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INSTALACIONES ELECTROTCNICAS
Esquema:
1.- Introduccin.
2.- Dispositivos electrnicos de potencia
2.1.- Diodos
2.2.- Transistores
2.3.- Tiristores
2.3.1.- El tiristor GTO
2.4.- Simbologa normalizada de componentes electrnicos.
3.- Rectificadores monofsicos y trifsicos
3.1.- Rectificador monofsico de media onda
3.2.- Rectificador monofsico de onda completa
3.3.- Rectificador Trifsico de media onda.
3.4.- Rectificador Trifsico de onda completa
4.- Rectificacin controlada
4.1.- Rectificador de media onda controlado
4.2.- Rectificador de Onda Completa controlado
4.3.- Rectificador Trifsico controlado.
5.- Diagnstico y localizacin de averas.
6.- Conclusiones.
7.- Referencias bibliogrficas y documentales.
REV.: 07/05
1.- INTRODUCCIN
Analizando el comportamiento de los semiconductores observaremos
las ventajas obtenidas en la utilizacin de la electrnica de potencia
para diferentes sistemas de regulacin para mquinas, ya que ofrecen la
posibilidad de hacer funcionar estos sistemas con un pequeo gasto de
energa.
PREPARADORES DE OPOSICIONES PARA LA ENSEANZA
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INST. ELECTROTCNICAS
CICLO
CONVERTIDOR
MAGNITUDES
CONTINUAS
I1, V1
GRADUADOR
MAGNITUDES
ALTERNAS
f2, V2
ONDULADOR
AUTONOMO
Y CONTROLADA
RECTIFICACIN
CON DIODOS
ONDULADOR
ASISTIDO
MAGNITUDES
ALTERNAS
f1, V1
REGULADOR
REDUCTOR
REGULADOR
ELEVADOR
MAGNITUDES
CONTINUAS
I2, V2
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SEMICONDUCTORES
NO CONTROLADOS
Diodos
CONTROLADOS
Tiristores
Triac
CON MANDO
DE BLOQUEO
Transistores
GTO
2.1.- Diodos
Un diodo es la unin de un cristal tipo P con uno tipo N,
establecindose lo que se conoce como Unin PN, en la lnea que
divide los dos cristales. Este punto define el comportamiento del
dispositivo.
Dependiendo de cmo conectemos la fuente de alimentacin respecto
del cristal P y del N (nodo y Ctodo), tendremos el diodo polarizado
directa o inversamente.
A
P
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Para polarizar este transistor hacen falta dos F.A. cuyos polos positivos
estn conectados a la base y al colector, quedando el emisor al negativo
de las dos F.A.. Adems la tensin base-emisor (Vbe) debe ser superior
a 0.7 V para que haya conduccin. De este modo surge la relacin Ie= Ib
+ Ic, donde se cumple que Ib < Ic, del orden de 100 veces menor.
En el transistor PNP, es la unin emisor-base la que forma la cohesin
PN, lo que explica el sentido contrario de la flecha en
el smbolo. Invirtiendo la polaridad de las F.A. las
corrientes tendrn el sentido opuesto al modelo NPN,
pero las relaciones permanecen invariables.
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2.3.- Tiristores
Un tiristor est constituido por cuatro zonas PNPN, y tres
electrodos, (nodo A, ctodo K, y puerta P, o G de gate
en ingles). Podra decirse que el tiristor es un diodo
accionado, por ello para explicar su funcionamiento nos
basaremos en el.
- Polarizacin inversa: Al igual que en el diodo, conectamos el positivo
de una F.A. al ctodo y el negativo al nodo, el tiristor queda bloqueado
(igual que el diodo)
- Polarizacin directa: Aplicaremos al tiristor tensin positiva respecto al
nodo, y ste se comportar del siguiente modo: Sin corriente en la
puerta, el tiristor permanece bloqueado (NO conduce). Si enviamos un
impulso positivo de corriente a la puerta, el tiristor se ceba, lo que se
conoce como efecto avalancha, haciendo que el tiristor conduzca. Una
vez cebado, suprimir la corriente en la puerta, NO tiene efecto, por lo
que para volver al estado de bloqueo se debe reducir la tensin positiva
aplicada al nodo hasta un valor crtico de corriente de mantenimiento
(Ih).
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a) Resistivo
b) Inductivo
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Vef
Vm
r
Im
Ip
Vip
F. fund.
Ventajas
Inconvenientes
R.M.O.
Vef = Vp/2
Vm = Vp/
45% Vef
121 %
Im = Vm/Rl
Ip = Vp/Rl
Vp
F-red
1 solo diodo
R.D.O.
Vef = Vp/2
Vm = 2Vp/
90 % Vef
48.2 %
Im = Vm/Rl
Ip = Vp/Rl
2 Vp
2 F-red
R.P.G.
Vef = Vp/2
Vm = 2Vp/
90 % Vef
48.2 %
Im = Vm/Rl
Ip = Vp/Rl
Vp
2 F-red
- Doble tensin de
salida, respecto de
media onda.
- Menor factor de
rizado que ste.
- Doble frecuencia
fundamental.
- Vip doble de R.M.O. y
R.P.G.
- Trafo. Con toma
intermedia.
de
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6.- CONCLUSIONES.
Con el contenido de este tema, se pretende abarcar, de un modo bsico,
la parcela de la electrnica de potencia. Que como es sabido tiene una
gran implantacin dentro de campo industrial, tanto para la alimentacin
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NOTAS
REV.: 07/05
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