UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - INFORME 5

Fuentes de Corriente Mosfet y Amplificadores con

Carga Activa
Juan Prieto, David Villarreal, Andres Ordonez

AbstractThis paper presents the results and analysis for the

laboratory, current sources with MOSFET amplifiers with active
load. This laboratory is intended to observe the advantages and
disadvantages of using active load transistor amplifiers.
ResumenEn este documento se presentan los resultados y
analisis correspondientes al laboratorio de fuentes de corriente
con MOSFET y amplificadores con carga activa. En este laboratorio se pretenden observar las ventajas y desventajas de usar
carga activa en los amplificadores con transistores.
Palabras clavetransistor MOSFET, fuente de corriente espejo, carga activa, carga resistiva.

I.

la ganancia del amplificador se reduzca a un 70, 7 %, esta

frecuencia sera aproximadamente el valor del ancho de banda.
Luego de hallado el ancho de banda se procede a encontrar
el valor de las resistencias de entrada y salida del amplificador.
En cuanto a la resistencia de entrada se realiza un cortocircuito
en la salida y se coloca una resistencia, R, en serie con la
fuente de senal. Se mide el voltaje en el generador y en la
resistencia, obteniendo as el valor de la impedancia de entrada
con la siguiente ecuacion:
Rin =

INTRODUCCI ON

En este laboratorio se va a realizar el montaje de un

amplificador el cual tiene realimentacion y se estudiaran sus
ventajas, junto a lo anterior se veran los efectos de la carga
activa. Para esto se realizara el montaje de un amplificador
source comun con realimentacion de voltaje y carga resistiva,
para ver su comportamiento. Luego de esto se le agregara a
este una carga activa conformada por transistores PMOS, con
la cual se pretende ver las ventajas de la adicion de esta con
respecto a la carga resistiva.
II.

O BJETIVOS

Para el analisis de los circuitos realizados en el laboratorio,

se presentan los siguientes objetivos:

Vsig
VR

Para hallar la impedancia de salida se hace un procedimiento

igual al descrito anteriormente, solo que cortocircuitando
la entrada y poniendo la fuente de senal en la salida del
amplificador.
Por u ltimo para observar el comportamiento del
amplificador ante diferentes resistencias de carga, se
toman distintos valores de RL y se mide el voltaje de salida,
para determinar la ganancia del amplificador.
Para la segunda parte del laboratorio se reemplaza la resistencia RD por una fuente de corriente con transistores PMOS
capaz de entregar 4mA al amplificador, y se realiza el mismo
procedimiento de la primera parte.

Disenar un amplicador con polarizacion DC con retroalimentacion de voltaje.

Disenar y analizar las caractersticas de un amplicador
con carga activa
III.

PROCEDIMIENTO

Para este laboratorio se va a realizar el montaje mostrado

en la figura 1, para la primera parte se va a escoger una
resistencia RD, tal que por el transistor fluya una corriente
de 4mA. Se tomaran las medidas correspondientes al voltaje
de entrada y el voltaje de salida para determinar la ganancia
del amplificador, ademas con el osciloscopio se observaran la
forma de las senales de entrada y salida.
Para determinar el ancho de banda del amplificador,
teniendo en cuenta la ganancia encontrada anteriormente,
se varia la frecuencia del generador de senales, hasta que

Figura 1. Montaje a realizar en el laboratorio.

IV.

Y AN ALISIS
DISE NO

Documento entregado el da 19 de octubre de 2015.

IV-A.

Juan Prieto. jsprietog@unal.edu.co

Andres Ordonez.aaordonezh@unal.edu.co
David Villarreal. ldvillarrealm@unal.edu.co

IV-A1. Diseno: Como punto de partida para el diseno del

amplificador se tienen las siguientes condiciones:

Amplificador carga resistiva

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ID = 4mA
RF = 1M
c1 = c2 = 1F
Para tener una corriente de 4mA en el drain del transistor
se necesita un voltaje VGS de:
r
ID
+ Vt
VGS = 2
kn
s
4mA
+ 1, 28 = 4, 63V
VGS = 2
0, 3565

Rin =

1000 + 1, 311
RF + Req
=
= 241, 42K
1 + gm Req
1 + 2, 39 1, 311

Tambien se puede observar que la resistencia de salida es

igual a:
Rout = RD k r0 = K

Al no haber una corriente que fluya por RF el voltaje en

la resistencia va a ser 0, por lo tanto el voltaje en el gate es
igual al voltaje en el drain, con esto en mente, se puede hallar
el valor de RD :
RD =

VDD VGS
ID

12 4, 63
= 1, 8425K
4mA
Ya teniendo la polarizacion del transistor se procede a
realizar el analisis AC, partiendo por determinar la transconductancia y la resistencia interna del circuito, las cuales son:
RD =

gm =

IV-A2. Simulacion: Al realizar la simulacion con los datos

obtenidos en el diseno, se obtuvo el punto de polarizacion que
se muestra en la figura 4, los cuales coinciden con lo disenado.

2 4mA
A
2ID
=
= 2, 39m
VGS Vt
4, 63 1, 28
V

r0 =

1
1
=
= 8, 33K
ID
0, 03 4mA

Se debe tener en cuenta que para el calculo de la resistencia

interna del transistor se suposo un lambda de 0, 03, el cual se
encontro en un modelo spice, pero este vara en cada transistor.
El modelo de pequena senal se puede observar en la figura
2. Realizando un analisis nodal del circuito se puede obtener
la ganancia de este, la cual es:

Av =

Figura 3. Simulacion del amplificador

1
RF
1
RF

gm
+

1
Req

1
1000 2, 39
1
1
1
1
1000 + 1,8425 + 10 + 8,33

Av = 3, 13

V
V

Figura 4. Punto de operacion en la simulacion

En la figura 5 se observan las senales de entrada (negra) y

de salida (azul). Con una entrada de 50 mV se obtuvo en la
simulacion una salida de 164,359 mV lo cual da una ganancia
de 3,28 VV .

De donde Req = RD k r0 k RL

Figura 2. Equivalente pequena senal amplificador carga resistiva

En cuanto a la resistencia de entrada tambien al realizar un

analisis en el circuito equivalente de pequena senal se obtiene
que:

Figura 5. Entrada y Salida del amplificador en la simulacion

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IV-B.

Amplificador carga activa

Para la carga activa se uso una fuente Wilson la cual

entregara 4 mA, debido a que esta fuente deba entregar y no
recibir la corriente, se usaron transistores MOS tipo P, para
la cual se uso una resistencia de 590 encargada de fijar la
corriente en el espejo.

Verificamos el diseno por medio de las simulaciones, donde

al igual que en los calculos teoricos se tomo un lambda igual
a 0,03.

Tomamos la resistencia de salida de la fuente MOS Wilson

como resistencia de drain la cual equivale aproximadamente
a:

VGSw

R0 = gmr02
r
ID
+ Vt
VGSw = 2
kn
s
4mA
= 2
+ 1, 28 = 4, 29V
0, 344
gmw =

Figura 6. Esquema de diseno para carga activa

Se observo que con una resistencia ligeramente menor a la

calculada se obtuvo la corriente esperada.

2 4mA
3, 4V

mA
V
La tension mnima necesaria para el funcionamiento de
una fuente Wilson es de 2Vov + Vt , para la cual nuestro
amplificador de carga activa funcionara.
gmw = 2, 35

Vdd min = 2 3, 41 + 1, 28

Figura 7. Corriente del amplificador con carga activa

Vdd min = 8, 1V
Calculamos la resistencia de salida de la fuente Wilson:
R0 = gmr02

La ganancia de igual forma se verifico con la ayuda de la

simulacion dando como resultado una ganancia de -10 VV con
una diferencia de 0,51 a la calculada teoricamente.

mA
8, 33K2
V
R0 = 163K

R0 = 2, 35

Con el diseno de la polarizacion hecho, se procedio a

analizar el comportamiento del circuito en pequena senal,
usando el mismo esquema de la figura 2, reemplazando Rd
por la resistencia de salida de la fuente Wilson, para ello
primero se hallo la ganancia, la cual, es igual a la ganancia
de carga resistiva salvo que esta vez, Rd es reemplazada por
la resistencia de la fuente de corriente.
Av =

1
RF
1
RF

gm
+

1
Req

1
1000

1
1000 2, 39
1
1
1
+ 163
+ 10
+ 8,33

Av = 10, 51

V
V

De donde Req = R0 k r0 k RL
Procedemos a hacer el mismo analisis de carga resistiva para
hallar resistencia tanto de salida como de entrada:
Rin =

RF + (R0 k r0 )
1000 + 7, 925
=
= 50, 54K
1 + gm (R0 k r0 )
1 + 2, 39 7, 925
Rout = R0 k r0 = 8, 33K

Figura 8. Ganancia del amplificador con carga activa

V.
V-A.

RESULTADOS Y MEDICIONES

Amplificador carga resistiva

Se realizo el montaje de la figura 1 y sin conectar el

generador, esto con el fin de obtener el punto de operacion
del amplificador, el cual fue:
ID = 4, 07mA
VDS = 4, 47V
VGD = 4, 42V
Luego de esto se procedio a conectar la fuente de senal y
teniendo una resistencia de carga de 10 K, las senales de

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entrada y salida de este amplificador se muestran en la figura

9. Ademas de esto se obtuvieron los voltajes correspondientes
de estas:

PMOS. Usando este montaje se obtuvo la siguiente corriente

de Drain:
ID = 3, 94mA

Vin = 35, 2mVrms

Vout = 114, 4mVrms

Posteriormente al montaje se le conecto una senal de entrada

correspondiente a Vin y se obtuvo una salida especfica de
Vout con una resistencia de carga de 10 K, obteniendo una
ganancia de Av as
Vin = 112mV
Vout = 936mV
Av = 8, 37

V
V

Posteriormente se procedio a realizar variaciones en la

resistencia de carga para con esto determinar como afecto
esto la ganancia del amplificador. Se obtuvieron los siguientes
datos.
Figura 9. Entrada y salida del amplificador
Cuadro II
DATOS A MPLIFICADOR CARGA ACTIVA

Luego de esto se hallo el ancho de banda aproximado,

debido a restricciones del equipo, el cual dio un valor de 863
KHz.

R[K]
10
8,5
7
6
5
4
3
2
1
0,505
0,132

En cuanto a las resistencias de entrada y de salida se obtuvo

que:
Rin = 100

35, 4mV
= 219, 87K
16, 1mA

Rout = 0, 51

35, 4mV
= 1, 34K
13, 47mA

Por u ltimo se obtuvo la ganancia del amplificador con

diferentes resistencias de carga y con un voltaje de entrada
de 35, 4mVrms , el resultado de esto se puede ver en la Tabla
II.

Vout [mV]
301,6
289,9
268,5
249,4
228,7
201,8
168,5
126,3
74,7
40,5
10,4

Av [ V
]
V
8,5
8,19
7,59
7,05
6,46
5,71
4,76
3,57
2,11
1,14
0,294

Finalmente se determina el ancho de banda y la impedancia

de entrada y salida, as:
BW = 250KHz

Cuadro I
DATOS A MPLIFICADOR CARGA RESISTIVA
R[K]
10
8,5
7
6
5
4
3
2
1
0,505
0,132

V-B.

Vout [mV]
113,3
110,3
106
103
98,6
92
83,4
70,4
48,2
29,5
9,4

Av [ V
]
V
3,20
3,12
2,99
2,91
2,79
2,60
2,36
1,99
1,36
0,83
0,27

Amplificador carga activa

Para este amplificador se monta el circuito dispuesto en la

figura 1, pero haciendo el cambio de la resistencia de Drain
por una fuente de corriente Wilson disenada previamente con

Zin = 149, 78K

Zout = 15, 7K
VI.
VI-A.

AN ALISIS
DE RESULTADOS

Amplificador carga resistiva

VI-A1. Punto de polarizacion: En la practica se obtuvo

una corriente ligeramente mas grande que para la que fue
disenada, esto debido a la tolerancia de las resistencias y el
efecto de modulacion de canal del transistor. En cuanto a los
voltajes VGS y VDS , que en el diseno se supusieron iguales
debido a que por el gate, idealmente, no pasa una corriente, en
la practica no dieron iguales, aunque tenian una diferencia muy
mnima, debido a que en la practica por el gate de transistor
pasa una corriente muy pequena.

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VI-A2. Analisis AC: Con los datos obtenidos en la practica

se puede deducir que la ganancia de voltaje del amplificador
es de:
| Av |=

V
114, 4
= 3, 23
35, 4
V

VI-B.

Amplificador carga activa

Para el caso del amplificador con carga activa la corriente

fue levente menor a la buscada teoricamente que era de 4
mA, alrededor de un 1, 5 %. Mientras que los puntos de
polarizacion usados se mantienen igual al caso de la carga
resistiva.

Como era de esperarse la senal de salida esta desfasada

180 grados con respecto a la entrada, a causa de que la
configuracinon del amplificador source comun. en cuanto al
error entre el diseno y la practica fue del 3, 2 %, este debido a
factores como la tolerancia de las resistencias y suposiciones
hechas en el diseno.

Para el caso de la ganancia, se obtuvo un valor de 8, 5 VV

experimentalmente, el cual es un poco menor al esperado
teoricamente que es de 10, 51 VV ; esto puede ser debido a
las tolerancias respectivas de cada una de las resistencias,
ademas de las suposiciones hechas en el a mbito teorico.

Al variar la resistencia de carga se vio que al disminuir la

resistencia la ganancia tambien disminuia, resultado que era
muy esperado. En la figura 11 se puede observar como estan
relacionadas estas dos variables, donde nos damos cuentas de
que tiene una forma exponencial, esto debido que para la zona
donde la resistencia de carga es mayor a RD esta es la que
domina en el calculo de la ganancia, mientras para resistencias
menores a RD , la resistencia de carga es la que comienza a
dominar.

Cabe destacar que la ganancia del circuito con carga activa

fue en general mayor a la ganancia obtenida del montaje con
carga resistiva, un poco mas del doble, sin embargo si se
presenta un desfase de 180 grados al igual que el caso anterior
como era de esperarse. Como se observa en la grafica 12 el
valor de la resistencia es proporcional al valor de ganancia
en forma casi logaritmica. Este aumento en la ganancia es
producto del cambio en la impedancia producida por los
transistores de la fuente Wilson, lo cual es directamente una
variacion en el valor de Rd .

Figura 10. Ganancia del amplificador vs Resistencia de carga

Figura 11. Ganancia del amplificador vs Resistencia de carga

En cuanto al ancho de banda del amplificador se observo

que, con respecto a un amplificador sin retroalimentacion de
voltaje, esta aumenta en el amplificador con realimentacion
debido a esta.
VI-A3. Resistencias de entrada y salida: La resistencia
de entrada en esta configuracion gracias a esta realimentacion
depende de la ganancia del amplificador, entre mayor sea
esta la resistencia de entrada va a ser menor. En cuanto a la
impedancia de salida depende, al igual que en un amplificador
sin realimentacion, de las resistencias del drain y la interna
del transistor, ya que se puede ignorar la resistencia de
realimentacion porque normalmente es muy grande respecto
a las otras.

Finalmente para el caso de las impedancias de entrada y

salida dieron un poco mayor a las esperadas en el calculo
teorico, alrededor del 12, 6 % en ambos casos, todo producto
de las tolerancias de las resistencias y ademas de la resistencia
propia de los transistores usados en la fuente de corriente la
cual no se puede determinar con completa exactitud, solo un
aproximado.

La impedancia de entrada encontrada en la practica tuvo un

error del 9, 8 %, mientras que la de salida tuvo un error del
10, 7 %. Estos errores son bastantes grandes y pueden ser debidos a la tolerancia de las resistencias usadas, incertidumbres
de los equipos de medida y efectos internos de los transistores.

VII.

C ONCLUSIONES

La realimentacion de voltaje disminuye la ganancia en

voltaje del amplificador pero aumenta el ancho de banda
del amplificador.
Otra ventaja de la realimentacion es que facilita la
forma de polarizar el transistor, al reducir el numero de
resistencias necesarias para esto..
La fuente Wilson con transistores MOS es una buena
opcion a la hora se usar como carga activa, debido a

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que tiene un buen margen de uso y linealidad, y entrega

una resistencia de salida bastante alta que no influye de
manera significativa en la ganancia del amplificador.
Trabajar con carga activa significa un trade-off
entre ganancia y ancho de banda, debido a que las
capacitancias internas de la carga activa entran a jugar
un papel importante dentro de los polos del circuito.
Se pudo observar como las curvas de ganancia versus
resistencia de carga en el caso de carga activa y carga
resistiva son muy similares, donde a mayor resistencia de
carga mayor ganancia, solo que para el caso de la carga
activa la ganancia es mayor.
R EFERENCIAS
[1] Circuitos Microelectronicos. Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith. Quinta
edicion.