compuerta

Comun.

IV.

A N ALISIS
DE LOS RESULTADOS

Esta seccion contiene principalmente el analisis realizado

en base a los resultados obtenidos, tratando de responder
el porque se presenta el error porcentual obtenido.
Adicionalmente, contiene la respuesta a las preguntas
planteadas en la gua de laboratorio.
En la tabla IX se presenta la comparacion final de los
principales parametros entre cada una de las configuraciones
trabajadas segun los datos obtenidos en el laboratorio.
1. Amplificador Fuente comun
Esta configuracion fue en la que mas problemas se

Al realizar un barrido de frecuencias se observo que

al alcanzar los 490KHz la ganancia del amplificador
ha disminuido en un 70 %. Lo anterior se debe a las
frecuencias de corte establecidas por los condensadores
utilizados en el montaje, cuando se superan estas
frecuencias el amplificador deja de comportarse de
forma ideal y su ganancia disminuye.
En cuanto a las impedancias de entrada y de salida de
este amplificador, en comparacion con las encontradas
en la configuracion Emisor comun de la practica
anterior, se observa que toman orden de magnitud
opuestos. Es decir que, en el emisor comun se obtiene
impedancia de entrada baja e impedancia de salida baja,
mientras que en el Fuente comun ocurre lo contrario.
Esto no lo hace un amplificador idoneo a la hora de
alimentar un dispositivo con una resistencia de entrada
pequena, como una bocina.

2. Amplificador Drenaje comun

Para esta configuracion se obtuvieron los valores
esperados tanto en el analisis DC como en el AC,
as como se puede observar en las imagenes y en
los bajos errores porcentuales encontrados en la
tabla de resultados. Lo anterior nos comprueba que los
transistores canal N fueron caracterizados correctamente
ya que los valores coinciden con los calculos teoricos.
La ganancia de este amplificador es significativamente
menor en comparacion a las ganancias de las
configuraciones fuente y compuerta comun, ya que nos
reduce la senal de entrada a aproximadamente la mitad.
Sin embargo, al igual que en los casos anteriores, estas
dos senales se mantienen en fase.
De la impedancia de entrada Zin se puede decir que
coincide con el orden de la impedancia de entrada del
amplificador fuente comun, mientras que la impedancia
de salida Zout si es mas pequena. En comparacion
con el amplificador compuerta comun, estas dos
impedancias de la configuracion drenaje comun son
mucho mas pequenas.
3. Amplificador Compuerta comun
Finalmente, la configuracion de Compuerta comun
trajo consigo unos resultados que, como se pueden
ver en la tabla VIII estuvieron dentro de un rango
cercano al esperado. Cabe destacar que para hallar los
valores teoricos, no se tienen en cuenta parametros o
condiciones fsicas que pueden hacer que dichos valores
no describan de manera acertada los que se pueden
obtener en la practica.
Los errores presentes entre los calculos teoricos y los
experimentales en algunos casos fueron superiores al
5 % pero si se hace una revision de los valores como
tal, se observa que las diferencias no son tan grandes.
La ganancia del amplificador de compuerta comun tuvo
un valor de 2.7 V/V que comparado con la teora de la
ganancia de un amplificador de topologa Fuente comun
fue muy parecida. La diferencia encontrada entre este
tipo de configuracion y el amplificador compuerta
comun fue la no inversion del circuito; este efecto
puede notarse si se analiza la figura 11.
En cuanto a la impedancia de entrada se puede decir
que es muy pequena a comparacion de la resistencia
de entrada de la configuracion fuente comun; y esto
puede traer como consecuencia que el amplificador
de compuerta comun permita que la corriente que
percibe esta etapa sea la misma corriente de entrada,
realizando un proceso que se ve en el conocido Buffer
de corriente. La impedancia de salida sigue siendo muy
parecida a la de fuente comun y esto demuestra que la
diferencia principal entre las dos configuraciones radica

en la capacidad de la compuerta comun al seguir la

corriente.
En cuanto a la frecuencia de corte superior, se
debe decir que no fue posible encontrarla con el
generador de senales. Esto era esperado ya que una
caracterstica principal de este amplificador se encuentra
en la capacidad de tener un excelente desempeno a
frecuencias muy altas.

V.

C ONCLUSIONES

Es importante conocer con certeza los parametros de

los transistores a utilizar en la practica para poder tener
mediante simulaciones y calculos valores muy cercanos
a los que se obtendran realmente, y as minimizar el
error porcentual.
En comparacion a la practica de laboratorio anterior,
se confirma que la ganancia de los amplificadores
en cualquiera de las tres configuraciones utilizando
MOSFET es menor a la obtenida con transistores BJT
ya que el valor de trasconductancia gm en los MOSFET,
es menor.
El amplificador de drenaje comun presenta la ganancia
mas baja entre las tres configuraciones ya que esta
configuracion es utilizada comunmente como un
Seguidor de voltaje. Sin embargo, en este caso su
ganancia no exactamente unitaria ya que no fue
disenado para esta funcion.
El amplificador de tipo Compuerta comun permite tener
un seguimiento casi unitario de la corriente que se le
aplica al montaje. Su ganancia permanece por encima
de la unidad al igual que la configuracion de fuente
comun pero presenta una resistencia mucho menor que
la del segundo amplificador.

VI.

R EFERENCIAS

[1] A. Sedra, K. Smmith Circuitos Microelectronicos,

2010. A
[2] M. Salazar D., matiasvd. Relacion Temperatura - Tension en un diodo, Charlie X-Ray, 2012.
Abellan, Diseno de sensor de temperatura basado
[3] J.A.
en Semiconductores, Universitat Aut`onoma de Barcelona (UAB), septiembre de 2009.