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Sommaire
Introduction 3
Chapitre I : Etude thorique
I.1 Stabilit.. 4
I.2 Test de stabilit.4
I.3 Cercles de stabilit...5
I.4 Conception dun amplificateur.7
I.5 Adaptation dun amplificateur..9
Chapitre II : Conception
II.1 Choix du transistor.10
II.2 Polarisation..10
II.3 Etude de la stabilit .............. 12
II.4 Stabilisation.........15
II.5 Adaptation........... 16
.
Conclusion...............................................................................................................19
-2-
Introduction
-3-
1 S11 S 22
2
K
et
(1.2.1)
2 S12 S 21
S11S 22 S12 S 21
(1.2.2)
-4-
S12 S 21L
1 S 22L
(1.3.1)
S12 S 21S
1 S11S
(1.3.2)
et
out S 22
Etant donn que les conditions de la stabilit sont in <1 et out <1, on peut remarquer
que si le transistor est unilatral S12 0 , les conditions sont rduit | S11 |<1 et | S 22 |<1.
Les solutions de ces ingalits forment les cercles de stabilit lentre et la sortie. Ces
cercles dfinissent les limites entre les rgions de stabilit inconditionnelle et de stabilit
conditionnelle pour les valeurs de S et L .
On peut dduire lquation du cercle de stabilit la sortie en posant in = 1 et par suite
on aboutit lquation suivante:
(1.3.3)
S11S 22 S12 S 21
| S11 L || 1 S 22L |
(1.3.4)
* *
22
S11
S 22
2
S12 S 21
S 22
2
(1.3.5)
Cette quation dfinit le cercle de stabilit la sortie dont le centre C L et le rayon RL sont
respectivement donns par :
-5-
RL
CL
S12 S 21
S 22
2
(1.3.6)
* *
22
S11
S 22
2
(1.3.7)
CS
RS
11
S 22
* *
S11
2
S12 S 21
S11
2
(1.3.8)
(1.3.9)
Connaissant les paramtres S, on peut alors dessiner les cercles de stabilit l'entre et
la sortie pour dterminer les parties de l'abaque de Smith qui reprsentent la rgion de
stabilit, o on a in <1 et out <1. Une des mthodes de reconnaitre ces parties est de
comparer la sortie S11 (ou S 22 lentre) par rapport 1. En effet, si S11 1 le centre
de labaque de Smith appartient la rgion stable. Sinon, il est dans la rgion instable.
-6-
(1.4.1)
out L*
Ces deux conditions maximisent le gain total du circuit :
G T, max
S21
K k 2 1
S12
(1.4.2)
(1.4.3)
S12 S 21L
1 S 22L
S S
L* S 22 12 21 S
1 S11S
Si le transistor est bilatral S12 0 , les solutions sont comme suit:
S* S11
MS
ML
B1 B12 4 C1
(1.4.4)
2C1
B2 B22 4 C2
2C21
(1.4.5)
Avec
B1 1 S11 S 22
B2 1 S 22 S11
C1 S11 S
*
22
*
C 2 S 22 S11
-7-
(1.4.6)
Par contre, dans le cas dun transistor unilatral S12 0 , les solutions sont :
*
S S11
(1.4.7)
*
L S 22
(1.4.8)
GS
1 S11S
1 L
GL
(1.4.9)
(1.4.10)
1 S 22L
1 S
GS
gS
GS max 1 S11S
(1 S11 )
(1.4.11)
1 L
GL
2
gL
(1 S 22 )
2
G L max 1 S 22L
(1.4.12)
On peut alors extraire les quations des cercles de gain constant lentre et la sortie.
Le centre et le rayon du cercle de gain constant lentre sont donns par :
*
CS
g S S11
1 (1 g S ) S11
(1.4.13)
1 g S (1 S11 )
2
RS
1 (1 g S ) S11
(1.4.14)
CL
g L S 22
1 (1 g L ) S 22
-8-
(1.4.15)
1 g L (1 S 22 )
2
RS
1 (1 g L ) S 22
(1.4.16)
Finalement, le choix de S et L doit tre fait sur les cercles dfinis prcdemment afin
davoir le gain fix au pralable.
CF
opt
(1.4.17)
N 1
2
RF
N ( N 1 opt )
N 1
(1.4.18)
Avec
S opt
1 S
(1.4.19)
Cette adaptation peut tre ralise grce l'abaque de Smith. Pour concevoir les circuits
d'adaptation on peut utiliser soit des lignes de transmission (parallles et ou en sries) soit
des lments localiss (capacit et ou inductance).
-9-
Chapitre II : Conception
II.1 Choix du transistor
Dans la plupart des circuits micro-ondes, on utilise soit les transistors bipolaires base de
silicone soit des transistors GaAS effet de champs. Les premiers permettent de raliser
un gain lev de puissance tandis que les seconds permettent davoir un faible bruit. Dans
le cadre de notre projet, on a choisit dutiliser le transistor bipolaire NEC_NE71000HI
_19920211 disponible dans la bibliothque dADS. Ses spcifications techniques,
fournies par le fabriquant, sont les suivantes: Vds (typical) = 3V, Idss = 64.88 mA.
II.2 Polarisation
Pour que le transistor fonctionnement correctement, on doit appliquer sur ces ports les
bonnes valeurs de tensions et de courants.
Le circuit de polarisation est reprsent sur la Figure suivante :
- 10 -
- 11 -
[S] =
0.071 46.283
0.505 -40.596
S11S 22 S12S 21 0.924 - 72.140 0.505 - 40.596 0.071 46.283 3.006 124.734
Donc :
0.464 86.154 et
1 S11 S 22
2
2 S12 S 21
- 12 -
Pour dessiner les cercles de stabilit lentre et la sortie, on peut soit utiliser ADS soit
calculer la valeur du rayon et la position du centre de chaque cercle laide des quations
mentionnes au chapitre prcdent.
Pour le cercle de stabilit lentre:
CL
* *
22
S11
S 22
RL
S12 S 21
S 22
2
5.71798.23
5.372
CS
RS
11
S 22
S11
2
S12 S 21
S11
2
* *
2
1.1380.489
0.334
- 13 -
- 14 -
Puisque, dans notre cas, S11 1 et S 22 1 , la rgion qui contient le centre de labaque
est une rgion stable. On peut, alors, remarquer quune partie importante de labaque de
Smith est une rgion instable. Do la ncessit de stabiliser le transistor.
II.4 Stabilisation
En se basant sur les cercles de stabilit, tracs sur labaque de Smith [1], on peut dduire
quen rajoutant en entre une rsistance en parallle de valeur 208 , le transistor devient
stable. Donc, en simulant le circuit suivant avec ADS, on obtient la nouvelle matrice de
rpartition la frquence 5.8 GHz est :
[S] =
-75.489
(0.677
2.591 129.862
0.062 51.421
0.522 -39.188
- 15 -
II.5 Adaptation
Dans le cadre de ce projet, on veut concevoir un amplificateur gain maximal oprant
la frquence 5.8 GHz. Pour avoir le gain maximal, il faut un transfert optimal de
puissance. Pour cette raison, on a opt pour ladaptation simultane conjugue, dtaille
dans le premier chapitre. Donc, il faut que :
in S*
out L*
On commence par la vrification de lunilatralit du transistor :
S12 S 21 S11 S 22
1 S 1 S 0.1416 0.03
2
11
22
- 16 -
Dans ces conditions et daprs ltude thorique du chapitre I, les coefficients de lentre
et de sortie sont comme suit :
MS
ML
B1 B12 4 C1
2C1
B2 B22 4 C 2
2C 21
On utilise le signe (-) parce que le transistor est inconditionnellement stable. On a aussi :
B1 1 S 11 S 22 1.083
2
B 2 1 S 22 S 11 0.711
2
*
C1 S 11 S 22
0.534 - 83.35
*
C 2 S 22 S 11
0.342 - 55.50
Enfin:
MS 0.839 83.33
ML 0.762 55.51
En utilisant labaque de Smith [2] on obtient les circuits dadaptation suivants :
Circuit dadaptation la
sortie
Circuit dadaptation
lentre
50
L2
Transistor
L3
50
L1
L4
L3 = 0.118
L2 = 0.091
L4 = 0.065
- 17 -
L3 = 4.4 mm
L2 = 3.39 mm
L4 = 2.42 mm
La simulation avec ADS du circuit, illustr sur la figure ci-dessus, permet davoir la
matrice de rpartition suivante:
[S] =
-141.675
(0.736
2.181 42.739
0.052 -35.702
0.648 -130.075
S 21
S12
k 2 1
2.181
1.16 1.16 2 1 24 13.8dB
0.052
- 19 -
Conclusion
- 20 -