Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT

Controlado por corriente de base.

Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.

IC es una funcin de IB.

(beta factor de amplificacin)

Altas ganancias de corriente y voltaje.

Relacin lineal entre Ib e Ic.

JFET

Controlado por tensin entre puerta y fuente.

Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p)
electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.

gm (factor de transconductancia).

Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los

BJT.

Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT
Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
ms dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de
tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventaja de los FET
Los FETs presenta una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad estatica.
APLICACIN, PRINCIPAL VENTAJA Y USOS
Aislador o separador (buffer), impedancia de entrada alta y de salida baja, uso
general, equipo de medida, receptores.
Amplificador de RF, bajo ruido, sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones.
Mezclador, baja distorsin de intermodulacin, receptores de FM y TV, equipos para
comunicaciones.

Amplificador con CAG, facilidad para controlar ganancia receptores, generadores de

seales.
Amplificador cascodo, baja capacidad de entrada, instrumentos de medicin, equipos
de prueba.
Resistor variable por voltaje, se controla por voltaje, amplificadores operacionales,
control de tono en rganos.
Amplificador de baja frecuencia, capacidad pequea de acoplamiento, audfonos para
sordera, transductores inductivos.
Oscilador, mnima variacin de frecuencia, generadora de frecuencia patrn, receptora.
Circuito MOS digital, pequeo tamao, integracin en gran escala, computadores,
memorias.

PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET

A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede
con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacin:

Regin de corte

Regin lineal

Regin de saturacin

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno

completamente distinto al de los transistores BJT.
1.1.1 Regin de corte
Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta
forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una
unin PN aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccin en la que no hay
portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin
aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin
aplicada.Aplicando una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de
depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se
extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har
infinita y se impedir el paso de ID .El potencial al que sucede este fenmeno se
denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor NJFET se encuentra
polarizado en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
1.1.2 Regin lineal

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer
una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que

llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N
de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o
pequea en comparacin con VGS.
1.1.2.1 Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente
La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la unin GS con una
tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.
Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que
en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta
una doble dependencia:

La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS

La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est
limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la
anchura del canal, y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:

Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional

a VGS y a VDS.
1.1.2.2 Valores altos del voltaje drenaje-fuente
Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situacin cambia con respecto al
caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su
comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo
largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser de 5 V, pero
a medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y
en el terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por
ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir
ninguna corriente. (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por
debajo de los contactos).
Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2
V, que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta
tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin
inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de
depleccin tampoco lo ser . Cuando VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no
afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la seccin de

conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS, y que
disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.
1.1.3 Regin de saturacin

Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo
del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene
independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor
estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta.
La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede
cuando la tensin puerta-drenaje es ms negativa que VP, es decir:
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura En el caso del
bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es constante
porque la tensin VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la
regin de corriente constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado
por VDS, que vara a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacin de la
corriente.