Electronica 5

FUNDAMENTO DE ELECTRNICA
CAPTULO I TEORA DE
SEMICONDUCTORES
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO I
1.- Semiconductor
Entre los materiales conductores, que permiten una circulacin generosa de
corriente por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes,
que no permiten la circulacin de corriente, nos encontramos una gama de
materiales con propiedades propias que denominamos semiconductores ellos tienen
una conductividad que vara con la temperatura, pudiendo comportarse como
conductores o como aislantes.
Todos semiconductores se caracterizan porque en su ltima capa de electrones de
su estructura atmica poseen cuatro (4) electrones (son tetravalentes) llamados
electrones de valencia.
El elemento semiconductor ms usado es el Silicio (Si), pero hay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin
de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se
encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades
mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose
a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose
SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la
tecnologa CMOS. Aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones
de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente
(AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd) de la tabla peridica. De un tiempo a esta
parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre.
En la tabla # 1 se muestra algunos elementos pertenecientes a los grupos II, III, IV,
V, VI de la tabla peridica.
Estos elementos tienen una estructura ms estable si comparten electrones,
formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con
tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que
es muy estable.
Elemento
Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd
II A
2 e-
Al, Ga, B, In
III A
3 e-
Si, Ge
IV A
4 e-
P, As, Sb
VA
5 e-
Se, Te, (S)
VI A
6 e-
Tabla #1
Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El
diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de
carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio forman redes similares ver
Figuras 1a y 1b.
Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn
geomtrico. La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones
de su ltima capa sufran la interaccin de los tomos vecinos.
Fig. 1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) Fig. 1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio (AsGa)
Fuente: www.ele.uva.es
En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos
materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.
Un aumento en la temperatura hace que los tomos en un cristal por ejemplo de
silicio vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que
un electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer
otro electrn, y as sucesivamente. En la figura 2a se puede observar un cristal de

silicio antes del aumento de la temperatura y en la figura 2b el cristal de silicio
despus de un aumento de temperatura donde se produce la creacin de el hueco y
del electrn libre por el rompimiento de los enlaces covalentes del cristal. A 0 K,
todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres.
(a)
(b)
Fig. 2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 2b.- Cristal de Silicio
(Si) despus del aumento de la temperatura.
Fuente: www.rincondelvago.com
La unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre

la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".
2.- Banda de Energa y Conductividad Elctrica del Cristal
El nivel energtico de cada electrones puede estar situado en la "banda de valencia"
o en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de
la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse
libremente a travs de l, mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de
conduccin, el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo
formar parte de una corriente elctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del Cristal. La magnitud de ese
banda prohibida son permite definir otra diferencia entre los semiconductores,
aislante y conductores.
En la figura 3 se puede observar la estructura de los niveles o bandas de energa
segn el tipo del material. La magnitud de la banda prohibida (Eg) de algunos
semiconductores son: para el Silicio (Si) es aproximadamente de 1,11 eV, Germanio

(Ge) de 0,67 eV, Arseniuro de Galio (AsGa) de 1,43 eV, Telurio de 0,33 eV, Galena
(SPb) de 0,37 eV, Antimoniuro de Indio (SbIn) de 0,23 eV.
Eg = 6eV
Eg 1eV
Semiconductor
Aislante
Conductor
Banda de
Valencia
Banda de
Conduccin
Banda de
Prohibida
Solapamiento de la Banda de
Valencia y la Banda de conduccin
Fig. 3 Estructura de las bandas de energa de un Aislante, un Semiconductor y un Conductor

Fuente: El Autor
Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya

electrones en la capa de conduccin, as podemos considerar tres situaciones:
Los conductores, en los que ambas bandas de energa se superponen.
Los aislantes, en los que la diferencia existente entre las bandas de energa,
del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los
electrones.
Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden
de 1 eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad;
pero adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar
disminuir la energa aportada para que sea menor el nmero de electrones
que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los
metales, cuya conductividad es constante, o ms propiamente, poco
variable con la temperatura.
Es importante notar que la conductividad elctrica de los semiconductores es

directamente proporcional a la temperatura, y por ello se afirma que su coeficiente
trmico de conductividad es positivo, a diferencia de los metales cuyo coeficiente
trmico de conductividad es negativo.
Estos coeficientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los
metales
aumenta
o,
en
forma
equivalente,
su
conductividad
disminuye.
Por lo contrario, a temperaturas normales (aprox. 25C), la conductividad de los

semiconductores aumenta en un 5% por cada grado de incremento en la
temperatura.
NOTA: No debe confundirse la resistividad del material con la resistencia del
mismo. La resistividad es una propiedad caracterstica de cada material, mientras
que la resistencia depende de la forma geomtrica.
La corriente en los conductores se debe al movimiento de los electrones libres
mientras que en los semiconductores se debe al movimiento de los electrones libre
y los huecos.
3.- Tipos de Semiconductores
3.1 Semiconductores Intrnseco
Son los cristales semiconductores puros. A temperatura ambiente se comporta
como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a
la energa trmica. En ellos, el nmero de huecos es igual al nmero de electrones y
es funcin de la temperatura del cristal.
La conductividad en ellos a una temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la
cantidad de electrones libres es igual a la cantidad de huecos presente en el cristal
debido al fenmeno de recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la

concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni n p
(1)
Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la

temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de
la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en
la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos, originando una
corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Eg
2*k *T
ni B * T
3/ 2
*e
(2)
Donde:
B: Constante del material semiconductor especifico
Eg: Es la magnitud del nivel de energa entre banda
T: Temperatura en grado Kelvin (K)
k : Constante de Boltzmann 86*10-6 eV/ K
La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*10 15 cm-3K-3/2, para el Arseniuro
de Galio (GaAs) es 2,10*1014 cm-3K-3/2 y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm-3K-3/2.
3.2.- Semiconductores Extrnseco
Para aumentar la conductividad en un semiconductor intrnseco se somete al
semiconductor a un proceso de dopado, el cual consiste en agregar de una forma
controlada tomos o impurezas para cambiar sus caractersticas elctricas y as
convertirlo en extrnseco y dependiendo del tipo de impurezas o tomos aadidos

podemos tener dos tipos de semiconductores extrnsecos.
3.2.1.- Semiconductores Extrnseco Tipo N
Es el semiconductor intrnseco que en el proceso de dopado se le han aadido
tomos o impurezas pentavalentes (5 electrones de valencia), entre las podemos
que mencionar Fsforo (P), arsnico (As), Antimonio (Sb), las cuales son llamadas
tambin impurezas donadoras las cuales aaden un electrn libre a al cristal a
temperatura ambiente ya que los cuatros restantes formaron enlace covalente con
los tomos vecinos del semiconductor. Ellas introducen un nivel donador entre la
banda de valencia y la banda de conduccin pero mas cercano a esta ltima.
En ellos a una temperatura cualquiera existirn ms electrones que huecos, los
cuales sern llamados portadores mayoritarios a los electrones y portadores
minoritarios a los huecos en este caso. En la figura 4 se puede ver un cristal de
silicio al cual se le a aadido un tomo de fsforo (P) el cual genera un electrn
libre.
Fig. 4.- Cristal de Silicio contaminado con tomos de Fsforo (Liberacin de un electrn) y
tomos de Boro (Absorcin de un electrn). Fuente: www.acapomil.cl
En la figura 5 se muestra el nuevo nivel de energa de un semiconductor con tomos

donadores (por ejemplo P en Si), el nivel dador se encuentra justo por debajo de la
banda de conduccin. Los electrones () son promocionados fcilmente a la banda
de conduccin. El semiconductor es de tipo-n.
Fig. 5. Nivel donador o dador introducido por los tomos pentavalentes

Fuente: www.cpi.uc.edu.ve
3.2.2.- Semiconductores Extrnseco Tipo P

Es el semiconductor intrnseco que en el proceso de dopado se le han aadido
tomos o impurezas trivalentes (3 electrones de valencia), entre las podemos que
mencionar Boro (B), Indio (In), Aluminio (Al), Galio (Ga) las cuales son llamadas
tambin impurezas aceptadoras las cuales generan un hueco en el cristal a
temperatura ambiente ya que tres de sus electrones de valencia forman enlace
covalente con los tomos vecinos del semiconductor y queda un vaco en un de los
enlaces covalentes o simplemente no se llega a formar el enlace. Ellas introducen
un nivel aceptador entre la banda de valencia y la banda de conduccin pero ms
cercano a la primera. En ellos a una temperatura cualquiera existirn ms huecos
que electrones, los cuales sern llamados portadores mayoritarios a los huecos y
portadores
minoritarios
los
electrones
en
este caso,
contrario
a los
semiconductores extrnsecos tipo N. En la figura 4 se puede ver un cristal de silicio

al cual se le ha aadido un tomo de boro (B) el cual genera un hueco. En la figura
6 se muestra el nuevo nivel de energa aadido en un semiconductor con tomos
aceptores (por ejemplo B en Si), el nivel aceptor se encuentra justo por encima de la
banda de valencia. Los electrones son promovidos fcilmente al nivel aceptor
dejando agujeros positivos () en la banda de valencia. El semiconductor es de tipop.
Fig. 6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los tomos trivalentes
Fuente: www.cpi.uc.edu.ve
4.- Ley de Accin de Masas

Esta ahora hemos observado que, al aadir impurezas de tipo n, disminuye el
nmero de huecos. De forma similar ocurre al dopar con impurezas tipo p,
disminuye la concentracin de electrones libres a un valor inferior a la del
semiconductor intrnseco, en condiciones de equilibrio trmico, el producto de la
concentracin de las cargas positivas y negativas libres es una constante
independiente de la cantidad de tomo donador o aceptador. Esta ecuacin se
denomina Ley de Accin de Masas y viene dada por:
n * p ni2
(3)
10
5.- Ley de Neutralidad de Carga

En todo material semiconductor en circuito abierto se debe cumplir que la suma de
las cargas positivas debe ser igual a la suma de las cargas negativas. As la
concentracin de cargas positivas esta constituida por la suma de los iones positivos
ND y los huecos p, ND + p. De la misma manera la concentracin de cargas
negativas esta constituida por la suma de los iones negativos N A y los electrones n,
NA + n
ND p NA n
(4)
Cuando tenemos un material tipo n, que tenga N A = 0. El nmero de electrones ser

mucho mayor que el nmero de huecos por lo tanto se puede aproximar la ecuacin
anterior a:
n ND
nn N D
(5)
Por lo tanto, lo portadores minoritarios, los huecos se calculan utilizando la ley de

accin de masa:
pn
ni2
ND
(6)
De igual manera, en un semiconductor del tipo p:

n p * p p ni2
pp NA
np
ni2
NA
(7)
6.- Movilidad y Conductividad

En los semiconductores la corriente elctrica es el resultado del movimiento de
ambas cargas, es decir, de los electrones libre y los huecos, esto esta asociado a
dos fenmenos fsicos.
Corriente de Arrastre o Desplazamiento (fuga)
Corriente de Difusin.
6.1 Corriente de Arrastre
Este primer fenmeno se origina por el movimiento de las cargas cuando se aplica
un campo elctrico al material semiconductor. Cuando las cargas son aceleradas
por el campo elctrico se producen que aumentan la energa trmica la cual va a
11
fomentar el movimiento de las cargas en forma no aleatoria. Y los portadores e

carga se ven afectado e la siguiente manera:
Electrones libres: La fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones
provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico
aplicado. De este modo se originar una corriente elctrica. La densidad de la
corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la
unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (q*E), del nmero de
portadores existentes y de la movilidad con que estos se mueven por la red, es
decir:
J n n * n * q * E
(8)
Donde:
J n : Densidad de corriente de los electrones
n : Movilidad de los electrones en el material
n : Concentracin de los electrones

q : Carga elctrica (1,6 * 10-19 C)
E : Campo elctrico aplicado.
La movilidad n es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad
de movimiento del electrn a travs de la red cristalina.
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn
perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As,
el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este
fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento
se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que
se est moviendo por los enlaces.
12
Fig. 7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones

Fuente: www.info-ab.uclm.es
La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el
hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico.
Obsrvese en la figura 7 que los electrones individuales de enlace que se involucran
en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran
movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve
nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se
mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico.
Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos
viene dada por:
J p p * p *q * E
(9)
Donde:
J p : Densidad de corriente de los huecos
p : Movilidad de los huecos en el material
p : Concentracin de huecos

E : Campo elctrico aplicado.
La movilidad p es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad
de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad"
de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.
13
Considerando ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y

electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo
los electrones se mueven en el sentido opuesto a la del campo elctrico, mientras
que los huecos lo harn segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas
positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas
negativas en sentido contrario. En definitiva, la densidad de corriente total es la
suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:
J Arrastre Total J n J p
(10)
6.2 Corriente de difusin

En segundo lugar tenemos el fenmeno de difusin; por regla las cargas electrones
y huecos, se mueven en sentido del gradiente de concentracin, van de regiones de
mayor concentracin a regiones de menor concentracin para favorecer el equilibrio
de las cargas; este movimiento genera una corriente proporcional al gradiente de
concentracin.
La difusin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino
solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente la cual obedece Ley
Fick es la relacin de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el gradiente
de concentracin de portadores de carga debido al fenmeno de la difusin.
J D * q * n
(11)
Donde J es la densidad de corriente (en A/m2), D es la difusividad (en m2/s), q la

carga de los portadores (en C) y n (o p ) el gradiente de concentracin de
electrones (o huecos) (en electrones o huecos /m4).
En los metales, la difusin no es un proceso de importancia, porque no existe un
mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que
en un metal nicamente hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de
portadores que se pudiera formar desequilibrara la neutralidad de la carga. El
campo elctrico resultante creara una corriente de arrastre, que de manera
instantnea anulara el gradiente antes de que pudiera darse la difusin. Por el
contrario, en un semiconductor hay portadores positivos y negativos de carga, por lo
que es posible la existencia de un gradiente de densidad de huecos y de electrones,
mientras se mantiene la neutralidad de la carga.
14
En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusin

pueden expresarse de forma unidimensional mediante la ecuacin:
J Difusin _ Total q * Dn *
dn
dp
q * Dp *
dx
dx
(12)
El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente

negativa de los huecos da lugar a una corriente negativa de los huecos.
Donde:
J Difusin : Densidad de Difusin total
D p : Difusividad de los huecos
Dn : Difusividad de los electrones
n : Concentracin de electrones
p : Concentracin de huecos

7.- Relacin de Einstein
Establece la relacin entre la constante de difusin (difusividad) y la movilidad de
cada portador ya que ambas son fenmenos estadsticos termodinmicas y no son
independientes. Esta relacin viene dada por la ecuacin de Einstein
Dp
Dn
VT
n
p
(12)
Donde VT es el Potencial equivalente de Temperatura, definido por:

VT
k *T
q
(13)
k : Constante de Boltzmann (1,38*10-23 J/ K); T: Temperatura en Kelvin; q: Carga

del electrn (1,6*10-19 C)
15
CAPTULO II
TEORA DE DIODOS
TEORA DE DIODOS
CAPTULO II
TEORA DE DIODOS
1.- El Diodo
Un diodo no es ms que la unin de un semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N a la que se le han aadido 2 terminales uno en la parte p y otro en la parte n,
para poder acoplarse a un circuito. En la figura 8 se puede observar una
representacin idealizada de la unin PN.
Ion Aceptador
Ion Donador
Hueco
Electrn
Tipo n
Tipo p
Unin
Fig. 8.- Unin PN
Fuente: El autor
Es decir que el semiconductor de la regin P tiene impurezas de tipo aceptadora y

de concentracin NA y la regin N tiene impurezas de tipo donadora N D. A la
temperatura ordinaria esas impurezas son ionizadas. Una impureza aceptadora N A
da un hueco libre mvil y una impureza donadora N D da un electrn libre mvil.
Despus esas impurezas forman iones cargados, fijos en la red, iones negativos en
la regin P e iones positivos en la regin N respecto a la caracterstica de la
neutralidad de los semiconductores antes del movimiento de los portadores.
Cuando los trozos de semiconductores entran en contacto, comienza a actuar los
mecanismos de difusin tanto en los electrones del semiconductor N como en los
huecos del semiconductor P. El mecanismo de difusin acta de modo similar al
comportamiento de un gas.
TEORA DE DIODOS
17
Por Ejemplo, los huecos del semiconductor P, cuando se ven unidos a un trozo de
semiconductor en el que la presencia de huecos es casi nula (Semiconductor N),
comienzan a desplazarse hacia el semiconductor tipo N.
Ahora bien, tal como lo hara un gas, los huecos que se encuentran en la frontera
con el semiconductor N comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor
tipo n, con el propsito de equilibrar la concentracin de huecos a lo largo de toda la
unin pn.
Ocurre exactamente lo mismo con los
encuentran en la frontera con
electrones del semiconductor N que se
semiconductor tipo P donde apenas hay unos
cuantos electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo

P.
Que ocurrira si los huecos de la zona P se dirigen a la zona N y los electrones de
la zona N se dirigen a la zona P?
Como los electrones se dirigen a un sitio con muchos huecos, se recombinan con
los huecos, y como los huecos se dirigen a un sitio con muchos electrones, tambin
se recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona prxima a la unin
se produzca un vaciamiento de portadores libres (electrones y huecos), quedando
por lo tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada
positivamente en el semiconductor N y negativamente en el P. Ahora bien, conform
se va formando esa regin de carga espacial o tambin conocida como regin de
agotamiento, entorno a la unin, se va creando un campo elctrico E en dicha

regin de carga, y dirigido de la parte positiva a la negativa
como se puede
observar en la figura 9.
Ion Positivo
Ion Negativo
Tipo p
Tipo n
Electrn
Hueco
Neutro
Neutro
Hueco
Fig. 9.- Formacin de la

regin de vaciamiento.
Fuente: El Autor
Electrn
E
TEORA DE DIODOS
18
En principio, los electrones y los huecos seguirn difundindose, pero en el

momento en que forma el campo elctrico este se opone al movimiento de
electrones de la zona N a la P y se opone al movimiento de huecos de la zona P a la
N. Por lo tanto hay, una doble tendencia que intenta mover a los electrones y a los
huecos: la difusin y el campo elctrico que se generan en la regin de carga
espacial.
Al principio, la difusin es suficiente para vencer al campo elctrico, pero, al ir
creciendo la regin de carga espacial, el campo tambin crece, y cada vez se opone
con ms fuerza a la difusin. Pero llegar el momento en que el campo elctrico sea
lo suficientemente grande como para detener el flujo de los electrones y huecos
debido a la difusin. Entonces se habr llegado a una situacin de equilibrio, y habr
cesado el flujo de carga.
Regin de Carga Espacial
Tipo p
Tipo n
Neutro
Neutro
Fig. 10.-
Unin PN enE
equilibrio. Fuente El Autor
Como se ha dicho anteriormente la unin PN conforma un diodo. Ahora queda

aadirle 2 terminales externos para ver como se comporta la unin PN cuando se le
aplica una determinada tensin entre la parte p y su parte n.
2.- Polarizacin en Sentido Directo.
Supongamos que le aplicamos una tensin positiva VD entre la parte p y n como
muestra la figura 11.
TEORA DE DIODOS
19
E
Tipo p
Tipo n
ED
VD
Fig. 11.- Polarizacin en Directo de la unin PN
Fuente: El Autor
El hecho de aplicar esa tensin VD hace que se forme un campo elctrico E D que
atraviesa toda la unin pn, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo se
superpone en sentido opuesto al campo elctrico que haba en la regin de carga
espacial el cual disminuir, provocando que se reanude la difusin y se generara
una corriente elctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de huecos hacia la zona
n y el flujo de electrones hacia la zona p. En tal situacin la regin de carga espacial
habr disminuido. Ver figura 12.
E
Tipo p
Tipo n
Hueco
Electrn
ED
VD
Fig. 12.- Circulacin de Corriente
en la Unin PN
Fuente: El Autor
TEORA DE DIODOS
20
La corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores

mayoritarios tanto de los huecos como de los electrones.
3.- Polarizacin en Sentido Inverso
Supongamos que le aplicamos una tensin positiva VD entre la parte n y p como
muestra la figura 13.
E
Tipo p
Tipo n
ED
VD
Fig. 13.- Polarizacin en Inverso de la Unin PN

Fuente: El Autor
Al aplicar ms tensin a la parte N que a la parte P se genera un campo elctrico
E D dirigido de la zona N a la zona P, que se superpondr al campo de la regin de
carga espacial, y, al ser del mismo sentido, dar como resultado que el campo
elctrico E
de la regin de carga aumente; al ser el campo el elemento que se
opone a la difusin, entonces, al aumentar imposibilitara aun ms la difusin. El

resultado es que, al igual que en el equilibrio, no circulara corriente a travs de la
unin, pero esta vez habr aumentado la regin de carga espacial. Como se puede
observar en la figura 14.
TEORA DE DIODOS
21
E
Tipo
p
Tipo
n
ED
VD
Fig. 14.- Aumento de la Regin Carga Espacial

Fuente: El Autor
En la polarizacin Inversa se dice que no hay circulacin de corriente significativa a

travs de la unin pero en realidad existe una pequesima corriente elctrica que
es debida a los portadores minoritarios y fluye de la zona N a la zona P la cual
recibe el nombre de corriente inversa de saturacin.
4.- Caractersticas De Un Diodo En Unin PN
Matemticamente, la relacin existente entre la tensin directa V D que soporta la
unin y la corriente que fluye de la zona P a la zona N viene dada por la siguiente
expresin:
S (e
VD
VT
1)
(14)
Esta es la expresin (VD) de una unin ideal. En una unin real, es similar pero no
del todo idntica.
Donde:
: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo.
VD: Es diferencia de tensin en los extremo del diodo
S: Es la intensidad de corriente de saturacin (Es decir valores negativos de VD)
TEORA DE DIODOS
22
VT : Es una Constante que varia con la temperatura conocido como Voltaje

Trmico o Potencial equivalente de Temperatura y que para una temperatura de
300K tiene un valor de:
VT 0,0259V 25,9mV
La grfica de esta relacin tensin corriente es evidente:
Fig. 15.- Curva Caracterstica del Diodo

Fuente: El Autor.
Si a la unin PN se le aplica una tensin inversa muy grande, entonces por ella
circular una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos.
Avalancha (Diodos Poco Dopados):
Si la tensin inversa es muy grande, entonces el campo elctrico que soporta la
unin tambin lo es.
Como ese campo atraviesa toda la unin, es capaz de captar tanto electrones
minoritarios de la zona P como huecos de la zona N, y acelerarlos mucho, de tal
modo que, tan grande es su energa cintica, que al colisionar con los enlaces
de la red cristalina, se llevan por delante a otros tantos electrones ( es decir,
rompen los enlaces, liberndose electrones), que, por el mismo mecanismo,
pueden seguir rompiendo mas enlaces y en consecuencia generan al final una
TEORA DE DIODOS
23
gran cantidad de electrones en movimientos que dan lugar a la corriente

elctrica.
Efecto Zener ( Diodos muy Dopados):
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan
fuertes campos elctricos que producen la rotura de los enlaces covalentes
dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin y no requiere
la aceleracin de un portador de carga (huecos o electrones) debida al campo.
El efecto zener es reversible y as no es destructible cuando se limita la corriente
a un valor no demasiado elevado para que no se funda la unin.
De ese modo, la grafica real de la corriente que circula por la unin en sentido
de P hacia N en funcin de la tensin directa ser:
Fig. 16.- Curva Caracterstica real del Diodo

Fuente: El Autor.
Donde:
V: Tensin umbral.
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado.
TEORA DE DIODOS
24
Imax: Corriente mxima.

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule.
Is: Corriente Inversa de Saturacin
Es la pequea intensidad de corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Vr: Tensin de ruptura.
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
5.- Representacin Simblica del Diodo.
Como se dijo anteriormente un diodo no es ms que una unin PN a la que se le
aaden 2 terminales externos para conectarse a un circuito, en la figura 17 se puede
observar la representacin simblica y la fsica de un diodo normal (De Propsito
General o Rectificador) con son 2 terminales nodo (Positivo) y Ctodo (Negativo).
Fig. 17.- Representacin Simblica y Fsica del Diodo
6.- Resistencias del Diodos

Cuando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la
resistencia del diodo tambin cambia debido a la forma no lineal de la curva
caracterstica, si se analiza un diodo trabajando en rgimen de continua o si est
trabajando en pequea seal, lo cual significa que se aplica una seal alterna
TEORA DE DIODOS
25
montada sobre un nivel de continua. Se puede hablar de 2 tipos de resistencia a

saber:
Resistencia Esttica.
Resistencia Dinmica.
6.1.- Resistencia Esttica.
Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de operacin no cambia con el tiempo,
es decir la resistencia esttica de un diodo es independiente de la caracterstica en
la regin entorne al punto de inters solo depende del Voltaje y la corriente en el
punto de polarizacin (Q). Este punto corresponde a una tensin de polarizacin
que por un valor determinado da una corriente constante en rgimen continuo.
RD
Vd
Id
Fig. 18.- Representacin del punto Q sobre la curva caracterstica de Diodo
6.2.- Resistencia Dinmica

La resistencia del diodo cambia con la corriente que le atraviese, por lo tanto se
define una resistencia en cada punto de la caracterstica por la expresin:
rD
dV
dI
rD Se llama resistencia o dinmica de la unin, que corresponde a la resistencia

interna del diodo.
Grficamente la resistencia dinmica rD es un punto de la caracterstica y se mide
por la pendiente de la recta tangente en ese punto.
Tericamente de la ecuacin
S (e
VD
VT
1)
TEORA DE DIODOS
26
1
dI
1 VD
IS
e
rD dV
VT VT
Pero en la polarizacin directa
S e
VD
VT
rD
dI
I
dV VT
VT
I
La relacin anterior de la expresin de la resistencia de unin correspondiente a la

corriente que la atraviesa es decir, que fija el punto sobre la curva caracterstica
(V) llamado punto de polarizacin. La resistencia diferencial rD cambia el punto de
polarizacin sobre la curva caracterstica.
A la temperatura ambiente:
rD = 25,9 cuando = 1mA

rD = 2,59 cuando = 10mA
rD = 2,59K cuando = 10A
La resistencia diferencial o dinmica rD
dV
se puede determinar grficamente por
dI
la medicin de la pendiente de la tangente a la curva caracterstica en el punto de

polarizacin. Esa pendiente da
rD .
Experimentalmente se puede tambin notar la resistencia dinmica del diodo rD

como la razn de una pequea variacin de voltaje V y de la variacin
correspondiente de la intensidad .
rD
V
I
Prcticamente se toma una pequea variacin de la alrededor del punto de

polarizacin y se nota la variacin correspondiente del V. Esas variaciones deben
TEORA DE DIODOS
27
ser pequeas porque la caracterstica se aproxima a una recta y eso es exacto

sobre un pequeo intervalo alrededor de .
Fig. 19 Resistencia dinmica y Variacin del punto Q
7.- Influencia De La Temperatura Sobre Las Propiedades De La Unin

Los semiconductores dependen mucho del efecto de la temperatura. En el caso de
los diodos la temperatura cambia:
A la corriente directa constante, el valor de la tensin a los bornes del
diodo.
A la tensin inversa constante, el valor de la corriente inversa de saturacin
S
Esos efectos se denominan Derivas Trmicas.
TEORA DE DIODOS
28
7.1.- Influencia de la temperatura sobre la corriente de Saturacin S

La corriente inversa de la unin viene del flujo de los portadores minoritarios en la
unin. Es decir que la variacin de S en funcin de la temperatura sigue la ley de
variacin de la generacin de los portadores en funcin de la temperatura.
Eg
IS B *T * e
3
El trmino
Eg
KT
k *T
de la ecuacin anterior, cambia mucho ms que T3 alrededor de la
temperatura ambiente (300 K).
I S (T1 ) I S (T0 )e K i (T1 T0 )

Donde ki= 0,072/C= 7,2%/C, resulta
I S (T1 ) I S (T0 ) 2 (T1 T0 ) / 10 (e0,72 2)

,
S se duplica aproximadamente cada 10 C de aumento de T
La corriente inversa de los diodos de Si es menor que la corriente inversa para los
diodos Ge. Esta corriente aumenta rpidamente cuando aumenta la temperatura.
7.2.- Influencia de la temperatura sobre la tensin directa a los bornes de la
unin.
De manera general la tensin a los bornes de un diodo de unin PN de Si o Ge
polarizada a corriente constante, disminuye cuando ambiente aumenta de 1C.
VD (T2 ) V D (T1 ) k v (T2 T1 )
V D k v T
T1, T2 Temperatura
Kv coeficiente de temperatura V/C (usado en termmetros)
-2,5 mV/C Germanio
-2,0 mV/C Silicio
-1,5 mV/C Schottky
TEORA DE DIODOS
29
Fig. 20 Influencia de la temperatura sobre la tensin del diodo.
8.- Esquema Equivalente del Diodo en Rgimen Alterno.

Capacidad de agotamiento o Transicin.
Capacidad de Difusin.
8.1.- Capacidad de Agotamiento o de Transicin
Del comportamiento de la unin PN en la regin inversa observamos la analoga
entre la capa de agotamiento (o deplexin) y un condensador. A medida que cambia
el voltaje en paralelo con la unin PN, la carga almacenada en la capa de
agotamiento cambia de conformidad. En la figura 21 se muestra una curva
caracterstica tpica de carga versus el voltaje externo aplicado de una unin PN.
Fig. 21Curva Caracterstica de la Capacidad de agotamiento
Cuando el dispositivo se polariza en inverso y la variacin de la seal alrededor del

punto de polarizacin es pequea como se ilustra se puede usar una aproximacin
de capacitancia lineal. Desde esta aproximacin a pequea seal, la capacidad de
agotamiento o transicin es simplemente la pendiente de la curva qJ versus VR en el
punto Q de polarizacin.
TEORA DE DIODOS
30
Fcilmente derivando se puede hallar una expresin para Cj. Si tratamos la capa de
agotamiento como un condensador de placas planas paralelas obtenemos una
expresin idntica para Cj.
La expresin resultante para Cj se puede escribir en una forma conveniente
Siendo Cjo el valor de Cj obtenido para voltaje aplicado cero VR = VQ = 0
El anlisis precedente y la expresin para Cj se aplican para uniones en las que la

concentracin de portadores se hace cambiar abruptamente en la frontera de la
unin. Una frmula ms general para Cj es
Donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la

concentracin del lado P al lado N de la unin. Se denomina coeficiente de
distribucin, y su valor es de a . Tambin se conoce Cj = CT.
Para resumir, a medida que un voltaje de polarizacin inversa se aplica a una unin
PN, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al
nuevo voltaje de polarizacin. Una vez que gradualmente desaparezca el transitorio,
la corriente inversa de estado estable es simplemente S. En realidad, corrientes de
hasta unos pocos nanoamperes (10-9A) circulan en direccin inversa, en dispositivos
TEORA DE DIODOS
31
para los que S es del orden 10-15A. Esta gran diferencia se debe a fuga y otros
efectos. Adems, la corriente inversa depende en cierta medida de la magnitud del
voltaje inverso, contrario al modelo terico, que expresa que S independiente
del valor del voltaje inverso aplicado. No obstante lo anterior, debido a que
intervienen corrientes muy bajas, por lo general no nos interesamos en los detalles
de la curva caracterstica i-v del diodo en la direccin inversa.
En la Figura 22 se observa la variacin de CT en funcin de VR para dos diodos
tpicos.
Fig. 22 Variaciones de CT en funcin de VR para dos diodos Tpicos
Se observa de la figura 22 que cuanto mayor sea la tensin inversa, mayor es el

ancho Wagot de la regin de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia,
menor la capacidad Cj.
De manera anloga, si aumenta la tensin directa, Wagot disminuye y Cj aumenta. En
ciertos circuitos se utiliza este efecto de la variacin de la capacidad con la tensin
de una unin PN polarizada inversamente.
8.2.-Capacidad de Difusin
TEORA DE DIODOS
32
De la descripcin de la operacin de la unin PN en la regin de sentido directo

observamos que, en estado estable, cierta cantidad de exceso de carga de
portadores minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de las regiones
P y N con carga neutra. Si cambia la tensin entre terminales, este cambio finalizar
antes que se alcance un nuevo estado estable. Este fenmeno de carga y
almacenamiento da lugar a otro efecto capacitivo, muy diferente del que se debe al
almacenamiento de carga en la regin de agotamiento.
Para pequeas variaciones de carga situadas alrededor de un punto de
polarizacin, podemos definir la capacitancia de difusin a pequea seal Cd como:
Y podemos demostrar que
Donde es la corriente del diodo en el punto de polarizacin. Ntese que Cd es

directamente proporcional a la corriente del diodo y es, por lo tanto, tan pequea
que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente. Ntese tambin que
para mantener una Cd pequea, el tiempo de trnsito T debe hacerse pequeo, lo
cual es un requisito importante para diodos destinados para operacin a alta
velocidad o alta frecuencia.
9.- Modelos o Aproximaciones del Diodo.
Modelo Ideal
Modelo de cada de voltaje constante
Modelo Lineal por tramos
9.1.- Modelo Ideal
Un modelo til para una gran variedad de instancias de anlisis es el ideal, que
describe al diodo como una vlvula unidireccional, esto es, como un conductor
TEORA DE DIODOS
33
perfecto cuando es polarizado directamente (positivo en el nodo, negativo en el

ctodo), y como un aislador perfecto cuando es polarizado negativamente.
La figura 23 muestra la grafica el modelo ideal.
Fig. 23 Curva V vs de un Diodo Ideal
Si D es positiva, VD es cero, y se dice que el diodo est en estado On (encendido).

Si VD es negativo, D es cero, y se dice que el diodo est en estado Off (apagado).
El modelo ideal se puede utilizar si el contexto del circuito se puede presumir que
los voltajes sern de magnitud suficiente para asegurar uno u otro estado de
operacin de los diodos, y si, frente a esos niveles de voltaje y corriente, los voltajes
de conduccin y las corrientes inversas resultan despreciables. Tambin resulta muy
til el modelo ideal si lo que se requiere es la comprensin del funcionamiento de un
circuito (cualitativo) ms que un anlisis exacto (cuantitativo).
En este modelo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de diodo por
cortocircuitos (los supuestos en estado On) y por circuitos abiertos (los supuestos
en estado Off).
9.2.- Modelo de Cada de Tensin Constante
En este modelo no solo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de
diodo por cortocircuitos los que estn en estado On y por circuitos abiertos los que
estn en estado Off, sino que se lo agrega una fuente de tensin en serie al diodo al
diodo ideal, el valor de la fuente es la tensin umbral del diodo. En la figura 24 se
TEORA DE DIODOS
34
puede observar la curva caracterstica V vs
de diodo bajo usando esta
aproximacin o modelo.
Fig. 24 Modelo de cada de voltaje constante de la caracterstica directa del diodo y la

Representacin de su circuito equivalente.
9.3.- Modelo Lineal por Tramos

Algunas aplicaciones cuyas solucin requiere de mayor precisin obligan a mejorar
el modelo anterior, haciendo consideracin tanto del voltaje de umbral (VD0)
(diferente de 0[V]) como del carcter finito de la pendiente de la curva V-.
Fig. 25 Modelo lineal por tramos de la caracterstica directa del diodo y su circuito
equivalente.
rD = 20 ; D = 0, VD VD0 ; D = (VD VD0)/rD ; Para VD VD0
TEORA DE DIODOS
35
rD: Resistencia interna del diodo vlida tanto para condiciones estticas como
dinmicas
10.- Parmetros y Especificaciones Elctricas De Los Diodo
La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico que
puede soportar sin daarse. A continuacin se lista los parmetros principales que
se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
1.
2.
Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del fabricante.

Tensin de pico Inverso (PIV). Este valor es igual al mximo valor que el
diodo puede tolerar cuando se polariza en inversa.
3.
Mxima corriente inversa en PIV
( R) (a temperatura
y corriente
especificadas)
4.
Mxima corriente de cd en directo ( f). Este valor es igual a la mxima

corriente que puede circular por el diodo sin daarlo cuando ste se
encuentra en el estado de conduccin.
5.
Corriente promedio de media onda rectificada en directo ( o).
6.
Mxima temperatura de la unin.
7.
Capacitancia mxima (c).
8.
Disipacin de Potencia.
9.
Curvas de degradacin de corriente.
10. Curvas caractersticas para cambio en temperatura de tal forma que el
dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas.
TEORA DE DIODOS
36
Fig.26 Hoja de Especificaciones del Fabricante BAY73
TEORA DE DIODOS
37
Fig.27 Curvas Elctricas Tpicas del Diodo BAY73
TEORA DE DIODOS
38
11.- Verificacin del Estado de un Diodo

Debemos recordar que los diodos son componentes que conducen la corriente en
un solo sentido, teniendo en cuenta esto, se pueden probar con un multmetro en la
posicin de "hmetro" ya que para hacer la prueba de resistores, por l circula una
pequea corriente que suministra el propio instrumento. En otras palabras, el
multmetro como hmetro no es ms que un microampermetro en serie con una
batera y una resistencia limitadora.
Cuando el terminal positivo de la batera del multmetro se conecta en serie con el
nodo del diodo bajo ensayo y el otro terminal del instrumento se conecta al ctodo,
la indicacin debe mostrar una baja resistencia, mayor deflexin se conseguir
cuanto ms grande sea el rango, segn se indica en la figura 28a.
En inversa el instrumento causar alta resistencia. En teora la resistencia inversa
debera ser infinita, con lo cual la aguja del multmetro no se debera mover, como lo
sugiere la figura 28b, pero en algunos diodos, especialmente los de germanio,
cuando se los mide en rangos superiores a R x 100 en sentido inverso, provocan
una deflexin notable llegando hasta un tercio de la escala, lo cual podra
desorientar a los principiantes creyendo que el diodo est defectuoso cuando en
realidad est en buenas condiciones. Por lo tanto, para evitar confusiones la prueba
de diodos debe realizarse en el rango ms bajo del hmetro tal que al estar
polarizado en directa la aguja deflexione indicando baja resistencia y cuando se lo
polariza en inversa la aguja del instrumento casi no se mueva, lo que indicar
resistencia muy elevada. Si se dan estas dos condiciones, entonces el diodo est en
buen estado.
Si la resistencia es baja en ambas mediciones, significa que el diodo est en
cortocircuito, en cambio si ambas lecturas indican muy alta resistencia, es indicio de
que el diodo est abierto. En ambos casos se debe desechar el componente.
La prueba es vlida para la mayora de los multmetros analgicos en los cuales el
negativo del "multmetro" corresponde al terminal positivo de la batera interna,
cuando el multmetro funciona como hmetro, esto se ejemplifica en la figura 29
El mtodo aplicado es igualmente vlido para todos los diodos sin incluir los
rectificadores de alta tensin empleados en televisores transistorizados, como por
TEORA DE DIODOS
39
ejemplo diodos de potencia para fuentes de alimentacin, diodos de seal, diodos

varicap, diodos zener, etc., ya sean de germanio o de silicio.
Hay que observar que cuando se utiliza un multmetro digital que tiene una posicin
para el diodo, puede llevarse a cabo una prueba dinmica de este dispositivo
semiconductor. Con un diodo en buenas condiciones, el voltaje de polarizacin
directa que despliega el mutmetro debe ser, aproximadamente, de 0,7 V. El
procedimiento anterior es la mejor prueba para verificar el estado de un diodo
a
b
Fig. 28 Verificacin del estado de un diodo

con un ohmetro.
a.- Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, la lectura del ohmetro es baja
b. Si el diodo se polariza en sentido inverso, la lectura del ohmetro indica una
resistencia muy alta (infinita).
Fig. 29
Nota: En los multimetros analgicos, la punta roja corresponde al negativo de la

batera interna.
TEORA DE DIODOS
40
Rectificador
Zener
CAPTULO III
TIPOS DE DIODOS
Tunel
Varicap
o
Varactor
Led
FotoDiodo
TIPOS DE DIODOS
CAPTULO III
TIPOS DE DIODOS
Segn su construccin, se podra decir que existen dos tipos de diodos: de Contacto
por punta y de unin.
Los de contacto por punta estn formados por un cristal semiconductor montado
sobre una base de metal y por un alambre terminado en punta, la cual hace
contacto a presin con el semiconductor. Un Terminal de conexin exterior va
soldado al extremo libre del alambre y el otro a la base del metal. El alambre suele
ser de aleacin de platino, tungsteno, bronce fosforoso, etc. El cristal semiconductor,
de silicio tipo P o germanio tipo N. En realidad, no existe unin PN en este tipo de
diodo.
Los diodos de unin estn formado por la unin de dos cristales de diferentes clases
uno tipo N y otro tipo P. Los terminales de conexin exteriores van unidos a las
superficies extremas de los cristales. Este tipo de diodo trabaja con potencias ms
elevadas que los de contacto por punta.
Algunos diodos dentro de los dos tipos planteados son:
1. Diodo Zener
El diodo zener corresponde a una unin PN particular polarizada en sentido inverso
es decir que el ctodo (K) se conecta a un potencial ms elevado que el nodo (A),
se caracteriza porque conduce en la zona inversa a partir de una tensin negativa
VZ. Tiene tres zonas de funcionamiento, la zona de polarizacin en sentido directo
tiene las mismas caractersticas que el diodo rectificador o de propsito general,
mientras que en polarizacin en sentido inverso se diferencian dos zonas, una en la
que el diodo no conduce y en la que si conduce o permite la circulacin de corriente,
y la tensin tiene un valor menor o igual a la tensin Zener o de ruptura (V Z), Esta
tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se
fabrican desde 2 a 200 voltios.
TIPOS DE DIODOS
42
Fig. 30 Curva Caracterstica del Diodo Zener
Las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si son:
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como Tensin Zener.- Es la
tensin que el zener va a mantener constante.
Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en
sus bornes
Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos
indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
La mxima corriente que puede conducir un diodo Zener viene dada por la siguiente
ecuacin:
I Max
PZMAX
VZ
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante

la tensin en sus bornes a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la
corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor
mnimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que
puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.
TIPOS DE DIODOS
43
1.1.-Construccin de un diodo Zener

Los diodos Zener se fabrican por procesos de aleacin o proceso de difusin segn
sean las caractersticas que se deseen obtener. De modo general, podemos decir
que los diodos con tensiones de rupturas inferiores a 9V, presentan mejores
caractersticas cuando se fabrican por aleacin, mientras que cuando las tensiones
de rupturas son superiores a los 12V se fabrican por difusin, pero para las
tensiones entre 9V y 12V el proceso de fabricacin depende de otros factores.
Proceso de Fabricacin por Aleacin.
Este mtodo consiste en calentar a una temperatura de 650C aproximadamente,
una pequea pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se le coloca encima una
minscula cantidad de material tipo P. Al calentarlos se produce la aleacin entre
ambos materiales en una zona de forma circular.
Proceso de Fabricacin por Difusin
Este tipo de diodos se obtienen depositando en una delgada lamina de cristal de
silicio, boro por una cara (para la formacin del materia tipo P) y por la otra vapor de
fsforo (para la formacin del materia tipo N) el conjunto se introduce en un horno a
una temperatura superior a 1200C el calor provocara que en el cristal de silicio
penetre el fsforo por un lado y el boro por el otro, difundindose ambos materiales
en el cristal de silicio.
El tipo de encapsulado es igual que el de los diodos rectificadores. Aunque no se
comportan como ellos, es por eso que en simbologa electrnica la forma de
representarlos es tambin diferente. Ver figura 31
Los modelos del diodo Zener se forman a partir de cualquiera de los modelos del
diodo de propsito general aadiendo una zona de operacin, la de conduccin
inversa. La expresin en polarizacin directa permanece sin cambios, pero en le
zona inversa hay que introducir una modificacin en la conduccin, que queda de la
siguiente forma:
TIPOS DE DIODOS
44
Fig. 31 Aspecto Fsico y Simbologa del Diodo Zener
Modelo Ideal:
VZ VD 0
Los otros Modelos: VZ VD V
No hay circulacin de corriente

No hay circulacin de corriente
1ER Aproximacin
Bajo esta aproximacin el diodo se sustituye por una batera o fuente de tensin de
valor igual a tensin zener VZ. Esto solo es vlido entre IZmn y IZmx. Ver Figura 32
2DO Aproximacin
En esta segunda aproximacin se sustituye al diodo por una batera de valor igual a
la tensin zener en serie con una resistencia, siendo est el inverso de la pendiente
de la curva caracterstica en sentido inverso. Igualmente esto solo es vlido entre
IZmn y IZmx, I D
V VZ
V VZ . Ver figura 33.
RZ
TIPOS DE DIODOS
45
Fig. 32 Curva Caracterstica del diodo zener para la primera aproximacin
Fig. 33 Curva Caracterstica del diodo zener para la segunda aproximacin
El modelo ms utilizado del diodo zener es el que supone que las resistencias del
diodo tanto en directo como en inverso son muy pequeas y se desprecia dicho
valor, quedando:
I D 0 V V
VZ V V I D 0
I D 0 V VZ
1.2.- Cdigo De Identificacin Del Zener

Existen tres tipos de identificacin de los diodos zener. El ms moderno consiste en
tres letras seguidas de un nmero de serie y el valor que hace referencia a la
tensin zener.
TIPOS DE DIODOS
46
1. Es un B, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de silicio

2. Es una Z, indica que se trata de un diodo zener
3. Es una X o Z indica que se trata de aplicaciones profesionales
Despus ira el nmero de serie indicado por el fabricante y la tensin zener,
utilizando la V como coma decimal. Por ejemplo:
BZX-79-5V1
En ocasiones se le aade una letra ms que nos indicara la tolerancia de la tensin
zener, segn el siguiente cdigo:
A---- 1%
B---- 2%
C---- 5%
D----10%
E----15%
Otro cdigo es el que utiliza Tambin tres letras y el nmero de serie del fabricante,
siendo:
1. Es un O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor.
2. Es AZ, indica que se trata de un diodo zener
3. El numero de serie del fabricante.
Y por ultimo el cdigo americano, que al igual que los diodos rectificadores seria:
1N seguido por un nmero de serie.
1.3.- Aplicaciones
Regulador de tensin.
Tensin de referencia.
Circuito Limitador.
TIPOS DE DIODOS
47
1.4.- Especificaciones del fabricante

En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en
las hojas de especificaciones.
Tipo de dispositivo con el nmero genrico o con los nmeros del fabricante.
Tensin zener nominal (tensin de temperatura por avalancha).
Tolerancia de tensin.
Mxima disipacin de potencia (a 25C).
Corriente de prueba, Izt.
Impedancia dinmica a Izt.
Corriente de vrtice.
Mxima temperatura en la unin.
Coeficiente de temperatura.
Curvas de degradacin para altas temperaturas.
2. Diodo Led Y Fotodiodo
2.1 Diodo LED
Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energa elctrica en
fuente de energa lumnica. El diodo emisor de luz (LED, Light emitting diode)
transforma la corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de despliegues,
y a veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones
por fibra ptica.
Los diodos emisores de luz, se fabrican con materiales semiconductores de
formulacin especial [Arseniuro de Galio (GaAs), Fosfato de Galio (GaP)] que
emiten fotones de luz visible o infrarroja cuando conducen en polarizacin directa.
En polarizacin inversa se comportan como un diodo de propsito general, aunque
se diferencian en que su tensin umbral de conduccin es de 1,5V a 2,2V
TIPOS DE DIODOS
48
aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10
y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40
miliamperios (mA) para los otros LEDs.
Pero como resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as
como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y
que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se
utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese
no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida.
Los LED, se pueden obtener en el mercado en diferentes colores: Rojo, Verde,
Naranja, Amarillo, Infrarrojo, Bicolor etc. Y ala intensidad de la luz tiene dependencia
lineal con la corriente de excitacin. Estos dispositivos emisores de luz, vienen
constituidos para diferentes corrientes de excitacin, corrientes muy altas
disminuirn la vida til de LED, por ello, es importante colocar en serie con el diodo
una resistencia de proteccin para que limite la corriente que circula por el LED.
Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud
de onda y por ende el color.
Fig. 34 Smbolo y Aspecto fsico del Diodo LED
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el
terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado,
TIPOS DE DIODOS
49
normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se encuentra el

ctodo.
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta
situacin especfica de funcionamiento.
Ejemplos
-
Se utilizan para desplegar contadores.
Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente directa.
Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
En dispositivos de alarma.
Sus desventajas son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es
invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los
30 y 60. Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusores de luz.
2.2.- Fotodiodo
Un fotodiodo realiza la funcin inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de
energa lumnica en corriente elctrica. Cuando el fotodiodo es polarizado en sentido
directo, ofrece un comportamiento similar al de un diodo de propsito general pero
cuando se ilumina una unin PN polarizada inversamente se produce un aumento
de la corriente inversa que es proporcional a la intensidad de luz aplicada. Este
fenmeno se da porque los fotones de luz generan nuevos pares electrn-hueco en
las dos zonas, de forma que los portadores minoritarios puedan atravesar la unin
por la accin del potencial inverso, contribuyendo aun aumento apreciable de la
corriente inversa, a ese flujo de corriente, se denomina " fotocorriente " en el circuito
externo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se
comporta como generador de corriente constante mientras la tensin no exceda la
tensin de avalancha.
TIPOS DE DIODOS
50
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante

determinada. Para esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares
huecos-electrn en la proximidad de la unin.
El mximo de la curva de respuesta espectral de un fotodiodo tpico se halla en 850
nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y
un amplificador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo
se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de
microamperios, pudiendo aadirse a la pastilla un amplificador por un coste mnimo.
Fig. 35 Simbologa y Aspectos fsicos de un Fotodiodo
Fig. 36 Curva caracterstica / V de un fotodiodo para diferentes intensidades luminosas
TIPOS DE DIODOS
51
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para
definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible
(longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda
hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los
infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una
superficie amplia.
Tabla de los semiconductores y su longitud de onda
3. DIODO DE BARRERA O SCHOTTKY

El diodo Schottky llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky,
tambin denominado diodo pnpn o diodo de barrera, ya que se forma una barrera a
travs de la unin debido al movimiento de los electrones del semiconductor a la
interfaz metlica, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral. Su
caracterstica de tensin corriente es muy similar a la del diodo de unin PN de
silicio excepto porque la tensin en directo, V , es 0.3 V en vez de 0.7 V, la
capacitancia asociada con el diodo es pequea.
A frecuencias bajas un diodo
normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a

inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede
llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
TIPOS DE DIODOS
52
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera

Schottky), ligeramente dopada con un metal como el aluminio o platino, en lugar de
la unin convencional semiconductor-semiconductor utilizada por los diodos
normales. Es por ello que se dice que el diodo Schottky es un dispositivo
semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor
est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones
mviles) jugaran un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la
recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los
diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho
ms rpida.
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias
y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite
poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta
gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el
transistor del freno y este no pierda sus facultades.
Fig. 37 Simbologa y Curva Caracterstica del Diodo Schottky
TIPOS DE DIODOS
53
4. Diodo Pin
El fotodiodo PIN es el detector ms importante utilizado en los sistemas de
comunicacin ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo
ruido y es compatible con circuitos amplificadores de baja tensin. Adems, es
sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia.
Es un diodo que presenta una regin P y una regin N tambin fuertemente dopada,
separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se
utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz,
puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta
cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100
a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los
propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un
circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
Los diodos Pin hacen bsicamente cambiar su resistencia en RF en funcin de las
condiciones de polarizacin. Por ello, pueden actuar:
1. Como conmutador de RF
2. Como resistencia variable
3. Como protector de sobretensiones
4. Como fotodetector
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja
resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un
bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes
cantidades de fsforo. La regin intrnseca es realmente una regin P de alta
resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los
electrones fluyen desde la regin (p) hasta la regin P para recombinarse con los
huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin para recombinarse con los
TIPOS DE DIODOS
54
electrones de la regin N. Si el material (p) fuese verdaderamente intrnseco, la

cada de tensin en la regin sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera
igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P
de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del
material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P- e -N. En el diodo PIN la
longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de
los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica
de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la
polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud
de la regin , la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR,
que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo
que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores
normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente
asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se
difunden el la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es
debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son
aproximadamente iguales en la regin . En la condicin de polarizacin directa la
cada de tensin en la regin es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN,
cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el
diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una
primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una
capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es
TIPOS DE DIODOS
55
aproximadamente
infinita,
mientras
que
en
polarizacin
inversa,
rd
es
aproximadamente nula. La capacidad CT es la capacidad parsita paralelo que se

produce soldando el diodo a la cpsula y L es la inductancia serie debida a los hilos
de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
Fig.38 Circuito equivalente del diodo PIN en la regin Directa e Inversa
Fig. 39 Simbologa del Diodo PIN
5. Diodo Varactor O Varicap

Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje
variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje,
TIPOS DE DIODOS
56
capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe

en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones
de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de
los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su
ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se
determina mediante:
CT = E (A/Wd)
Donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la
unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de
la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo
normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la
polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma
aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = 1/2 para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
Fig.40 Simbologa del Diodo Varicap y Circuito equivalente
TIPOS DE DIODOS
57
Fig. 41 Curva de Variacin de la capacitancia vs Tensin Inversa aplicada
Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa
mnima tiene que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV,
modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio.
Ventajas y desventajas
El varicap tiene, entre otras, las siguientes ventajas:
Menor tamao que los capacitores variables mecnicos.
Posibilidad de sintona remota.
La principal desventaja del varicap es la dependencia de algunos de sus parmetros
de la temperatura y por lo tanto requiere esquemas de compensacin.
6. Diodo Tunel
El fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual
exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza
por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un
valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue
aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo
TIPOS DE DIODOS
58
hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo

aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se
hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a
lo que los fsicos denominan efecto tnel, para las aplicaciones prcticas del diodo
tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica (ver figura 42) es la
comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la
tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la
relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente
es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una
"resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total
o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se
producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de
cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa
de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En
tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador.
Fig. 42 Curva Caracterstica del Diodo tnel
Cuando el voltaje de polarizacin directa se encuentra entre 0,1V y 0,5V, la corriente

empieza a reducirse con el aumento del voltaje, llevando a una caracterstica de
corriente- voltaje en forma de S, la regin central de esta curva se llama la regin de
TIPOS DE DIODOS
59
resistencia negativa, el voltaje mnimo a la derecha de esta regin se denomina

tensin de valle (VV); la corriente en este punto se llama corriente de valle (V), y la
corriente mxima que fluye a bajos voltajes se llama corriente de pico (P) y la
tensin en ese punto es el voltaje de pico (VP).
El diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la
polarizacin directa, la corriente aumenta con rapidez hasta que se produce la
ruptura, entonces la corriente cae rpidamente. Este a su vez es muy til debido a
esta cesin de resistencia negativa la cual se desarrolla de manera caracterstica en
el intervalo de 50mV a 250mv.
Fig. 43 Circuito equivalente y simbologa del Diodo Tnel
7. Diodo De Contacto Puntual.

El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que
descansa la punta de un alambre delgado.
La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de
unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual
conduce algo ms de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la
corriente inversa tiende a aumentar ms bien que permanecer aproximadamente
constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V no ocurre en los
diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes
mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin
negativa.
TIPOS DE DIODOS
60
CAPTULO IV
APLICACIONES DE LOS
DIODOS
APLIACIONES DE LOS DIODOS
CAPTULO IV
APLICACIONES DE LOS DIODOS
El
diodo es un elemento semiconductor formado por la unin de dos pastillas
semiconductoras, una de tipo P (nodo) y otra de tipo N (ctodo).

Cuando la tensin en el nodo es ms positiva (o menos negativa) que la del
ctodo, superndola en al menos 0,6 voltios en diodos de silicio y de 0,3 voltios en
los de germanio, el diodo se encuentra polarizado directamente. En esta
disposicin conducir el diodo y se comportar prcticamente como un cortocircuito
(en su modelo ideal). Si la tensin en el nodo es menor que la correspondiente al
ctodo, el diodo estar polarizado inversamente y no conducir,
siendo
equivalente a un circuito abierto (en su modelo ideal).

1.- Rectificador
Concepto
Los rectificadores se usan para transformar una seal alterna en una seal
continua. Se usan por lo tanto en todos los circuitos electrnicos, salvo los que van
alimentados por bateras. Cualquier dispositivo que permita circular la corriente en
un solo sentido podemos decir que es un rectificador. Y ste es el caso de los
diodos, pues nicamente cuando el nodo est a una tensin ms positiva que el
ctodo dejar pasar la corriente a travs de l, con el sentido convencional de
nodo a ctodo.
1.1.- Rectificador de Media onda

Un circuito rectificador de media onda slo rectifica la mitad de la tensin alterna
presente en su entrada; es decir, cuando el nodo tenga una tensin sea mas
positivo respecto a la tensin en el ctodo. Puede considerarse como un circuito en
el que la unidad rectificadora est en serie con la tensin de entrada y la carga. Ver
figura 44.
APLICACIONES DEL DIODOS
62
D1
T1
+
Vi
-
+
RL
Vo
-
Fig. 44 Circuito Rectificador de Media Onda
En el circuito de la figura 44, cuando llega el semiciclo positivo de seal presente en

el secundario del transformador al nodo del diodo, ste queda polarizado
directamente y consecuentemente conducir; la tensin en la salida V o vista en los
terminales de la resistencia ser Vo = Vm-0,7 V, siendo Vm la amplitud de la seal de
entrada.
Cuando llegue el semiciclo negativo del secundario al nodo del diodo, ste quedar
polarizado inversamente y no conducir, siendo Vo muy prxima a cero ya que
siempre circular una pequesima corriente inversa.
63
Fig. 45 Seal de Salida de un Circuito Rectificador de Media Onda
Las tensiones caractersticas vendrn dadas por las siguientes ecuaciones:

Valor Eficaz de la tensin de Salida RMS Vo
Vm 0,7V
2
Valor Medio o Tensin de corriente contina Vomed
Vm 0,7V
Aplicaciones. Se emplean como alimentacin de muchos sistemas de baja tensin

y de aparatos universales, as como para proporcionar alta tensin a los
osciloscopios.
1.2.- Rectificador de Onda Completa o Doble onda
El rectificador de doble onda, tambin denominado onda completa, est formado por
dos rectificadores de media onda que funciona durante alternancias opuestas de la
tensin de entrada.
Tipos:
Con Transformador de Toma Central
Puente
Con Transformador de Toma Central
64
El secundario del transformador tiene en su punto intermedio una toma conectada a

tierra, obtenindose as dos tensiones iguales y desfasadas 180 grados que se
aplican alternativamente a los nodos de cada diodo.
Cuando llega el semiciclo positivo a un diodo, al otro le llega el semiciclo negativo,
con lo cual uno conduce y el otro no, y viceversa. Consecuentemente siempre habr
un diodo conduciendo, obtenindose en la salida nicamente semiciclos positivos.
En este circuito tenemos:
Fig. 46 Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central
Fig. 47 Seal de Entrada al Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma
Central
Vo
(Vm- 0,7V)
65
Fig. 48 Seal de Salida del Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma
Central
Fig. 49 Seal presente en los Diodos D1 y D2
Vm 0,7V
Valor Medio o Tensin de corriente Continua Vomed
2(Vm 0,7V )
Aplicaciones. Se usan en sistemas de todos los equipos de comunicacin,

teniendo un gran rendimiento y posibilidad de proporcionar una gran gama de
tensiones con corrientes moderadas. Se utilizan mucho para la carga de bateras
porque as se evita el peligro de la saturacin del ncleo del transformador.
Tipo Puente
Son cuatro rectificadores de media onda conectados en la forma indicada en el
circuito.
66
Fig. 50 Circuito Rectificador Onda Completa Tipo Puente
La tensin alterna se aplica entre las uniones de un nodo y un ctodo de dos

diodos, obtenindose la salida en el punto de unin de dos ctodos (polo positivo) y
de dos nodos (polo negativo).
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducen dos diodos,
cerrndose el circuito de circulacin de la corriente por la resistencia de carga;
durante el semiciclo negativo conducirn los otros dos diodos, cerrndose el circuito
tambin por la resistencia de carga. As se obtiene en la salida nicamente
semiciclos positivos tal como ocurra en el circuito rectificador de doble onda
anterior.
67
Fig. 51 Circuito Rectificador Onda Completa Tipo Puente
En este rectificador las frmulas y el tipo de aplicaciones son las mismas que en el
anterior, aunque debemos tener en cuenta que la tensin de salida ser 0,7 voltios
inferior pues al haber dos diodos conduciendo la cada de tensin ser ahora de
0,7+0,7=1,4. Sin embargo, la ventaja que presenta es que el transformador no
necesita toma intermedia y que la tensin inversa se reparte entre dos diodos en
cada semiciclo, no sobre uno slo como en el circuito anterior.
Vm 1,4V
Valor Medio o Tensin de corriente contina VoDC
2(Vm 1,4)V
68
2.- Factor de Forma F y ndice de Ondulacin (Factor de Rizo)

2.1.- Factor de Forma Ff
El factor de forma de una rectificacin es la relacin que existe entre el valor eficaz
total de la magnitud ondulada y su valor medio
T
Ff
1
2
Vm Sen 2 wtdt
T 0
Vrms
VoDC
1
T
Vm Senwtdt
Cuanto mas se acerca a la unidad el factor de forma, mejor ser la rectificacin

obtenida.
2.2.-ndice de Ondulacin o Factor de Rizo Fr
El ndice de modulacin es igual al cociente entre el valor eficaz de la ondulacin
exclusivamente y su valor medio.
Fr
Ff 1
3.-Comparacin Entre los Diferentes Rectificadores

El rectificador de media onda tiene un ndice de ondulacin igual a 1,21. Este
resultado indica que la tensin eficaz de ondulacin es mayor que la tensin
promedio de salida y este tipo de rectificador es un circuito relativamente malo para
convertir corriente alterna en continua.
El rendimiento que se obtiene con este tipo de rectificador era realmente bajo, ya
que medio perodo de la corriente quedaba completamente intil.
El otro tipo de rectificador doble onda, no presenta este problema. Sin embargo este
rectificador plantea otro problema, ahora en los diodos. La tensin inversa que debe
soportar los diodos es el doble de la tensin rectificada.
Debemos tambin tener para este tipo de rectificador un transformador con toma
central en el secundario.
El rectificador tipo puente soluciona estos problemas.
69
Las desventajas del rectificador tipo puente son las siguientes:

Necesidad de utilizar dos diodos por fase (el doble de diodos que el
rectificador con toma central) y necesidad que estos diodos posean una
resistencia directa pequea.
Las Ventajas son:
La tensin inversa que debe soportar cada diodo es la mitad que en el caso
con transformador con toma central.
El transformador no necesita toma central.
En conclusin se utiliza siempre un rectificador de onda Completa que tiene un
ndice de ondulacin ms interesante que el media onda.
El rectificador tipo puente es el que se utiliza con ms frecuencia.
La corriente rectificada en cada tipo tiene una componente alterna muy importante.
Debemos separar esta componente de la corriente, es decir filtrarla.
4.-Filtraje.
La salida de cualquiera de los rectificadores anteriormente expuestos debe ser
modificada para que se aproxime lo ms posible a una tensin continua pura. Para
ello se utiliza un filtro (tipo paso bajo) para as aplanar los impulsos rectificados.
4.1.- Filtraje con condensador
Con frecuencia el filtraje se efecta colocando un condensador en paralelo con la
carga. El funcionamiento de este sistema se basa en que el condensador almacena
energa durante el perodo de conduccin y entrega esta energa a la carga durante
el perodo inverso, o de no conduccin. De esta forma, se prolonga el tiempo
durante el cual circula corriente por la carga, y se disminuye notablemente el rizado.
Rectificador de media onda con filtro capacitivo
El condensador en los filtros paso bajo va en paralelo con el rectificador y la carga.

Su capacidad debe ser grande para que la reactancia que presente sea mucho
menor que la resistencia de la carga.
70
Fig. 52
Circuito Rectificador de
Media
Onda con Filtro
Capacitivo
En
el
semiciclo
positivo de la seal de
entrada el diodo conduce, cerrndose as el circuito y haciendo que el condensador

se cargue a una tensin muy prxima a la tensin de pico de salida del secundario
del transformador. Debe elegirse con gran cuidado el diodo y el condensador para
evitar que cuando el condensador se encuentre totalmente descargado, el primer
pico de corriente sea excesivamente grande y dae al diodo.
Durante el semiciclo negativo de la seal de entrada (Vs) el diodo no conduce,
comportndose prcticamente como un circuito abierto. El condensador se
descargar sobre la resistencia hasta que empiece un nuevo semiciclo positivo en el
secundario del transformador, volviendo a cargarse el condensador en cuanto la
tensin de entrada supere a la que conserva entre sus extremos el condensador.
Fig. 53 Seal de Salida

de tensin
Corriente
(VO) y
id
Rectificador
Onda
con
Circuito
Media
Filtro
Capacitivo.
71
En ese momento el condensador volver a recuperar la carga perdida hasta

alcanzar el valor de pico de la tensin de entrada, y as sucesivamente se vuelve a
repetir el suceso.
La magnitud del segundo pico de corriente, y los sucesivos, son bastante inferiores
al primero y dependern de la carga que aun conserve el condensador y tambin de
la capacidad del mismo.
Podemos observar en el osciloscopio que ya no existe vaco en la seal entregada
por el rectificador sin filtro, resultando as la seal ms plana. Aumentando la
capacidad del condensador, la inclinacin de la descarga sera menor y con ello
disminuira el factor de rizado; sin embargo, tal capacidad no puede aumentarse en
exceso porque el impulso de corriente que se producira en el instante de inicio de la
carga alcanzara una intensidad capaz de daar al diodo.
La constante de tiempo del condensador y la resistencia de carga debe ser grande
comparada con el perodo de la seal de entrada: RLC>>>T.
Filtro a condensador en el rectificador de doble onda
En este caso, el efecto producido por el condensador es el mismo, pero el tiempo de
descarga se reduce a la mitad y consecuentemente la magnitud de los impulsos de
corriente disminuye.
Fig. 54 Circuito Rectificador Onda Completa con Filtro Capacitivo
72
La tensin de salida del circuito y la corriente sern idnticas a las obtenidas en el

rectificador de media onda; ahora bien, al ser el doble la frecuencia de los
semiciclos que llegan al condensador, la tensin de rizado ser menor y se obtendr
una tensin ms constante.
Fig. 55 Seal de Salida Circuito Rectificador Onda Completa con Filtro Capacitivo
En la figura 55 podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearn en

el anlisis del calculo del factor de rizado. Hay que tener en cuenta que, como se
supone un rizado bajo, la seal que se considera de salida es una onda en diente de
sierra si la constante de tiempo RLC es grande frente al perodo de la seal, o sea
RLC>>>T como la siguiente:
Fig. 56 Mtodo Grfico para estimar el factor de rizado
A partir de esta seal, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada
como: Vdc Vm
Vr
, donde Vm es la tensin de pico de la seal rectificada. Se
2
73
observa de dicha tensin de continua es la tensin de pico menos el valor medio del
rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2.
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se
puede expresar como: I dc
T
y nos queda que la tensin de rizado y de continua
2
vienen dadas por las ecuaciones:

Vr
I
Q I dc T
dc
C
2C
2 fC
Vdc Vm
I
Vr
Vm dc
2
4 fC
El rizado se puede definir como:
Vrms
Vdc
Vrms: Valor eficaz de la componente alterna

Vdc: Componente contina
Obtenemos el valor eficaz de la componente alterna aplicando la definicin, y nos
queda:
2
Vrms
1 Vr Vr
1 3 2
r
0 2
4 3 2 2
Vr
2 3
Ahora substituimos el valor Vrms obtenido en la frmula del rizado:
Vr
2 3 * Vdc
I dc
4 3 fCVdc
1
4 3 fCR L
De nuevo se deduce que r disminuye con f, C y RL.

Filtro en PI con resistencia
La particularidad de este filtro es que lleva dos condensadores de filtro, unidos por
una resistencia que tambin podra ser una bobina.
74
D1
T1
R1
47ohm
1N4001GP
C1
470uF
C2
470uF
RL
330ohm
D2
1N4001GP
Fig. 57 Filtro en con resistencia
La carga y descarga del primer condensador produce un efecto como en el

rectificador de media o doble onda con filtro a condensador. La resistencia entre
ambos condensadores hace que se aplane aun ms la seal, llegndole al segundo
condensador una corriente relativamente constante. Por ltimo, la carga y descarga
de este ltimo condensador, debido a la componente alterna, aplana todava ms
las fluctuaciones y a la carga llegar una corriente continua relativamente pura.
Estos filtros no son buenos porque, debido a la cada de tensin en la resistencia,
disminuir la tensin en la salida del circuito y es muy posible que sta sea
insuficiente. Se emplean nicamente cuando la corriente demandada sea pequea
(consecuentemente la cada de tensin ser despreciable en la resistencia entre
condensadores). Tal es el caso dado, por ejemplo, en la alimentacin de alta tensin
en los tubos de rayos catdicos en los que se necesita una alta tensin con una baja
corriente.
5- Doblador de Tensin
Un circuito multiplicador de tensin est formado por diversos rectificadores de
media onda y condensadores dispuestos especialmente para entregar una tensin
mltiplo de la recibida en su entrada.
En el caso de un doblador, la tensin en la salida ser, en principio, el doble de la
tensin mxima de la seal de entrada.
75
Fig. 58 Circuito Doblador de Tensin
Cuando el interruptor est abierto, el circuito es similar al rectificador de onda

completa, con una salida de aproximadamente Vm cuando los condensadores son
grandes. Cuando el interruptor est cerrado, el circuito opera como un doblador de
tensin. C1 se carga hasta Vm a travs de D1 cuando la seal del generador es
positiva y C2 se carga hasta Vm a travs de D4 cuando la seal del generador es
negativa. La tensin de salida ser 2Vm. En este modo, los diodos D2 y D3 estn
polarizados en inversa. El circuito doblador de tensin es til cuando se precisa
utilizar el equipo en sistemas de diferentes estndares de tensin. Por ejemplo, se
podra disear un circuito para que operase correctamente tanto en Venezuela,
donde la tensin de la red es de 120 V, como en otros lugares donde la tensin de la
red es de 240 V.
Si seguimos disponiendo diodos y condensadores iremos haciendo que la tensin
de salida sea el triple, cudruplo, etc. de la seal alterna de entrada.
6.- Limitador De Tensin
Estos circuitos se emplean cuando se quiere seleccionar parte de una onda a unos
valores predeterminados. Su funcin se basa en el hecho de que un diodo no
conduce hasta que no esta polarizado directamente. Podemos distinguir dos tipos
Limitador Serie
Limitador Paralelo
o
Limitador Positivo
76
Limitador negativo
Limitador Parcial o Polarizado de un nivel
Limitador Parcial Doble o Polarizado de dos niveles
6.1.- Limitador Serie Positivo

En el la seal de salida se obtiene en serie con el diodo, son un caso particular de
los rectificadores de media onda.
Fig. 59 Circuito Limitador Serie
Fig. 60 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Limitador Serie Positivo
77
El la figura 60 se puede apreciar la seal de entrada y salida del circuito anterior se

observa que tiene la misma forma de onda que un circuito rectificador de media
onda.
6.2.- Limitador Serie Negativo
En este el diodo entra en conduccin para los valores del semiciclo negativo de la
seal de entrada, y no conduce para los valores positivos de la seal de entrada.
Fig. 61 Circuito Limitador Serie Negativo
Fig. 62 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Limitador Serie Negativo
78
6.3.- Limitador Paralelo

En ellos la seal de salida se obtiene paralelo con el diodo, pueden ser positivos o
negativo depende de la posicin del diodo.
Fig. 63 Circuito Limitador Paralelo (a) Positivo (b) Negativo
Fig. 64 Seales de Salida de los Circuito Limitador Paralelo (a) Positivo (b) Negativo
79
6.4.- Limitador Parcial o Polarizado de un nivel

En ellos la seal de salida se observa la unin del diodo en serie con una fuente de
tensin que puede ser positiva o negativa respecto a tierra.
Ejemplo a
Fig. 65 Circuito Limitador Polarizado de un nivel.
>>> Semiciclo positivo de la tensin de entrada:

Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el
diodo queda polarizado inversamente (circuito abierto), con lo cual la tensin de
salida es igual a la tensin de entrada (VO =VS).
Cuando la tensin de entrada es mayor que la tensin de la fuente continua, el
diodo queda polarizado directamente (cortocircuito), siendo ahora la tensin de
salida igual al valor de la fuente mas la tensin del diodo (VO=VDC+ VD= 5,7V).
>>> Semiciclo negativo de la tensin de entrada:
Como la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el diodo
se encontrar polarizado inversamente (circuito abierto) y la tensin en la salida
ser igual a la de la entrada (VO = VS).
80
Fig. 66 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de un Nivel
Ejemplo b

Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el
diodo se polariza directamente (cortocircuito) y consecuentemente la tensin de
salida es igual a la tensin de la fuente continua mas la tensin del diodo
(VO=VDC+VD= 5,7V).
81
Si la tensin de entrada es mayor que la de la tensin de la fuente continua, el

diodo queda polarizado inversamente (circuito abierto) y consecuentemente la
tensin en la salida ser igual a la de la entrada (VO=VS).
Como la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente de continua, el
diodo queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin
de la fuente continua mas la tensin del diodo (VO=VDC+VD= 5,7V).
Ejemplo c
82

Como la tensin de entrada es mayor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado inversamente y la tensin en la salida ser la misma que la de la
entrada (VO = VS).
Si la tensin en la entrada es menor que la tensin de fuente continua, el diodo se
polariza inversamente y la tensin de salida ser igual a la de la entrada (VO = VS).
Si la tensin de entrada es mayor que la tensin de fuente continua, el diodo queda
polarizado directamente y en la salida tendremos una tensin igual a la tensin de la
fuente continua mas la tensin del diodo (VO= -VDC -VD= - 5,7V).
Ejemplo d
Fig. 71Circuito Limitador Polarizado de un Nivel
83

Como la tensin de entrada es mayor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la
fuente continua menos la tensin del diodo (VO= -VDC +VD= - 4,3V).
Si la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la
fuente continua menos la tensin del diodo (VO= -VDC +VD= - 4,3V).
Cuando la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la fuente, el diodo ser
polarizado de forma inversa y en la salida tendremos la tensin de la entrada
(VO=VS).
6.5.- Limitador Polarizado de Dos Niveles

Ejemplo e
Fig. 73 Circuito Limitador Polarizado de dos Niveles
84

Mientras que la tensin de entrada sea menor que la tensin de las fuentes de
tensin continuas, los diodos quedan polarizados inversamente y la tensin de
salida es igual a la tensin de entrada (VO = VS).
Cuando la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la fuente continua 2, el
diodo 1 continua polarizado inversamente y el diodo 2 se polariza en forma directa
generando una tensin en la salida igual a la suma del valor de la fuente continua 2
mas la tensin del diodo (VO=VDC2+ VD2= 5,7V).
Al igual que en el semiciclo positivo mientras que la tensin de entrada sea menor
que la tensin de las fuentes de tensin continuas, los diodos quedan polarizados
inversamente y la tensin de salida es igual a la tensin de entrada (VO = VS)
En el momento en que la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la fuente
continua 1, el diodo 1 queda polarizado directamente y el diodo 2 inversamente;
obtenindose a la salida una la tensin igual a igual a la suma del valor de la fuente
continua 1 mas la tensin del diodo (VO= -VDC1 - VD1= -5,7V).
Fig. 74 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles
85
Ejemplo f
Fig. 75 Circuito Limitador Polarizado de dos Niveles Con Diodos Zener

Mientras que la tensin de entrada esa menor que la tensin en inverso del Zener
este no conducir y se comporta como un circuito abierto, y la tensin en la salida
ser la misma de la entrada (VO=VS).
Cuando la tensin de entrada es mayor que la tensin en inverso del zener 2, este
queda polarizado en inverso y el Zener 1 en Directo obtenindose a la salida V O una
tensin igual a la tensin de zener en inverso del diodo 2 mas la tensin en directo
del Diodo 1 (VO = VZ2+ VD1= 5,8V).
En este semiciclo ocurre algo similar que en el semiciclo positivo pero el diodo 1
queda polarizado en inverso y el diodo 2 en directo cuando la tensin entrada es
mayor que la tensin en inverso del diodo Zener 1, generando una tensin de salida
igual a igual a la tensin de zener en inverso del diodo 1 ms la tensin en directo
del Diodo 2 (VO = -VZ1 - VD2= - 5,8V).
86
Fig. 76 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles con diodos Zener
7.- Diodo zener como Regulador de Tensin

Corriente mxima y corriente mnima
Sea el siguiente montaje, donde el diodo zener es utilizado como regulador de
voltaje.
Fig. 77 Circuito Regulador de Tensin
La tensin de entrada vara entre Emnima= Em y Emxima = EM o Em < E < EM.

La corriente mxima corresponde al estado de utilizacin en circuito abierto (L=S=0)
y con EM, es decir,
IM
E M VZ
RS
87
La corriente en el zener no debe ser menor que Zmn (Corriente mnima para la cual
la tensin del diodo es todava igual a VZ).
En el caso de la salida abierta (S= L=0) la corriente mnima que atraviesa el zener
es:
Im
E m VZ
Como m > Zmn
RS
Para el buen funcionamiento del regulador, la corriente de entrada que vara entre
m e M debe estar comprendida en el intervalo Zmn e Zmx del diodo zener.
Si los valores lmites Em y EM de la tensin de entrada se conocen, y tambin las
caractersticas del diodo zener, se puede calcular la resistencia RS.
Clculo de RS (valor mnimo y valor mximo).
Fig. 78 Curva Caracterstica del Diodo Zener
88
La pendiente de la curva caracterstica, nos permite calcular la resistencia del diodo

zener.
rd
VZ VZ min
I Z I Z min
Esta relacin puede escribirse:

VZ VZ min rd ( I Z I Z min)
Y la parte lineal de la curva puede como V Z = VZO + rd*Z donde VZ, Z es un punto
sobre la curva, esta ecuacin es vlida si Z - Zmn> 0; no existe regulacin si Zmn >Z.
Por otro parte, no se debe sobrepasar los lmites de Zmx y VZmx, en caso contrario
se quema el diodo, PZmx = VZMx * Zmx.
La resistencia RS deber ser calculada de tal manera que:
I Z min I Z I Z max
VZ min VZ VZ max , siempre que E y RL varen entre ciertos
valores conocidos.
Considerando Dos Casos:
1ER Caso
RS no deber ser mayor que RSMx para lo cual Z = Zmn y VZ = VZmn y se supone el
caso desfavorable, es decir E = Em y RL = RLmn.
I L I LMax
VZMin
RL min
Aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de regulacin
E m RSMax I ZMax I LMax VZ min
RS max
E m VZ min
E m VZ min
V
I Z min I L max
I Z min Z min
RL min
2do Caso
RS no deber ser menor que R Smn para Z = Zmx y VZ = VZmx y se supone el caso
ms desfavorable, es decir, E = EM y RL = RLmx.
En este caso
89
I L I L min
VZMax
R L max
Aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de regulacin
E M RS min I ZMax I L min VZ max
RS min
E M VZ max
E VZ max
M
V
I Z max I L min
I Z max Z max
RL max
El problema tendra una solucin si RS min RS RS max , es decir, los lmites

impuestos a E y a RL son compatibles con los lmites de funcionamiento Zmn e Zmx
del diodo.
En la prctica se puede tomar RS
Rs min Rs max
.
2
Resolucin Grfica
Sabemos que E R S ( Z I L ) VZ e IL
VZ
; E RS I Z RS I L VZ luego
RL
E R S I Z VZ V Z
RS
RL
R
E RS I Z VZ 1 S despejando Z
RL
R
VZ 1 S
RL
E
IZ

RS
RS
Que representa la ecuacin de una recta, que se llama recta de carga.

Consideraremos dos casos:
1ER Caso Para E = Em y RL = RLmn
Si tomamos la ecuacin de recta de carga y hacemos Z = 0 tenemos:
VZ
Em
R
1 S
R L min
90
Ahora hacemos VZ = 0 obtener I Z
Em
, el punto de funcionamiento es el punto A
RS
en la figura 79.
2do Caso Para E = EM y RL = RLmx
Tomando la ecuacin de la recta de carga y haciendo Z = 0 tenemos:
VZ
Ahora hacemos VZ = 0 obtener I Z
EM
RS
1
R L max
EM
, el punto de funcionamiento es el punto B
RS
en la figura 79.
Fig. 79 Anlisis Grfico de Rs
Existen otros casos: que toman los valores de VZ comprendidos entre

VZ min VZ VZ max y los valores de RL comprendido entre RL min RL RL max .
91
Ejemplo
A.- Se quiere construir un circuito regulador de tensin que entregue a la salida una
tensin de 5,1 V, sabiendo que la carga consume una I Lmx = 100 mA, siendo ILmn = 0
y que dispone de una alimentacin que vara entre 9 V y 10 V. Los diodos zener de
que se dispone son los que se muestran en la siguiente tabla escoger el que
corresponda para el diseo del circuito.
Solucin:
Si
se
elige Z1:
Si
se
abre
la
carga
por el zener iran 105 mA y como I Zmx = 78 mA no podra funcionar, se quemara y
se daara no la resistira.
Si probamos con Z2:
92
Veamos si es suficiente esa corriente, el peor de los casos es suponer que I Lmx =
100 mA.
Si abrimos la carga los 150 mA van por el zener y como este soporta hasta 294 mA
si servira, el Z2 es el adecuado. Ahora elegiremos la resistencia (R).
Tenemos dos puntos importantes para analizarlos:
Peligro de que el zener se quede sin corriente

Suposiciones crticas para ese punto:
93
vi min v Z
9 5,1
26
I Z min I L max 50mA 100mA
Peligro de que el zener se queme
vi max v Z
I Z max I L min
9 5,1
13,26
294mA 0mA
Entonces la resistencia esta entre estos dos valores:

13,26 R 26
Cualquier valor entre estos dos valores valdra, tomamos por ejemplo: R = 22
Vemos que ocurre en los 2 casos extremos:
94
Ahora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de qu
potencia elegimos esa resistencia.
Peor caso: IZ = 222 mA
P = (10-5,1)*22210-3 = 1,08 W
Se escoge un valor normalizado de 2 W.
Ahora vamos a ver el rango de valores por el que mueve la resistencia de carga
(RL):`
I L min 0mA RL (vacio)
I L max 100mA R L
5,1V
51
100mA
Calculo de la Recta de carga: Tomaremos el convenio de la figura con lo que nos

saldrn la intensidad y la tensin negativas (en el tercer cuadrante).
95
Punto A
Punto B
Finalmente la representacin grfica de esas ecuaciones queda de la siguiente

manera:
96
Las dos rectas de carga son paralelas. Los dems puntos estn entre esas dos
rectas paralelas.
8.- Circuito Sujetador de Nivel (CLAMP CIRCUITS)
En ciertas aplicaciones se requiere que la seal, sin perder su forma de onda
original, se mantenga confinada sobre o bajo un voltaje especificado de umbral;
para el propsito se agrega a la seal un nivel continuo tal que impida que sus
PICOS excedan el umbral especificado. La funcin es normalmente realizada en
base a diodos.
Fig. 80 Circuito Sujetador de Nivel
97
El circuito de la figura 80 enclava los picos positivos de la seal de entrada en -5V

(tensin de la fuente continua).
Considerando el diodo como ideal y el condensador muy grande, las excursiones
positivas de VS(t) cargan el condensador al valor pico, a travs de la conduccin del
diodo. Al disminuir la tensin de entrada el diodo asume estado apagado (circuito
abierto) y la salida estar dada por:
Vo(t)= VS(t ) - VC
Fig. 81 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Sujetador de Nivel
Suponiendo un valor de VS(t)= 10sen(wt) para el ejemplo anterior.

Es posible naturalmente producir el enclavamiento en diferentes combinaciones de
pico enclavado (positivo o negativo) y el voltaje al cual se enclava (positivo o
98
negativo), por medio de diferentes polaridad de la batera y orientacin (sentido) del

diodo.
Como criterio de diseo inicial se elige el producto RC (constante de tiempo) en un
orden de magnitud mayor que el perodo de la seal de entrada (T = 2/w).
99
CAPTULO V
TEORA DE LOS
TRANSISTORES BJT
TEORA DE LOS TRANSISTORES
CAPTULO V
TEORA DEL TRANSISTOR BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que generalmente
acta como amplificador de corriente.
Existen cuatro modelos fabricados con diferente tecnologa, y con caractersticas y
propiedades fsicas bastantes diferentes, ellos son:
Transistor Bipolar: Son de doble unin de tres terminales, y es controlado por

corriente.
Transistor FET: Son de efecto de campo, unipolar que opera como un

dispositivo controlado por voltaje.
Transistor MOSFET: Es un FET de metal oxido semiconductor.
Transistor UJT: Monounin, usado esencialmente como interruptor de

enganche.
Este captulo se basar en los aspectos relacionados con los transistores bipolares
1.- Estructura De Un Transistor Bipolar

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y
una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor
pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 82 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base.
La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction
Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar
refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de
inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un
portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
101
La representacin grfica de la estructura fsica y su smbolo es como se muestra

en la figura 82.
Fig. 82 Estructura de los transistores BJT
El Emisor el cual esta fuertemente dopado, la Base esta ligeramente dopada y es

ms angosta. Y el Colector esta dopado en forma intermedia.
Los transistores bipolares vienen empacados en:
Cpsulas metlicas: Los que disipan mayor potencia, > 5 w
Cpsulas plsticas: Los de baja potencia
2.- Modos De Operacin

Estos transistores por presentar dos uniones pueden tener en cada una de ellas dos
tipos de polarizacin directa e inversa. Dependiendo de cmo estn polarizadas las
uniones se tendrn los modos de operacin como se puede observar en la siguiente
tabla.
102
Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la

figura 82 la operacin del transistor npn es exactamente la misma que si
intercambiaran la funciones que cumplen el electrn y el hueco. Se realizar el
estudio en el modo activo para trabajar al transistor como amplificador, y para ello se
muestra las polarizaciones, tanto para un NPN como para un PNP. El espesor de la
regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por
resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material
tipo p hacia el tipo n, mientras que la regin de agotamiento de la otra unin
aumenta debido a la polarizacin en inverso.
Al tener estas uniones polarizada de la manera indicada habr una gran difusin de
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el
material tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de
forma directa a la corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p.
Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja
conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria
de alta resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes (A), comparando con miliamperes (mA) para las corrientes del
emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se
difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p
conectado a la terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual
los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se
comprender con facilidad si se considera que para el diodo con polarizacin
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con
103
polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como

portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de
la regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los
portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesarn la unin con
polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.
A lo largo de este captulo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo
convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el
transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor
(flujo convencional) a travs del dispositivo. Ver Figura 82
Fig. 83 Polarizacin de los transistores BJT
3.- Configuracines Del Transistor

3.1-Configuracin Base Comn (B-COM).
Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa
de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada
104
como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal

ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra.
Fig. 84 Configuracin Base Comn
Para el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los

amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, una
para los parmetros de entrada y la otra para los parmetros de la salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de
entrada (IE) con la tensin de entrada (VBE) en funcin de la tensin de salida (VCB).
El conjunto de caractersticas de la salida relaciona la corriente de salida (IC) con la
tensin de salida (VCB) en funcin de la corriente de entrada (IE). All encontramos las
tres regiones bsicas de operacin.
Fig. 85 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin Base Comn NPN
En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (I E) es cero; esa

no es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin
inversa ICO.
105
La corriente ICO real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con

la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando I E = 0
para la configuracin de base comn se muestra en la figura 86. La notacin que
con ms frecuencia se utiliza para I CO en los datos y las hojas de especificaciones
es, ICBO.
Fig. 86 Transistor NPN con el Emisor Abierto
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de I CBO para los
transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de
potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto.
Sin embargo, para las unidades de mayor potencia I CBO, as como IS, para el diodo
(ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a
que aumenta muy rpidamente con la temperatura.
3.2-Configuracin Emisor Comn (E-COM)
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o
hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es
comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se
necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el
comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de
entrada o base-emisor que relacionar la corriente de entrada (I B) con la tensin de
entrada (VBE) en funcin de la tensin de salida (VCE). El conjunto de caractersticas
de la salida relaciona la corriente de salida (IC) con la tensin de salida (VCE) en
funcin de la corriente de entrada (IB).
106
Fig. 87 Configuracin Emisor Comn
Fig. 88 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin Emisor Comn NPN
3.3.-Configuracin
Colector
Comn
(C-COM)
Configuracin
Emisor
Seguidor.
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de
acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base
comn y de un emisor comn.
La figura 89 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la
resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se
encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera
similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no
107
se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los

parmetros del circuito. Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para
la configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de
emisor comn.
Fig. 89 Configuracin Colector Comn o Emisor Seguidor
No importa la configuracin, si al transistor se quiere trabajar en un modo en

particular, se deben realizar las polarizaciones correspondientes.
4.- Curva Caractersticas
Los transistores, se estudian y analizan a travs de sus curvas caractersticas; con
ellas se puede conocer el comportamiento o funcionamiento elctrico del elemento,
expresndose las relaciones grficas de las corrientes I B, IE e IC en funcin de las
tensiones exteriores aplicadas y para cualquiera de las configuraciones en que
puede ser empleado el transistor E-COM, B-COM C-COM.
Las curvas no son universales, cada tipo concreto de transistor, tiene las suyas,
normalmente diferentes de los dems, aunque semejante en forma.
Las curvas dadas por el fabricante representa la caractersticas media de una serie
de fabricacin con un elevado nmero de unidades.
Existen dos (2) familias de curvas de especial importancia y son, la de entrada y la
de salida.
108
1. Las curvas de entrada: Expresan grficamente la relacin entre la corriente

de base (IB) y la tensin Base-Emisor (VBE) para una tensin colector-Emisor
constante. Con ellas se puede calcular la corriente que circula por la base
cuando se aplica una tensin externa
entre est y el emisor. Ellas se
corresponde con las curvas del diodo de unin con polarizacin directa.
2. Las curvas de salida: Expresan la relacin entre la corriente de colector (I c)

para una tensin colector- Emisor (VCE), cuando IB se mantiene constante.
En estas curvas se pueden identificar tres regiones de operacin del transistor las
cuales son:
a.- Regin Activa o Lineal: Est ubicada por encima de la tensin C-E en 0,7V,
donde las curvas caractersticas son casi constantes, es decir, I C aumenta
109
ligeramente a medida que VCE aumenta, en esta zona IC depende de IB. En esta
regin el transistor trabaja como amplificador.
b.- Regin de Saturacin: Esta ubicada por debajo de VCE = 0.7V, donde las curvas
se unen; en esta regin se tiene que I C aumenta rpidamente para pequeas
variaciones de VCE, Cuando VCE cae por debajo de VBE, se tendr que VCB es
negativa ( VCB = VCE VBE) y polariza directamente a la unin C-B, entrando el
transistor a saturacin.
c.- Regin de Corte: Se ubica para una corriente IB = 0 para este caso la corriente
de colector IC es muy pequea, igual a la corriente de fuga ICEO.
5.- Relacin De Corrientes
Por definicin IE = IB + IC
IC = IE + ICBO
: Es una constante de proporcionalidad, es decir, una proporcin de la corriente de
emisor en el colector, Tambin conocida como GANANCIA DE CORRIENTE BAJO
LA CONFGIGURACIN DE BASE COMN. La cual siempre tiene un valor < 1.
IE = f (IB)
Ie = IB + IE + ICBO
Si ICBO 0 IE = IB + IE
IE
IB
1
I C I E I CBO
IC f (I B )
Si ICBO 0
I C I E
Como I E
IC
IE
IB
1
IC
IB
1
DONDE
IC
IB 1
: Factor de amplificacin de corriente, conocido comnmente como GANANCIA
DE CORRIENTE BAJO LA CONFIGURACIN EMISOR COMN.
Se puede conseguir a travs de las curvas caractersticas del fabricante
normalmente su valor oscila entre 50 y 400.
110
6.- Polarizacin Del Transistor

6.1.- POLARIZACIN FIJA.
RB = Resistencia de la Base
RC = Resistencia del Colector
VCC = Tensin de alimentacin
IB = Corriente de base
IC = Corriente de Colector
Fig. 90 Circuito Con polarizacin Fija
El anlisis del circuito de polarizacin se

realiza en forma separada, es decir, se considerar primero el circuito de entrada
(Base Emisor) y luego el circuito de salida (Colector Emisor).
Circuito De Entrada.
En la figura 91 se muestra el circuito base-emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacin:
VCC I B * R B V BE 0
Donde:
IB
VCC V BE
RB
111
Fig. 91 Circuito De Entrada
Como los valores del voltaje de VCC y VBE son fijos, la seleccin de un resistor de
polarizacin de base fija el valor de la corriente de la base IB.
Circuito De Salida.
En la figura se muestra el circuito de colector emisor, del cual se obtiene la
siguiente ecuacin:
VCC I C * RC VCE 0
Fig. 92 Circuito De Salida
En la regin activa la corriente de colector se relaciona con la corriente de base a

travs de la ganancia de corriente del transistor o hFE y se expresa da la
siguiente forma:
IC * I B
Donde la corriente de base se ha calculado a travs del circuito de entrada; se

puede observar que la corriente de colector (IC), solo depende de la corriente de
base y no de la resistencia RC en el circuito de salida.
Conociendo a IC por IB, entonces se puede calcular a VCE como sigue:
VCE VCC I C * RC
El calculo de IC, VCE e IB representan el punto de trabajo (Q) del transistor en

corriente continua (DC).
Ejemplo.
Calcular los voltajes y corrientes de polarizacin en CD para el circuito mostrado
sabiendo que = 50
112
Fig. 93 Ejemplo de un Circuito Con polarizacin Fija
SATURACIN DEL TRANSISTOR:

Siempre y cuando el transistor este trabajando en su regin activa o lineal se
cumple I C * I B , pero si el transistor se encuentra en la regin de Saturacin ya
esta ecuacin no se valida. Se debe recordar que, si el transistor trabaja en la regin
activa, la unin base- emisor debe estar polarizada en directa y la unin colector
base en inverso, esto es cierto slo si el voltaje V CE > VBE. Como VCE = VCC IC * RC
que VCC > IC *RC para que el transistor este activo, es decir, I C
hace mayor o igual a
VCC
, el transistor est operando en la regin de saturacin.
RC
En este caso el valor de I C
IB
VCC
. Si IC se
RC
VCC VCESAT
,
RC
siendo VCESAT = 0V 0.3V
VCC V BE
. Si el circuito se necesita como amplificador, no se debe esperar
RB
que el transistor este en la zona de saturacin.

CORTE DEL TRANSISTOR:
113
Cuando el transistor est trabajando en la regin de corte, la corriente I B = 0 IC= 0

y VCE = VCC. Regin no deseada para el transistor cuando se quiere trabajar como
amplificador.
6.2.- POLARIZACIN CON RESISTENCIA EN EL EMISOR
Este circuito brinda una mejor estabilidad de polarizacin que el circuito de
polarizacin fija, ya que en ste I C * I B y vara hasta para el mismo tipo de
transistor, es decir, si se cambia el transistor por uno del mismo tipo la corriente I C
variar an con IB constante.
RC =Resistencia de colector
RE =Resistencia de emisor
RB =Resistencia de base
IE = Corriente de emisor
IC = Corriente de colector
IB = Corriente de base
Fig. 94
Circuito Con polarizacin con

resistencia en el emisor
Circuito De Entrada:
Se tiene que VCC I B * RB VBE I E * RE 0
por definicin
I E I B IC
I C * I B , por lo tanto I E I B * I B (1 ) * I B entonces sustituyendo tenemos:
VCC I B * R B V BE ( 1) * R E * I B 0
Donde
IB
VCC V BE
e IC * IB .
R B ( 1) * RE
114
Fig. 95 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
Circuito De Salida:
Se
tiene
que
VCC I C * RC VCE I E * R E 0
VCE VCC I C ( RC
como
IC * I E
tenemos
RE
) al igual que en el caso anterior el punto de trabajo (Q)
viene dado por los valores de IC, VCE e IB.
Fig. 96 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
Ejemplo.
Calcular los valores de Ic, IB y VCE sabiendo que = 50
115
Fig. 97 Ejemplo Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
Resultados:
IB = 40,12A; IC = 2.01mA; VCE = 13.94V
COMPARACIN
Como se mencion anteriormente,
al agregar la resistencia de emisor a la
polarizacin de CD mejorar la estabilidad de est, es decir, las corriente y voltajes

de polarizacin de CD se mantienen ms cercanos a los puntos donde fueron
fijados por el circuito, an cuando cambie el valor de del transistor.
Para el ejemplo anterior si se cambia a 100 tendremos los siguientes resultados:
IB = 36.27A; IC = 3.62mA; VCE = 9.08 V
50
100
IB (A)
40.12
36.27
IC (mA)
2.01
3.62
VCE (V)
13.94
9.08
IC cambia casi un 50% para un cambio de al 100%. El decremento de IB ayuda a

mantener IC o al menos reducir al cambio total de IC con .
6.3.- CIRCUITO DE POLARIZCAIN DC INDEPENDIENTE DE .
En los circuitos de polarizacin de CD analizados anteriormente, se tena que los
valores de corriente y voltajes de polarizacin del colector dependan de . Debido a
este problema se hizo necesario un circuito de polarizacin independiente de ,
recordando de que es sensible a la temperatura (sobre todo si el transistor es de
Silicio Si) y adems su valor nominal no esta bien definido. El circuito que se
muestra en la figura 98, cumple con la condicin de que su polarizacin es
116
independiente de , Tambin conocido como Circuito de Polarizacin por Divisor

de Tensin.
Para el anlisis del circuito se sigue el procedimiento descrito en los circuitos
anteriores; Primero se trabaja con el circuito o malla de entrada y luego con el de
salida.
Fig. 98 Circuito de polarizacin por divisor de Tensin
Circuito O Malla De Entrada

Si la resistencia que se observa desde la base (R B) es mayor que la resistencia R 1,
entonces el voltaje de la base se ajusta mediante el divisor de voltaje de R 1 y R2; si
esto es cierto, la corriente que circula a travs de R2 pasa casi por completo por R1 y
las dos resistencias pueden considerarse efectivamente en serie.
117
Fig. 99 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin malla de Entrada
Si RB >> R1
I1 I2
Entonces el voltaje en la unin de las resistencias, que es tambin el voltaje de la
base del transistor, se determina simplemente por un divisor de voltaje de R 1 y R2, y
el voltaje de alimentacin; por lo tanto obtendremos que:
VBB
R1 *Vcc
R1 R2
Y R B R1 // R2
Dando como resultado el siguiente circuito:
118
Fig. 100 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Simplificado
Recorriendo la malla de entrada tenemos:
VBB I B * RB VBE I E * RE 0
Como I E I B I C I B * I B (1 ) * I B
Entonces:
VBB VBE I B [ RB (1 ) RE ]
IB
VBB VBE
RB (1 ) RE
Para que las corrientes no dependan de , por lo general se considera que (1+)RE
>> RB, entonces: I B
VBB VBE
como Ic = IB y como (1+) entonces:
(1 ) RE
IC
(V BB V BE ) V BB V BE
.
R E
RE
119
Circuito De Salida.
Fig. 101 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Malla de Salida
La ecuacin de salida es:

VCC I C * RC VCE I E * RE 0
VCE VCC I C Rc E

CONDICION DE SATURACIN
VCESAT = 0 0.3V
I CSAT
VCC VCSESAT
RC R E
I BSAT
I CSAT
CONDICIN DE CORTE
IB = 0, IC = 0 Y VCE = VCC
EJEMPLO
Hallar el punto de operacin del
siguiente circuito sabiendo que VBE = 0,7V y
considerando un = 70 y 140.
RB
3.9 K * 39 K
3.55 K
3.9 K 39 K
V BB
3.9 K * 22V
2V
3.9 K 39 K
120
Transformando el circuito de entrada tenemos:

Circuito de entrada:
VBB VBE I B [ RB (1 ) RE ]
IB
VBB VBE
RB (1 ) RE
Para =70
121
IB
2V 0.7V
11 .81A
3.55 K 71 * 1.5 K
I C * I B 70 *11.81A 0.8268mA
Para = 140
IB
2V 0.7V
6.045A
3.55 K 141 * 1.5 K
I C * I B 140 * 6.045 A 0.846mA
Circuito de salida.
Para =70
R
70
VCE VCC I C Rc E ;
0.9859
71

1 .5 K
VCE 22V 0.8268mA 10 K

12.47V
0.9859
Para =140
140
0.9929
141
1 .5 K
VCE 22V 0.846mA 10 K

12.26V
0
.9929
70
140
IB (A)
11.81
6.045
IC (mA)
0.8268
0.846
VCE (V)
12.47
12.26
6.4.- CIRCUITO DE POLARIZACIN EN CD CON REALIMENTACIN DE

TENSIN DE COLECTOR.
122
Adems de la resistencia de emisor para mejorar la estabilidad del punto de

operacin (Q), una retroalimentacin de voltaje se le suma a esta mejora. El circuito
de la figura 102 muestra este tipo de polarizacin.
Fig. 102 Circuito de Polarizacin con Realimentacin de Tensin
Circuito o malla de entrada:

VCC I * RC I B * RB VBE I E * RE 0
I I C I B I I E (1 ) * I B
VCC ( 1) * I B * ( RC R E ) I B * R B V BE 0
IB
VCC VBE
RB ( 1)( RC RE )
IC * IB
Circuito de salida:
VCC I * RC VCE I E * R E 0
I IE
VCE VCC I E * ( RC R E )
7.- ANLISIS GRFICO DE POLARIZACIN EN CD
123
Existe una tcnica grfica para mostrar la ubicacin del punto de trabajo de un
circuito con transistor, sta tcnica se basa en dibujar una recta llamada recta de
carga de CD, la cual se consigue con la ecuacin de salida del circuito; esta
ecuacin se va a representar sobre los ejes de las curvas de salida, que relacionan
la corriente de colector (IC) con la tensin Colector-Emisor (V CE) si se trata de una
Configuracin Emisor Comn.
PASOS A SEGUIR PARA LA GRAFICACIN.
Circuito Autopolarizado.
Fig. 103 Circuito Autopolarizado
Se busca la ecuacin de salida del circuito:
VCE VCC I C RC E

Se dibuja la ecuacin de salida sobre la curva caracterstica de salida del

transistor de la siguiente forma:
1. Se hace IC = 0 para conseguir el punto de corte en VCE quedando que
VCE = VCC.
124
2. Se hace VCE = 0 para conseguir el punto de corte en IC quedando que
Ic
VCC
VCC
RE si se considera que IC IE I c
RC RE
RC
3. Uniendo los dos puntos se consigue la recta de carga de CD.
Fig. 104 Recta de Carga en Continua
Se puede observar que la recta de carga en CD solo depende de V CC, RC y RE; la

pendiente depende de RC y RE y es el inverso de la resistencia de salida en CD.
Si los valores de RC y RE varan, la pendiente de la recta de carga tambin variar.
En la figura 105 se puede observar como vara la pendiente de la recta para las
variaciones de (RC + RE).
125
Fig. 105 Recta de Carga en Continua para las Variaciones de RC y RE
Tambin el cambio de voltaje VCC mover la recta de carga de CD en forma paralela,

pero manteniendo la pendiente, tal como se muestra en la figura 106.
Fig. 106 Recta de Carga en Continua para las Variaciones VCC
Debido que la operacin del circuito depende tanto de las caractersticas del
transistor, como de los elementos del circuito, la graficacin de ambas curvas (las
caractersticas del transistor y la recta de carga de CD) sobre una grfica permite la
determinacin del punto de operacin
Ic(mA) (Q) del circuito. La recta de carga de CD
describe todos los valores
voltaje
y corriente
en )lapequeos
seccin de colectorVCCposibles de Con
valores
de (RC+R
E
emisor del circuito.
RC R E
Con valores de (RC+RE) intermedios
VCC
Con valores de (R +R ) grandes
RC R E
VCC DE LOS TRANSISTORES
TEORA
126
RC R E
C
Vcc
VCE(V)
Fig. 107 Recta de Carga en Continua sobre la caracterstica de Salida del Transistor
8.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (RC)
si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un
interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular
un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a
encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje VCC se hace igual al
voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente ICSAT. Se calcula
la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima:
I BSAT min
R B max
I CSAT
VON
I BSAT min
Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito

debe usar una RB por lo menos 4 veces menor que RBmax.
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado VOFF que haga que el
circuito entre en corte.
127
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados

lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en
otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es
inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la
"patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una
proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.
Fig. 108 El Transistor NPN como Interruptor (a) Circuito Apagado (b) Circuito Encendido
Fig. 109 Circuito para el accionamiento de un rel
128

Electronica 5

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FUNDAMENTO DE ELECTRNICA

Se, Te, (S)

otro electrn, y as sucesivamente. En la figura 2a se puede observar un cristal de

La unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre

semiconductores son: para el Silicio (Si) es aproximadamente de 1,11 eV, Germanio

Fig. 3 Estructura de las bandas de energa de un Aislante, un Semiconductor y un Conductor

Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya

Es importante notar que la conductividad elctrica de los semiconductores es

Por lo contrario, a temperaturas normales (aprox. 25C), la conductividad de los

invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la

Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la

convertirlo en extrnseco y dependiendo del tipo de impurezas o tomos aadidos

En la figura 5 se muestra el nuevo nivel de energa de un semiconductor con tomos

Fig. 5. Nivel donador o dador introducido por los tomos pentavalentes

3.2.2.- Semiconductores Extrnseco Tipo P

semiconductores extrnsecos tipo N. En la figura 4 se puede ver un cristal de silicio

4.- Ley de Accin de Masas

5.- Ley de Neutralidad de Carga

Cuando tenemos un material tipo n, que tenga N A = 0. El nmero de electrones ser

Por lo tanto, lo portadores minoritarios, los huecos se calculan utilizando la ley de

De igual manera, en un semiconductor del tipo p:

6.- Movilidad y Conductividad

fomentar el movimiento de las cargas en forma no aleatoria. Y los portadores e

n : Movilidad de los electrones en el material

n : Concentracin de los electrones

Fig. 7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones

p : Movilidad de los huecos en el material

q : Carga elctrica (1,6 * 10-19 C)

Considerando ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y

6.2 Corriente de difusin

Donde J es la densidad de corriente (en A/m2), D es la difusividad (en m2/s), q la

En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusin

El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente

D p : Difusividad de los huecos

Dn : Difusividad de los electrones

q : Carga elctrica (1,6 * 10-19 C)

Donde VT es el Potencial equivalente de Temperatura, definido por:

k : Constante de Boltzmann (1,38*10-23 J/ K); T: Temperatura en Kelvin; q: Carga

Es decir que el semiconductor de la regin P tiene impurezas de tipo aceptadora y

electrones del semiconductor N que se

semiconductor tipo P donde apenas hay unos

cuantos electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo

agotamiento, entorno a la unin, se va creando un campo elctrico E en dicha

Fig. 9.- Formacin de la

En principio, los electrones y los huecos seguirn difundindose, pero en el

Como se ha dicho anteriormente la unin PN conforma un diodo. Ahora queda

La corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores

Fig. 13.- Polarizacin en Inverso de la Unin PN

Al aplicar ms tensin a la parte N que a la parte P se genera un campo elctrico

E D dirigido de la zona N a la zona P, que se superpondr al campo de la regin de

de la regin de carga aumente; al ser el campo el elemento que se

opone a la difusin, entonces, al aumentar imposibilitara aun ms la difusin. El

Fig. 14.- Aumento de la Regin Carga Espacial

En la polarizacin Inversa se dice que no hay circulacin de corriente significativa a

VT : Es una Constante que varia con la temperatura conocido como Voltaje

Fig. 15.- Curva Caracterstica del Diodo

gran cantidad de electrones en movimientos que dan lugar a la corriente

Fig. 16.- Curva Caracterstica real del Diodo

Imax: Corriente mxima.

Fig. 17.- Representacin Simblica y Fsica del Diodo

6.- Resistencias del Diodos

montada sobre un nivel de continua. Se puede hablar de 2 tipos de resistencia a

Fig. 18.- Representacin del punto Q sobre la curva caracterstica de Diodo