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  • Metodos de Disparo de Un SCR

    Загружено:

    Piero Soto
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    os rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control. El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa). El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de cebado a puerta. El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a. Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

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    Metodos de disparo de un scr

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    os rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control. El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa). El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de cebado a puerta. El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a. Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

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    Metodos de Disparo de Un SCR

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    os rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control. El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa). El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de cebado a puerta. El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a. Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

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    LABORATORIO EE-435

    INFORME FINAL N1

    Circuitos de Control y Disparo sobre


    SCR
    Alumno:
    Rojas Laura, Kevin Harnold
    Fecha de Entrega:
    22 de Abril de 2014

    Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

    Universidad Nacional de Ingeniera

    Laboratorio de Electrnica Industrial

    1.-

    RESULTADOS DE LA EXPERIENCIA

    1.1.- CIRCUITO A:

    Figura1. Circuito A simulado en Proteus ISIS.


    RESULTADOS EXPERIMENTALES:
    De la experiencia obtuvimos los siguientes resultados
    %POT (R3)

    VR2=10K*2.4mA

    VL

    7.5

    24.8V

    46V

    4.84

    29.4K

    25.2V

    95V

    19.17

    60.5K

    23.8V

    155V

    33.12

    91K

    24.8V

    180V

    54

    Laboratorio 1

    Pgina 2

    Laboratorio de Electrnica Industrial

    Figura2. Resultados de la experimentacion, visualizado en osciloscopio. Angulo de


    dispara entre 0-45.

    Figura3. Resultados de la experimentacion, visualizado en osciloscopio. Angulo de


    dispara entre 45-90.

    Laboratorio 1

    Pgina 3

    Laboratorio de Electrnica Industrial


    CONCLUSIONES:

    Se pudo comprobar cmo se pudo variar el ngulo de de disparo desde < 0 90>.
    Esto se muestra en las Figuras2 y 3.
    Experimentalmente se verifico que la corriente de disparo IGT vari un poco ya que en
    la resistencia de 2K el voltaje oscilo en valores cercano a 24V, este valor no fue fijo y
    eso se debe a q las caracterstica elctricas del SCR varan segn la temperatura o el
    voltaje entre ctodo y nodo.

    1.2.- CIRCUITO B:

    Figura 4. Esquema de la simulacion en Proteus.

    Datos tomados en la experimentacin el Laboratorio:

    Laboratorio 1

    %POT (R6)

    VDisparo

    7.5
    17.1K
    30K
    56.5K

    30V
    76V
    108V
    164V

    5.55
    14.18
    20.37
    31.92

    Pgina 4

    Laboratorio de Electrnica Industrial


    89K

    210V

    47.3

    Comparando los valores tericos con los experimentales:

    i (Teorico)

    i (experimental )

    Error (%)

    5.15
    13.38
    19.77
    33.9
    55.8

    5.55
    14.18
    20.37
    31.92
    47.3

    7.767
    5.979
    2.95
    5.84
    15.233

    CONCLUSIONES:

    En el circuito 2 pudimos observar como el ngulo de disparo poda aumentar


    gracias a que el condensador produce un retraso en la corriente de disparo con lo
    cual se puede alcanzar valores mayores a 90, incluso cercano al 180.
    Se desarrollo una frmula para calcular el ngulo de disparo en funcin del valor
    del condesador y esto lo pudimos corroborar con los datos teoricos.

    1.3.- CIRCUITO C:

    Circuito de Disparo con UJT, simulado en Laboratorio


    Datos de Obtenidos en la experimentacin:
    Laboratorio 1

    Pgina 5

    Laboratorio de Electrnica Industrial


    %POT R6
    7K
    20K
    30K
    50K
    100K

    V Disparo
    52V
    122V
    148V
    182.1V
    39.30V

    Datos tomados en el laboratorio:


    %POT R6
    7K
    20K
    30K
    50K
    100K

    V Disparo
    60V
    120V
    150V
    182V
    35V

    Comparando los valores tericos con los experimentales:

    V Disparo (Teorico)

    V Disparo (experimental)

    Error (%)

    52V

    60V

    13.32%

    122V

    120V

    1.67%

    148V
    182.1V

    150V
    182V

    1.334%
    0.05%

    39.30V

    35V

    12.2%

    Laboratorio 1

    Pgina 6

    Laboratorio de Electrnica Industrial

    Figura x. Disparo en el rango de 10 -180 grados.

    CONCLUSIONES:

    Como pudimos observar en este circuito se pudo alcanzar un gran barrido del
    ngulo de disparo desde 0 hasta 180 , esto se debe a que el oscilador de
    relajacin permite un retraso mejor que el condensador, ya que este oscilador
    funciona como carga y descarga.

    1.4.- CIRCUITO D:

    Laboratorio 1

    Pgina 7

    Laboratorio de Electrnica Industrial

    Figura. Circuito propuesto para la experiencia, simluado en ISIS.


    Datos obtenidos en el experimento:
    POTENCIOMETRO
    114
    193.7
    296
    386
    508
    984
    23 K

    Laboratorio 1

    Pgina 8

    Voltaje de disparo
    304
    180
    136
    100
    74
    42
    12

    Laboratorio de Electrnica Industrial

    Figura . Circuito D en funcionamiento implementado en el laboratorio.


    CONCLUSIONES:

    En el circuito D pudimos observar como el ngulo de disparo del SCR variaba


    inversamente con el potencimetro.
    Tambien se pudo observar como el el Volatje de disparo mantena una relacin
    inversamente proporcional con el potenciometro

    Laboratorio 1

    Pgina 9

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