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Practica #1 Polarizacion de los Transistores

FET-MOSFET
Leonardo Ormaza, lormaza@est.ups.edu.ec
Laboratorio de Analogica II, Universidad Politecnica Salesiana,Cuenca-Ecuador
ResumenEn el presente documento se expone el funcionamiento, caractersticas, ecuaciones y simulaciones de los transistores FET y MOSFET, en el cual se analiza diferente tipos de
polarizaciones y su comportamiento de cada uno de los circuitos
propuestos, y mediante el software MULTISIM o PROTEUS se
comprobar los datos que se realiz con los calculos y con los
datos obtenidos en la prctica
Index TermsSimple, Completo y Elegante

I.

O BJETIVOS

1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los

siguientes circuitos de polarizacin FET
Polarizacin con doble Fuente de Alimentacion
Autopolarizacion con Resistencia de Source
Polarizacin con Divisor de Tensin.
Polarizacin con fuente doble Simtrica. .
2. Disear y comprobar el Funcionamiento de los transistores
MOSFET Incremental y Decremental.
II.
II-A.

regin de agotamiento se extender completamente a travs

del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita
y se impedir el paso de ID (Figura 2). El potencial al
que sucede este fenmeno se denomina potencial de bloqueo
(Pinch Voltage, VP).
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor
JFET se encuentra polarizado en la regin de corte, y la
corriente de drenaje resulta ser nula.

Figura 2. Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin

de bloqueo.

M ARCO T EORICO

TRANSISTOR JFET

El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

Una de las caractersticas ms importantes del FET es su
alta impedancia de entrada. Los FET son ms estables a la
temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos que
los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de
circuitos integrados

II-B2. REGION LINEAL. : Si en la estructura de la

Ilustracin 2 se aplica una tensin VDS mayor que cero,
aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje
a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha
corriente estar limitado por la resistencia del canal N de
conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones
segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS.
II-B3. REGION DE SATURACION. : Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal
en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese
momento, la corriente se mantiene independiente de VDS,
puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor
estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global
aumenta
II-B4. Propiedades de transferencia: : La ecuacin de
Shockley define la relacin entre ID y VGS por:
ID = IDSS(1

Figura 1. Arquitectura interna del JFET

II-B.

PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET

II-B1. REGION DE CORTE: Aplicando una tensin VGS

negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin,
con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la

V gs 2
)
Vp

(1)

El trmino al cuadrado en la ecuacin produce una relacin

no lineal entre ID y los terminales DRAIN y SOURCE, en
el cual su caracterstica principal es la alta impedancia que
tiene en su ingreso. Una de las caractersticas principales del
transistor JFET es que maneja una alta impedancia de en VGS,
la cual genera una curva que crece exponencialmente con la
magnitud decreciente de VGS

Cuadro I
TABLA DE VALORES INICIALES

ID = IDSS(1

V gs 2
)
Vp

Figura 3. Curva Caracteristica del JFET

ID = 9, 4 103 (1
II-C.

2 2
)
4, 5

Polarizaciones del Transistor FET

II-C1.

ID = 2, 9mA

Polarizacin con doble Fuente de Alimentacion :

Una vez encontrada la ID procedemos a calcular la resistencia de Drain

RD =

V DD V DS
ID

RD =

(2)

12 6
2, 9 103

RD = 2068 2K
Para obtener el punto maximo de ID calculamos la IDmax
Figura 4. Polarizacion con doble Fuente de Alimentacion

Como primer punto hemos establecido que el punto de

trabajo del transistor sea en la mitad de la recta de
carga por lo tanto su recta de carga de salida me
representa la siguiente grfica.

IDmax =

V DD
RD

IDmax =

12
2068

(3)

IDmax = 5, 8mA
II-C2.

Autopolarizacion con Resistencia de Source:

Figura 5. Recta de carga

Como podemos apreciar en la figura anterior la curva de

la salida de carga del transistor nos verifica que segn los
clculos a mostrar a continuacin, cumple con las condiciones
necesarias.
Tabla de Datos
Parametro Valor Medida
IDSS
9,4
mA
VP
-4,5
V
VDD
12
V
VDS
6
V
VD
-2
V
Con los datos claros vamos a realizar el clculo de ID.

Figura 6. Autopolarizacion con resistencia de Source

Como primer punto hemos establecido que el punto de

trabajo del transistor sea en la mitad de la recta de carga por
lo tanto su recta de carga de salida me representa la siguiente
grfica.

12 6
280, 42
4, 7 103

RD =

RD = 996, 17
II-C3.

Polarizacin

con

Divisor

de

Tensin.

Figura 7. Recta de Carga

Como podemos apreciar en la figura anterior la curva de

la salida de carga del transistor nos verifica que segn los
clculos a mostrar a continuacin, cumple con las condiciones
necesarias.
Tabla de Datos
Parametro Valor Medida
IDSS
9,4
mA
VP
-4,5
V
VDD
12
V
VDS
6
V
ID
4,7
mA

Figura 8. Divisor de Voltaje

Tabla
Parametro
IDSS
VP
VDD
VDS
ID

de Datos
Valor Medida
9,4
mA
-4,5
V
12
V
6
V
4,7
mA

Cuadro II
TABLA DE DATOS

Cuadro III
TABLA DE DATOS

Vamos a calcular el voltaje Gate-Source para lo cual basndonos en los datos impuestos procedemos a calcular.
!
r
ID
V gs = 1
(V p)
(4)
IDSS
s
V gs =

4, 7 103
9, 4 103

Vamos a calcular el voltaje Gate-Source para lo cual basndonos en los datos impuestos procedemos a calcular.
!
r
ID
V gs = 1
(V p)
(7)
IDSS

!
s

(4, 5)
V gs =

4, 7 103
9, 4 103

!
(4, 5)

V gs = 1, 38V
Ahora procedemos a calcular el valor de las resistencias de
Drain y Source
RS =
RS =

V gs
ID

(5)

1, 318
4, 7 103

V DD V DS
RS
ID

Calculamos el voltaje de Gate.

VG=

VG=

RS = 280, 42
RD =

V gs = 1, 318V

R2 V DD
R1 + R2

(8)

470 103 12
470 103 + 1 106

V G = 3, 836V
(6)

Ahora procedemos a calcular el valor de las resistencias de

Drain y Source

RS =
RS =

V G V gs
ID

(9)
ID = IDSS(1

3, 836 + 1, 318
4, 7 103

V gs 2
)
Vp

ID = 9, 4 103 (1
RS = 1000
RD =

V DD V DS
RS
ID

RD =

(10)

12 6
1000
4, 7 103

ID = 5, 05mA
Calculamos la Resistencia de Source
RS =

RD = 237,
II-C4.

Polarizacin

con

fuente

doble

1, 2 2
)
4, 5

Simtrica.:
RS =

V SS V GS
ID

(12)

12 + 1, 2
5, 05 103

RS = 2613 2, 2k
Calculamos la Resistencia de Drain
RD =

V DD + V SS V DS
RS
ID

RD =

Figura 9. Fuente doble Simetrica

12 + 12 12
2200
5, 05 103

RD = 176,23 180

Como primer punto hemos establecido que el punto de

trabajo del transistor sea en la mitad de la recta de
carga
Tabla de Datos
Parametro Valor Medida
IDSS
9,4
mA
VP
-4,5
V
VDD
12
V
VDS
12
V
VSS
-12
V

II-D.

TRANSISTOR MOSFET

Es un dispositivo controlado por voltaje, este solo requiere

una mnima corriente de entrada, su velocidad de conmutacin
es muy alta.

Cuadro IV
TABLA DE VALORES INICIALES

Calculamos el Voltaje Vgs mediante

V gs =

V SS
10

12
= 1, 2V
10
Calculamos la Corriente de Drain
V gs =

(13)

(11)

Figura 10. Configuracion de MOSFET

II-D1. MOSFET Decremental: Aun cuando existen grandes similitudes entre las curvas de transferencia de los JFET
y de los MOSFET y que permiten realizar un anlisis muy
parecido en el dominio de DC, los MOSFET de tipo decremental permiten trabajar con puntos de operacin con valores
VGS positivos y niveles de ID que exceden el valor de IDSS.

V G = 1, 091V
Si Vgs=1
2

V gs
ID = IDSS 1
Vp
ID = 5 103 (1

1 2
)
3

ID = 8, 88mA
Si ID=2,5mA
r
1

V gs =

r
V gs =

Figura 11. MOSFET Decremental

ID
IDSS

2, 5 103
5 103

(V p)

(15)

!
(4, 5)

V gs = 0, 878V
Calculamos la Resistencia de Source
RS =

V SS V GS
ID

RS =

1, 092 + 0, 878
2, 5 103

(16)

RS = 751,47
Calculamos la Resistencia de Drain
II-D2.

Diseno:
RD =

V SS V DS
RS
ID

RD =

12 6
751, 47
2, 5 103

Figura 12. Circuito de MOSFET decremental

Al Igual que en los transistores Fet en el mosfet calcularemos todos los parmetros como VDS, ID en el centro de la
recta de carga.
Tabla de Datos
Parametro Valor Medida
IDSS
5
mA
VP
-3
V
VDD
12
V
VgsQ
-1.5
V
IDQ
1.25
mA
Cuadro V
TABLA DE VALORES INICIALES

Calculamos el voltaje de Gate.

VG=
VG=

R2 V DD
R1 + R2

10 106 12
10 106 + 100 106

RD = 3248, 53
II-D3. MOSFET Incremental: Las caractersticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el MOSFET de
tipo incremental. Por lo tanto, la solucin grfica es diferente
para los dos casos ya vistos. Debemos tener en cuenta que para
un MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corriente de
drenaje (ID) es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta
fuente menores al nivel de umbral VGS (TH). La corriente
de drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de
umbral:
ID = k (V gs V th) 2

(14)

(17)

(18)

En las hojas de caractersticas tcnicas se definen claramente

los valores de voltaje de umbral y un nivel de corriente de
drenaje (ID (encendido)), valores que permiten encontrar el
valor de la constante k. k = ID (encendido) / VGS (Encendido)

- VGS (TH) (5.7) Una vez se obtenga k, se podrn obtener

los dems valores para ID.

Al armar el circuito comprobamos en el Laboratorio obteniendo las siguientes mediciones en el multimetro

Parametro
Valor
ID
2,5 mA
VDS
6,4 V
VGS
-1,9 V
Cuadro VII
TABLA DE M EDICIONES

IV-B.

Autopolarizacion con Resistencia de Source

Figura 13. MOSFET Incremental

III.

L ISTA DE M ATERIALES

La lista de materiales esta enumerados en la siguiente tabla

cada elemento es de fcil adquisicin.
Lista de Materiales
Cantidad
Descripcion
V.uni. Total
6
Transistor Fet
0.50
3.00
15
Resistencias
0.03
0.60
1
Cable
0.40
0.40
Cuadro VI
L ISTA DE M ATERIALES

III-A.

Lista de equipos y herramientas

Protoboard
Multimetro
Fuente DC

IV-C.
IV.

IV-A.

Al armar el circuito comprobamos en el Laboratorio obteniendo las siguientes mediciones en el multimetro

Parametro
Valor
ID
2,5 mA
VDS
6,4 V
VGS
-1,9 V
Polarizacin con Divisor de Tensin.

D ESARROLLO

Polarizacin con doble Fuente de Alimentacion

Figura 14. Circuito Principal

Al armar el circuito comprobamos en el Laboratorio obteniendo las siguientes mediciones en el multimetro

Parametro
ID
VDS
VGS
IV-D.

Valor
2,5 mA
6,4 V
-1,9 V

Polarizacin con fuente doble Simtrica.

\
Al armar el circuito comprobamos en el Laboratorio obteniendo las siguientes mediciones en el multimetro
Parametro
Valor
ID
4,9 mA
VDS
11,4 V
VGS
-1,3 V
V.

Citation: [?]

A NALISIS

VI.

C ONCLUSIONES

VII.

B IBLIOGRAFIA