Electronica

SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO INDUSTRIAL
MECNICA DE
PRODUCCIN
FASCCULO DE APRENDIZAJE
ELECTRNICA
Tcnico de Nivel Medio.
AUTORIZACIN Y DIFUSIN
MATERIAL DIDCTICO ESCRITO
FAM. OCUPACIONAL :
METALMECNICA.
ESPECIALIDAD
MECNICA DE PRODUCCIN.
NIVEL
TCNICO MEDIO.
Con la finalidad de facilitar el aprendizaje en el desarrollo de la formacin y capacitacin en la

especialidad de MECNICA DE PRODUCCIN a nivel nacional y dejando la posibilidad de un
mejoramiento y actualizacin permanente, se autoriza la APLICACIN Y DIFUSIN de material
didctico escrito referido a ELECTRNICA.
Los Directores Zonales y Jefes de Unidades Operativas son los responsables de su difusin y
aplicacin oportuna.
DOCUMENTO APROBADO POR EL

GERENTE TCNICO DEL SENATI
N de Pgina............188...........
Firma ..
Nombre: Jorge Saavedra Gamn
Fecha: 05 08 - 31.
Registro de derecho de autor:
ELECTRONICA
IN DICE
1. Presentaci6n
--------------------------------.
2. Tarea 1
~ Arma circuitos resistivos ------------------------
3 -10
3. Tarea 2
~ Verifica la ley de Ohm -------------------------
11 - 36
4. Tarea 3
37 - 57
~ Verifica la ley de Kirchoff
5. Tarea 4
~ Armar fuente de alimentaci6n estabilizada fija
58 - 116
6. Tarea 5
~ Armar circuitos amplificadores con transistores _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 117 - 151
7. Tarea 6
~ Armarcircuitos de pulso -------------------------
152 -166
8. Tarea 7
167 -186
~ Armar circuitos de potencia

Bibliografia
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 187
MECANICA DE PRODUCCION
ELECTR6NICA
EI presente manual de aprendizaje

DE PRODUCCION,
En
concemientes
esta
de MECANICA
corresponde a la asignatura ELECTRONICA.

asignatura
a rectificadores
amplificadores
de la especialidad
se
estudian
los
diferentes
circuitos
para fuentes de alirnentacion, circuitos con
a transistores;
adernas
tambien
veremos
diferentes
circuitos de operaciones matematicas.
'&
Arma circuitos resistivos
zs, Verifica la Ley de Ohm

zs, Verifica las leyes de Kirchoff
'&
Armarfuentes
'&
Armarcircuitos
de alimentacion estabilizada fija

amplificadores
con transistores
zs, Armar circuitos de pulso

'&
Armarcircuitos
de potencia
Este manual de aprendizaje,

de reforzamiento
incluye diferentes
ejercicios y tareas
que permittran tener mas habilidad teorica y practica en
los diferentes circuitos de corriente continua y altema.
Elaborado en la Zonal
Lambayeque Cajamarca Norte
Ano
2005
Instructor
Ing. Juan Garcia Angeles
MECANICA DE PRODUCCI6N
ARMA CIRCUITOS RESISTIVOS
ELECTRONICA
..,>
U!
CIRCUITO RESISTIVO SERlE
:~
.. .
4700
1.20
""'1>-
2200
,,
8200
A
..,
470 0 ~~
:~:~
1.2 0
8200~
...
...
CIRCUITO RESISTIVO PARAlElO
3300
4700
_A!"l
1 ,1
llU.
""
""
12000
11.U
''''
...,!
"
"
1200
PZA.
,U,lI
r"
CIRCUITO RESISTIVO MIXTO
6800
01
02
03
3900
ORDEN DE EJECUCION
Armarcircuito resistivo serie
Armarcircuito resistivo paralelo
Armar circuito resistivo mixto
CANT.
.JIAtIt,
SENm1
PERU
MATERIALES IINSTRUMENTOS
Resistencias: 220 Q, 470 Q, 1.2 kQ,
820 Q, 330 Q, 120 Q, 680 Q, 390 Q,
todasde%W
Protoboard
Ohmimetro
DENOMINACION - NORMAl DIMENSIONES

ARMA CIRCUITOS RESISTIVOS
MATERIAL
H.T.01
OBSERVACIONES
Ref. H.T.
TIEMPO
HOJA 111
ESCALA
2005
ELECTRONICA
OPERACI6N
Armarcircuito resistivo serie
Dos 0 mas resistores forman una asociacion denominada circuito serie cuando estan
conectados una a continuacion de la otra, como se muestra en el siguiente esquema:
A
PROCESO DE EJECUCI6N
1. Monte el circuito de la figura 1.
2200.
4700.
B
1.20.
Figura 1.
8200.
2. Medir resistencia equivalente con el multitester seleccionado como ohmimetro y lIenar la

tabla 1.
Tabla 1
2200.
4700.
1.2 0.
Req MEDIDA
Req CALCULADA
8200.
Figura 2.
OBSERVACION
EI multitester como ohmimetro tiene dos form as de trabajo, una es como probador de
continuidad 0) y la otra es como medidor de resistencia n, par 10 tanto se debe presionar la
tecla SELECT hasta conseguireste requisito.
ELECTR6N1CA
OPERACION
Armar circuito resistivo paralelo
Dos 0 mas resistores forman una asociacion denominada
conectadas conforme se muestra en el siguiente esquema:
circuito
paralelo cuando estsn
A
... ~
R1 ~~
~~
R3 :~~
... ~
R2 ~~
S
PROCESO DE EJECUCION

A
~~
470.0 :~
1.2.0 :~~
~~
820
.o:~
Figura 3.
S
2. Medir la resistencia
la tabla 2.
equivalente
con el multitester seleccionado
como ohmimetro
y lIenar
1.2.0
470.0
820.0
Figura 4.
s
Tabla 2
Req
MEDIDA
Req
CALCULADA
ELECTR6NICA
OPERACI6N
Armar circuito resistivo mixto

Denominamos circuito serie-paralelo 0 mixto, al circuito formado por asociaciones serie y
paralelo, donde respectivamente sus propiedades son validas. EI siguiente esquema
representa un circuito serie-paralelo 0 mixto.
R,
0-------~
3300
4700
12000
3900
1200
'-------<I
Figura 5.
6800
o------....J
2. Medir la resistencia equivalente con el multitester seleccionado como ohmimetro y lIenar

latabla3.
3300
4700
3900
12000
1200
Figura 6.
6800
Tabla 3
Req MEDIDA
Req CALCULADA
ELECTRONICA
RESISTENCIAS
Concepto
Es un componente electroruco que se utiliza para introducir en un circuito una cantidad
especifica de resistencia con el objeto de producir una caida de tensi6n 0 limitar un paso de
corriente.
Clasificaci6n
Las resistencias
se clasifican en:
- Resistencias
- Resistencias
- Resistencias
fijas
variables
especiales
Resistencias fijas
Entre las resistencias
(bobinadas).
fijas se pueden distinguir las de carbon, de pelicula metalica y alambre
Simbolo:
Especificaciones
.,I#y..------
caractertsticas principales
Estas se indican en el mismo componente mediante c6digos de colores 0 altanumencos.

caracteristicas mas importantes son: el valor de resistencia, tolerancia y potencia.
Valor de resistencia
Es el valor onrnico nominal que el fabricante indica en la misma resistencia
codiqos en franjas de colores 0 c6digos alfanumericos.
Las
por medio de
Tolerancia
Es la variaci6n permisible alrededor del valor nominal de resistencia que se indica desde su
fabricaclon, tarnbien a I igual que el valor nominal de resistencia esta caracteristica
viene
indicada por medio de c6digos y se lee el porcentaje anteponiendo el signo._.
Potencia
Esta es la potencia que puede
artefacto, magnitud que viene
obtener una buena fiabilidad
50% su potencia nominal para
uso corriente.
disipar la resistencia a una temperatura ambiente al interior del

siempre indicada por el fabricante generalmente a 70C. Para
y estabilidad del montaje se recomienda no pasar jam as del
las resistencias de precisi6n y del 70% para las resistencias de
Para las resistencias de alambre la inoicacion de potencia viene dada por cifras en su misma
superficie, mientras que para las de carbon , pelicula metatlca, las cuales IIevan franjas de
colore, la potencia nos indica con estas franjas si no es necesario reconocer por el tamalio.
Por ello se muestra la siguiente tabla:
ELECTR6NICA
Dimensiones en mm
Potencia nominal a
70C en Vatlos
0,125
1,6
4,5
0,250
2,5
7,5
0,500
3,7
10
1,000
5,2
18
2,000
6,8
18
3,000
9,3
32
J----L---l
CIRCUITO SERlE
Dos 0 mas resistores forman un circuito serie cuando estan conectados uno a continuaci6n
de otro.
R1
R2
R3
CIRCUITO PARALELO
Dos 0 mas resistores forman un circuito paralelo cuando los resistores se encuentran
conectados como el qraflco.
Cuando son dos resistores:
10
ELECTR6NICA
CIRCUITO MIXTO
Dos 0 mas resistencias forman un circuito mixto cuando las resistencias estan conectadas
como en el graftco:
R2
R1
A
R3
Req
R4
EJERCICIOS
1). Hallar la resistencia equivalente:
Req =
6k.O
3k.O
2).
1.5k.O
ReqAB
Req a -b
.
A
8
10
11
ELECTRONICA
VERIFICA LA LEY DE OHM
11
12
ELECTR6NICA
4700
mA~
DCV
4700
ORDEN DE EJECUCION
01
Determinar el valor de la resistencia

mediante el c6digo de colores.
02
Medir resistencias aplicando la Ley de
Resistencias: 4.7kQ, 10kQ, 4.7Q,

5.6 MQ, 33kQ, 1kQ, 1.2kQ, 8.2kQ,
220Q
Protoboard
Ohm
Multitester
,...
PZA.
CANT.
SENm1
PERU

VERIFICA LA LEY DE OHM
MATERIAL
H.T. 02
OBSERVACIONES
Ref. H.T.
TIEMPO
HOJA 111
ESCALA
2005
12
13
ELECTR6NICA
OPERACION
Determinar el valor de la resistencia
mediante el c6digo de colores
La resistencia y la tolerancia puede indicar se mediante numerosos signos de color en forma

de anillos. Sequn norm as, el c6digo de colores establece una ordenaci6n entre los anillos,
de manera que sera primero el que se hale mas pr6ximo a un extremos de la resistencia.
PROCESO
1.
DE EJECUCION
Seleccione 10 resistencias y mediante el c6digo de colores determinar su valor nominal y

lIenar la tabla 1.
--DIJDII -
--DIJD-I
oro
o ro
~rojo
~rajo
violeta
amarillo
naran~a
nararua
plata
negro
negro
rnarron n
oro
raja
negro
matron n
oro
oro
vioieta
amarillo
oro
rojo
rojo
rnarren
azul
oro
rojo
rojo
verde
gris
oro
verde
Oro
Oro
naranja
naranja
naranja
marron
rajo
raja
Figura 1.
13
14
2.
Haga lectura en cada resistor y anote en la tabla 1 el valor nominal, la tolerancia y la

potencia.
Tabla 1
Resistor
Valor nominal
Tolerancia
Potencia
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
CUESTIONARIO:
1. Determinar la secuencia de colores para los resistores siguientes
a. 10 KO. . 5%
b. 390 KQ . 10%
c. 5,6 KQ 2%
d. 715 Q . 1%
e. 0,82 Q . 2%
2. i Que es 10 que determina el valor 6hmico en un resistor de pelicula de carb6n?

3. i Cuat es el pararnetro que es definido a traves de las dimensiones fisicas de un resistor?
4. Cite un ejemplo de aplicaci6n que Usted conoce de los resistores de hilo.
14
15
OPERACICN
Medir resistencias aplicando la ley de Ohm

La ley de Ohm es una de las leyes basi cas de la electrotecnia y de la electr6nica.
describe la dependencia entre la tensi6n, la corriente y la resistencia en un circuito.
Esta
PROCESO DE EJECUCICN
+
E
4700.
Figura 2.
2. Varie la tensi6n de la fuente conforme la tabla 2. Para cada valor de tensi6n prefijada,
mida y anote el valor de corriente
Tabla 2.
R = 4700
V0l)
R= 1kn
R=
I(rnA)
(rnA)
z.zsn
R = 3,9kn
I(rnA)
I(rnA)
0
2
4
6
8
10
12
3. Repita los items 1 y 2 para los otros valores de resistencia, anotadas en tabla 2.
15
16
CUESTIONARIO:
= f(I) para cada resistor.
1.
Con los valores obtenidos, levante el qrafico V
2.
Determine, a traves del grafico, el valor de cada resistencia anotando en la tabla 3.

Tabla 3.
Valor
nominal
Valor
determinado
470.0
1 k.Q
2,2 kn
3,9 k.o
3.
Explique las discrepancias sobre los valores nominales.
4.
En los circuitos de la figura 3 calcule el valor leldo por los instrumentos.
+
15V
2,7kn
Circuito I
+
10V
5,5 kn
Circuito II
Figura 3.
5.
Determine el valor de la resistencia electrica, que cuando sometida a una tensi6n de 5V

es recorrida por una corriente de 200 rnA.
16
17
BCD
~----~~Irl_:~J ,
COLOR
leI VALOR
NOMINAL
NEGRO
---
MARRON
2doVALOR
NOMINAL
FACTOR
MULTIPLICATIVO
Xl
X 10
TOLERANCIA
-------
1%
2%
ROJO
X 10
NARANJA
X 10
-----
AMARILLO
X10
----
VERDE
X 10
AZUL
XI0
VlOLETA
------
---_ ......
PLOMO
------
------
BLANCO
------
------
ORO
------
PLATA
---
-------
--.---
X 10
------
-I
X 10-
-----
9"10
10%
Figura 4. C6digo de colores

OBSERVACI6N
1. La ausencia de la faja de tolerancia indica que esta es de 20%.
2. Para los resistores de precisi6n encontramos cinco fajas, donde las tres primeras
representan, la primera, segunda y tercera cifra significativa y las demas,
respectivamente, factor multiplicativo y tolerancia. la figura 5 muestra la especificaci6n
de potencia con dimensiones en tamalio natural.
O,33W
[]II[]
O,5W
[JDJ
O,67W
[1111 ]
1,15 W
[JIll ]
2,5W
Figura 5. Resistores de pelicula de carb6n para resistores en tarnano real
17
18
ELECTRONICA
Valores nonnalizados
1.
2.
3.
para resistores de pelicula:
Serie: 5%, 10% Y20% de tolerancia.
10
12
15
18
47
56
68
82
22
27
33
39
Serie: 2% y 5% de tolerancia.
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
Serie: 1% de tolerancia.
100
102
105
107
110
113
115
118
121
124
127
130
133
137
140
143
147
150
154
158
162
165
169
174
178
182
187
191
196
200
205
210
215
221
226
232
237
243
249
255
261
267
274
280
287
294
301
309
316
324
332
340
348
357
365
374
383
392
402
412
422
432
442
453
464
475
487
499
511
523
536
549
562
576
590
604
619
634
649
665
681
698
715
732
750
768
787
806
825
845
866
887
909
931
953
976
18
19
ELECTRONICA
Seguidamente, mostramos algunos ejemplos de lectura, utilizando el c6digo de colores:

Ejemplo 1:
~o70
}
violeta
47x102+/- 5%
= 4,7
ill +/- 5%
amarillo
Ejemplo2:
plata }
negro
negro
marr6n
10x1+/~ 10% = 10 Q +/-10%
Ejemplo3:
~~arillol
22x10"1+/- 5% =2,2 Q +/- 5%
amarill~J
Ejemplo4:
oro
verde
azul
verde
56x105+1- 5% = 5,6 MQ +1- 5%
Ejemplo5:
marr
negro}
plomo
amarillo
naranja
n
348x1+/-1% = 348 Q +/-1%
19
20
ELECTR6NICA
CIRCUITO SERlE
Dos 0 mas resistores forman una asociaci6n denominada circuito
conectados uno al otro, conforme esta esquematizado en la figura 6.
serie, cuando
estan
~---------------+~II~_----------------~
Figura 6. Asociaci6n
serie de resistores
Cuando el circuito es alimentado, este presenta las siguientes propiedades:

1. La corriente que circula par todos los resistores
proporcionada por la fuente:
es la misma e igual a aquella
2. La sumatoria de las tensiones de los resistores es igual a la tension de la fuente:
Aplicando la ley de Ohm en cada resistortenemos:
VR1
= R1 I
VR2 = R2 I
Utilizando la segunda propiedad, podemos escribir:
E = R1 . I + R1 . I + .... + R1 I
Dividiendo todos los terminos por I, tenemos:
E
- = R1 + R2 + .... + RN
I
Donde Ell representa la resistencia equivalente

escribir:
de una asociaci6n serie par 10 tanto pademos
20
21
ELECTRONICA
Para ejemplificar , vamos a determinar la resistencia

cada componente del circuito de la figura 7.
8200
equivalente,
1800
la corriente y la tension en
10000
~---------------+~IIr-_--------------~
Figura 7.
10V
1. Calcuto de la resistencia equivalente.
REO = R1 + R2 + R3
REO = 820 + 180 + 1000
REQ= 20000
2. Calculo de la corriente.
10
I=~
REO
I=--=5mA
2000
3. Calculo de las tensiones parciales.
= R11
VR1 = 820 . 5 .10-3 = 4,1V
VR1
VR2
= 180.5.10-3
= 0,9V
VR3 = 1000.510-3
= 5V
Notamos que la suma de las tensiones parciales es igual a la tension de la fuente .
CIRCUITO PARALELO
Dos 0 mas resistores forman una asociacion denominada
conectados conforme se esquematiza en la figura 8.
circuito paralelo cuando estan
Figura 8. Asociacion
paralela de resistores.
21
22
Cuando el circuito es alimentado, este presenta las siguientes propiedades:

1. La tensi6n es la misma en todos los resistores e igual a la fuente.
2. La sumatoria de las corrientes de los dos resistores es igual al de la fuente:
oetermmanoose el valor de la corriente en cada resistor, tenemos:

IR1
= -R
'
IR2
=-
R2
IRN
=-
RN
Utilizando la igualdad de la segunda propiedad, podemos escribir:
1=-+-+ ...+. R1 R2
RN
Dividiendo los terminos por E, tenemos:
-=-+-+
E R1 R2
.... +RN
Donde lIE representa el inverso de la resistencia equivalente de una asociaci6n paralela. Por
10 tanto podemos escribir:
-=-+-+
REa R1 R2
....+RN
CASOS PARTICULARES
1. N resistores de valores iguales en paralelo
-=-+-+
REa R R
....+R
1
1
-=NREa
R
R
REa =N
2. Dos resistores asociados en paralelo:
-=-+REa R1
1
R2
_1_ = R2 + R1
REa
R1 R2
22
23
ELECTRONICA
Donde conctuimos que la resistencia

por la suma de estos.
equivalente
Para ejemplificar, vamos a determinar

total del circuito de la figura 9.
es igual al producto de los valores, dividido
la resistencia
equivalente,
las resistencias
parciales y
+
12V
-=-
10kn
lIill
1.
3.3kn
en paralelo
Calculo de la resistencia equivalente:

1
REa
R1
R2
R3
-=-+-+-
1
1
1
1
= -103 +10 . 103 +-----=R
3' 3 . 103
Ea
REa
= 712,70
2. Calculo de las corrientes parciales:

~
IR1
12
= -103 = 12rnA
IR2
IR1
12
10.103
1,2rnA
12
rnA
3,3.103 = 36
'
3. Calculo de la corriente ideal
E
12
Il'ta, =-=--=168mA
o
REa 712,7
'
Se puede notar que la suma

proporcionada por la fuente
de las corrientes
parciales
es igual a la corriente
23
24
ELECTRONICA
CIRCUITO MIXTO
Denominamos circuito serie-paralelo 0 mixto, al circuito formado por asociaciones serie y
paralela, donde respectivamente sus propiedades son validas. Como ejemplo, tomemos, un
circuito qenerico, visto en la figura 10.
"
IR2
rlC::=J---t
+I I~-----------------~~
U
Figura 10. Asociaci6n mixta de resistores.

La corriente (I) proporcionada por la fuente circula por R1 yen el punto B se divide en dos
cornentes rs, y' R3 ,con los valores proporcionales a los resistores R2 y R3. Seguidamente
estas se sumaran en el punto C, circulando por el resistor R4. Subdividiendo el circuito,
encontramos una asociaci6n paralela compuesta por R2 Y R3, formando con R1 Y R4 una
asociaci6n en serie. Por 10 tanto, podemos substituir el conjunto formado por R2 y R3 por su
resistencia equivalente, conforme muestra la figura 11.
~I'r-
~_A._
~D~
+ 11-
U
Figura 11. Asociaci6n serie resultante de la figura 10
- R2 . R3
eq1 -
R +R
2
Yla resistencia equivalente del circuito sera:
Para ejemplificar, vamos a determinar la resistencia equivalente, la corriente total, las

corrientes y las tensiones en cada uno de los componentes del circuito de la figura 12.
24
25
ELECTR6NICA
R1= 1000
R4= 8200
-l
I-
R3= 2400
I
I.
+1 U= 10V
mixta
1. Calculo de la Req:
R
eq1
+ 840
100 + 120240
120 + 240
2. Calculo de la corriente total:
3. Calculo de las tensiones parciales:

UR1
= R . I = 100.10-
U
R2
=U =R
R3
.I
eq
= 1V
120 240 . 10 . 10-3
120 + 240
= 08
'
Propiedad del circuito paralelo
I = 820 . 10 . 10-3
= 8,2
4. Calculo de las corrientes parciales:
I
R2
I
R3
=U =
0,8
120
= 67 rnA
=U
0,8
240
= 33
R2
R2
R3
R3
'
'
rnA
25
26
DIVISOR DE TENSION
DIVISOR DE TENSION
EI divisor de tensi6n, basicamente, es un arreglo de resistores de tal forma que la tensi6n total
se subdivide en valores especificos aplicables.
En el circuito de la figura 13 tenemos dos resistores R1 y R2 asociados en serie, alimentados
por una tensi6n F, formando un divisor de tension fijo sin carga.
~----------~----------~
----------~
UR2
Figura 13. Divisor de tensi6n.
Analizando
el circuito, tenemos:
UR1 =
UR2
R1
= R2
1
1
donde:
Sustituyendo
o sea,
, tenemos:
dividimos la tensi6n E en dos valores UR1 Y UR2
respectivamente
proporcionales
fija conectada
a una carga RL.
R1 yR2
En el circuito de la figura 14 tenemos un divisor
de tension
26
27
IR1
UR{
R1
U=(
1R2
R2
RL
Figura 14. Divisor de tension fija con carga.

AI conectar una carga RL a este circuito, constatamos que habra modificaciones de tal forma,
se alteran los valores de las corrientes y las tensiones. Analizando el circuito podemos
escribir:
UR2 = URL
1=
IR2
+ IR1
Donde:
IR2 U
RRL
Por 10 tanto, Tenemos
Eliminando los denominadores y aislando el valor de URL, tenemos:

URL =
R2
E-
R2
R2
E-
R1 . R2
R1
. IRL
URL +
R1 .
R1 . R2
URL +
R2
IRL
URL
En el circuito de la figura 15 tenemos un potenciornetro alimentado por una tension E,

formando un divisor de tension variable sin carga.
27
28
ELECTRONICA
1u~
R1
Rp
lum
R2
Figura 15. Divisor de tension

variable sin carga
y:+
u
Ajustando el cursor en una posici6n fija, dividiremos Rp en dos tipos de resistencias en serie
R 1 Y R 2' valiendonos de las mismas relaciones vistas en el divisor de tensi6n fija:
U RL =
R1
Rv
. U
UR2 =
R2
Rv
.U
En el circuito de la figura 16 tenemos un divisor de tensi6n, conectado a una carga RL
Figura 16. Divisor de tensi6n variable con carga.

De la misma manera, utilizando las relaciones del divisor de tensi6n fija con carga, tenemos:
U'RL RL =
R2
Rp
.U _
R1 R2 .
Rp
Para ejemplificar, vamos a utilizar los conceptos vistos en los ejemplos 1,2,3 Y 4.
1.- En este ejemplo, vamos a calcular las tensiones parciales en el circuito de tensi6n de la
figura 17.
R2=240Q
Figura 17.
9V
+
28
29
240
UR2 = 240 + 120 . 9
6V
240
3V
UR1
= 240 + 120 .
2. En este ejemplo vamos a dimensionar R2 para atender las especificaciones del a iampara
del circuito de la figura 18.
R1=100n
Carga
6V/10mA
12V
R2
12 _ 10,.0...,..R-,2--~. 10.
100+ R2
100+ R2
12R2
R2
12R2 - R2
5R2
= 6 (100 +
= 600
+
= 600
..
R2
10.3 = 6
R2)
R2
120Q
3. Vamos ahora, a detenninar la variaci6n de la tensi6n entre los puntos Aye del circuito
de la figura 19.
330Q
Figura 19.
B
470Q
- +
16V
29
30
ELECTR6NICA
Cuando el cursor este conectado en el extremo A, la tensi6n sera nula y cuando estuviera
conectado en el extremo S, la tensi6n sera calculada, utilizando la resistencia total del
potenctornetro.
470
330 +
470
.16
9,4 V
Por 10tanto, la tensi6n entre los puntosA y C varia de 0 a 9,4 V dependiendo de la posicion
ajustada para el cursor.
4. - Para el circuito de la figura 20 vamos a calcular la tension entre Aye cuando conectamos
una carga de 1600, manteniendo el cursor en el extremo para la maxima tensi6n. Esta
situaci6n es vista en la figura 20.
3300
c
2700
1600
16V
Figura 20.
Utilizando la ecuaci6n del divisor de tension variable con carga tenemos:
470
330.470
330 + 470 .16 - 330 + 470
9,4 - 1,21.
URL = URL
URL = 4,25V
Cuando conectamos la carga de 160Q, la tensi6n UAC caera a 4,25 V debido al consumo de
corriente.
30
ELECTR6NICA
31
ELECTRONICA
EJERCICIOS
RESUELTOS
1. Por un divisor de tensi6n, acoplado a una

tensi6n de red de 220V, f1uye una corriente
de SA Si el receptor presenta una
resistencia (rR) de 30Q y recibe una tensi6n
de 120V, (.,que resistencia total debe
tener el divisor de tension?
er
eR = 120V
R =?
r1 =?
Como r R esta en paralelo con r
e2
(1) I = iR + i1
J~
... ::
: :
..:.
~
~:
~
Solucion
E =220V
=5A
rR =30Q
r1
...~
'2 ::~
Pero IR =-R
rR
.
120V
30.0
luego,
1=-R
r2 =?
De (1)
i,
= 5A
i1
= I-
- 4A
iR
= 1A
Como r1 esta en paralelo con r R' eR = e1

Aplicando la ley de Ohm
e1
r1 _
r,
_
-
120V -120A
1A
-;)'l;
= e1 + e2
Luego e2
e2 = 220 V - 120 V
e1
e2 = 100V
Entonces:
1= i2 '
r2
=E-
_ 100V _ 20A
-:l.l;
5A
Como
R = r1 + r2
R = 120.0+ 20.0
R
= 140.0
Resultado:
Luego, la resistencia total del

divisor de tension es de 140 Q
31
32
ELECTR6NICA
2. En el circuito 1, r1 = 138 Q,
r3~ 21,6 Q, r4 = 20 Q, rs = 30 Q,
a una tensi6n
E = 12V.
los valores de la resistencia y
total.
r2 = 15 Q,
conectadas
Determinar
la corriente
E
Datos
r1= 138 Q
r2= 15 Q
rs= 30 Q
E= 12V
R= ?
r3= 21,6 Q
r4= 20 Q
1=
Circuito 1.
r1
r-----
1
1
1
1
1
1
1
1
Soluci6n
E
Sequn ordenamiento, obtenemos el circuito 2,

donde r4 Y rs estan en paralelo.
r
rA
r4 rs
r,
20 x 30 __ 600
20 + 30
50
,------------
+ rs
r4
Circuito 2.
..
= 120
r2
rs
-------
1
1
1
Reemplazando rA obtenemos el circuito 3,

donde r2 esta en serie con rA.
1 rA
1
1
1
rs = r2 + rA = 15 + 12 = 27
Circuito 3.
Reemplazando r B obtenemos el circuito 4,

donde r3y rB estan en paralelo. Por tanto
,---
R = 1500
1
1
1
1
1
Circuito 4.
= 138 + 12 = 1500
1
1
Reemplazando rc en el circuito 4, se obtiene el

circuito 5, donde rc esta en serie con r.. Luego
r1 = + rc
rs
r3
.'.
'.
E
PorlaleydeOhm
1= E = 12V
R 1500
--I
r = r3 . rs = 21,6 x 27 = 583,2
c
r3 + rB 21,6 + 27
48,6
R=
rc
------------
I=0,08A
1
1
1
1
1
1
1
Circuito 5.
Resultado:
ELECTR6NICA
Luego , la resistencia total sera de 150 Q Y la

corriente de 80 mA.
32
33
ELECTR6NICA
EJERCICIOS PROPUESTOS
1. Calcular los valores de corriente
resistencia total del circuito.
~----------E=110V----------~
2. En el circuito i2 = 1,5 A; r 1 ::: 40; i3 = 1,25
A; E = 220V
Calcular los valores de la
corriente total, la resistencia total y las
tensiones parciales e1 Y e2
1.-------e1------~----e2----~1
~---------E=220V----------~
.u.
"H'
r1
.uu
""
3.
""
r3
En el circuito, calcular R, E, e1, e2, i1,

i2,i3,si se dan para r1 = 240, r2 = 300, r3=
60
e I=5A
E
4. Calcular los valores de R, I, i1, i2, e1, e2,

e3, e4 Parar, =20, r2=60, r3=200,
r4=40,
y E=42,15V
e2
e1
Li_
II
r3
e3
e4
5. Calcular los valores que se encuentran con

el signo de lnterrocacron.
I=?
.AU
'H'
( i1==?
~?
r2=2on
".lA.H.
r3=30n
!:.lU
un
''''
e2=?
e3=?
E =60V
33
34
ELECTR6NICA
6.
Calcular los valores de R, ep1' ep2' I,

i1,i2,i3,
i4.
Para
r1=300,r2=500,r3=1500,r4=
900 Y E = 240 V.
~""
1
~
_AAU
HU
_""
i2
i4
r3
'HH
-UH
""
r4
nu
ep1
ep2
7. Con dos resistencias r, = 60 Y r2 = 40

conectadas en paralelo, esta montada en
serie una tercera resistencta r3 = 7,60.
~Cual es la resistencia total R?
8. Calcular la resistencia r, del circuito.
E=60V
9. En la conexi6n e la figura, la resistencia r,

es de alambre constantan de 3m de
longitud y 0,5 mm2 de secci6n. Por la
resistencia r2 han de fluir 6A, con una caida
de tension de 12V. i.Que valor debe tener
la resistencia r3?
r1
r2
'a
E = 24V.
iA~
r1
r2
10.Calcular los valores de R, I, iA' iB' Para r,

=
400, r2= 1200, r3= 1800, r4= 1600, r5=
2400y E= 120V.
r3
r4
rs
~-------------E------------~
34
35
ELECTRONICA
L1
O,8A124V
11. Determinar la rnagnitud de las resistencias

r2 y r3' y la calda de tensi6n e3
L2
O,5A/24V
E = 110V
12. La tensi6n aplicada al circuito es de 13V y

circula una corriente total de 4 rnA de
intensidad. Hallar:
a) Los valores de las resistencias.

b) La caida de tensi6n en las resistencias.
c)La intensidad de las corrientes que
circulan por las resistencia.
13. Determinar en el circuito los valores de rs.

R. e1 e2 i2 i3 i4 eI.
14. Determinar en el circuito los valores de R.

e[. en. elY' I. i1 i2 i3 i4 is. i6 i7 i8
15 Calcular en el circuito los valores de E. eA'

e4 eseB e10 ec
\L_f1=1;_J /
u , ;~
E=?
1= O,2
~~,5y
50A
35
36
ELECTR6NICA
16.Para extender
el domlnto de los
instrumentos de medida de intensidad de
corriente, se les conecta en paralelo una 0
mas resistencias que constituyen
el
"amado "Shunt".
Se
utiliza
un
instrumento de 110 Q, 1 rnA y se quiere
que la indicaci6n de la maxima desviaci6n
corresponda a 3 rnA, 10 rnA, 30 rnA y 100
rnA. ("Cuales deras seran los valores de
los Shunt s requeridos?
17. En el circuito, ("Cual es la tensi6n entre los

puntos a y b; Ycual es el valor de I, R, i e
ib?
'----------4-E=10V......o-------'
18. ("Cuales serian los valores de I, in' ib Y R,

Y la tensi6n entre los puntos a y b en
el circuito, si la resistencia rx fuera para
el
primer caso de 500 Q Y para el segundo
caso de 400 Q, conservando las demas
resistencias su mismo valor?
'----------4-E=24V-------'
19. ("Que caida de tensi6n se produce en

un gripo de tres resistencias en paralelo,
de
6,7 Q, 22kQ Y 18 kQ, si la intensidad de la
corriente total es de 15 rnA?
20. EI dispositivo electr6nico de un flash

rapido debe suministrar 45 A a la lampara
de flash por un cord6n que ofrece una
caida de tensi6n de 33,75 V. ("Cuat es el
valor de la resistencia en ohmios del
cord6n , si hace ala vez de divisor de
tensi6n?
...
r1 :~
r3
Dispositivo
Electronico
... ::
r2
: :~
.. .
..
;::
. . .~
:: ~
ELECTR6NICA
36
37
VERIFICA LAS LEYES DE KIRCHOFF
37
38
ELECTRONICA
DCV
R1= 2.2 k.Q
-1
V1
R3= 820 k.Q
R1= 1 k.Q
V'J V-,J
+
5V
1.5V
ORDEN DE EJECUCION
01
Medirtensiones en una malla
02
Medir corrientes de Nodo
PZA.
3.3V
CANT.

VERIFICA LAS LEYES DE KIRCHOFF
PERU
Resistencias: 2.2 k.Q, 1kn, 820Q.

Proto board
Multitester
Fuente de alirnentacion
MATERIAL
H.T.03
OBSERVACIONES
Ref. H.T.
TIEMPO
HOJA 111
ESCALA
2005
38
39
ELECTR6NICA
OPERACI6N
Medirtensi6n
en una malla
Kirchoff en su segunda ley establece que la sumatoria

cero.
de tensiones en una malta es igual a
1.- Monte el circuito de la figura 1.
R1 =2,2 Kn
-T
R2=1Kn
+1
U1 =6V
R3=820n
-T
U2=1,5V
U3 =3,3 V
Figura 1.
2.- Mida y anote en la tabla 11a tensi6n en cada elemento del circuito.
Tabla 1
E1
E2
E3
VR1
VR2
VR3
MEDIDO
CALCULADO
3.- En la siguiente expresi6n

Kirchoff.
verifique te6ricamente
y experimentalmente
la segunda ley de
(Datos medidos)
..................=0
-E1
+ UR1 + UR2 - E2 =
(Datos calculados)
0
..................=0
39
40
ELECTRONICA
OPERACION
Medir corrientes de Nodo
En la 1a Ley de Kirchoff se establece que en un punto de bifurcacion de la corriente, la suma
de las corrientes que entran es igual a la suma de las corrientes que sal en.
A
B
R1 =2,2Kn
R2=1Kn
-1
+T
U1 =5V
R3 =8200
+
U2= 1,5V
-J
U3 =3,3 V
2. M ida y anote en la tabla 21a corriente de cada rama.

Tabla 2.
RamaA
RamaS
RamaC
Medido
Calculado
CUESTIONARIO:
1.-A partir de un nudo del circuito experimental, compruebe la 10 ley de Kirchhoff.
2. - A partir de una malla del circuito experimental, compruebe la 2
ley de Kirchhoff.
3. - Determinar la corriente en cada rama del circuito de la figura 2.
40
41
330
220
1V
180
560
2V
3V
680
100
1V
1V
Figura 2.
4.- Determine la lectura de los instrumentos indicados en la figura 3 y sus polaridades.

10V
1000
220
1800
68n
Figura 3.
41
42
!
ELECTRONICA
LEYES DE KIRCHHOFF
Un circuito electrico puede estar compuesto por varias mallas, constituidas par
elementos que generan 0 absorben snerqla electrica.
Para calcular las tensiones y
corrientes en estos elementos, necesitamos utilizar las leyes de Kirchhoff, debido a la
complejidad del circuito.
Para utilizar estas leyes, necesitaremos utilizar algunos circuitos, donde aplicaremos las
propiedades, facilitando la aplicaci6n de las ecuaciones.
Un circuito esta compuesto por mallas, nudos y ramas. Definimos mall a como todo circuito
cerrado constituido por elementos electncos. Denominamos nudo a un punta de
interconexi6n de tres 0 mas componentes, y rama al trecho comprendido entre dos nudos
consecutivos. En la figura 4 tenemos un circuito electrtco donde vamos a ejemplificar los
conceptos hasta ahora vistos.
E2
R3
E1
c
E4
R2
R1
R4
E3
E5
R5
E6
Figura 4. Circuito electnco.

Notamos que, el circuito esta compuesto por tres mallas, ABEF, BCDE YABCDEF; siendo
esta ultima denominada mall a extema. Los puntos ByE forman dos nudos, donde se
interconectan generadores y resistores, constituyendo tres ramas distintas: La rama de la
izquierda compuesta por Ea, R1, E1Y E2; la rama central compuesta por E3y E2 Yla rama de
la derecha compuesta por R5, E5, R4, E4YR3
42
43
ELECTRONICA
despues de estas consideraciones, podemos enunciar las leyes de Kirchhoff:

10 LEY : En un nudo la suma algebraica de las corrientes es nula
Ejemplo:
Para el nudo A, consideraremos las corrientes que Hegancomo positiva y las que salen como
negativas, por 10 tanto, podemos escribir:
2 LEY : En una malia, la suma algebraica de las tensiones es nula

Ejemplo:
B
L_::~----,
+
1 1--------- '
D
C
Para la malla ABC

escribir:
-'
D, partiendo del punto A, en el sentido horario adoptado, podemos
43
44
ELECTRONICA
despues de estas consideraciones,
10 LEY:
podemos enunciar las leyes de Kirchhoff:
En un nudo la suma algebraica de las corrientes es nula
Ejemplo:
Para el nudo A, consideraremos las corrientes que lIegan como positiva y las que salen como
negativas, por 10tanto, podemos escribir:
2 LEY : En una malia, la suma algebraica de las tensiones es nula

Ejemplo:
A
+
o
Para la malla ABC
escribir:
0, partiendo del punto A, en el sentido horario adoptado,
podemos
44
45
ELECTRONICA
6V
200
_[
E1
3300
3V~
~
12
1800
1000
9V
1000
G)
+ 12V
4700
4,5V
Figura 5. Circuito electrico, con sentido de las corrientes en cada malla.

Utilizando la 2 Ley de Kirchhoff, podemos escribir las ecuaciones de cada malla:
Mal/ax:
+4,5 - 9 - 18011 + 1,5 - 20/1 - 3 - 100(/1 - '2) = 0

4,5 - 9+1,5 - 3 - 30011 + 10012 = 0
- 30011 + 10012 = 6
Mal/ay:
(I)
-100(11 - '2) + 3 - 6 - 30012
10012 + 12 - 47012
+ 3 - 6 + 12 - 1000/2 + 100/1
100/1 - 1000/2 = -9
0
(II)
Montando el sistema de ecuaciones tenemos:

-30011 + 100/2 = 6
100 '1 - 1000/2 = -9
(I)
(II)
Multiplicando la ecuaci6n (I) por 10, tenemos:

-300011 + 1000/2 = 60
100 '1 - 1000
'2 = -
45
46
Sumando las dos ecuaciones tenemos:
-3096(
+ 100012
100012
'1 -
~O
-290011
51
-2900
Donde:
+60
-9
+ 51
11 = -17,6 rnA
EI signo negativo en la respuesta indica que el senti do correcto de ta cornente

al adoptado, estando su valor nurnerico correcto.
12, vamos a sustituir el valor de 11 en la ecuaci6n (II), teniendo en
para calcular la corriente
consideraci6n el signo negativo,

sentidos de corriente adoptados.
10011
100012
100 . (-17,6.10-1,76 - 1 00012

I2
Como
11 es contrario
pues las ecuaciones
fueron montadas
de acuerdo con los
-9
-
= -9
100012
-9
- 9 + 1,76
12
-1000
7,24 rnA
12 es un valor positivo, esto significa que el sentido adoptado esta correcto.
Para calcular la corriente en la rama central, utilizaremos

como muestra la figura 6.
la 1a ley de Kirchhoff en el nodo A,
20n
Figura 6 - Aplicaci6n
13
13
= 7,24.10 -3 = 24,84rnA
de la 1a Ley de Kirchhoff en el nodo A
(-17,6.
-3
10 )
Del mismo modo se observa que el sentido de la 13 coincide con el adoptado.
46
47
ELECTR6NICA
CONEXION DE RESISTENCIAS
CIRCUITO
ESTRELLA
TRIANGULO
EN
Y
En los circuitos de corriente

alterna, generalmente se utilizan los
circuitos
en conexi6n
estrella
y
conexi6n trianqulo, como se observa
en los esquemas adjuntos.
Figura 1. Conexi6n estrella
La conexi6n en estrella, es el
conjunto de tres ramas, con una
terminal
en cada una de elias,
conectadas en un nudo comun, que se
dispone en forma de estrella (figura 1).
La conexi6n en triangulo, es
la combinaci6n de tres componentes
conectados independientemente que
constituyen un circuito triangulo (figura
2).
Figura 2. Conexi6n trianqulo

A
Para el calculo de los elementos

0 el valor resistivototal R
entre puntos como AS, AC, BC, se
hace
necesario establecerdefiniciones.
B ~----1
RAC
r., r2 Y r3,
C
Rc
a) Para determinar RAB, se

establece el circuito como si fuera
un circuito
serie-paralelo.
Como:
r3
r1
<>--------
RAB
------~B
's
b) Para determinar el valor de RAC'

tenderemos:
r2
A <>--------
RAC
------~C
r2
c) Yel valorde RBC sera:

r3
RBC
A
------~C
<>-------47
48
ELECTRONICA
EQUIVALENCIA DE RESISTENCIAS ENTRE UNA CONEXI6N EN ESTRELLA 't. Y UNA

EN TRIANGULO A
Estrella" y " equivale a trianqulo "~ ". cuando:
r . r.
b +r +r.
rab =_a
re
a
b
r .r
c +r +r
rae =_a
r.b
a
c
r. . r
r. =_b c +r. +r
be
ra
b c
Triangulo "l1 " equivale a Estrella" 'Y", cuando:
rab . rae
ra =
rab + rac +
rbe
rb =
rab . rbe
rab + rac + rbe
rac .
rbe rcrab
= +
rae + rbe
1. Se quiere cambiar una conexi6n triangulo, cuyos

elementos resistivos presentan los siguientes
valores rab= 3Q,rae = 7Q, Y rbe= 5Q, a una
conexi6n
en estrella. l.Que valores han de tener ra, rb' re?
Datos
rab =
3Q
rae =
7Q
rbe = 5Q
Soluci6n:
ra =
rab . rae
rab + rae + rbe

3x7
21
ra =
=
15
3+5+7
Ira = t401
rb =?
rbe rb = rab .
rab + rac + rbe
3x5
15
=
rb =
3+5+7
15
r e =?
I rb = 10 1
r a =? .
.
rae . rbe
rab + rac +
rbe
7x5
_35
rc =
=
15
3+5+7
re =
Ire = 2,3301
48
49
ELECTRONICA
EJERCICIOS PROPUESTOS
1. Del siguiente divisor de tensi6n se obtienen
los siguientes valores de tensi6n medidos
respecto a tierra:
a
a
a
a
V1 = +300V
V2 = +1S0V
V3 = +100V
V4 =
-SOV
100mA
30mA
20mA
1SmA
i Cuales son los valores de las cuatro

resistencias del divisor de tensi6n?
2. Utilizando la f6rmula de equivalencia de
Triimgulo a Estrella, determinar los valores
de ra' rb, re.cuando:
I)
rab= 20; rbe= 40; rae= 60
II)
rab= 100; rbe== 140; rae=
III) rab= 60; rbe= 60; 180

rae= 60
3. Determinar los valores de rab, rbe Y rac'
cuando:
I)
ra= 30
II)
ra= 1,770;
III) ra = 10 '.
rb= SO .
re= 70
rb= 1,330;
rc=2,670
rb=0,660;
re = 20
4. Calcular los valores de r1 r2, r3, del circuito

adjunto.
2000
2000
A
S. Calcular los valores de RAB RBC Y RAC del

circuito adjunto.
49
50
ELECTRONICA
6. Ejemplo: Calcular Req en la red:

2
Soluci6n:
Podemos tomar cualquier tipo
de resistencias y transformarlo,
pero si fijamos la atencion en el
centro, tendremos
2.5
a~--~~----------~p
<>
r
b~----------~------~
Req
= 2.5
3x5
+ -3+5
= 2.5
1.87
4.370
7. Ejemplo: Determinar la resistencia equivalente entre a - b de la red que se muestra.
b
2
//////////
50
51
ELECTRONICA
Soluci6n: Tomando una reduccion !:i - y:

2
1017
< >
20/13
516
//////////
y mediante reducciones serie - paralelo:

8. Ejemplo: Calcular la resistencia equivalente entre 2 terminales cualesquiera en la red
siguiente:
51
52
ELECTRONICA
TRANSFORMACIONES DE FUENTES MTF

I.
Reducciones
de fuentes ideales .
- Caso de dos fuentes de tensi6n en serie:
+
+
<>
Ejemplo:
E1 + E2
4
+
18
<>
18 - 4 - 7
<>
- Caso de dos fuentes de tensi6n en paralelo.
Y si E1,* E2
<>
No es posible la conexi6n
- Caso de dos fuentes de corriente en paralelo:
<>
52
53
ELECTR6NICA
Ejemplo:
12
l
25
10
<>
<>
- Caso de dos fuentes de corriente serie.
<>
Y si 111= 12
No es posible la conexi6n
- Mezcla de fuentes de tension y de corriente:
<>
RINCE
Los elementos conectados en paralelo a una fuente de tension ideal son RAMAS
INDEPENDI ENTES PARA EL CALCULO DEL EQUIVALENTE (RI NeE).
,-----,
I
r-----;-I-f
I
l-;.I--t----o
I
~_:.E_:.J
<>
53
ELECTR6NICA
54
Los elementos conectados en serie a una fuente de corriente ideal son RAMAS
INDEPENDIENTES PARAELCALCULO EQUIVALENTE (RINCE).
Hay que hacer notar que la transforrnacion es equivalente en cuanto a tension y
corriente se refiere, mas no en la potencia de cada elemento intemo.
Ejemplo:
Calcularel equivalente entre los puntos a - ben:

+
1
1-----0
~b
Soluci6n: La resistencia de ocho tarnbien es un elemento considerado como RINCE

ya que el voltaje de 10 es de una fuente ideal.
+
<>
+
12
r-1
1
1
I
1
1
1
--,
1
1
1
I
1
<>
13
21
..I
La resistencia de 2 tarnbien es independiente para el calculo el equivalente.
54
55
ELECTRONICA
Hallar el equivalente entre x - y:
Ejemplo:
)----,----0
L...-
-{
+-
....J
}-
Las ramas RINCE no solamente pueden serde un elemento, sino un conjunto de

ellos, asl los podemos asociar como se muestra:
r----------------~
1
1
I
1
1
1
I
1
1
1
r+-~---~--
r---+~
+-""
.....J
}---~--o
RINCE
,------- 1
1
~----_T~
~~--~---~---~~--~---Yo
-
,--------1
1
6
- 11
+
1
1
1
.... _------
<>
...
RINCE
7-2
<>
55
56
Ejemplo: Si una red lineal es ensayada como se muestra en la figura, calcular la

respuesta en e12 caso.
+
m
12r-----~_.~
~------~------~--~
+
2
RED
LINEAL
V=3v
)-----'-_.-----f
m
+
100
R~
V=?
.>..
Soluci6n: Calculamos el equivalente de excitaci6n en el 1 caso

0
~--------~------------~12~---~--~
------,
r----
1
I
1
I
1
1
1
1
1
L-
--I
1
1
1
1
t 8:
1
1
<>
10
l RINCE
par 10tanto, aplicando linealidad:
---4
..(
)._----.
r = 3 voltios
e= 10V
100 = ne
RL
--RL
...~...(.
r '
)._-- -
= n r = 10(3) = 30 V.
e = 10;
n = 10
La respuesta sera 30 Voltios.
56
57
- Fuentes equivalentes reales:

R
A
+
I E
<>
1 E
~
..>. R
Las fuentes reales son equivalentes si ante igual excitacion tienen igual respuesta,
entonces ensayamos una:
R
\r----_..,
-.;l
Excitaci6n aplicada
= Respuesta de corriente
V= E + iR
.
1=---
Ensayando la otra fuente:
Por la 1a Ley de Kirchoff:

+
. v
1+ 1 =-R
v
R
1=--1
Por 10 tanto, son equivalentes si tienen la misma resistencia y si 1= EI R (Ley de Ohm)
57
58
ELECTR6NICA
ARMAR FUENTE DE ALIMENTACION

ESTABILIZADA FIJA
58
59
ELECTRONICA
0,1 A
1N753
ORDEN DE EJECUCION
01
02
03
04
05
06
07
PZA.
..
Reconocer los terminales de un diodo.

Armarun rectificadorde~onda.
Armar un rectificador de puente de diodos.
Conectarfiltro
Reconocer los terminates de un diodo
Zener.
Armar un circuito estabilizador de voltaje
con diodo Zener.
Reconocer los terminales de un diodo
LED.
CANT.
"'
se w
"m
PERU
Transformador con torna central 220 v,

12V-OV-12V.
04 diodos rectificadores:
equivatente.
.. 03 diodos zener 1N753
08 dos de 150n, (02) 470n, (02) 707kn,

(02) 47 kn, todos de 1/2 W.
02 capacitadores 470 IlF/25Vo mas.
Multimetro.
Osciloscopio

ARMAR FUENTE DE ALIMENTACION
ESTABILIZADA FIJA
1N4001
MATERIAL
H.T.04
OBSERVACIONES
Ref. H.T.
TIEMPO
HOJA 111
ESCALA
2005
ELECTRONICA
MECANICA DE PRODUCCfON
59
60
OPERACION
Reconocerlos
tenninales
de un diodo.
En esta operaci6n se reconoce los terminales de un diodo, es decir cual es el anodo 0 catodo.
1. Seleccione el rango de medici6n via switch de selecci6n de funci6n de medici6n.

2. Conecte el cable de prueba negro al enchufe y el cable de prueba rojo al enchufe
Temp/ON
3. Seleccione la prueba de diodo via la tecla Select. EI simbolo diodo aparece en el display.
4. Lea el resultado de la medici6n en la pantalla y deduzca segun el grafico el anode y catodo
deldiodo.
r:
CATODO
ANODO
Figura 1.
PRECAUCIONES
Previo a la prueba de diodo, debe asegurarse que el diodo a ser

probado no esta activo. EI descuido a cumplir esta recomendaci6n
puede conducir a peligrosas heridas corporales de usuario a causar
darios al instrumento.
Adicionalmente, voltajes extrarios falsean el resultado de medici6n.
<;jj='
Circuitos semiconductores y resistores en paralelo al diodo
puede causar resultados de medici6n falseados.
60
61
ELECTR6NICA
OBSERVACIONES
- Se debe tener presente que el diodo conduce la corriente con un solo sentido, esto quiere
decir que al momento de realizar la medici6n el diodo solamente rnostrara lectura en un
solo sentido.
I
CATODO
ANODO
- Cuan do se conecta el cable de prueba rojo al anode y el cable de prueba negro al catodo,
en el multitester se muestra una lectura, sin embargo al momento de invertir los cables de
prueba y en el multitester se sigue reflejando la lectora, se dice que, el diodo esta averiado,
es decir se esta comportando como cable.
- Cuando se conectan las puntas de prueba rojo y negro a los terminales anode y catodo del
diodo respectivamente, y en el multitester no se muestra la lectura, cuando se invierten los
cables tambien no muestra lectura se dice que el diodo esta averiado, es decir se comporta
como un circuito abierto.
61
62
ELECTRONICA
OPERACI6N
Annar un rectificadorde
media onda.
Rectificador
de media Onda
1. Calcule la tensi6n de tipo inversa de resistor de carga de 1 kQ. Calcule tambien la tensi6n
media en la salida, la corriente CC y la frecuencia de la ondulaci6n.
Registre sus valores
calculados en la tabla 1.
En la figura 2, la tensi6n en el secundario del transformador es de 12Vca. Nominal.
2. Monte el circuito rectificador de media onda mostrado en la figura.
3. Mida la tensi6n eficaz en el secundario del transformador
4. Mida y anote la tensi6n media de carga.
y note en la tabla 1.
Mida y anote la corriente media del diodo.

D
.............. CT
1k.O
Figura 2
5. Conecte el osciloscopio para observar la forma de onda de la tensi6n en la carga (RL)'
Anote el valor de la tensi6n de pico de la senal rectificada. A continuaci6n mida el periodo
de la tensi6n de salida. Calcule la frecuencia de la ondulaci6n y anote el resultado en la
tabla 1.
Tabla 1. Rectificador
MAGNITUD
REPRESENTACI()N
Tensi6n eficaz en el secundario
VT
Tension de pico inversa
PIV
Tension media en la salida
Vee
Corriente medida en el diodo
IF
Frecuencia de salida
de Media Onda
CALCULADO
MEDIDO
f salida
62
63
ELECTRONICA
OPERACION
Armar rectificador
de puente de diodos.
1. En la figura 3 calcule y anote el valor de cada magnitud descrita en la tabla 3.
2. Monte el circuito rectificador de onda completa en puente conforme al diagrama de la
figura3.
0,1 A
........... CT
D3
----11
kfl
Figura 3.
3. Mida y anote los valores de cada magnitud descrita en la tabla 3 (mida la corriente media
en cada diodo del puente).
VERIFICACION DE DEFECTOS
4. Suponga que uno de los diodos del puente rectificador esta abierto. calcule y anote en la
tabla 2 la tension CC y la frecuencia de la ondulacion en la salida.
Tabla 2. Rectificador en puente

MAGNITUD
REPRESENT
Tension efieaz en el seeundario
Vr
Tension de pieo inversa
PIV
Tensi6n media en la salida
Vee
Corriente
IF
medida
Freeueneia
eada diodo
de salida
A CION
CALCULADO
MEDIDO
f salida
63
64
ELECTR6NICA
5. Desconecte uno de los diodos del puente. Mida y anote la tension CC y la frecuencia
ondulacion en la salida. Vuelva a conectar el diodo en la posicion normal.
de la
6. Suponga que mitad del arrollamiento secunda rio este en cortocircuito (entre la toma
central y una de las puntas de salida). Calcule y anote en la tabla 3 la tensi6n media y la
frecuencia de la ondulacion en la salida.
7. Simule un cortocircuito desconectando las puntas del secundario y conectando la toma
central en lugar de las puntas retiradas.
Mida y anote en la tabla 3 la tensi6n y la
frecuencia en la salida.
PROYECTO
8. Proyecte un rectificador de onda completa en puente, que presente las siguientes
caracteristicas aproximadas: tension media en la carga de 5.67V y la corriente media de
carga de 20 rnA. (debe escoger otro resistor de carga).
9. Monte el circuito que proyect6.
descrita en la tabla 4.
Mida y anote en la tabla 5 los valores de cada magnitud
Tabla 3. Verificaci6n
DEFECTOS
Vcc (Ca/culado)
de Defectos
(Ca/culado)
Vcc (Medido)
fo(Medido)
Diodo abierto
Secundario en corto circuito
Tabla 4. Proyecto
MAGNITUD
REPRESENT A CION
Tensi6n eficaz en el secundario
Vr
Tensi6n de pico inversa
PIV
Tensi6n media en la salida
Vee
Corriente medida cada diodo
'F
Frecuencia de salida
fsaJida
Frecuencia de carga
RL
CALCULADO
MEDIDO
64
65
ELECTR6NICA
CUESTIONARIO
1. Para medir la tension eficaz en el secundario es mejor
usar: (a) Un osciloscopio
(b) Un amperimetro
(c) Un voltimetro con el terminal cornun a tierra
(d) Un voltimetro en tluctuacion
2. Con el rectificador de onda completa con toma central de esta experiencia, la
tension media en la carga es aproximadamente de:
(a) 1V
(b) 3V
(d) 12V
(c) 6V
3. La tension medi de salida en un rectificador en puente com parada con la tension

media de salida de un rectificador de onda completa con toma central es de
aproximadamente:
(a)
(b)
(c)
(d)
Mitad del valor

EI mismo valor
EI doble del valor
60 Hz
4. De los tipos de rectificadores probados, aquel que represento el mayor valor de

tension media en la salida fue:
(a)
(b)
(c)
(d)
Media onda
Onda completa con toma central
En puente
Ninguno de ellos
5. Que porcentaje de tension media existe en la salida de un rectificador en puente

con relaclon al valoreficaz de la tension de entrada.
(a) 31,8
(b) 45
(c) 63,6
(d) 90
6. Explique por que el rectificador en puente es el mas usado de los tres tipos.
7. Explique por que la tension y la frecuencia de salida caen por la mitad cuando uno
de los diodos se abre.
MECANICA DE PRODUCCl6N
65
66
ELECTRONICA
8. Si uno de los diodos de un rectificador en puente estuviera en cortocircuito por alguna

raz6n (puente desoldado, diodo quemado, etc.) ~Que pasara con los otros diodos
cuando el circuito fuera alimentado? Justifique su respuesta resumidamente.
PROYECTO
9. Explique detalladamente 10 que hizo en su proyecto. ~ Por que 10 hizo?
66
67
ELECTR6NICA
OPERACI6N
Conectar Filtro.
Conectando un capacitor en la salida de un rectificador, podemos obtener una tensi6n

de
carga que es aproximadamente constante. Idealmente; la tensi6n de salida con
filtro capacitivo es aproximadamente igual a la tensi6n de pico del secundario. Para
medir aproximadamente la tensi6n media es tipicamente 90 a 95% la tensi6n de pico del
secundario con una ondulaci6n de pico a pico de cerca de 10%.
En este laboratorio conectara un capacitor de filtro de salida de un rectificador en
puente. Cambiando el resistor de carga 0 el capacitor de filtro, venftcara las relaciones
basicas. Tenga mucho cui dado cuando conecte el transformador a la linea de
alimentaci6n. EI transformador debe contar con un fusible de entrada; el primario uy el
secundario deben estar aislados a fin de evitar choques electricos.
1. Mida la resistencia de los arrollamientos primario y secundario y anote en la tabla

5.
2. Basandose en la figura 3, suponga que la tensi6n del secundario sea 12Vy que RL = 1kQ
Y
C = 4, 7 ~F. Calcule y anote en la tabla 710s valores de cada magnitud.
0,1 A
R1
Figura 3.
3. Monte el circuito conforme al diagram a de la figura 3 con RL = 1 kQ YC =
47j.lF.
4. Mida y anote todos los valores en la tabla
6.
5. Cambie el capacitor del filtro para C = 470 ~F Yrepita los pasos 2, 3 Y4. Use la tabla
7.
6. Cambie resistor de carga RL = 10 kQ Yrepita los pasos 2, 3 Y4. use la tabla
8.
7. Suponga que uno de los diodos de la fuente rectificadora esta abierto en la figura 3
con RL = 1 kQ YC = 470 ~F. Calcule la tensi6n media de carga, la frecuencia de
ondulaci6n y el valor pico a pico de la tensi6n de ondulaci6n. Anote sus resultados en la
tabla 9.
ELECTR6NICA
8. Monte el circuito con uno de los diodos desconectado. Mida y anote los valores en la
tabla
9.
67
68
ELECTRONICA
9. Suponga que el capacitor de filtro esta abierto en la figura 3 con RL = 1 kQ Y C

Calcule y anote los valores encontrados
= 470
flF.
en la tabla 10 en columnas correspondientes.
10. Monte un circuito en la figura 3 con capacitor de filtro abierto.

tabla 9.
Mida
y anote
cada valor en la
PROYECTO
11. Determine el valor de un capacitor de filtro para el circuito de la FIgura 6 para obtener una
tensi6n de ondulaci6n de pico a pico de 10 % de salida con una carga de RL 3.9 kQ.
Calcule y anote cada valor en la tabla 10.
12. Monte el circuito, mida

RESULTADO
y anote los valores obtenidos en la tabla 10.
DEL LABORATORIO
Tabla 5. Resistencia
de los arrollamientos
Tabla 6. Rectificador
de onda Completa
del transformador
con toma Central
CALCULADO
MEDIDO
TENSI6N EFICAZ DEL SECUNDA RIO

TENSI6N DE PICO EN LA SALIDA
TENSI6N MEDIA EN LA SALIDA
FRECUENCIA E ONDULACI6N
TENSI6N PICO A PICO DE LA ONDULACI6N
Tabla 7. RL
= 1kQ Y C = 470
flF
CALCULADO
MEDIDO

TENSI6N MEDIA EN LA CARGA
Tabla 8. RL
= 10kQ Y C = 470 flF

CAL CULA DO
MEDIDO

68
69
Tabla 9. Verificacion
de defecto
MEDIDO
CALCULADO
vee
VOND
fSAUDA
Vee
fSALIDA
VOND
Diodo abierlo
cepecitor 8bierlo
Tabla 10. Proyecto para 10% de Ondulacion

MEDIDO
CALCULADO
TENSION EFICAZ DEL SECUNDA RIO
TENSION DE PICO EN LA SALIDA
TENSION MEDIA EN LA SALIDA
TENSION MEDIA EN LA SALIDA
FRECUENCIA E ONDULACION
TENSION PICO A PICO DE LA ONDULACION
CUESTIONARIO
1. En este laboratorio una tension media de salida eI rectificador

aproximadamente igual a:
(a) Tension de pico primerio;
(b) Tension eficazdel primario
con filtro capacitivo
es
(b) Tension de pico secundario;

(c) Tension eficaz del secundario
2. La tension pico a pico con ondulacion disminuye cuando:

(a) la resistencia de carga disminuye
(c) la frecuencia de ondutacion disminuye
(b) un capacitor de filtro disminuye

(d) el capacitor de filtro aumenta
3. La relacion de espiras del transformador es de aproximadamente

9: 1. Por esto, una
resistencia del transformador en tabla 6, vista dellado del filtro debe ser por 10 men os:
4. La frecuencia de ondolaclon de salida en funcionamiento
(a) 0;
(b) 60Hz
(c) 120 Hz
normal es:
(d) 240Hz
5. Cuando una resistencia de carga aumenta la tension de ondulacion pico a pico:

(a) disminuye
(c) aumenta
(b) permanece la misma

(d) ninguna de estas respuestas es correcta
69
70
ELECTRONICA
6. En el caso de que uno de los diodos de un circuito de la figura 6 se abriera, se convertira
en un filtro capacitivo alimentado por un:
(a) rectificador de media onda;
(c) rectificadoren puente;
(b) rectificador de onda completa;

(d) converser unilateral
7. Explique resumidamente los que sucede con un circuito de figura 6 cuando un filtro
capacitivo abre.
PROYECTO
8. En un proyecto, (,Ud. usara un capacitor de filtro de bajo
Justifique su respuesta.
alto valor de capacitancia?
70
71
ELECTR6NICA
OPERACION
Reconocer los tenninales de un diodo Zener.

Idealmente un diodo zener es equivalente a una fuente de alimentation CC cuando en la
region de ruptura. Para una segunda aproximacion es como si fuese una fuente CC can una
pequefia impedancia intema. Su principal ventaja es mantener la tensi6n en sus terminales
aproximadamente constante. En este laboratorio obtenora valores de tensi6n Zener y de
resistencia Zener.
1. Seleccione el range de medici6n via SW de selecci6n de funciones de medici6n.
2. Realice la rnedicion como un diodo normal.
r:
ANODO
Figura 4.
3. Buscar en el manual ECG sequn el c6digo de diodo para saber que caracteristicas tiene
asi como tambien, saber que tipo de diodo es.
TENSION ZENER
4. Mida las resistencias del diodo Zener en las polarizaciones directa e inversa, tratando de
ubicar la medici6n en un range de medicion adecuado de tal manera que la indicacion se
de en el centro de la escala del ohmimetro. La razon entre las resistencias directa e
inversa debe ser par 10 menos de 1000: 1
71
72
ELECTR6NICA
5. EI diodo Zener 1N753 tiene una tension nominal de 6,2V. En la figura 5, calcule y anote la
tension de salida para cada valor de tension de entrada listada en la tabla 11.
6. Monte el circuito de la figura 5. Mida y anote la tension de salida para cada valor de tension
listada en la tabla 11.
1800
+
1N753
Figura
Vsallda
02
5.
RESISTENCIAZENER
7. Con los datos de la tabla 11, calcule y anote la corriente Zener de la figura 8 para cada valor
de tension de entrada de la tabla 12.
8.
Con la
ecuacion tt.Uz = tt./z Rz, calcule la resistencia Zener para
variaciones
Vent
= 10V. (Use las
de tension y corriente entre 8Vy 12V).
9. Calcule y anote la resistencia Zener para Vent
= 12V.
EL TRAZADOR DE CURVA
10.
Si hubiera un trazador de curva disponible.

inversa del diodo Zener.
Usted podra observar las curvas directa e
VERIFICACI6N DE DEFECTOS
11.
La figura 5, suponga que Vent

Zener en cortocircuito.
= 15V.
Calcule un valor de tension de salida para un diodo
Anote su respuesta en la tabla 13.
12.
Calcule y anote la tension de salida para el diodo Zener abierto.
13.
Calcule y anote la tension de salida para un resistor abierto.
14.
Suponga que la poJaridad del diodo Zenerfuera

salida para este defecto.
15.
Monte un circuito
y simule
invertida.
cada uno de los defectos citados.
Calcule y anote la tension de
Calcule
y anote
V salida para
un Vent = 15V.
72
73
ELECTR6NICA
PROYECTO
16. Proyecte un resistor para limitar la corriente en el diodo Zener con 16.5 mA
aproximadamente para Vent =14V Anote el valor proyectado en la parte superior de la
tabla 14. Monte el circuito con el valor Rs proyectado. Mida y anote la tensi6n de salida
para cada valor de tensi6n de entrada, listado en la tabla 14.
17. Calcule y anote la corriente Zener para cada tensi6n de entrada en la tabla 14. Calcule y
anote la resistencia Zener para cada Vent.
Tabla 11. Resultados del diodo Zener

Vent
Vsal/da Ca/cu/ada
Vsal/da
Medida
OV
2V
4V
6V
8V
10V
12V
14V
Tabla 12. Resistencia Zener
OV
Rz Ca/cu/ada
sin anotaci6n
2V
sin anotaci6n
4V
sin anotaci6n
6V
sin anotaci6n
8V
10V
12V
14V
sin anotaci6n
Vent
/z Ca/cu/ada
sin anotaci6n
73
74
ELECTR6NICA
Tabla 13. Ventlcacton
de defectos
Vee Medida
Vee Calculada
Defectos
01000 EN CORTO
01000 ABIERTO
RESISTOR ABIERTO
01000
INVERT/~O
Tabla 14. Proyecto Rs = -------
RZ Calculada
Iz Calculada
Vsalida Medida
Vent
Sin anotaci6n
10V
12V
Sin anotaci6n
14V
CUESTIONARIO
1. La figura B, la corriente del diodo Zener y la corriente en el resistor de 1BOQ son:
(a) guales
(c) muy diferentes
(b) casi iguales;
2. EI diodo Zener comienza a conducir cuando la tension de entrada es aproximadamente:
(a) 4V
3. Cuando
(b)6V;
(c) 10V
Vent es menor que 6 V, la tension de salida es:
(a) aproximadamente
4. Cuando
(c) BV;
constante
(b) negativa;
(c) la misma entrada
Ven es mayor que BY, la tension de salida es:
(a) aproximadamente
constante
(b) negativa;
(c) la misma entrada
5. La resistencia Zener calculada fue aproximadamente
(a) 1Q
(b) 2Q
(c)
ra
(d) 20Q
6. Explique por que un diodo Zener es lIamado disposltivo de tension constante
74
75
ELECTRONICA
7. Explique por que fue obtenido aquel valor de tensi6n cuando el Zenerfue abierto.
8. Explique por que fue obtenido aquel valor de tensi6n cuando el Zenerfue invertido.
PROYECTOS
9. (.,C6mo y por que usted escogi6 este valor de resistor limitador de corriente.
75
76
ELECTR6NICA
OPERACION
Armar un circuito
estabilizador de voltaje con diodo Zener.
En un regulador de tension Zener, la resistencia de carga queda en paralelo con el diodo

Zener. Mientras que el diodo Zener opera en la region de ruptura, la tension en la carga sera
constante y aproximadamente
igual a la tension Zener. En un regulador Zener estable, la
resistencia Zener es menor del que 1/100 del resistor serie y menor de 1/100 de la resistencia
de carga. La primera condicion hace que el regulador Zener atenue la onoulaclon de entrada
por un factor de poco menos 100 veces. La segunda condicion hace que el regulador Zener
parezca una fuente de alimentaci6n con una tension estable en la carga.
En este laboratorio
negativa regulados.
montara una fuente de alimentacion simetrica con salidas positivas y

Esto permitira la cornprobacion del funcionamiento del regulador Zener.
1. EI diodo 1N753 es un diodo Zener con una tension nominal de 6.2V En la figura 6 calcule
las tensiones de salida para cada regulador. Las tensiones de entrada son medidas en los
capacitores de filtro. Anote sus respuestas en la tabla 15.
2. Monte la fuente sirnetrica de la figura 6.
3. Mida y anote las tensiones de salida para cada regulador Zener. Anote estos datos en la
tabla 15.
Regulacion de tension
4. Calcule y anote las tensiones
en la tabla 16.
5. Monte el circuito.
17.
de salida en la figura 6 para cada resistor de carga situado
Mida y anote las tensiones de salida para cada carga listada en la tabla
0,1 A
150.0
Figura 6.
76
77
ELECTR6NICA
Tabla 15. Alimentaci6n sirnetrica

Calculado
Circuito
Afedido
Vsaida
Ventrada
Vsaida
Ventrad!l
REGULADOR POS/TIVO
REGULADOR NEGATIVO
Tabla 16. Regulaci6n de tensi6n

Calculado
Circuito
+V saida
-Vsa/ida
Afedido
+V saida
-Vsa/ida
470Q
4,7kQ
47kQ
Tabla 17. Ondulaci6n

Circuito
Vand
Calculado
Entrada
Salida
Vand
Entrada
Afedido
Salida
470Q
47kQ
77
78
ELECTRONICA
OPERACION
Reconocerlos
terminales de un diodo LED
EI LED (LiGTH EMITTING DIODE) 0 diodo emisor de luz pertenece a la familia de los
dispositivos optoelectronicos.
Entre los miembros de esta familia se encuentran los LEOs, Display de siete segmentos,
diodos de emision infrarroja (IRED), fotodiodos, fototransistores, SCR activados por luz
(LASCR), TRIACs activados por luz (LAT), aisladores opticos, foto interruptores, etc.
Su mayor tiempo de vida y reducido tarnano ha permitido que los LEOs reemplacen a los
foquitos 0 lamparitas de los equipos electronicos; asl se usan como indicadores en paneles
de control, relojes, calculadoras y muchos otros equipos y aparatos.
EI diodo LED emite luz de una longitud de onda del espectro visible, por eso existen LEOs que
emiten luz de color verde, rojo, naranja, amarillo y azul. Sin embargo, en aries recientes, el
diodo emisor de luz infrarroja (IRED) ha sido incorporado en muchos equipos disenados para
uso en la industria, el comercio y el hogar.
Por ejemplo, el control remoto de su TV 0 VHS posee un IRED como la fuente electr6nica de
srnision para las diversas funciones como cambio de canales, control de volumen, etc.
Evidentemente en el TV existe ell RED detector.
En muchos lugares puoucos tales como cuartos de ban~, supermercados, etc, los secadores
de manos poseen LEOs IRED emisores y detectores que controlan el encendido y el apagado
de estos equipos.
Adernas los IRED son ampliamente usados en aisladores opncos y reles de estado s6lido, en
realidad, esto es solo una pincelada del futuro atractivo y provisor de la optoelectronica.
ASPECTO FisICO OEALGUNOS LEOs
CATODO
CATODO
CATODO
ANODO
ANODO
ANODO
78
79
ELECTRONICA
SiMBOLO DEL 01000 LED

ANODO
Eisiguiente es elslrnoolo del diodo LED
CATODO
IDENTIFICACION DE TERMINALES
Una manera de identificar 105 terminales del diodo LED es
por observacion:
1. La patita mas corta indica el catodo.
CATODO
ANODO
2. Observandolo desde abajo, se aprecia que el circulo de

ptastico, usado como base, posee un lado plano; la patita
cercana a ese lado plano es el catodo.
PRUEBA DEL 01000 LED USANDO EL OHMiMETRO

EI diodo LED es una juntura PN, luego tiene el mismo comportamiento que un diodo
rectificador,
por 10 tanto, mediante el ohmimetro mdicara en una posicion BAJA
RESISTENCIAy al invertirlos terminales indicaraALTA RESISTENCIA.
1. Solicite un diodo LED.
2. Por observacion determine el
anode y el catodo.
3. Dibuje el diodo LED con sus
terminales identificados.
4. Realice el siguiente montaje
para probar el diodo LED
mediante
el ohmimetro
indicando si la lectura es de
alta 0 baja resistencia.
Figura 7.
Lectura del Ohmimetro
Lectura del Ohmimetro
5. Determine la condicion de
operatividad del diodo LED.
79
80
ELECTRONICA
PRUEBA DEL 01000 LED USANDO UNA FUENTE DE TENSION DC.

OBSERVACION
Todo diodo LED, polarizado directamente debe conectarse en serie con una resistencia limitadora de
corriente, de no hacerlo, se corre el riesgo de determinarpermanentemente el diodo LED.
Cuando un LED es polarizado directamente, emite luz. EI brillo de esta luz dependera de la cantidad
de coliente que circule porel LED.
Los fabricantes especifican la cantidad de corriente requerida, en polarizacion directa, para producir
un brillo adecuado. Esto varia de fabricante a fabricante.
Adernas debe tenerse en cuenta los siguientes puntos:
1. Cuando el LED esta polarizado directamente, su caida de tension VF, la tension entre el anodo y
el catodo, es mayor que en los diodos rectificadores. La tension VF en un LED esta en el range
de
1,5 V a 2,3 Voltios (recuerde que en los diodos rectificadores de silicio es de 0,7 Voltios).
2. La tension de ruptura 0 tension inversa (VR) de los LEOs menorque en los diodos rectificadores.
La tension VR en un diodo LED esta en el rango de 3 a 5 Voltios.
Los fabricantes recomiendan dos tecnicas para evitar deteriorar un diodo LED por tension inversa y
son las siguientes.
01
-=- v
Figura 8
1. Solicite un diodo LED.
2. Usando el Manual de Semiconductores ECG, obtenga sus parametres importantes, completando
la siguiente tabla.
OBSERVACION
Considere por ejemplo que el LED obtenido es de proposito general, por ejemplo, el LED ECG3007,
ECG3008, ECG3009, etc.
DESCRI~16N
COLOR
VF
VR
1Fmax
80
81
ELECTRONICA
CONCEPTOS BAslCOS SOBRE SEMICONDUCTORES

Existen varios materiales validos para la fabricaci6n de dispositivos electr6nicos de estado
s6lido; los mas destacables son: silicio (Si), germanio (Ge) y arseniuro de galio (GaAs).
Silicio intrinseco
EI modelo de Bohr para un atomo de silicio aislado, consiste en un nUcleo que contiene 14
protones y la mayor parte de la masa del atorno con un total de 14 electrones rodeando al
nucleo en 6rbitas especificas. Las 6rbitas de los electrones se encuentran agrupadas en 10
que lIamamos capas. La siguiente capa, de mayor energia contiene 8 orbitales. Cada orbital
puede tener como maximo un s610 electr6n. As! para un atomo de silicio en su estado de
energia mas bajo, la capa mas interna contiene dos electrones, la siguiente capa contiene
ocho electrones, y los cuatro electrones que restan ocupan orbitales en la capa exterior,
tarnbien lIamada capa de valencia. Son estos electrones de valencia exteriores, los que
proporcionan los portadores de carga en el estado solido del material.
En un cristal de silicio intrinseco (puro), cada atomo se posiciona formando una
especie de reticula, con cuatro atornos cercanos. Cad a par de atornos cercanos forma un
enlace covalente, consiste en dos electrones que orbitan alrededor del par. cada atomo
aporta un electron a cada uno de los cuatro enlaces con sus vecinos. Podemos ver eso
claramente en el diagrama de la figura 1. En el cristal real, la disposici6n de los atom os es
tridimensional: cada atomo esta en el centro de un tetraedro, con un atomo vecino en cada
esquina.
()
()
Nucleo ionico que

consta del nucleo y
los electrones interiores
( )r
:
-
@ r--..
_ r--..
-'---'"
+4
()
....
_ r--..
,..-..... .....
--
+4
()
@ r--..
_ r--..
+4
...... ...-....... ....
.. +4
....
()
()
-- --+4
()
- ..._...
..._... -
_ r--..@r--.._r--..@.r--.._r--..@r--.._
()
--
()
r..-.-....
4~4..'..r..-.-.. ..
=--
... ... ..
()
--
()
.... ....-
--
--
()
+
@ r--..
en enlaces
Electrones
covalentes
()
--
4'-.4Y..'. -'----"'"
()
r..-.-..
4'-..4..' r..-.-..
....
()
()
()
Figura 1. Cristal de silicic intrinseco
81
82
ELECTRONICA
Con temperaturas de cero absoluto, los electrones estan en los menores estados de
energia dispontbles.
Asi, todos los electrones de valencia forman parte de enlaces
covalentes, y no son libres de moverse por el cristaL En estas condiciones, el silicio es un
aislante electrico. Sin embargo, a temperatura ambiente (aproximadamente 300 K),
algunos electrones alcanzan la suficiente energia termica como para liberarse de sus
enlaces. Estos electrones libres pueden moverse con facilidad por el cristal. Esta situacion
se ilustra en la figura 2_
0
0-.-..... =.....-.... -..0. -- 0...

=-.....-. ......
...
~2
~ ,-------rt-
()
--
--
Enlace
roto
()
-.....
O:=::=:=::O - -... 0
()
() . ()
()
()
'--B-
0-..-=......--..0.. --=-.. -0....
Electron libre
....
..
Figura 2_ La energia termica puede romper un enlace, creando un hueco y un electron libre,
pudiendo moverse ambos con libertad por todo el crista'.
Si aplicamos tension al silicio intrinseco, f1uirauna corriente. Sin embargo, el nurnero
de electrones libres es relativamente pequerio comparado con el que encontramos en un
buen conductor. Por ello , se clasifica el silicio intrinseco como semiconductor. EI silicio
22
10
contiene unos 5 x 10 atomosrcm-. A temperatura ambiente, hay n, - 1,45 X 10 electrones
13
libres por crn" Asi, solo un electron porcada 1,4x 10 electronesde valencia se ha liberado
de su enlace a temperatura arnbiente.
Conducci6n
por huecos
Los electrones libres no son la unica manera en la que la corriente f1uye por el silicio
intrlnseco. Un electron de un enlace cercano puede rellenar un enlace roto, como se ve en la
figura 3_ Aunque son los electrones del enlace los que realmente se mueven, es mejor
centrarnos en el vaclo que dejan en los huecos. Podemos imaginar un hueco como un
portador de carga positiva que se mueve libremente por el cristal, mientras que los electrones
de enlace solo pueden moverse si hay un gran hueco cercano.
En un semiconductor intrinseco, existe un nomero igual de huecos y electrones libres
que pueden moverse con facilidad por el cristal. Llamaremos a la concentracion de
electrones libres n; Ya la concentracion e huecos Pi _ Asi, podemos decir que
(1)
en un material ouro. Cuando se aplica un campo electrico al cristal, ambos tipos de
portadores contriouiran al f1ujode corriente.
ELECTRONICA
82
83
Estado vacio
(hueco)
8\-8
elrmpo
Incremento
en
Electrones en
enlace covalente
/)
eeee
ee -8 8 e e
eee -8 e e
eeee -8 e
Figura 3. A medida que los electrones se desplazan a la izquierda

para lIenar un hueco, el hueco se desplaza a la derecha
Generaci6n y recombinaci6n
Los electrones libres y los huecos son generados por la energia termica, que causa la ruptura de los
enlaces covalentes a una velocidad que depende mucho de la temperatura. Cuanto mas alta sea la
temperatura, mayor sera la velocidad de generaci6n.
Por otra parte, cuando un electron libre
encuentra un hueco, puede producirse una recombinaci6n: el hueco y el electron libre se combinan
para formar un enlace covalente. A medida que la concentracion de huecos y electrones libres
aumenta, la recombinacion ocurre con mas frecuencia. As!, a una temperatura determinada, existe
un equilibrio en el que la velocidad de recornbinacion iguala a la velocidad de generacion de
portadores de carga. AI aurnentar Ia temperatura, este equilibrio se corresponde con una cada vez
rnayor concentracion de portadores de carga.
Una concentracion mas alta de portadores de carga proporcionaria una mayor capacidad al
material para conducir la corriente elecmca. Asi, la conductividad de un semiconductor intrinseco
aumenta con la temperatura.
Material semiconductor
del circuito
Anadir al cristal pequefias cantidades de las impurezas apropiadas, afecta de manera espectacular a
la concentracion relativa de huecos y electrones. Tenemos as! un semiconductor extrinseco.
Por
ejemplo, si afiadirnos tostoro, que tiene cinco electrones de valencia, los atornos de fosforo se
posicionan en la estructura cristalina y forman enlaces covalentes con sus cuatro vecinos. EI quinto
electron de valencia solo esta debilrnente unido al atorno de fosforo,
A temperaturas de trabajo normales, este electron extra rompe su enlace con el atorno de
impureza, y se convierte en un electron libre. Sin embargo, el atomo de impurezas no crea un hueco;
la carga positiva que equilibra al electron libre esta bloqueada en el ruicleo ionico del atorno de
impureza. Asi, podemos crear electrones libres afiadiendo al silicio impurezas pentavalentes,
lIamadas donantes. AI material resultante, se Ie conoce como material tipo n. Se puede ver la
estructura cristalina del silicio de tipo n en la figura 4.
En un material de tipo n, la conduccion se debe principalmente a los numerosos electrones
libres. As! los electrones libres se les llama portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se
les llama portadores minoritarios.
A temperaturas de trabajo normales, casi todos los atornos donantes aportan su quinto
electron. Decimos entonces que los donantes se han ionizado. Cada atorno donante ionizado
83
84
Figura 4. EI silicio de tipo n se crea ariadiendo atomos

con impurezas de valencia cinco.
tiene asociada una carga positiva.
Desde luego, la concentracion de carga neta en el
material es cero. la carga positiva de los donantes ionizados (y huecos) se equilibra con la
carga negativa de los electrones libres. Asi, podemos igualar la concentracion de electrones
libres a la sum a de las concentraciones de huecos y donantes; es decir,
n=p+
donde Norepresenta
la concentracion
(2)
No
de atomos donantes.
La ley de acci6n de masa

No solo aumenta la concernracion de electrones libres por la adicion de atomos donantes; la
concentracion de huecos se reduce a su vez, porque la mayor concentracion de electrones
hace mas probable la recombinaclon.
resulta que el producto de la concentracion de huecos
por la concentracion de electrones libres es constante (para una temperatura dada). A esto
se Ie llama ley de acci6n de masas,
(3)
donde Pi es la concentracion de huecos en el material intrinseco, y n, es la concentracion de
electrones en el material intrinseco. Como la ecuacion (1) se establece que la concentracion de
huecos y electrones es igual en los materiales intrinsecos, podemos escribir
(4)
pn = n/
Los huecos se van generando continuamente

a causa de la energia terrmca. Cada hueco
recorre el material hasta que se combina con un electron libre. La vida media de los
portadores minoritarios es un pararnetro importante en el comportamiento de la conmutacion
de los diodos y otros dispositivos
huecos en un material tipo
semiconductores.
Llamaremos
Tp a la vida media de los
n.
84
85
MATERIAL SEMICONDUCTOR DE TIPO P

Ariadiendo al silicio puro una impureza trivalente, como el boro, se produce un material
de tipo p. Cada atorno de impureza ocupa una posici6n en la reticula cristalina y forma
enlaces covalentes con tres de sus vecinos mas pr6ximos. EI atomo de impureza no
tiene el cuarto electr6n que se necesita para completar el enlace con su cuarto vecino. A
temperaturas de trabajo normales, un electr6n de un atomo de silicio cercano se puede
desplazar para lIenar el cuarto enlace de cada atorno de impureza. Esto crea un hueco que
se crea libremente por el cristal. Sin embargo, el electr6n se enlaza con el atomo de
impureza ionizado. Asi,la conducci6n en el material de tipo p se debe mayoritariamente a
los huecos.
En un material de tipo p, los huecos se lIaman portadores mayoritarios y, los
electrones portadores, minoritarios. Desde luego, esta terminologia es la inversa a la de los
materiales de tipo n.
Las impurezas de valencia tres se denominan aceptadores, porque aceptan un
electr6n extra. Con cada atomo aceptor ionizado, se asocia una carga negativa: hay
presentes cuatro electrones enlazados, pero s610hay la suficiente carga positiva en el
nucleo i6nico como para equilibrar la carga de tres electrones. la estructura cristalina
reticular del silicio de tipo p se muestra en la figura 5.
= --
()
()
=
--
..... ..xt..;:::4y\ ... ....

-..-...
=- -
.. ...
()
.t",.-;Y4\ .,-- .-.-. ...t".-;'Y4 ... .-.-..

.. I...-..-
( )
()
()
(V
.\.:.:Y
.......--.
= --
Atomo
()
aceptor
-
G".-,:V:'-.-..-. ""
Enlace
()
-
= . . - -- . 4. . 4''' - - - ''' =
.,
.. .. .
. .." - Y
. . .. .
...
vacante
- .... . ...
( )
- ( )
=. . - -- . t ..;. : 4 \ - .. .. .
. . x.
: : y .. ... ..
()
--
(
(
- ( )
que se lIena a
la temperatura
de funcionamiento
. ..
... ..t"..-;Y4\ .,-- .-.-. ..."t.-;Y4 ... --..-..

.. \...-..-
()
()
Figura 5. EI silicio de tipo p se crea ariadiendo

atornos de impureza con valencia
tres.
Si lIamamos a la concentraci6n de atornos aceptadores NA' podemos escribir:
(5)
porque la concentraci6n de carga neta del material debe ser cero. La carga negativa de
los atomos aceptadores ionizados mas la de los electrones libres iguala a la carga positiva de
los huecos.
85
86
ELECTR6NICA
C6mo alternar el tipo de material

En la fabricacion de circuitos integrados, es necesario ariadir impurezas por etapas. Por
ejemplo, podemos comenzarcon un material de tipo n, parte del cual queremos que cambie a
tipo p. Esto se consigue ariadiendo aceptadores. Cuando la concentracion de aceptadores
supera a la concentracton de donadores inicial, el material se convierte en uno de tipo p.
Despues, se pueden ariadir mas donadores a la region p para volver a cambiaria a tipo n.
Para materiales con ambos tipos de impurezas, tenemos:
(6)
Ejemplo: CAlculo de la concentraci6n

Supongamos
de huecos
atornos Icm3, y No ==2 X 1013 atornos Icm3.
que tenemos silicio con NA ==1013
La concentracion
10
de electrones
intrinsecos
y electrones IIbres
en el silicio a temperatura
de 1,45 x 10 cm- . Hattar las concentraciones

este material dopado.
aproximadas
ambiente (300 OK) es
de huecos y electrones
para
Soluci6n: Como la concentraoon de donadores

es mayor que la de aceptadores,
tenemos un material de tipo n. Asl, podemos anticipar que n es mayor que n; y que pes
menos que Pi. Reordenando la ecuacion (6), tenemos:
Sustituyendo
valores en esta scuacion, se obtiene
==p + 1013
Usando ahora la ley de acton de masas por la ecuacion (4), obtenemos:
Despejando p y sustituyendo,
hallamos:
p==2,1
10 cm
-3
Observe que la concemraoon de electrones libres es de unos seis ordenes

mayor, que la concentracion de huecos en este material.
de magnitud
A menudo a las unidades de tipo atomos/crn" (0 electrones Icm3), las designaremos

porque el nurnero de atornos (0 electrones) es un nurnero que no tiene unidades.
con cm -3,
86
87
ELECTRONICA
FislCA DEL 01000 DE UNION
La uni6n pn no polarizada
Una union pn consta de un unico cristal de material semiconductor, que esta dopado para
producir material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden aJiadir impurezas al
cristal a la medida que va creciendo, 0 anaoirfas mas tarde, ya sea por oifusion de atom os de
impureza en el cristal, ya sea por irnplantacion de iones. En la reticula cristalina, es
importante que en la union de la parte n con la parte p no haya ninguna interrupcion. Esto solo
sera posible si la union se construye como un solo crista!. Sin embargo, resulta instructivo
imaginar la formacion de una union pn juntando un cristal de tipo p y un cristal de tipo n.
Antes de unir las dos mitades de la union, el lado n tiene una alta concentracion de
electrones libres y una baja concentracion de huecos. En el material de tipo p tenemos la
condicion inversa. Inmediatamente despues de unir los dos tipos de materiales , nos
encontramos con un gradiente de concentraclon a 10largo de toda la union para ambos tipos
de portadores (Figura 6).
Concentraci6n
de portadores
n
p
Figura 6. Si una union pn pudiera formarse juntando un cristal de tipo n y un cristal de tipo p,
existira en la union un elevado gradiente de concentraci6n de huecos y de
electrones inmediatamente despues de unir dos cristales.
Los portadores de carga se difunden siempre que exista un gradiente de
concentracion (a menos que algun tipo de fuerza se oponga a la ditusion). En consecuencia
despues de formarse la union, los huecos se difunden dellado p allado n y los electrones se
difunden en sentido contrario. Esta difusi6n mutua causa que la carga negativa neta crezca
en el lade p de la union (porque estan saliendo huecos cargados positivamente y estan
entrando electrones). de igual manera, la carga positiva crece en ellado n. Asi, se crea un
campo electnco en el cristal que apunta dellado n allado p.
87
88
ELECTRONICA
Este campo se opone a que continue la difusion, la cual pronto cesa por completo. Despues
de difundirse a traves de la union, los portadores de carga se convierten en portadores
minoritarios que se recombinan con rapidez.
EI resultado es que se forma una zona de carga espacial en la union, que se extiende
una corta distancia hacia ambos lados. Podemos ver esto en la figura 7a. Practicamente, no
existe ninqun portador de carga libre en la zona de carga espacial. En ellado p de la zona de
carga espacial, existe una capa de cargas negativas enlazadas: la carga asociada con los
atornos aceptadores ionizados. Algunos de los huecos que equilibran originalmente esta
carga negativa, han cruzado al lado n y algunos se han combinado con electrones que
cruzaron dese ellado n.
En ellado p de la region de vaciamiento, existe una capa de cargas negativas
enlazadas.
Zona e carga espacial
Aceptador ionizado ,-----.,.
Donante ionizado
(a) Union pn
(b) Concentracion de huecos
(c) Concentracion de electrones libres
Figura 7. La difusion de portadores mayoritarios hacia los lados opuestos

provoca la aparicion en la union de una zona de carga espacial
88
ELECTRONICA
89
ELECTRONICA
De igual forma, en ellado n de la zona de carga espacial, tenemos una capa de cargas
positivas enlazadas, que constituyen la carga positiva asociada con los atomos donantes
ionizados.
En la figura 7a, se muestra la capa de atornos aceptadores cargados negativamente
justo en el interior dellado p, y la capa de atornos donantes cargados positivamente justo en
el interior dellado n. Por supuesto, los atom os aceptadores se extienden portodo el material
p, pero fuera de la zona de carga espacial, su carga negativa se equilibra con la carga positiva
de los huecos. De igual forma, los atornos donantes se extienden por todo el material n y,
fuera e zona de carga espacial, su carga positiva se equilibra por la carga negativa de los
electrones libres. En las figuras Bb y Bc se puede ver un grafico de la concentracion de
huecos y electrones libres en funcion de la distancia.
La uni6n pn en polarizaci6n inversa

Una union pn esta polarizada en inversa si se aplica una fuente de tension extema con la
polaridad positiva aplicada allado n respecto al lado p, como se muestra en la figura B. La
tension aplicada ayuda al campo de la barrera de potencial en la zona de carga espacial. Asi,
los porta do res mayoritarios se yen sujetos aun mas firmemente en sus lados respectivos de
la union. Como los portadores mayoritarios se yen apartados de la union, la zona de carga
espacial se hace mayor.
Aplicando una tension superior a unas pocas decimas
los portadores mayoritarios se reduce pracncarnente a cero.
minoritarios contribuyen a la corriente estando en polarizacion
es pequena ya que hay pocos portadores minoritarios libres.
ve limitada por el nurnero de portadores de carga minoritarios
de la tension inversa
- ,I'IL,
Figura B. En potarizacion
de voltios, la corriente dada a

Por tanto, solo los portadores
inversa. La corriente inversa
Adernas, como la corriente se
es casi independiente del valor
ee'@@
ee
@@
ee
@@
ee
@@
ee
@@
ee
@@
ee,@@
inversa, la zona de carga espacial se hace mas ancha.
89
90
ELECTRONICA
La concentraci6n de portadores minoritarios se mantiene a ambos lados de la union

gracias a la generacion termica. A medida que aumenta la temperatura, aumenta la
concentracion de portadores minoritarios y la corriente inversa.
La corriente a traves de una union pn se relaciona con la tension aplicada mediante la
ecuacion de Shockley:
En la poienzacton inversa, Vo es negativa, Vo Y si es 10 suficientemente grande en

magnitud, la ecuacion puede escribirse como io = -Is. Por 10 tanto, podemos identificar la
corriente de saturaci6n Is como la corriente aportada par los porta do res minoritarios
al atravesar la union.
La corriente de potanzacion inversa que se observa en los diodos de silicio reales es
mucho mayor que Is, debido a efectos secundarios que no se tienen en cuenta en la ecuacion
de Shockley, particularmente, debido a la qeneracion de portadores en la zona de carga
especial. Por ello, no se puede encontrar ninqun valor de Is valido en la zona de polanzacion
directa midiendo la corriente inversa real. De todas formas, aunque la corriente inversa real
es mucho mayor que Is, la corriente inversa normal mente es 10 suficientemente pequeria
como para despreciarla en el calculo de circuitos.
La uni6n pn en polarizaci6n directa
Si se aplica una tensi6n positiva al lado p respecto del lado n, la uni6n pn se polariza
directamente. La polarizacion directa actua oponiendose al campo existente en la zona de
carga espacial, que se hace mas estrecha mientras el campo electrico disminuye. Asi, la
barrera de potencial para los portadores mayoritarios disminuye, y fluye una corriente
elevada por la union.
En la practica, existe una barrera de potencial incluso con polarizacion directa. Si se
aplicara suficiente polanzacion directa para reducir la barrera de potenciala cero influiria una
corriente excesivamente elevada y la union se destruiria por sobrecalentamiento.
Despues de atravesar la uni6n, los portadores se difunden alejandose de ella, hasta
que se combinan con los portadores mayoritarios. Por ejemplo, los electrones del lado n
superan la barrera y cruzan allado p, donde se convierten en portadores minoritarios. Estos
electrones se difunden en ellado p, y al final se combinan con huecos.
En la figura 9, se ilustran las concentraciones de eledrones y huecos en funcion de la
distancia en una union con polarizaclon directa. Observe que la concentracion de huecos p
es mas alta en el material de tipo p, y decrece rapidarnente al cruzar la zona de carga
espacial, por que el campo empuja a los huecos de vuelta hacia ellado p. En ellado n, se
observa una densidad de huecos decreciente con la distancia, porque los huecos se
combinan con electrones a medida que se difunden. AI alejarse de la union, en ellado n, la
concentraeion de huecos viene determinada por nivel de dopaje del donante. Lo mismo
puede aplicarse a la concentracion de electrones.
90
91
ELECTRONICA
Concentraciones
de portadores
~----Tlpop------,------Tlpon------
Figura 9. Concentraci6n de portadores en funci6n de la distancia

para una uni6n pn polarizada en directa.
CARACTERisTICAS
DE LOS DIODOS
EI diodo es un dispositivo electr6nico de gran importancia, que posee dos terminales:

el anode y el catodo. EI slmbolo del diodo se muestra en la figura 10(a), mientras que en la
Figura 10(b) se muestra su caracteristicas tension - corriente. Como se ve en la figura 10(a),
la tension Vo en el diodo se toma como positiva de anode a catodo. De igual manera, la
corriente io en el diodo se referencia como positiva cuando circula de anode a catodo.
Puede observarse en la curva caracteristica que, si la tensi6n Vo es positiva en el
diodo, pasa un f1ujode corriente grande incluso con pequerias tensiones. Esta condicion se
denomina potarizaclon directa. Asi, la corriente f1uye facilrnente a traves del diodo en la
oirecclon que indica la f1echa 0 el simbolo del
diodo.
por otra parte, para valores moderadamente negativos de vo, la corriente lo es muy
pequeria. A esto se Ie llama region de potanzaclon inversa, como puede verse en la curva
caracteristica del diodo. Si se aplica una tensi6n de polarizaci6n inversa suficientemente
grande al diodo, su modo de operacion entra en la regi6n de ruptura inversa 0 zona de
avalanza, permitiendo el flujo de una elevada corriente. Mientras que la potencia disipada en
el diodo no eleve demasiado su temperatura, el modo de trabajo en ruptura inversa no
destruira el dispositivo. De hecho, veremos que a menudo se hace trabajar deliberadamente
a los diodos en la regi6n a los diodos en la region de ruptura
inversa.
Diodos de pequena senal
Para fabricar diodos, se utilizan diversos materiales y estructuras.
Por el momento,
limitaremos nuestro estudio a los diodos a los diodos de silencio de pequeria serial, que
pueden encontrarse cornunmente en circuitos electr6nicos de baja y media potencia. Uno de
esos diodos discretos es el 1N4148, distribuido por varios fabricantes. Los diodos en los
circuitos integrados tienen caracteristicas similares a las de los diodos discretos de pequeria
serial.
91
ELECTRONICA
92
ELECTRONICA
Anodo
--~[)1:+-----
Catodo
(a) Sirnbolo del circuito
----------~~==============~~-------------VD
Region
de ruptura
inversa
1.-..---
Region de
polarizacion
inversa
Region de
polarizacion-directa
"~I
(b) Curva caracterfstica tension - corriente
Figura 10. Diodo semiconductor
10rnA
-,
"Codo"
--~------------------~~----~+-----VD
-100V'-_-------:
-1 nA
O,6V
Figura 11. Curva caracteristica tensi6n-corriente para un diodo tipico de silicio de

pequelia serial a una temperatura de 300K. Tenga en cuenta los
cam bios de escala.
92
93
En la figura 11 se muestra la curva caracteristica de un diodo tipico de silicio de

pequeria senat trabajando a una temperatura de 300K. Observe que las escalas para la
tension y la corriente en la region de polarizacion inversa. Esto ayuda a presentar con
claridad los detalles de la curva caracteristica ya que los valores de corriente son mucho mas
pequerios, y los de tension mucho mas grandes, en la region de poianzacion inversa que en
la region de poiarizacion directa.
En la region de polanzacion directa, los diodos de silicio de pequeria senal conducen
muy poca corriente (mucho menos 1 rnA), hasta que se aplica una tension directa de 0,6 a
0,7V (suponiendo que el diodo se encuentra a una temperatura de aproximadamente
0
300 K).
Entonces, la corriente aumenta muy rapidamente a medida que se sigue incrementando la
tension. Decimos que la curva caracteristica de polarizaci6n directa presenta un coda sobre
los 0,6V. A medida que aumenta la temperatura, la tensi6n de coda disminuye a raz6n de 2
mV/K.
En la regi6n de polarizaci6n inversa, para diodos de silicio de pequeria serial a
temperatura ambiente, la corriente tipica es de, aproximadamente, 1 rnA. A medida que
aumenta la temperatura, la corriente inversa tarnbien aumenta. Una regia empirica dice que
la corriente inversa se dobla para cada incremento de temperatura de 10 oK.
Cuando se alcanza la ruptura inversa, la corriente aumenta de valor rapidarnente. La
tensi6n para la que ocurr esto se llama tensi6n de ruptura.
Por ejemplo, la tensi6n de
ruptura de la curva caracteristica del diodo mostrado en la figura 11 es, aproximadamente, de
-100V. La tensi6n de ruptura puede oscilar entre unos pocos voltios y centenares e voltios.
En algunas aplicaciones se necesitan diodos que operen en las regiones de polerizaeion
directa y polarizaci6n inversa no conductora sin entrar en la regi6n de ruptura. Los diodos
para estas aplicaciones precisan una tensi6n de ruptura mayor que la mayor tensi6n inversa
que vayan a soportar.
EL MODELO IDEAL
Aunque el anansis de la linea de carga de los circuitos con diodos nos proporciona resultados
precisos y revel adores , necesitamos modelos mas simples para analizar con rapidez
circuitos que contengan varios diodos. Un modelo muy util para ello es el modelo del diodo
ideal, un conductor perfecto con una calda de tensi6n cero en conducci6n directa. En
conducci6n inversa, el diodo ideal es un circuito abierto. Utilizaremos esta presuncion de
diodo ideal si podemos considerar la caida de tensi6n del diodo en directa y la corriente
inversa como despreciables, 0 si preferimos una compresi6n basica a un analisis exacto de
un circuito. La curva caracteristica tensi6n-corriente del diodo ideal se muestra en la figura
12. Si io es positiva, Vo es cero, y decimos que el diodo esta en conducci6n. Por otra parte, si
V0 es negativa, io es cero, y decimos que el diodo esta al
corte.
93
94
Diodo en conducci6n
Diodo al corte
Figura 12. Curva caracteristica tensi6n - coniente del diodo ideal

Ejemplo 3: Por sus capacidades relativamente pequerias de capacidades variables se
usan mayormente como condensadores de circuitos de resonancia en tecnicas de alta
frecuencia. En los equipos del radio y televisi6n, estos han desplazado en gran parte al
condensador mecanlco cornun usado anteriormente. La figura 13 muestra el principio basico
del circuito de sintonizaci6n para un circuito de resonancia.
Figura 13. Circuito de sintonizaci6n con un diodo de capacitancia variable

En los circuitos de sintonizaci6n, la capacitancia de un diodo de capacitancia variable es por
10 general solamente una capacitancia parcial. Controlandola con una tensi6n continua
variable, la capacitancia de la juntura, y por 10 tanto, tam bien la frecuencia de resonancia
del circuito de oscilaci6n, pueden servariadas.
Diodos Schottky
Bajo ciertas condiciones, el efecto de rectificaci6n es producido tam bien entre una zona de
silicio tipo N y un electrodo metalico que descansa sobre esta. este efecto se 10 denomina
sequn su descubridor efecto Schottky. La figura14 representa la construcci6n basica de
un diodo Schottky 0 diodo metal-semiconductor.
94
95
Zona de carga espacial

Simbolo del circuito
(no normalizado)
Figura 14. Construcci6n basica de un diodo Schottky con polarizaci6nen direcci6n

directa por bateria, y el simbolo del circuito (no normalizado).
En un diodo Schottky, una zona del metal esta en contacto con una zona de silicio tipo
N. Debido a que los electrones en el silicio tipo N tienen un estado de energla mas
alto que los electrones en el metal, estos viajan desde el silicio tipo N hacia el metal.
Por esto, en la capa barrera se produce una zona de carga espacial.
Si un diodo se polariza en direcci6n directa, los electrones libres en movimiento de la
zona de silicio tipo N alcanzan una energla tan alta que viajan desde la zona de silicio
tipo N hacia el metal. Por el contrario, los electrones libres del metal no pueden salir
del metal bajo temperatura arnbiental. En consecuencia, con el cambio de polaridad
de la tension aplicada tam poco se puede realizar un flujo de electrones desde el
metal hacia el cristal de silicio.
A los electrones dentro del cristal de silicio se los denomina portadores calientes de
carga debido a su alto estado de energla con respecto a los electrones dentro del
metal. Por esto, al diodo Schottky se 10 denomina tambien como Hot-Carrier Diode
(inqles = diodo de cargas calientes).
En el diodo Schottky la transici6n del estado directo hacia el estado inverso se realiza
muy rapidarnente, porque no se deben evacuar portadores de carga, como en el caso
de los diodos semiconductores puros. Tambien la transicion desde el estado inverso
hacia el estado directo se realiza muy rapidamente, porque la capa barrera se
desintegra rapidamente. Por esto, los tiempos de conrnutacion de diodos Schottky
son muy pequenos, y tienen aproximadamente solo 100 ps. En la figura 19 esta
dibujada la curva caracterlstica de un diodo Schottky; en cornparacion tambien a
curva caracteristica de un diodo de punto de contacto de Ge.
EI coda de la curva caracterlstica del diodo Schottky es considerablemente mas
pronunciado que el del diodo de punto de contacto de funcionamiento similar. La
tension umbral para diodos Schottky se encuentra entre 0,3 V Y 0,4 V, Y por 10 tanto
tiene solamente la mitad del valor que la de los diodos de Si.
95
96
rnA
-40
UF
Figura 15. Curva caracteristica de

un diodo Schottky y de un diodo de
punto de contacto de Ge.
a) Diodo de punto de Contacto de Ge

b) Diodo Schottky
Los valores limite mas importantes de los diodos Schottky sequn el tipo son:
Tension inversa
UR
Corriente directa
IF
:::l
:::l
5Vhasta
10 rnA hasta 400 rnA
Disipacion de potencia
Ptot:::l
0,1
Temperatura
SJ
100Co
Los fabricantes
de juntura
como valores caracterlsticos
Tiempo de recuperacion
de encendido
Tiempo de recuperacion
de apagado
Capacitancia
del diodo
Corriente inversa
importantes
:
:::l
100V
hasta 0,4
indican los siguientes:
lfr
:::l
t;
:::l
GD:::l
'R
50 ps
100 ps
10pF
:::l 5~
En base a sus propiedades especificas, los diodos Schottky pueden ser utilizados como
interruptores extremadamente
rapidos. Por 10 tanto, el area principal de uso es la tecnica de
ultra-alta frecuencia y microondas con f > 15 GHz. Debido al codo muy cerrado de su curva
caracterlstica y a su rapida capacidad de conmutacion, los diodos Schottky son usados en
aumento en circuitos integrados, en la tecnica digital y en fuentes conmutadas de suministro
de potencia.
96
97
ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACI6N
DE MEDIA ONDA
Ahora, el anal isis de los diodos se ampnara para incluir las funciones variables en el tiempo,
tales como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. No existe duda de que el grado de
dificultad se cornplicara, pero una vez que se comprendan varios movimiento, el anal isis sera
bastante directo y seguira un procedimiento cornun.
La red mas simple que se examinara con una serial variable en el tiempo aparece en la
figura 16.
Por el momenta se utilizara el modelo ideal (observese la ausencia de la
ldentiflcacion Si 0 Ge para denotar el diodo ideal), para asegurar que el sistema no se dificulte
por la complejidad matematica adicional.
+
R
ITt
I
I
I
I
I
I
!Vt
vmsen wt
Figura 16. Rectificador de media onda
A traves de un cicio completo, definido por el periodo T de la figura 16, el valor

promedio (Ia suma algebraica de las areas arriba y abajo del eje) es cero. EI circuito de la
figura 1611amadorectificadorde media onoe, generara una forma de onda VO' la cual tendra
un valor promedio de uso particular en el proceso de conversion de ac a dc. Cuando un diodo
se usa en el proceso de rectiflcaclon, es cornun que se Ie lIame rectificador. Sus valores
nominales de potencia y corriente son normal mente mucho mas altos que los de los diodos
que se usan en otras aplicaciones, como en computadoras 0 sistemas de comunicacion.
Durante el intervale t = 0 ~ T12 en la figura 16, ta polaridad del voltaje aplicado Vi es
como para establecer "presion" en la direccion que se indica, y encender el diodo con la
polaridad indicada arriba del diodo. AI sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo
dara por resultado el circuito equivalente de la figura 17 don de parece muy obvio que la serial
de salida es una replica exacta de la senal aplicada. las dos terminales que definen el voltaje
de salida estan conectadas directamente a la senal aplicada mediante la equivalencia de
cortocircuito del diodo.
97
98
Para el periodo T/2 ~ T, la polaridad de la entrada v; eses como se indica en la Figura 18 y la

polaridad resultante a traves del diodo ideal produce un estado "apaqado'con
un equivalente de
circuito abierto. EI resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y v, = iR = (O)R
v, se
OV para el periodo T/2 ~ T. La entrada Vi y la salida
dibujaron juntas en la figura 19 con el

proposito de establecer una comparacion.
Ahora, la serial de salida v, tiene un area neta positiva
arriba del eje sobre un periodo completo, y un valor promedio determinado por:
VdC
vi
'J
v;
= 0.318
(10)
media onda
0---0
Vo
Vi
Vo= OV
Vo
--
Figura 18. Region de no conduccion
"2
(T/2 ~ T)
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
---..I
Figura 19. Senal rectificada
de media onda
98
99
AI proceso de alimentacion de la mitad de la sefia! de entrada para establecer

rectiticecion de media onda.
un nivel dc se Ie llama
EI efecto del uso de un diodo de silicio con VT= 0.7V se sefiala en la figura 20 para la region de
La serial aplicada debe ser ahora de por 10 menos 0.7V antes de que el diodo
pueda "encender".
Para los niveles de Vi menores que 0.7V el diodo aun esta en estado de circuito
polarizaclon directa.
abierto y v; OV, como 10 indica la misma figura.

Cuando conduce, la diferencia entre v; Y V, se
encuentra en un jo de VT
0.7V Y v; Vi - VT, sequn se indica en la figura. EI efecto neto es una
reduccion en el area arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante de voltaje dc.
Para las situaciones donde V m V TI la ecuacion 11 puede aplicarse para determinar el valor
promedio con un alto nivel de exactitud.
(11 )
+
o
V, _
~I-O-~-----
O.7V
R
T t
Desfasamiento debido a V,
Figura 20. Efecto de Vr sobre la serial rectificada

Si V m es suficientemente
primera aproxirnaclon
mas grande que VT, la ecuaci6n
de media onda
10 es a menudo aplicada como una
de V de.
Ejemplo.
a)
Dibujar la salida
b)
c)
Repetirel inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.

Repetir los incisos a y b si V m se incrementa a 200V, y comparar las soluciones
ecuaciones
Vo
ydeterminarel
nivel dcde la salida de la red de la figura 21.

utilizando
las
10 Y 11.
Figura 21. red para el ejemplo
99
100
Soluci6n
a) En esta situacion el diodo conducira durante la parte negativa de la entrada sequn se
muestra en la figura 22 y v0 aparecera como sen ala en la misma figura. Para el periodo
completo, el nivel dc es.
VdC = -O.318Vm = -O.318(20V) = -6.36V
EI signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad de la figura 19.
-
Vi
+
Vo
+
I
I
I
Vi
Vo
~2~
Figura 22.
Vo
resultante para el circuito del ejemplo
b) Utilizando un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura 23 y

VdC = -O.318(Vm - O.7V) = -O.318(19.3V)
== -6.14V
la caida resultante en el nivel dc es de 0.22 Vo cerca de 3.5%.

c) Ecuacionrs):
Ecuacion (10):
VdC
= -63.6V
-O.318Vm = -O.318(200V)
VdC = -O.318(Vm - VT) = -O.318(200V - 0.7V)
= -(0.318)(199.3V)
= -63.38V
la que es una diferencia que, en efecto, puede ignorarse para la mayor parte de las
aplicaciones. Para el inciso c el desvlo y la calda en fa amplitud debido a VT no serla
discernible en un osciloscopio tipico si se despliega el patron completo.
20V - 0.7V
19.3V
Figura 23. Efecto de VT sobre la salida de la figura 27.
100
101
PIV (PRV)
EI valor del voltaje pico inverso (PIV, par las iniciales en ingles de: Peak Inverse Voltage)
(PRV, por las inieiales en ingles de: Peak Reverse Voltage) del diode es muy importante en el
disetio de sistemas de rectificaci6n. Recuerde que se trata del valor del voltaje que no debe
exeederse en la region de polarizacion inversa, pues de otra forma el diodo entrara en la
regi6n de avalancha Zener. EI valor PIV requerido para el rectificador de media onda puede
determinarse a partir de la figura 24, la eual muestra el diodo de la figura anterior con
polanzacon inversa con un voltaje maximo aplicado. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff,
pareee muy obvio que el valor PIV del diodo debe ser igual 0 mayor al valor del pieo del voltaje
aplieado. Portanto,
'--
Valor PIV 2:
v;--'I rectificador
_ v (PIV)
Vm
de media onda completa
(12)
+
1= 0
+
Vo
= IR = (O)R =
OV
Figura 24. Determinacion del valor de PIV que se requiere

para el reetificador de media onda
RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA

Puente de diodos
E! nivel de de que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se
utiliza un proeeso que se llama rectificaci6n de onda completa. La red mas familiar para lIevar
a cabo tal funci6n aparece en la figura 25 con sus cuatro diodos en una configuraci6n en
forma de puente. Durante el periodo t = 0 a T/21a polaridad de la entrada se muestra en la
figura 26. Las polaridades resultantes a traves de los diodos ideales tam bien se setialan en la
figura 26 para mostrar que 02 y 03 estan condueiendo, en tanto que 01 y 04 se hall an en
estado "apagado". EI resultado neto es la conflquracion de la figura 27 con su corriente y
polaridad indieada a traves de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga
Vo = Vi' segun se muestra en la misma figura.
101
102
ELECTRONICA
Figura 25. Punete rectificador de onda completa
"apagado" +
+ "encendido"
Vi
2"
"encendido"
Figura 26. Red de la figura 30 para el periodo 0 ---+ T12

del voltaje de entrada Vi
Figura 27. Trayectoria de conoucoon para la region positiva
Vi
Para la regi6n negativa de la entrada los diodos conductores son D 1 Y D 4' generando la
configuraci6n de la figura 28. EI resultado importante es que la polaridad a traves de la
resistencia de carga R es la misma que en la figura 28, estableciendo un segundo pulso
positlvo, como se indica en la figura 28. Despues de un cicio completo los voltajes de entrada
y de salida apareceran sequn la figura 29.
102
103
ELECTRONICA
Vi
/-,
I
I
/-,
\
\
I
\
Vo
I
I
Vi
2"
\
\
T
2
vm
Figura 28. Trayectoria
de conducci6n
para fa regi6n negativa de
Vi
Figura 29. Formas de onda de entrada y salida para

un rectificador de onda completa
Oebido a que el area arriba del eje para un ciclo completo es ahora doble, en
comparaci6n con la obtenida para un sistema de media onda, el nivel de dc tarnbien ha sido
duplicadoy
VdC
o
= 2(Ec
10)
= 2(0.318Vm)
VdC = 0.636 Vm
onda completa
(13)
Si se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 30,
una aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conducci6n
resultaria
Vi -
VT. -
V0
VT. = 0
Vi -2VT.
Vo
EI valor pico para el voltaje de salida
Vo es,
portanto,
Vomax= Vm - 2VT.
Para las situaciones don de V 2 VT, puede aplicarse la ecuaci6n 11 para el valor promedio
con un nivel relativamente alto de precisi6n.
VdC == 0.636(Vm - 2V,;)
(14)
103
104
ELECTRONICA
o
Vi
"2
Figura 30. Determinaci6n de v 0 max para los diodos de silicio

PIV
EI PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a partir de la figura 31 que
se obtuvo en el pico de la regi6n positiva de la serial de entrada. Para la mall a indicada, el
voltaje maximo a traves de Res Vmyel valor PIV se define por:
I PIV ~ Vm I
rectificador puente de onda completa
(15)
Figura 31. Determinaci6n del PIV que 5e requiere

para la configuraci6n puente
Transformador
con derivaci6n
central
Un segundo rectificador muy popular aparece en la figura 32 con s610 dos diodes, pero
requiere de un transformador con derivaci6n central (CT, por las iniciales en ingles de: Center
Tapped) para establecer la serial de entrada a traves de cada secci6n del secundario del
transformador. Durante la porci6n positiva de v, aplicada al primario del transformador, la red
aparece como se muestra en ta figura 33. D, asume el equivalente del cortocircuito y D2 el
equivalente del circuito abierto, sequn se determin6 por los voltajes secundarios y las
direcciones de corriente resultantes. EI voltaje de salida aparece en la figura 33.
104
105
ELECTRONICA
Vi
:~
Vj
R
CT
Va
v,
2
Figura 32. Transformador con derivaci6n central para un rectificador de onda completa
2"
T
2
Figura 33. Condiciones de la red para la regi6n positiva de
Vi
Durante la porci6n negativa de la entrada, la red aparece como 10 indica la figura 34

invirtiendo los papeles de los diodos, pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a
<:
Vi
,-,
I
I
I
I
I
\
\
\
\
~~
2"
vm
CT
+u.
Vi
R
-
va +
I
I
I
I
,-,
\
\
\
\
Figura 34. Condiciones de la red para ta regi6n negativa de
Vi
a traves de la resistencia de carga R. EI efecto neto es una salida igual a la que aparece en
la figura 34 con los mismos niveles de dc.
105
ELECTRONICA
106
2"
ELECTR6NICA
PIV
La red de la figura 35 ayudara a determinar el PIV neto para cada diodo de este
rectificador de onda completa. La inserci6n del voltaje maximo del voltaje secundario y el V m
de acuerdo con 10 establecido para la red adjunta dara por resultado
PIV
I PIV
> 2Vm
= VsecUndario+ VR
transformador CT, rectificador de onda completa
(16)
+
,--------~ PIV ~-----,
Figura 35. Determinaci6n del nivel del PIV para los diodos del transformador
derivaci6n central para un rectificador de onda completa.
Ejemplo
Determina la forma de onda de salida para la red de la figura 36 calcular el nivel dc de salida
y el PIV que se requiere para cada diodo.
Figura 36. Red puente para el ejemplo
106
107
ELECTRONICA
Soluci6n
La red aparecera como en la figura 37, para la regi6n positiva del voltaje de entrada. EI
redibujo de la red generara la configuraci6n de la figura 38, donde v, = 1/2 Vi 6 Vo max= 1/2 Vi max
= 1/2 (1OV) = 5V, como 10 indica la figura 38. Para la parte negativa de la entrada la funci6n
de los diodos sera intercambiada y Vo aparecera sequn la ftgura 39.
+
T
2
Figura 37. Red de la figura 36 para la regi6n positiva de

+
Vi
+
2kD ~>~v 0
~2kD
Vi
2kD3
"2
Figura 38. Red dibujada de la figura 37

EI efecto de remover los dos diodos de la configuraci6n puente fue, por tanto, reducir
el nivel de dc disponible al siguiente:
VdC =O.636(5V)=3.18V
o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin embargo, el PIV
sequn se determin6 en la figura 31 es igual al voltaje maximo a traves de R, el cual es de 5V 0
la mitad de 10 que se requiere para un rectificador de media onda con la misma entrada.
T
2
Figura 39. Salida resultante para el ejemplo
107
108
ELECTRONICA
OIOOOS ZENER
EI anal isis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al
anal isis de diodos semiconductores de las secciones anteriores. Primero debe determinarse
el estado del diodo seguido por una sustituci6n del modelo adecuado, y una determinaci6n de
las otras cantidades desconocidas de la red. A menos que se especifique los contrario, el
modelo Zener utilizado para el estado "encendido" sera como el que indica la figura 40a.
Para el estado "apaqado" de acuerdo con su definici6n
para un voltaje menor que Vz

pero mayor que OV con la polaridad que se indica en la figura 40b, el equivalente Zener es el
circuito abierto que aparece en la misma figura.
~
Figura 40. Equivalentes
de diodo Zener para los
estados
a) "encendido" y
b) "apagado"
(Vz> V> OV)

"Encendido"
(a)
"Apagado"
(b)
Las redes mas simples del diodo Zener aparecen en la figura 41. EI voltaje DC aplicado es
fijo, asi como la resistencia de carga. EI anal isis puede hacerse fundamentalmente
en dos
pasos.
Figura 41. Regulador Zener Baslco
Figura 42. Determinaci6n del estado

del diodo Zener
1. Determinar el estado del diodo Zener mediante

voltaje a traves del circuito abierto resultante.
su eliminaci6n
de la red y calculando
el
108
109
ELECTR6NICA
La aplicacion resultante del paso 1 a la red de la figura 41 qenerara la red de la figura 2

donde una aplicacion de la regia del divisor del voltaje resultara.
(17)
Si V > V z el diodo Zener esta "encendido" y se puede sustituir el modelo equivalente de la

figura 40a. Si V < Vz el diodo Zener esta "apagado"y se sustituye la equivalencia el circuito
abierto de la figura 40b.
2. Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incognitas
deseadas.
Para la red de la figura 41 el estado

"encendido" dara por resultado la red
equivalente de la figura 43. Puesto que
los voltajes a traves de los elementos
paralelos deben ser los mismos, se
encuentra que:
(18)
Figura 43. Sustitucion del equivalente Zener
para la sustituci6n "encendido"
La corriente diodo Zener debe deterrninarse por la aplicaci6n de la ley de corriente de
Kirchoff. Esto es:
(19)
donde:
La potencia disipada por el diodo Zener esta deterrninada por:
(20)
el cual debe ser menor que la PZM especificada para el dispositivo.
109
ELECTR6NICA
110
ELECTRONICA
Antes de continuar es muy importante darse cuenta de que el primer paso se utilizo solo
para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener esta en estado "encendido", el
voltaje a traves del diodo no es V volts. Cuando el sistema se enciende, el diodo Zener se
encendera tan pronto como el voltaje a traves de el sea Vz volts. Se "atara" en este
nivel y nunca alcanzara un nivel mas alto de V volts.
los diodos Zener se utilizan con mayor frecuencia en las redes reguladoras 0 como un
voltaje de referencia. La figura 41 es un regulador simple disenado para mantener un
voltaje fijo a traves de la carga RL. Para los val ores de voltaje aplicado mayores para el que
se quiere para encender el diodo Zener, el voltaje a traves de la carga se rnantendra en Vz
volts.
si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia, ofrecera un nivel para
comprarlo en funcion de otros voltajes.
Ejemplo
a) Para la red de diodo Zener de la figura 49 determinar VL. VR Iz Y Pz

b) Repetir el incise a con RL= 3 KQ
+
VR
16 V
Vz= 10V
Figura 44. Regulador del diodo Zener

para el ejemplo
SOLUCION:
a) Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se dibuja como 10 indica la figura 45.

La aplicacion de la ecuacion (17) da :
RLVj = 1.2KQ {16V}
R + RL 1KQ + 1.2KQ = 8.73V
V=
R
'R,_,
1 KQ
Vi -==- 16 V
==n'L
Iz
RL
1 KQ
+
VL
Figura 45. Determinacion de V para

Regulador della figura
110
ELECTRONICA
111
Dado que V = B.73V es menor que Vz = 10V, el diodo esta en estado "apagado", como se
rnuestra en las caracterfsticas de la figura 46. Sustituyendo el equivalente del circuito abierto
resultara la rnisrna red que en la figura 50 donde se encuentra que:
/z= (rnA)
VL = V = 8.73V
VR = V
VL = 16V - 8.73 = 7.27V
Iz = OA
Pz = Vzlz= Vz{OA) = OW
3.73V
b) Aplicando la ecuacion resulta:
Figura 46. Punto de operaclon resultante

para la red de la figura 44.
Debido a que V = 12V es mayor que Vz = 10V, el diodo esta en estado "encendido" y la red
de la figura 47 sera el resultado. La apllcacion de la ecuacion (18) genera
VL = Vz = 10V
VR = V
VL = 16V - 10V = 6V
= 10 V
3KQ
con
6V
1KQ
de tal forma
= 3.33 mA
=6rnA
Iz = IR - IL
=6 rnA - 3.33 rnA
=2.67rnA
la potencia disipada:
Pz = Vz Iz = (10V){2.67mA) = 26.7 rnW
la cual es menor que la especificada PZM = 30 rnW
VR
1 KQ
+
Vi
16 V
Vz
Iz
10V
RL
3KQ VL
Figura 47. Red de la figura 44 en

estado "encendido
111
112
V1 fijo, RL variable
Debido al voltaje Vz existe un rango de valores de resistencias (y por tanto, de corriente de
carga) que asequrara que el dispositivo Zener esta en estado "encendido".
Una resistencia
de carga RL muy pequena generara un voltaje V L a traves de la resistencia de carga menor
que V z Y el dispositivo Zener estara en estado "apagado".
Para detenninar la resistencia de carga minima de la figura 46 que encendera el diodo Zener,
simplemente se calcula el valor RLy dara como resultado un voltaje de carga V L Vz.
Estoes:
Resolviendo
RLse tiene:
(21)
Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el de RL que se obtiene de la ecuaci6n (21)
asequrara que el diodo Zener esta en estado "encendido" y que el diodo puede ser
reemplazado por su fuente equivalente Vz.
La condici6n definida establece el RLrnlrumo pero a su vez especifica eilL maximo como:
(22)
Una vez que el diodo esta en estado

constante en:
"encendido",
IR permanece fija en:
= Vi - Vz
( VR
e
el voltaje a traves de R permanece
Iz = IR - IL
R-
VR
La corriente Zener:
(23)
(24)
(25)
Resultando un Iz minima cuando ILes un maximo y un Iz maximo cuando ILes un valor minima
debido a que IR es constante.
Dado que Iz esta limitada a IZMcomo se especific6 en la hoja de datos, afecta el rango de RL
y portanto de IL. Sustituyendo
IZMpor Iz establece eilL minima como:
( IL min = IR - Iz )
(26)
Y la resistencia de carga maxima como:

RLmax
Vz
= -;1:-=--Lmin
(27)
112
113
Ejemplo
a) Para la red de ia figura 48, determinar el range de Rl Y de Il que resultara que VRl se
mantenga en 10V.
b) Determinar el valor de la disipaci6n maxima en watts del diodo.
1 KQ
VZ= 10V
PZM
32 mW
Figura 48. Regulador
de voltaje para el ejemplo
SOLUCION
a) Para determinar el valor de Rl que encendera el diodo Zener, se aplica la ecuaci6n (21 ).
R_ =
l n
VRV~
i- Z
= (1KQ)(10V) = 10KQ
50V - 10 V
40
= 250Q
EI voltaje a traves de la resistencia R se determina por la ecuaci6n (23).

V R = Vi - V Z = 50V -10V =
40V Y la ecuaci6n (24) ofrece la magnitud de IR:
IR=R
VR
40V
= 1KQ =40mA
EI nivel rnlnlrno de Il se determina despues con la ecuaci6n (24) aSI:

Il min= IR - IZM= 40 rnA - 32 rnA = 8 rnA
con la ecuaci6n (25) se determina el valor maximo de Rl :
Rlmax =
v.
-1-.
t.rnm
10V
= 8 rnA = 1.25 KQ
113
114
ELECTR6NICA
Una grafica de VL en funci6n de RL aparecen en la figura 49a y para VL en funci6n de 'L en

la figura49b.
b)Pmax
=Vz IZM
= (10V) (32mA) = 320 mW
250.0
1.25 KD
8mA
(a)
40mA
(b)
Figura 49. VL en funci6n de RL elL para el regulador de la figura 48

RL fija, Vi variable
Para los valores fijos de RL en la figura 41 el voltaje Vi debe ser 10 suficiente grande para
encenderel diodo Zener. EI voltaje de encendido minimo Vi= Vi minesta determinado por:
V = V = RLVi
L
Z
R + RL
(28)
EI valor maximo de Vi esta limitado por la corriente Zener maxima

IZM. Oebido a que IZM= IR- IL
(29)
Oebido a que IL esta fijo en V Z RL y que IZMes el valor maximo de Iz el maximo Vi se

define por:
(30)
114
115
ELECTRONICA
Ejemplo
Deterrninar el rango de valores de Vi que rnantencran
"encendido ".
el diodo Zener de la figura 50 en estado
-'R
220Q
VZ
= 20V
PZM= 60 mW
Figura 50. Regulador
ejernplo
para el
Soluci6n
Ecuaci6n (31)
Vi min
IL
Ecuaci6n
(32)
(RL+ R)Vz
RL
v.RL
VL
="R;:'" =
(1200Q + 220Q) (20V)

1200 Q
20 V
= 1.2 KQ =
= 23.67 V
16.67 rnA
IRmax = IZM+ IL = 60 rnA + 16.67 rnA
= 76.67
rnA
Ecuaci6n (33)
=
=
(76.67 rnA) (0.22 KQ) + 20V

16.87 V + 20V
= 36.87 V
Figura 51. VL en funci6n de Vi para el

regulador de la figura 50.
23.67V
36.87 V
115
116
010005
LED
EI diodo LED presenta un comportamiento analoqo al diodo rectificador (diodo

semiconductor p -n), sin embargo, su tensi6n de codo tiene un valor mayor, normalmente
entre 1.2 -1.5V.
ij
o-----IIJ-M-I--O
R
K
Segun el material y la tecnologia de fabricaci6n estos diodos pueden emitir en el infrarrojo
(diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en
torno ala cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones
optoacopladores, etc.
podemos destacar:
pilotos de serializaci6n,
instrumentos,
Resulta dificil distinguir, por pura inspecci6n visual, el modelo del LED asl como el fabricante:
los valores rnaxirnos de tensi6n y corriente que puede soportar y que suministra el fabricante
seran por 10 general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito,
se recomienda que la intensidad que 10 atraviese no supere los 20 mA, precauci6n de
caracter general que resuda.
01000
DE CAPACIDAD
VARIABLE
(VARICAP)
Son diodos que basan su funcionamiento

en el principio que hace que la
anchura de la barrera de potencial en una union PN varia en fun cion de la tension
inversa aplicada entre sus extremos. AI aumentar dicha tension, aumenta la anchura
de esa barrera, disminuyendo asita capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensador variable controlado por tension. Los valores de capacidades obtenidos
van desde 1 a 500pF. La tension inversa minima tiene que serde 1V.
La aplicacion de estos diodos se encuentra en la sinton ia de
frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.
TV,
rnodulacion
de
Simbologla
116
117
ELECTR6NICA
ARMAR CIRCUITOS AMPLIFICADORES

CON TRANSISTORES
117
118
ELECTRONICA
.---------~----------~~----~~------------Mo2V
Zener
9.1V
1/2W
R17
100
11M
R1
120K
C5
0,1 ILf
100V
SPK
40-80
100W
-42V
Valores de resistencias en ohms

Valores de capacitores en faradios
ORDEN DE EJECUCION
01
Reconocer los terminales del transistor
02
03
04
Armar y verificar
los circuitos
de
polarizacion
Armar y verificar circuitos de polariozacion
tipoH
Armary medirAmplificadoremisorcomun.
PZA.
BJr.
CANT.
CON TRANSISTORES
PERU
Resistencias de: 120 kn, (03) 3.3 Kn, 5.6 kn,

(02) 680 Kn, (03) 120 n, 1.2 Kn, 2.7 kn, 1.5 kn,
1 kn; (02)4.7kn, (02) 470kn.Todas de 1/4 W
(02) 0.33 ill 3W, (02) 10 ill ~ W, (02)
4700, (02)4.7n.
Rv1 TRIMPOT 1 Kn.
Capacltores:0.01flF,0.047flF,
220flF/16V,
(02) 100flF/16V, (03) 1000flF/35V, 33001Lf,
10J.LF125V,(02) 330flF/25V, (03) 47 J.LF/50V,
47flF/16V,
470pF,
(03)
0.1flF/100V
POll ESTER.
Transistores:
(03) BC548
(02) TIP 31A
(01)TIP32A
(02)2N3055

ARMAR AMPLIFICADOR
5EWU1
MATERIAL
H.T.05
OBSERVACIONES
Ref. H.T.
TIEMPO
HOJA 1/1
ESCALA
2005
118
119
ELECTR6NICA
OPERACION
Reconocer los tenninales
del transistor
BJT
EI transistor bipolar de union tiene tres terminales: BASE, COLECTOR Y EMISOR.

De acuerdo a su construcci6n, el transistor puede ser NPN y PNP.
C
NPN
PNP
Figura 1.
1. Seleccione el multitester en la opci6n

'_-H-y presionar la tecla SELECT hasta obtener
el sl mbolo
,_y conecte el terminal de medici6n rojo en Temp /QV-H- y el terminal negro
en _LCOM.
2. Con el Multitester Unitest Hexagon el terminal cornun, es decir, con el terminal de
medici6n ya sea rojo 0 negro, fijar en un terminal y con el otro terminal conectar en los otros
dos terminales hasta encontrar lectura.
3. Medir en los terminales restantes. EI de mayor lectura es el emisor y el de menor lectura
es el col ector.
> Lectura
< Lectura
E
C
Figura 2.
OBSERVACION
Si el terminal cornen fue encontrado con la punta de medici6n roja, se puede decir que es
PNP.
119
120
OPERACION
Armar y medir circuitos de polarizaci6n tipo H
Si se desea un punto a estable para un transistor BJT utilice la polarizaci6n por
divisi6n de tensi6n 0 tipo H. Con este tipo de polarizaci6n, los efectos de variaciones de hFE
so virtualmente eliminados. La polarizaci6n por divisi6n de tensi6n requiere solo una fuente
de alimentaci6n simple. Este tipo es tarnbien lIamado de polarizaci6n universal, debido a la
gran popularidad que tiene.
PROCESO DE EJECUCICN
Polarizaci6n
BJT
por Divisi6n
de tensi6n
polarizaci6n
tipo H del
1. En ta figura 3 calcule VB' V E YV c. Anote sus respuestas en la tabla

siguiente.
2. Monte el circuito de la figura 6. Mida Yanote los valores propuestos en la tabla
siguiente.
+10 V
R3
3.9kO
Figura 3.
3.
Repita los pasos 1 Y2 para los otros transistores. (transistores 2N3904
tarnbien).
Tabla 1. polarizaci6n por divisor de tension
Calculado
TRANSISTOR
1
2
3
VB
VE
Medido
Vc
VB
VE
Vc
120
121
ELECTRONICA
OPERACION
Armar
y rnedir amplfflcador ernisor comun,
Oespues de polarizar el transistor de un amplificador de emisor cornun, con el punto Q

muy pr6ximo al punto central de la recta de carga CC, pocra acoplar una serial AC en la base.
Esto produce una senal AC amplificada en el colector.
En este laboratorio montara un
amplificador de emisor y rnedira la ganancia de tensi6n. As! mismo observara las formas de
onda de CAy CC en varios puntos del circuito.
En el proceso de ejecuci6n veremos circuitos de polarizaci6n
va un circuito amplificador de emisor cornun.
de emisor cornun y luego
CIRCUITOS
DE POLARIZACION
EMISOR COMON.
Mediciones con ohmimetro

1. Mida la resistencia entre el emisor y el colector de uno de los transistores.
La resistencia
debe ser extremadamente alta (centenas de megohmios) con cualquier polarizaci6n.
2. Mida las resistencias directa e inversa del diodo base-emisor y del diodo col ector base,
para los diodos la raz6n entre las resistencias inversa y directa debe se por 10 menos de
100/1.
3. Repita los pasos 1 y 2 para los otros dos transistores.
Caracteristicas de transferencia
4. Monte el circuito de la figura 4 usando uno de los transistores.
100 R
-=-
l-
15V
Figura 4.
5. Mida y Anote V BE Y V CE en la tabla 2.

6. Mida y anote Ic Y I B en la tabla 2.
7. Calcule los valores V CB' IE' Ucc Y Pee en la figura 8, y anote en la tabla 3.
8. Repita los pasos 4 y 7 usando uno de los otros transistores.
121
122
ELECTRONICA
9.
Repita los pasos 4 y 7, usando el tercer transistor.
10. Si Ud, tiene disponible un trazador de curvas uselo para mostrar las curvas de los tres
transistores. Observe la diferencia en ~CC' tension de ruptura, etc.
11. En la figura 5 calcule y anote la tension de referencia en el colector Vc- para cada defecto
propuesto en la tabla 4.
Observacion
Para simular un colector - emisor en corto haga un puente entre los terminales del colector emisor y base, de modo que cortocircuite los tres terminales al mismo tiempo. Para simular
un col ector - emisor abierto, remueva el transistor del circuito.
12. Monte el circuito con cada uno de los defectos indicados. Mida y anote la tension en el
colector para cada defecto.
+15 V
1kn
Figura 5.
Proyecto
13. Monte el circuito de la figura 5, mida y anote la tension del colector con relaclon al punto
de referencia el circuito.
14. Con los datos obtenidos en el paso 13 calcule ~cc y proyecte el resistor de base que
produzca una tension en el col ector de aproximadamente la mitad de la tension de
alimentaci6n. Anote este resistor con valor comercial y la tensi6n del colector en la tabla
5.
15. Monte el circuito con el resistor de base que proyect6. Complete los valores pedidos en
latabla5.
122
123
ELECTR6NICA
Tabla 2. Tensiones y corrientes de los transistores

Transistor
V8E
VeE
18
IE
ace
IE
2
3
Tabla 3. Calculos
Transistor
V8E
IE
1
2
3
Tabla 4. Verificaci6n de Defectos

Defeeto
Ve calculado
Vcmedido
Resistor 470 kQ abierlo

Resistor 1 kQ en cotto
Co/ector emisor en corlo
Co/ector - emisor ebietto
Tabla5. Proyecto
Valores
R8
Vc
Ca/eu/ado
Medido
123
124
ELECTRONICA
CUESTIONARIO
1. La tensi6n V BE del transistorfue
(a)OV
(b)0.3V
2. EI valor BeE del transistorfue

(a)O
de:
(c)0.7V
aproximadamente
(b)1
3. EI valor BeE del transistorfue

(a)O
aproximadamente
(c)
(d) 1V
de:
(d) 20
(d) 20
mayor que:
(b) 1
(c)
4. Este laboratorio prueba que la corriente del col ector es mucho mater que:
(a) La tensi6n en el colector
(b) La corriente en el emisor
(c) La corriente en la base
(d) 0.7V
5. EI transistor era de silicio porque:
(a) V BE es aproximadamente
(b) Ie es mucho mayor que la IB;
(c) EI diodo col ector esta inversamente
(d) BeE es mucho mayor que la unidad
polarizado
6. ~Que es 10que aprendi6 sobre la tensi6n VBE? Y i.,Que relaci6n hay entre la corriente del
colector y la corriente de la base?
Verificaci6n de defectos
7. l,Que valor de tensi6n del colector midi6 cuando et resistor de base estuvo abierto?
Explique por que habra tensi6n en el colector.
8. Explique en forma resumida por que la tension del cofector es aproximadamente
cuando el transistortiene el col ector emisor en corto.
cero
Proyecto
9. Explique c6mo calcul61a resistencia de la base en la tabla 5.
124
125
ELECTRONICA
CIRCUITO AMPLIFICADOR
DE EMISOR COMON
Tensiones CAy CC
1. En la figura 6 calcule la tension CC en la base, emisor y colector. Anote sus respuestas
en latabla6.
C1
-10ml10mV
n ~
1 J.1F
+-fl t--I
-Vr--
.......;;.s."i
10 kHz
+c
Figura 6.
T.
--
470 J.1F
2. Calcule y anote e valor de tensions.C pico pico en la base en el emisor yen el colector.
3. Monte el circuito. Ajuste el generador de serial a 10 mV pico a pico y 1 kHz.
4. Observe los puntos indicados: base, emisor y colector. Conecte el osciloscopio en cada
uno de estos puntos para medir los val ores CC y CA. Anote todos los valores en la tabla
6.
5. Con el osciloscopio en DC, podra observar las formas de ond a de acuerdo a la figura
siguiente. Esto confirma que la tension total es la suma de fa tension CC mas la
componente AC.
.-----------+---------0
+1,8 V
+6,04 V
----s
2,2
k.Q
+1,1 V
--
+10
--
I
--
Figura 6.
125
ELECTRONICA
126
Inversion de fases
6. Si esta usando un osciloscopio Anal6gico HAMEG, usar CHI y conectarta a la entrada y
CHII y conectarla en el colector y presionar DUAL MENU AT, en la pantalla tendremos
siempre las dos senates.
7. Si se oper6 correctamente podremos visualizar que las senales estan desfasadas 180
(Figura 7).
Ganancia de tension
8. En la figura 6, use la ecuaci6n
fe
, 25mV
para calcular la resistencia ideal r'. Use la
ecuaci6n A
V sal
Vent
== Rc, para calcular la ganancia de tensi6n A. Anote sus respuestas en

fe
latabla7.
9. Monte el circuito con uno de los tres transistores.
entrada y la salida.
Mida y anote los valores AC de la
10. Calcule la ganancia de tensi6n Vsafida Y Ventrada, medidos en el paso 9. Seguidamente

calcule fe' usando la razon Re/A. Anote los valores experimentales deAy fe'en la tabla 7.
11. Repita los pasos 8 a 10 con los otros transistores.
12. Suponga que en la figura 10 C1 esta abierto. Calcule los valores pico a pico de la tensi6n
AC en la base, emisor y colector. Anote en la tabla 8.
13. Repita el paso 12 para cada efecto propuesto en la tabla 8.
14. Monte el circuito simulando cada uno de los defectos propuestos en la tabla 8. Mida y
anote la tensi6nAC.
Proyecto
15. Determine en la figura 6 el valorde la resistencia del colector que produzca una ganancia
de tensi6n teorica de 100. Use un valor comercial de resistencia. Calcule y anote los
valores en la tabla 9.
16. Monte el circuito que proyect6 con el valor de Re.
proporcionados en la tabla 9.
Mida y anote los valores
17. Repita el paso 16 usando ahara los otros transistores (dos transistores del mismo c6digo
pero que a pesar de esto son de caracteristicas un poco diferentes).
126
127
ELECTR6NICA
Tabla 6. Amplificadores de emisor comun
Va/ores
MOOido
Ca/cu/ado
B
CC
AC
Tabla 7. Ganancia de tensi6n

Transistor
Ca/cu/ado
r
tsxpenmeme!
MOOido
A
Ventrada
Vsalida
1
2
3
Tabla 8. verificaclon de defectos

Ca/cu/ado
Va/ores
Vb
Medido
Vc
Ve
Vb
Ve
VC
C1 ebietto
R2 abierto
RE abierlo
Tabla 9. Proyecto
Transistor
Ca/cu/ado
r
Rc
Medido
Vent
Vsalida
1
2
3
127
128
ELECTRONICA
CUESTIONARIO
1. EI amplificador
de la figura 10 tiene un
'e te6rico
de:
a) 22,7Q
b) 1 kQ
c) 3,6kQ
d) 10kQ
2. Idealmente,
el amplificador
de emisor cornun de la figura 10 tiene una ganancia de:
a) -1
b) -3.6
c) -4.54
d) -159
3. EI emisor de la figura 10 tiene una serial AC pequeria
a)
b)
c)
d)
nula debido a la existencia de:
Resistordeemisor
Capacitor de acoplamiento de entrada
Capacitor de paso de emisor
Debil senal de base
4. La tensi6n en el colectorfue
aproximadamente
de:
a) 6VccY 10mVAC
b) 1.8 Vccy1.6VAC
c) 1.1 VccY 10VAC
d) 6 VccY 1.6VAC
5. Los valores CC de la polarizaci6n de transistor no son afectados por la resistencia CC del
generador de senal porque el capacitor de acoplamiento de la entrada:
a)
b)
c)
d)
ce.
bloquea la componente
transmite la componente CA.
bloquea la componente CA.
transmite la componente CC.
6. Explique resumidamente
como este circuito amplifica la senal.
128
129
ELECTRONICA
OPERACION
Armar y verificar circuitos de polarizaci6n
Antes de que la serial de altema sea acoplada al transistor, se debe establecer un
punto de operaci6n (Q), normalmente en el punto medio de la recta de carga de cc. De esta
forma, la senal de entrada, puede producirfluctuaciones abajo y arriba de este punto Q. Los
tres tipos basicos de polarizaci6n de transistores son la polarizaci6n de la base, polarizaci6n
con realimentaci6n del emisory polarizaci6n con realimentaci6n del colector. Como se sabe,
estos no son los mejores tipos de polarizaci6n si se desea un punto Q estable, sin embargo,
se veran estos tipos de polarizaci6n en amplificadores de pequenas senates. En este
laboratorio montara estos tres tipos de polarizaci6n para verificar el funcionamiento de cada
uno.
De 10 observado en ellaboratorio los defectos mas comunes en transistores son colectoremisor abierto. Para simular colector -emisor en cortocircuito vamos a hacer un puente entre
el colector, base y emisor; esto es equivalente a cortocircuitar ambos diodos. Para simular un
colector -emisor abierto vamos a quitar el transistor del circuito, 10 que es igual a abrir ambos
diodos.
Polarizaci6n
base
de
la
1. En la figura 8 use hFEtlpico para calcular IB' lc Y Ve. Anote sus respuestas en la tabla
A.
..-------+---0
+15 V
270 k.O
Figura 8
2. Monte el circuito de la ilustraci6n 8. Mida y anote los valores propuestos en la tabla
A.
3. Repita los pasos 2 y 3 para los otros transistores
ELECTRONICA
129
130
ELECTRONICA
Polarizacion con realimentacion

4. En la figura 9 use hFE tipico para calcular Ie.
Ve Y VE' Anote sus respuestas en la
tabla B.
470 kO
5.Monte el circuito de polarizaci6n con

realirnentaci6n de ernisor de la figura 9.
6.Repita los pasos 5 y 6 para los otros
transistores.
Figura 9.
Polerlzeclon
con
reetimentecion
del
,.---
co/ector
7. En la figura 10 use hFE ti pico para calcular y
anotar los valores propuestos en la tabla C.
.... +15V
1 kO
220 kO
8. Monte el circuito de la figura 10. Mida y

anote todos los val ores propuestos en la
tablaC.
9. Repita los pasos 7 y 8 para los otros
transistores.
Figura 10.
Verificacion de efectos
10. En la figura 10. suponga que la resistencia de la base esta abierta. Calcule y anote la
tensi6n en el colector VDen ta tabla D.
11. Repita el paso 10 para los otros defectos propuestos en la tabla D.
12. Monte el circuito de la figura 10 sirnulando cada defecto propuesto en la tabla D. Mida y
anote la tensi6n en el colector.
Proyecto
13. Proyecto un circuito de la polarizaci6n con retroalirnentaci6n del colector usando un
2N3904con lasespecificaciones siguientes: Vee = 10Vy le=2 rnA.
RESULTADOS PARA EllABORATORIO
130
131
ELECTR6NICA
TABLA A. Polarizaci6n de la base

Calculado
Transistor
la
Medido
Ve
Ie
Ie
la
Ve
1
2
3
TABLA B. Polarizaci6n con rendimiento de emisor

Transistor
Medido
Calculado
la
Ve
Ie
la
Ie
Ve
2
3
TABLA
Transistor
c. Polarizaci6n
con rendimiento de colector

Medido
Calculado
la
Ie
Ve
la
Ie
Ve
1
2
3
TABLA D. Verificaci6n de defectos

Oefecto
v, calculado
Vemedido
Resistor 220 kQ abierto

Resistor 220 kQ en corto
Resistor 1 kQ abierto
Resistor 1 kQ en corto
Co/ector emisor abierto
Co/ector emisor en corlo
131
132
ELECTR6NICA
EL TRANSISTOR BJT
GENERALIDADES
EI anallsts 0 diserio de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto
para la respuesta en dc como para la respuesta en ac del sistema. Muy a menudo se asume
que un transistor es un dispositivo rnaqico que puede elevar el nivel de una serial de entrada
de ac, sin la asistencia de una fuente extema de energfa. En realidad el nivel de potencia de
salida de ac mejorado es el resultado de una transferencia de energfa desde las fuentes e dc
aplicadas.
Por tanto, el anansls 0 diserio de cualquier amplificador etectronico tiene dos
componentes: la porcion de dc y la porcion de ac. Porfortuna, el teorema de la superposicion
puede aplicarse y la mvestiqacron de las condiciones de dc puede separarse por completo de
la respuesta de ac. Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante el estado de diselio 0
sfntesis, la eteccion de los parametres para los niveles requeridos de dc atectaran la
respuesta en ac y viceversa.
EI nivel de dc de un transistor en operacion es controlado por diversos factores,
incluyendo el rango de puntos de operacion posibles sobre las caracterfsticas del dispositivo.
EI rango para el amplificador a BJT. Una vez definidos los niveles de voltaje y de corriente de
dc se debe construir una red que establecera el punto de operacion deseado. Cad a diselio
tamoien determinara la estabilidad del sistema, es decir, que tan sensible es el sistema a las
variaciones de temperatura.
Aunque en este capftulo se analiza cierta cantidad de redes, existe una similitud
fundamental entre el analists de cada contiquraclon debido al uso recurrente de las siguientes
relaciones basicas, que son importantes para un transistor.
Una vez que estan analizadas las primeras redes, la solucion de las siguientes se tornara
mas clara. En la mayorfa de los casos, la corriente Is base es la primera cantidad que debe
determinarse.
Las ecuaciones
para Is son tan familiares
para una cantidad
de
configuraciones que una ecuacion puede derivarse de otra solo con eliminar 0 ariadir uno 0
dos terminos.
PUNTO DE OPERACION
EI termino polarizaci6n comprende todo 10 relacionado para la aoncacton de voltajes de dc,
que ayudan a establecer un nivel fijo de corriente y voltaje.
Para los amplificadores
a
transistores el voltaje y corriente de dc resultantes establecen un punta de operaci6n sobre
las caracterfsticas que definen una region que se utilizara para la ampiificacion de la serial
aplicada.
Debido a que el punto de operaci6n es un punto fijo sobre las caracteristicas,
132
133
ELECTRONICA
tambien se Ie llama punta de reposo (abreviado

punto Q, por la sigla en ingles de
quiescent point). La figura muestra una caracterlstica general de salida de un dispositivo
con cuatro puntos de operacion indicados.
EI circuito de potarizacion puede disenarse para
establecer
la operacion del dispositivo en cualquiera de estos puntos 0 de otros dentro de la regi6n
activa. Los valores maxim os estan indicados en las caracteristicas de la tigura 8 mediante
una linea horizontal para la corriente del maxima colector Icmax, Y una linea vertical cuando
sea el voltaje maximo el colector -emisor VCE max. La restnccion de maxima potencia se define
por la curva Pc max en la misma tigura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra la
regi6n de corte, detinida por
18
~O!lA, Y la
regi6n de saturaci6n, detinida por
VCE ~ VCE
max
EI dispositivo BJT puede estar en polanzacion para operar fuera de estos Iimites
rnaximos , pero el resultado de tal operaclon podrla ser un recorte considerable de la vida del
dispositivo, 0 bien la destruccion del dispositivo.
Cuando se contina la region activa puede
seleccionarse muchas areas 0 puntos de operacion diferentes.
EI punto Q que se elige a
menu do depende del empleo del circuito.
De cualquier manera, se pueden considerar
algunas diferencias entre los diversos punto mostrados en la tigura 1 para presentar algunas
ideas basicas acerca del punto de operacion y, por tanto, del circuito e potarizacion.
IC (mA)
40
....
Saturaci6n
''-
....
....
"<;
'-
JJA
'........ 30
0----_
JJA
...._
20 ~-
------------------~~~~--: -I
I
I
AI
10
I
I
dB = 10 ~
VCEmin
Figura 1. Varios puntos de operacion
10
15
Corte
dentro de los limites de operacion
de un transistor.
Si no se utilizara la polarizacion, el dispositivo estaria al principio completamente

apagado, dando por resultado un punto Q en A, es decir, cero corriente a traves del dispositivo
(y cero voltaje a traves de el). Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma
que pueda responder al rango completo de Ia senal de entrada, el punto A no seria
precisamente el adecuado.
Para el punto S, si la senal se aplica al circuito, el dispositivo
tendra una variacion en corriente y voltaje desde el punto de operacion, permitiendo al
dispositivo reaccionar (y posiblemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como
133
ELECTRONICA
134
negativas de la serial de entrada. Si la serial de entrada se elige correctamente, el voltaje y la

corriente del dispositivo tendran variacion, pera no la suficiente como para lIevar al dispositivo
hacia el corte 0 a la saturaci6n. EI punto C permitiria cierta vartacion positiva y negativa de la
serial de salida, pera el valor pico a pico estaria limitado por la praximidad de V CE = Olle= 0
rnA La operacion en el punto C tarnoien acarrea inquietud acerca de las no linealidades
presentadas por el hecho de que hay un cambio rapido en las curvas de Is en esta region. En
general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es muy constante (0 lineal)
para asegurar que la arnpliticacion a traves de la excursion completa de la serial de entrada
es la misma. EI punto B es una regi6n de espaciamiento mas lineal y, por tanto, de operaci6n
mas lineal. EI punto 0 establece el sitio de operacion del dispositivo cerca del nivel de voltaje
y potencia maxima. la excursi6n del voltaje de salida en la direcci6n positiva se encuentra
entonces limitada para no exceder el voltaje maximo.
Por tanto, el punto B parece ser el
mejor punto de operacion en terminos de ganancia lineal y la excursion mas grande posible
de voltaje y coriente. Esta es por 10 generalla condicion deseada para los amplificadores de
pequeria serial, pero no necesariamente es el caso para los amplificadores de potencia. En
este analisis, nos concentramos
basicarnente en la polarizacion del transistor para la
operacion de ampllticacion en oeauene sene:
Existe otro factor para la polarizaci6n
muy importante que todavia podemos
considerar.
Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operacion,
tarnoien debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura.
Este factor ocasiona que
cambien los parametres, como la ganancia en corriente del transistor (Pac) y la corriente de
fuga del transistor (lCEO).
Las mayores temperaturas dan como resultado las mayores
corrientes de fuga en el dispositivo, causando un cambio en la condicion de operacion
establecida por la red de polarizacion.
EI resultado es que el diserio de la red debe ofrecer
tarnbien un grado de estabilidad en temperatura, de tal forma que dichos cambios ocasionen
la menor cantidad de modificaciones en el punto de operacion.
La estabilidad del punto de
operacion puede especificarse mediante un factor de estabi/idad S, el cual indica el grado de
cambio en el punto de operaci6n debido a una variacion en la temperatura.
Es mejor un
circuito de gran estabilidad; comparada con la estabilidad de varios circuitos polarizados.
Para que el BJT esta polarizado
siguientes puntos deben resultar exactos:
en su region
lineal 0 de operacion
activa,
los
1. La union base-emisordebe
tener una polanzacion directa (voltaje de la regi6n p mas
positivo) con un voltaje de polarizacion directa resultante de apraximadamente 0,6 a 0,7 v_
2. La uni6n base-colector debe tener una polarizacion inversa (voltaje de la region n mas
positivo) con un voltaje de polartzacion inversa resultante de cualquier valor dentra de los
limites rnaxirnos del dispositive.
Observese que para la polarizaci6n directa el voltaje a traves de la union p-n es p-positiva,
mientras que para la polanzacion inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. Este entasis
sobre la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de
voltaje.
La operacion en las regiones de corte, saturacion y lineal de las caracteristicas
se ofrecen de la siguiente manera:
del BJT
134
135
1. Operaci6n en la regi6n lineal:

Uni6n base-emisor con polaridad directa
Uni6n base-colectar con polarizaci6n inversa
2. Operaci6n en la regi6n de corte:

Uni6n base-emisor con polarizaci6n inversa
3. Operaci6n enla regi6n de saturaci6n:

Uni6n base-emisor con polarizaci6n directa
Uni6n base-col ector con polarizaci6n directa
CIRCUITO
DE POLARIZACION
FIJA
EI circuito de polarizaci6n fija de la figura 2 ofrece una introduccion relativamente directa y

simple al anal isis de la polarizaci6n en dc de transistores. Aunque la red utilice un transistor
npn, con el s610 hecho de cambiar todas las direcciones de corriente y los voltajes de
polarizaci6n. Las direcciones de corriente de la figura 2 son las reales, y los voltajes estan
definidos por la notaeion estandard de doble subindice. Para el analisis en de, la red debe
aislarse de los niveles de ac. reemplazando los capacitores por un equivalente del circuito
abierto. Mas adelante, la fuente Vcc de de puede separarse en dos fuentes (para prop6sitos
de analisis solamente), como se muestra en la figura 3 para permitir una separaci6n de los
circuitos de entrada y de salida. Tambien reduce la union de las dos corrientes que fluyen
hacia la base lB. Como se observa, la separaci6n es valida, como 10muestra la figura 3,
donde Vcc esta conectada directamente a RBy Rc' justo como en la figura
2.
Vee
Vee
Re
Re
Serial de
entrada
en ac
0
)
C1
L
B+
!/c
Serial de
salida
C2
VeE
VeE - E
Figura 2. Circuito de polarizaci6n fija
Rc
en ae
(
C
Vee
Re
!,c
C
+
VCE
B +
VeE
Figura 3. Equivalente de dc de la figura 2
135
136
Polarizaci6n directa base- emisor

Considere primero la malta del circuito baseemisor de la figura 4. Cuando escriba la ecuaci6n
de voltaje de Kirchhoff en la direcci6n de las
manecillas del reloi, se obtendra.
N6tese la polaridad de la caida de voltaje a travss

de Ra establecida por la direcci6n indicada de la.
Cuando se resuelve la ecuaci6n para la corriente
Iada por resultado 10 siguiente:
I" = Vcc~. V
BE
Es verdad que la ecuaci6n 4 no es dificil de

recordar si se toma en cuenta que la cornente de
base es la cornente a traves de Ra. Y de acuerdo
con la ley de Ohm dicha cornente es el voltaje a
traves de Ra dividido entre la resistencia Ra. EI
voltaje a traves de Ra es el voltaje Vee aplicado en
un extremo menos la calda a traves de la union
base-emisor (VaE). Debido a que el voltaje Vee Y
el voltaje base-emisor son constantes Ra. fija el
nivel de la cornente de base para el punto de
operaci6n.
Figura 4. Malia base-emisor
~l/c
+\
_)
vec
VCE
---
Malia colector-emisor
Figura 5. Malia colector-emisor
La secci6n col ector emisor de la red aparece en

la figura 5 con la direcci6n de la corriente Ie
indicada y la polaridad resultante a traves de Re.
La magnitud de la corriente del col ector esta
directamente relacionada a la mediante:
Es interesante observar que debido a que la

cornente de base esta control ada por el nivel de
Ra Yque lc esta relacionada ala por la constante
~. la magnitud de lc no es una funci6n de la
resistencia Re. EI cambio de Re hacia cualquier
nivel no atectara el nivel de la 0 de lc mientras se
permanezca en la regi6n activa del dispositive.
1
Figura 6. Medici6n de VeE Y Vc
136
137
Sin embargo, como se vera mas adelante, el nivel de Re determinara

cual es un parametro importante.
la magnitud de VeE' el
La apllcaclon de la ley de Kirchhoff en la direccion del senti do de las manecillas

reloj alrededor de la mall a cerrada indicada en la figura 5 dara por resultado 10 siguiente:
del
VeE + Ie Re - Vee = 0
VeE = Vee -Ie Re
la cual establece que el voltaje a traves de la region colector -emisor de un transistor en la

confiquracion de potartzacion fija es el voltaje de atimentacion menos la calda a traves de Re.
Como un breve repaso de la notacion de sublndice sencillo y doble, recuerde que:
donde VeE es el voltaje col ector -emisor y Ve Y VE son los voltajes del colector y del emisor a
tierra, respectivamente. Pero en este caso, debido a que VE OV, se tiene que:
Adernas, ya que
y que
VE = 0 V, entonces
Tenga presente que los niveles de voltaje como VCE son determinados mediante la colocacion
de la punta de prueba roja (positiva) del voltimetro en la terminal del colector y la punta de
prueba negra (negativa), a la terminal del emisor segun se muestra en ta figura 6. Ve es el
voltaje del colector a la tierra y se mide sequn la misma figura. En este caso las dos lecturas
son identicas, pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Comprender
la diferencia entre ambas medidas puede ser muy importantes para la locenzaoon de fallas
en las redes de transistores.
Ejemplo
Determinar
a)
b)
c)
d)
10 siguiente para la confiquracton de polarizacion fija de la figura 7.
IB e leo
VCEo
VB Y Ve
VBe
137
138
Vee=+12V
Re
,2 k.O C
RB
240 ill
Entrada
en ac
u_
C1
0
+\
10 IlF
Salida
en ac
fJ= 50
B+
10 IlF
VCE
V
BE
Figura 7. Cireuito de de polarizacion fija para el ejemplo

Soluci6n:
I = Vee - VBE = 12V - 0,7V = 47 08 .. A
a)
Ra
240kQ
,~
la = P lao = (50}(47,08 J.tA) = 2,35 rnA

b)
= 12V - (2,35 mA)(2,2 kQ)
= 6,83 V
e)
Va
= VaE = 0,7
Ve
= VCE=
6,83 V
d) La utilizacion de la notaclon del suolndice doble da por resultado

Vac = Va - Vc = 0,7 V - 6,83 V
=-6,13V
y el signo negativo revela que la union tiene polarizaclon inversa, como debe ser para la
amplltlcacion lineal.
138
139
saturaclon del transistor

EI termino saturaci6n se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado sus
Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de
liquido. Para un transistor que opera en la region de saturacion, la corriente es un valor
maximo para el diseno en particular. EI cambio en el diseno puede ocasionar que el nivel e
saturacion correspondiente pueda lIegar a incrementarse 0 descender. Desde luego, el nivel
mas alto de saturacion esta definido por la corriente maxima del colector, y se proporciona en
la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturacion se evitan normalmente porque la union base-col ector
ya no se encuentra con polarizacion inversa y la serial de salida amplificada se distorsionara.
Un punto de operacion en la region de saturaclon se describe en la figura 8a. Notese que se
trata de un region donde las curvas caracteristicas se juntan y el voltaje colector -emisor se
encuentra en 0 por debajo de VCE max. Ademas, la corriente del colector es relativamente alta
en las caracteristicas.
Si se aproximan las curvas de la figura 8a, a las que aparecen en la figura 8b,el rnetodo
directo para determinar el nivel de saturacion se toma aparente. En la figura 8a la corriente
es mas 0 menos alta y el voltaje VCE se asume de 0 volts. AI aplicar la ley de Ohm,
puede calcularse la resistencia entre los terminales del colector y las del emisor de la
siguiente
manera:
rnaxirnos valores.
VCE
RcE=Ic
OV
=-=OQ
ICmax
~
IC max
~
punto Q
punto Q
o
(a)
(b)
Figura 8. Region de saturacion a) real b) aproximada.
La aplicacion de los resultados al esquema de la red resultaria en la conflguracion de la

figura 9.
139
140
ELECTR6NICA
Figura 9. Determinaci6n de
RCE= 0
'Cmax
(VCE
= 0 V . Ic = ICmtJx)
Portanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la corriente

maxima del colector (nivel de saturaci6n) para un disefio en particular, s610 se inserta un
equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la
corriente
resultante del colector. En resumen, s610 haga VCE =
Para la configuraci6n de
polarizaci6n fija de la figura 10 el corto circuito se aplic6, causando que el voltaje a traves de
Rc se convierta en el voltaje aplicado Vcc- La corriente de saturaci6n resultante para la
configuraci6n de polarizaci6n fija es:
ov.
Figura10. Determinaci6n de 'CmlJx para

la configuraci6n de polarizaci6n
Una vez que 'Cm8x se conoce puede tenerse idea de la corriente maxima posible del colector
para el disefio escogido, y el nivel bajo, el cual debe permanecer si se espera una
amplificaci6n lineal.
Ejemplo
7.
Determine el nivel de saturaci6n para la red de la figura

Soluci6n:
'8 =
Vcc
Rc
12 V
2,2 kQ
= 5' 45 ~
140
ELECTR6NICA
141
ELECTRONICA
Analisis de recta de carga

EI anal isis hasta el momenta se hizo utilizando el nivel de ~ correspondiente con el punto Q
resultante. Ahora, se investlqara la forma en que los parametres de la red definen el rango
posible de puntos Q Y la manera en que se determina el punto Q real. La red de la figura 11a
establece una ecuaci6n de salida que relaciona las variables de lc Y VCE de la siguiente
manera:
Las caracteristicas de salida del transistor tambien relacionan las dos variables como se
IcY VCE muestraenlafigura 11b.
En esencia, se tiene una ecuaci6n de redes y un conjunto de caracteristicas que
utilizan las mismas variables. La soluci6n comun de las dos sucede donde se satisfacen las
restricciones establecidas por cada una de manera sirmntanea. Eso es similar a encontrar la
soluci6n para dos ecuaciones simultaneas: una establecida por la red y la otra por las
caracteristicas del dispositive.
Las caracteristicas del dispositive de lc en funci6n de VCE se ofrecen en la figura 11b.
Ahora, se debe superponer la linea recta definida por la ecuaci6n 12 sobre las caracteristicas.
EI rnetodo mas directo para graficar la ecuaci6n 12 sobre las caracteristicas de salida es
mediante el hecho de que una linea recta se encuentra definida por dos puntos. Si se e/ige
que 'c sea 0 mA, entonces se especifica el eje horizontal como la linea sobre la cual esta
localizado un punto. AI sustituir Ic = OmAen la ecuaci6n 12 se encuentra
que:
VCE = Vcc - (O)Rc
VCE
= Vcc
-Ic Rc
definiendo un punto para la linea recta de acuerdo con la figura 12.
Vec
llc
50~
40~
+
Ra
Ie (mA)
8e-
Re
.r-
30~
5 '-
VeE
la
V
f-
20~
3
10~
2,_
la=10 ~
1 ~
0
(a)
10
15
(b)
Figura 11. Analisis de la recta de carga: a) la red b) las caracteristicas el dispositive.
141
ELECTRONICA
142
Figura 12. Recta de carga para

polanzacion fija
_
Recta de carga
o
Ahora, sl se e/ige que VeE sea OV, 10 que establece al eje vertical como ia linea sobre ia cuai
estara definido el segundo punto, se tiene que 'cesta determinado por la siguiente ecuacion:
e
Segun aparece en la figura 12.
AI unir los dos puntos definidos por las ecuaciones 13 y 14, se puede dibujarla linea recta. Ala
linea resultante sobre la grafica de la figura 12, se Ie llama recta de carga debido a que es definido por
el resistor de carga Re. Mediante Ia solucion para el nivel resultante de 18 puede establecerse el punto
Q real que se muestra en la figura 12.
Si el nivel de 18 cambia al variarel valor de RBI el punto Q se desplaza hacia arriba 0 hacia abajo
sobre la recta de carga como se indica en la figura 13. Si Veese conserva fijo y se cambia Re, la recta
de carga se movera e acuerdo con la figura 14. Si IB se mantiene fijo, punto Q se desplaza como se
indica en la misma figura. Si Re se mantiene fijo y Vee varia, la recta de carga se mueve igual que en
la figura 15.
Vee
R3 ~.,_--~~~t----
Figura13. Movimiento de punto Q con

niveles crecientes de Ie
IBo
Figura14. Efecto de los niveles crecientes

de Resobre la recta de carga y el punto Q.
142
143
Ic
V
CCf
Rc
V
CC2
Rc
VCC
3
Rc
Figura15.
Ejemplo
Efecto de valores pequelios
de Vee sobre la recta de carga y el punto Q.
Dada Ja recta de Ja carga de Ja figura 16 y eJ punto Q definido, caJcuJe los

val ores requeridos de Vee,
Y RB para la configuraci6n de polarizaci6n fija.
e;
Soluci6n: A partir de la figura 16

VeE = Vee -=20V
12
Ie
10
40~
lc = 0 rnA
Vee
Re
Re = Vee =
Ie
8
6
20V = 2 kQ
10mA
--~~---------30~
------~~------20~
--------------~~----10~
Ic=O~
5
10
15
20
Figura 16.
143
144
CIRCUITO
DE POLARIZACION
ESTABILIZADO EN EMISOR
Vee
La red de polarizacion de dc de la figura 17,

contiene un emisor en el resistor para
mejorar el nivel de estabilidad respecto al de
la connquracion de potanzacion fija. La mejor
estabilidad se dernostrara a traves de un
ejemplo
n um e ri c o que veremos
posteriormente en esta seccion. EI analisis
se uevara a cabo cuan do examine en primer
lugar la malla base-emlsor; y posteriormente
utilizando los resultados para investigar la
mall a colector-emisor.
l'c
RB
Vj 0-0---;
Rc
E---o
VO
C2
C1
Figura17. Circuitos de polarizaci6n

BJT con resistor de emisor.
Malia emisor-base
La malla emisor -base de la red de la figura 17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica
en la figura 18. La ley de voltaje de Kirchhoff al rededor de la malta indicada en el senti do de
las manecillas del reloj dara por resultado la siguiente ecuacion:
Sustituyendo por IE en la ecuacion resultara:
La aqrupacion de los terminos ofrecera 10 siguiente:
Multiplicando por (-1) se tiene:

la (Ra +
(P
+ 1)RE)
+ Vce + VaE=
con
y resolviendo para Ia da
Notese que la (mica diferencia entre esas ecuaciones para la Y la que se obtuvo para la
connouracon de polartzacion fija es el termmo (P + 1)RE
144
145
ELECTR6NICA
+
RB
B
Vee
Vee
Figura19.
Figura18. Malia base - emisor
'8
La figura 19; la solucion para la cornente

dara por
resultado la misma ecuacion obtenida. Observese que
adernas del voltaje de la base al emisor V8E, el resistor RE
se ref/eja de regreso al circuito de entrada de la base por
un factor(B+ 1). En otras palabras, el resistordel emisor,
que forma parte de la malla colector-emisor, "aparece
como"
W + 1) RE en la malla de la base al emisor, debido a que ~
es normal mente 50 0 mas, el resistor del emisor aparenta
ser mucho mayor en el circuito de la base. Por tanto, para
la contlquracion de la figura 20 puede ser de utilidad en el
Figura 20. Nivel reflejado de

impedancia de RE
analisis que sequira a connnuacion. Ofrece un forma
relativamente sencilla para recordar la ecuaeion.
Utilizando la ley de Ohm, se sabe que la corriente a traves de un sistema es el voltaje
dividido entre la resistencia del circuito.
Para el circuito de la base al emisor, el voltaje neto es Vee - VBE. Los niveles de resistencia
son RB mas RE reflejado por (~+ 1).
Malia colector - emisor
La malla colector -emisor se encuentra dibujada de nuevo en la figura 21. La ley de Kirchhoff
para la malla indicada en la direccion de las manecillas del reloj dara por resultado:
Sustituyendo
VCE
'E =
=
Ie Yagrupando terminos da
Vcc - IC (Rc + RE)
=0
145
ELECTR6NICA
146
ELECTRONICA
y
+
l/c
EI voltaje de un unico subi ndice VE es el voltaje

del emisor a la tierra y se determina por
VE = IE RE
VCE
mientras que el voltaje del colector a la tierra

puede determinarse
Ve = VeE + VE
I Ve=
Vee -leRe
Vcc
VeE = Ve - VE
()+
lIE
I
I
Figura 21. Malia colector -emisor
EI voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a partir de
I Va = Vee - la Ra I
I VB = VBE VE I
+
Ejemplo
Para la red de polarizaci6n en emisor de la figura 22 calcule:

a) IB
+20V
b) Ie
c) VeE
d) Ve
e) VE
f)
2k.Q
Va
430 k.Q
g) Vae
10 flF
.--i(
OVo
10 flF
Vi 0
)1----+-----1
Figura 22. Circuito de polarizaci6n con

estabilizaci6n en el emisor
Soluci6n
a)
I B-
Vee - VBE
Rs + (P + 1)RE
20V -O,7V
-43-0-,Q-k-+-(-5)'--1(1-k,Q-)
= 19,3 V = 40 1 ~F
481 k,Q
146
147
b)
Ie =fila
e)
:: (50) (40, 1 ~)
=15,98 V - 13,97 V
= 2,01 rnA
c)
VE = Ve - VeE
= 2,01 V
VeE = Vee -/e(Re + RE)
f)
Va = VaE + VE
=20V - ( 2,01 rnA) (2 kQ + 1 kQ)
=0,7 V + 2,01 V
= 20V -6,03 V
= 2,71 V
= 13,97 V
d)
v,
= Vee -/c(Re
g)
=20V - ( 2,01 rnA) (2 kQ) = 20V - 4,02 V
Vae = Va -
v,
=2,71 V - 15,98 V
= 15,98 V
= - 13,27 V (con polarizaci6n

mversa como se
requiere)
Nivel de saturaci6n
EI nivel de saturaci6n del colector 0 la corriente
maxima del colector para un diseno de polarizaci6n
en emisor puede determinarse
si se utiliza el mismo
rnetodo
aplicado
para
la configuraci6n
de
polarizaci6n fija: se aplica un cortocircuito entre las
terminales del col ector- emisor como se muestra en
la figura 23, y luego se calcula la corriente del
colector resultante para la figura 23.
esat -
Vee
R +R
e
La adici6n del resistor de emisor reduce el nivel de

saturaci6n del col ector, abajo del que obtuvo con una
configuraci6n de polarizaci6n fija utilizando el mismo
resistor el col ector.
Ejemplo
Figura 23. Determinaci6n de lc sat

para el circuito de polarizaci6n con
estabilidad en emisor.
Determine la corriente de saturaci6n para la red del ejemplo de la figura 22.
Soluci6n:
Csat -
Vec
R +R
e
':"'2
20 V
-:-kQ~+"';"1"":'"k~.Q
20 V
3 kQ
= 6,67 rnA
que es mas
menos el doble del nivel de leQ para el ejemplo
147
148
La ecuacion de la malla colector -emisor que define la recta de carga es la siguiente:
La secclon de IC = 0 rnA da
Sequn se obtiene para la conflquraclon de potanzacron fija. La eleccion de VCE 0 V da
Como se muestra en la figura 24. Los diferentes niveles de 'BQ desptazaran, desde luego, el
punto Q hacia arriba 0 hacia abajo de la recta de carga.
POLARIZACION
POR DIVISION DE VOLTAJE
En las configuraciones de polanzacion previas ala corriente de potanzaoon ICQ y el

voltaje de VCEQ polanzaclon eran una funcion de la ganancia n corriente (P) del transistor.
Sin embargo, debido a que p es sensible a la temperatura, especial mente para los
transistores de silicio y de que el valor real de veta por 10 general, no esta bien definido, 10
mejor seria desarrollar un circuito que fuera menos dependiente 0, de hecho, independiente
de la beta del transistor.
La red a la que nos referimos es confiquracion de polarizacion por division de voltaje
de la figura 25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cam bios en beta,
resulta ser muy pequelia. Si los parametres del circuito se eligen adecuadamente, los
niveles resultantes de ICQ y de VCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta.
Recuerde que en analisls anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de 'cQ y de
VCEQ' como se muestra en la figura 26.
EI nivel de ISQ carnbiara con el cambio en beta, pero el punto de operacion definido
sobre las caracteri sticas per I<o y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los pararnetros
adecuados del circuito.
148
149
ELECTR6NICA
Vee
V e e
0---71--+ - ~ -----I
C1
o
Figura 26. Definicion del punto Q para la
confiquracion de polarizacion por divisor
de volyaje.
Figura 25. Confiquracion de polarizacion por

division de polarizacion por divisor de vltaje
Como antes se observe, existen dos rnetodos que pueden aplicarse para analizar la
connquracion del divisor del voltaje.
EI motivo principal
para elegir los
nombres en esta contiquracion sera mas
obvio en el analisis que sigue. EI primero
que vamos a demostrar es el metooo
exacto que puede aplicarse en cualquier
configuraci6n de divisor de voltaje. AI
segundo se Ie llama metodo aproximado
y puede introducirse
solo si son
satisfechas las condiciones especificas.
~, , ----------------------,
Analisis exacto
'- --
Ellado de entrada de la red de la figura

25, puede volver a dibujarse sequn
se muestra en la figura 27 para el ansusts
en dc. La red equivalente Thevenin a
la izquierda de la terminal de la base
puede encontrarse
de la siguiente
manera:
---
--
- -----
THEVENIN
Figura 27. Redibujo de la malla de entrada de

la red de la figura 25
La fuente de voltaje se reemplaza por un cortocircuito equivalente como se indica en la

figura28.
RTh :
Figura 28. Determinacion de
ETh
149
ELECTR6NICA
150
RTh: La fuente de voltaje Vee regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thevenln de ta
figura 29 se calcula de la siguiente manera:
La aplicacion de la regia del divisor de voltaje:
+
Th
= BR2 = R+R
R2 Vee
1
Figura 29. Determinacion de
ETh
Despues se vuelve a dibujar la red thevenm como se muestra en la figura 30 e ISQ puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dlreccion de las manecillas del
reloj para la malla que se indica:
Sustituyendo
'E = (~ +
1)/s Y resolviendo para Is
Aunque la ecuacion 30 aparece al principio diferente de las que se desarrollaros antes,

observese que el numerador es, una vez mas, una diferencia de dos niveles de voltaje y que
el denominador es la resistencia de la base mas el resistor de emisor reflejado por (~ + 1).
Una vez que Is se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de
la misma manera como fueron desarrolladas para la configuracion de potanzacion en emisor.
Estoes.
B
+
Figura 30. lnsercion del circuito equivalente de Thevenin
150
151
EJercicio
Determine el voltaje de
potanzaclon de de VeE Y ta corriente Ie para la siguiente
confiquracton de divisor de voltaje de la figura 31.

+22 V
39 kQ
10 !iF
Vi 0-0
---I) 1----+-----+-1
VeE
p=
140
3,9 kQ
Soluci6n:
Figura 31.
= (39 kQ) (3,9 k.Q) = 3 55 kQ

39 kQ + 3,9 k.Q
'
R1 Vee
ETh= R 1 + R 2
= (39 kQ) (22 k.Q) = 2 V

39 kQ + 3,9 k.Q
18-
ETh- VBE
RTh + (~ + 1)RE
2V-0,7V
3,55 kQ + (141)(1,5 kQ)
1,3V
3,55 kQ + 211,5 kQ
= 6,05~
'8 = P 18
= (140)(6,05~)
= 0,85 mA
VeE
= Vee -le(Re
+ RE)
= 22V - (0,85 mA)(10 kQ + 1,5 kQ)
= 22V - 9,78 V
= 12,22 V
MECANICA DE PRODUCCl6N
151
152
ELECTRONICA
ARMAR CIRCUITOS DE PULSO
152
153
ELECTRONICA
+15V
470nF
+15V
+:~
~ :- 1kll
LED
+15V
r/
~ R,
r-
10 k.Q
,..
5- RS
+15V
V
10nF
I
-,:-
100nF
--
--
4
SALIDA
555
~~
0.001 IlF
-==-
ENTRADA DE
DISPARO
-==-
-----
ORDEN DE EJECUCION
01
Armar y verificar el funcionamiento de

un BJT en corte y saturacion.
02
03
04
Armar Multivibrador Monoestabie con

e1555.
Armar Multivibrador Astable con el555
Detectar y reparar fallas en circuitos de
Pulso.
01
C A NT.
PERU
1500
--' f-- -----..
SENm1
~_150n
2
0_1 ~F
.,., . .
>:r
~7
01
PZA
0
SAL
U1
555
-...=-
100 R
RA~
Resist:
ioso,
(02),47 kn, 33 kfl, 10 kn (02), 22 kn (02),33

kfl (02),47 kn (02),68 kfl (02), 100 kn (02),
7.5kn,100kn.
Condensadores:
10 nF/30V (02), 4.7
nF/30V, 0.001 IlF, 0.01 IlF, 0.47 IlF (02), 0.1
1lF.
Diodos:01 LED,1N4007,
Transistores: 2N3904 (03) 6 BC 548
C1555.
Multimetro
Fuente de alimentaci6n
Osciloscopio.
DENOMINACION
ARMAR CIRCUITOS DE PULSO
1 kfl (02), 6.8 kfl (04),8.2 kfl
MATERIAL
H.T.
06
OBSERVACIONES
REF
TIEMPO
HOJA 111
ESCALA:
2004
153
ELECTRONICA
154
ELECTR6NICA
OPERACION
Armar y verificar el funcionamiento
de un BJT en corte y saturaci6n
EI modo mas simple de usar un transistor es hacerlo funcionar como un interruptor;

esto significa que el opera en las regiones de saturaci6n y de corte, pero sin salir de la recta de
carga. Cuando esta saturado un transistor actua como un contacto cerrado entre los
terminales del emisor y colector; cuando esta cortado funciona como un contacto abierto,
debido a la gran rango de variaci6n de Bee, una saturaci6n fuerte es usada en circuitos con
transistores usados como interruptores.
Esto significa hacer circular en la base una corriente
suficiente para garantizar la saturaci6n del transistor sabre todas las condiciones
de
operaci6n.
Para transistores de pequeria serial, una saturaci6n fuerte requiere corriente de
base de aproximadamente
un decimo de corriente de saturaci6n de colector.
Otra forma basica de usar un transistor es como una fuente de corriente. En este caso
el resistor de base es omitido y una fuente de tensi6n es conectada directamente el terminal
de base. Para ajustar la corriente del col ector deseada usamos un resistor en el emisor. EI
emisor esta amarrado a la base con una calda de tensi6n de V BE . Por 10tanto, la corriente del
colector es igual a (Vee - V BE) dividido por RE. Esta corriente fija del col ector circula entonces
por la carga, la cual es conectada entre el colector y la fuente de alimentaci6n.
1. Calcule en la figura 1 I B' Ie e VeE. Anote sus respuestas en la tabla 1.

+15 V
1 k.O
LED
100 R
Figura
2. Monte el circuito corte 0 saturaci6n

propuestos en la tabla 1.
con transistor de la figura 1. Mida y anote los val ores
3. Repita los pasos 1y 2 con los otros transistores.
EI transistor como fuente de corriente

4. Calcule los valores propuestos de la figura 2 y anote en la tabla 2.
154
155
+10V
Figura 2.
5. Monte la fuente de corriente a un transistor, figura 2. Encuentre y anote los valores propuestos
en la tabla 2.
6. Repita los pasos 4 Y 5 usando los otros transistores.
Verificaci6n de Defectos
7. La figura 1, suponga que la resistencia de base este abierta.
tensi6n en el colector.
Calcule y anote en la tabla 3 la
8. Repita el paso 7 para cada defecto propuesto en la tabla 3.

9. Monte el circuito de la figura 1 simulando cada uno de los defectos propuestos en la tabla 3.
Calcule y anote los valores en la tabla 3.
10. En la figura 2, suponga que el resistor del emisor esta abierto.
tensi6n propuestos en la tabla 4.
Calcule y anote los valores de
11. Repita el paso 10 para cada defecto propuesto en la tabla 4.

12. Monte el circuito de la figura 2 simulando cada uno de los defectos propuestos en la tabla 4.
Calcule y anote todos los valores en la tabla 4.
Proyecto
13. Determine el valor de la resistencia del col ector (valor comercial) en la figura 1, para que la
corriente en el colector se aproximada a 0 mA. Catcule y anote los val ores propuestos en la
tabla 5.
14. Monte eI circuito de la figura 1 con el valor de la resistencia que proyect6.
valores propuestos en la tabla 5.
Mida y anote los
15. Determine eI valor de la resistencia del emisor (valor comercial) en la figura 2 para obtener una
corriente del colector pr6xima a 20 mA. Calcule y anote los valores propuestos en la tabla 5.
16. Monte el circuito de la figura 2 con el valor de la resistencia del emisor que proyect6.
anote todos los valores propuestos en la tabla 5.
Mida y
155
156
ELECTRONICA
Tabla 1. Transistor como interruptor

Transistor
Medido
Calculado
la
Ie
la
VeE
Ie
VeE
1
2
3
Tabla 2. Transistor como fuente de corriente
Transistor
Calculado
la
Medido
Ie
Ve
la
Ie
Ve
2
3
Tabla 3. Verificaci6n de defectos para transistor como interruptor
Oefecto
Vemedido
Ve calculado
Resistor 10 ia abierto
Resistor 1
a abierto

Co/ector emisor en corto
Tabla 4. Verificaci6n de defectos para transistor como fuente de corriente

Calculado
Oefecto
Ve
Medido
Ve
VeE
VeE

Co/ector emisor en cotto
Tabla 5. Proyecto
Calculado
Transistor
R
VE
Medido
Ie
Va
Ie
/nterruptor
Fuente de corriente
156
157
OPERACION
Armar Multivibrador
monoestable con el555
EI temporizador 555 tarnbien puede usarse como un circuito multivibrador de un disparo 0

monoestable como se ve en la figura. Cuando la serial de disparo pasa a neqativo, activa al
multivibrador de un disparo, con la salida en el terminal 3 yendo de alto por un periodo de
tiempo. Tatto = 1.1 RAG
+15 V
I-------i
.._-----f
555
ENTRADA DE
SALIDA
t-----,r----O
---I
DISPARO
Figura 1
1. Montar el circuito de la figura anterior con RA = 7.5 kn, C = 0.1 ~F e ingresar un pulso de
disparo a nivel bajo, observe en el osciloscopio.
2. Cambiar la resistencia RA como muestra la tabla 1 y completarla.
Tabla 1.
RA
CALCULADO
MEDIDO
7.5 KQ
10 KQ
100 KQ
..
157
158
OPERACION
Armar Multivibrador Astable con e1555.
1. Ca para los valores de frecuencia y el factor de trabajo en la figura 2 para los valores de
resistencia anotados en la tabla 9. Anote sus respuestas.
+15V
470nF
+~
Figura 2.
.L 100nF
10nF
2. Monte el circuito de acuerdo ala FIgura 2 con RA
= 10 kQ Y RB = 100 kQ.
3. Observe la serial de salida con el osciloscopio.
Mida y anote la frecuencia.
4. Mida W. Calcule y anote el factor de trabajo como D medido en la tabla 2.

5. Observe la tension en el capacitor de temponzacion (Pin 6). Debe observar una onda con
subida y descenso exponencial con los Iimites de 5 y 10 V
6. Repita los pasos 2 a 5 para los otros valores de la resistencia de la tabla 9.
Tabla 2. Multivibrador
RA
Calculado
RB
f
10kQ
100 kQ
10 kQ
astable
Medido
D
100kQ
10 kQ
10kQ
158
159
OPERACION
Detectary repararfallas en circuitos de pulso.
+VCC=12V
+15 V
555
C2
10nF/60V
(b)
(a)
Figura 1
1. Para la figura 8a, suponga que la resistencia de base esta abierta , mida y calcule la
tension en el colectory Ilene en la tabla 11a tension de colector.
Tabla 2.
R
V colector Teorico
V col ector medido
RB= 10 kQ
2. Anote en la tabla 1 para los defectos que se presenten en el circuito de la figura 1a.
Tabla 1.
Defecto
V c Calculado
VcMedido
Colector - Emisor
en corto
Colector - Emisor
abierto
159
160
ELECTR6NICA
3. Anote en la tabla 2 para los defectos que se presentan en la figura

8b.
Tabla 2.
Defecto
SALIDA
v; (frecuencia)
PIN 1 abierto
PIN 4 abierto
PIN 8 abierto
R1 abierto
R2 abierto
R3 abierto
RESPUESTA
DEL TRANSISTORA
UNA ONDA CUADRADA
Cuando el transistor trabaja en la zona lineal, el principio de su funcionamiento es el "control

de corriente", consistente en que pequerias variaciones de la corriente de entrada (lB)
originan variaciones mayores en la corriente de salida (lc). En esta zona la relaci6n entre Ie
e IB es el pararnetro hFE0 ganancia de corriente.
Este trabajo del BJT se aplica en
los amplificadores de serial.
En conmutaci6n el transistor trabaja como si fuese un interruptor donde se posibilita s610dos
altemativas de trabajo; en bloqueo 0 en saturaci6n.
- EI BJT en bloqueo
En estado bloqueado elBJT no conduce corriente. Para que conduzca un BJT de silicio
debe existir una diferencia de potencial de 0,7 Ventre base y colector. En el siguiente grafico
en la base y col ector. En el siguiente grafico en la base hay OV,siendo igual a la tensi6n del
emisor; por 10tanto, el transistor perrnanecera bloqueado, siendo maxima la tensi6n de
salida del circuito.
---------r-------_
1------
....Uo
+Ucc
5V
= 5V
Figura 2.
160
ELECTR6NICA
161
ELECTRONICA
- EI BJT en saturacion
En este estado el transistor conduce la maxima corriente posible del circuito Ie (sat)
siendo UeE muy cerca de OV, con 10 que la tensi6n de alimentaci6n del circuito queda
practicamente todo en la resistencia de colector (Rc), mientras que la tensi6n de salida en el
colector es del orden de 0,1 V. Cuando UBEorigina la saturaci6n del transistor ya no se
mantiene la relaci6n entre Ie Y hFE que para la zona lineal era lB' siendo en este caso superior y
que para asegurar la saturaci6n del transistor la relaci6n por 10 menos debe lIegar al doble
que en la zona lineal.
---------.--------
+Ucc
Uo =
t-------
5V
ov
Figura 3.
Ejemplo:
Se requiere controlar el encendido y apagado de una lampara por medio de un rele y que a la
vez este sea control ado por un circuito electr6nico de conmutaci6n. Teniendo las
caracteristicas de la fuente, el valor de la tension de entrada y las caracteristicas del rele;
seleccionarel transistory RB.
Setiene:
Ucc= 12V
Rele 12V 36 rnA.
1 Se selecciona el transistor:
en stock se tiene SO 135 cuyas
caracteristicas son:
0
2 Se calcula RB
0
Ie = 36mA
Ie max = 2A
18
UeE= 45V
Ptot = 12,5W
hFE
U=4V
I
= _gI
X 2
hFE
18
= 0,96 rnA
UBE
IB
RB = 3,3kQ
= 40 ... 100
RB
- Uj
161
162
ELECTR6NICA
CIRCUITOS INTEGRADOS TEMPORIZADOS

Las aplicaciones como osciladores, generadores e pulso, generadores e rampa u onda
cuadrada, multivibradores
de un disparo, alarmas contra robo y monitores de tension, que
requieren un circuito capaz de producir intervalos de tiempo medido.
EI circuito integrado temporizador
mas popular es el 555, fue introducido primero por
Signetics Corporation.
Similar a los amplificadores operacionales de proposito general, el
555 es confiable, facil de usar en ran variedad de aplicaciones y de bajo costo.
EI 555
tarnbien puede operar con tensiones de alimentacion de +5V a + 18V, por tanto es compatible
tanto con los circuitos TTL como con amplificadores operacionales.
EI Temporizador 555 (Timer)

EI temporizador
555 puede considerarse
como un conjunto funcional que tiene dos
comparadores, dos transistores, tres resistencias iguales, un flip - flop y una etapa de salida
sequn se muestra en la figura:
+Ucc
7 DESCARGA
UMBRAL
CONTROL
6
O---+----i
0---t---i
RESET
3 SALIDA
Figura 1.
EI operacional superiortiene una entrada umbral (patita 6) y una entrada de control (patita 5),
en la mayoria de las aplicaciones no se usa la tension de control, de manera que esta s igual a
213 Ucc (obtenida del divisor resistivo); siempre que la tension de umbra! excede a la de
control, la salida del operacional pondra a uno (nivel de tension alto) al flip flop. EI colectordel
transistor de descarga va al pin (patita 7), cuando dicho pin se conecta a un condensador de
temponzacion extemo, el uno de la salida Q del flip flop es cero, el transistor se abre y el
condensador puede cargarse como se describlo previamente.
La salida de la serial complementaria
del flip flop (q) va a la patita 3, la salida. Cuando
entrada de puesta a cero extemo (pin 4) se pone a tierra, inhibe al dispositivo impidiendo
funcionamiento;
algunas veces es muy util esta caracteristica de prendido - apagado;
embargo, en la mayoria de aplicaciones no se usa la puesta a cero extema y la patita 4
conecta directamente a la fuente de anmentacton (Ucc). Observe el amplificador inferior,
la
su
sin
se
su
162
163
ELECTRONICA
entrada inversora se denomina disparador (pin 2); debido al divisor de tension, la entrada no
inversora tiene una tension fijado a +Ucc /3; cuando la tension de entrada en el disparador es
ligeramente menorque +Ucc/3, la salida del operacional a un nivel alto de tensi6n (entrada r
del flip flop) y pone a cero al flip flop. Finalmente, la patita 0 pin 1 es la tierra el integrado,
mientras que la patita 8 es la de alirnentacion. EI timer 555 funcionara con cualquier tension
de alimentaci6n comprendida entre los 4,5Vy 16V.
Multivibrador Monoestable
La siguiente figura muestra al timer 555 conectado para un funcionamiento en modo
monoestable (descarga (mica).
~~~------------------~
8
+ucc
I
DISPARO
+Ucc
Uo
3
LJ
DISPARO
UMBRAL
o_j
+Ucc
SALIDA
L..
(b)
Figura 2.
Funciona como sigue: la entrada at disparador es ligeramente menor que +Ucc /3, el
operacional inferior se va a un nivel de tension alto y pone a cero el flip flop; esto hace que el
transistor se corte permitiendo cargarse al condensador. Cuando la tensi6n de umbral es
ligeramente mayor que +2Ucc /3, el operacional superior tiene por salida un nivel alto de
tension, 10 cual pone a uno flip flop; tan pronto como la salida Q lIega a uno, el transistor
conduce y el condensador se descarga rapidarnente.
163
ELECTRONICA
164
La figura anterior muestra las formas de onda tipica, la entrada al disparador es un pulso
angosto con un valor de reposo de +Ucc; el pulso debe caer por debajo de las +Ucc 13 para
poner a cero al flip flop y permitirte cargarse al condensado, cuando la tensi6n de umbral
excede ligeramente los +2Ucc 13 el flip flop se pone a uno, esto satura al transistor y descarga
al capacitor como resultado, obtenemos un pulso de salida rectangular.
EI condensador
tiene que cargarse a traves de la resistencia R; a mayor valor de la constante de tiempo;
mayor es el tiempo que toma el condensador para alcanzar los 2Ucc 13; en otras palabras, la
con stante de tiempo Rc control a el ancho de pulso de salida.
Resolviendo la ecuaci6n
exponencial para la tensi6n de condensador, se obtiene la siguiente f6rmula para el ancho del
pulso.
W= 1,1 Rc
Por ejemplo, si R
555es:
= 22 KNQ Y C = 0,068
M F, entonces la salida del temporizador
monoestable
W= 1,1 x 22 x 103 x 0,068 X 10-6 = 1,65 min

Normalmente el diagrama esquernanco no muestra los operacionales, ni al flip flop u otros
componentes internos al temporizador 555, se muestra un diagrama esquematico como el de
la figura 3, para el circuito temporizador 555 funcionando en modo monoestable, s610 se
muestran las patitas 0 pines componentes externos incidental mente.
-0 +U
cc
,.._..,
555
6
_l
-'--
I
-
--
0.01 J-lF
DISPARO
Figura 3.
EI pin 5 (de control) es polarizado a tierra a traves de un pequeno condensador, tipicamente
de 0. 01 ~f, esto proporciona un filtrado para el ruido que se introduce por la tensi6n de control.
Cuando se conecta a tierra el pin 4 inhibe al temporizador 555; para evitar puestas a cero
accidentales ordinariamente se conecta el pin 4 a la fuente de airmentaci6n como se muestra
en la figura anterior.
164
165
Multivibrador Astable
La siguiente figura muestra al timer 555 conectado para este modo de funcionamiento.
(a)
Uo
3
(b)
Figura 4.
Cuando Q esta en un nivel bajo de tension, el transistor se corta y el condensador se carga a

traves de la resistencia total Ra + Rb; debido a esto, la constante de tiempo de cargas es
(Ra + Rb)c; conforme se carga el condensador , la tensi6n umbral aumenta; finalmente la
tension umbral supera a +2Ucc 13,entonces el operacional superior tiene un nivel alto en su
salida y esto pone a uno al flip flop. Con Q puesto a uno, se satura el transistor y pone a tierra
al pin 7, ahora el condensador se descarga a traves de Rb con una constante de tiempo de
descarga de Rbc.
Cuando la tension del condensador cae por debajo ligeramente de +Ucc/3, el operacional
inferiortiene un nivel alto en su salida y esto pone a cero al flip flop.
La figura anterior (b) ilustra las formas de onda; como se observa, el condensador de
ternporizacion tiene un voltaje creciente y decreciente exponencialmente; la salida es una
onda rectangular. como la constante de tiempo de carga es mayor que la de descarga, la
salida no es simetrica, el estado de puesta en uno dura mas tiempo que el de puesta a cero.
165
166
Para especificar cuan asimetrica es la salida, se utiliza el clclo de servicio (duty cycle) definido
como:
0=- x 100%
Como ejemplo, si W= 2 MS YT = 2,5 MS, entonces el cicio de servicio es:

D
= -2-ms
2,5
x 100%
= 80%
Dependiendo de los valores de las resistencias Ra y Rb, el ciclo de servicio se encuentra

entre el 50 y el1 00% ; las ecuaciones e carga y descarga origina las siguientes f6rmulas:
La frecuencia de salida es:
y el cicio de trabajo
1,44
= (Ra + 2Rb)C
servicio es:
o=
Ra + Rb x 100%
Ra + 2Rb
Si Ra es mucho men or que Rb el cicio de servicios se aproxima al 50%_ La figura siguiente

muestra un timer 555 conectado para el funcionamiento astable tal como aparece
general mente.
, ...
1
4
8
3
,...
555
_L_
l_
2
1
-
Figura 5_
La patita 4 (de puesta a cero) esta conectada a la fuente de alimentaci6n y la patita 5 (de
control) se polariza a tierra mediante un condensadorde 0_01!J.f-
166
167
ARMAR CIRCUITOS DE POTENCIA
167
168
DISPARO POR DIVISOR DE TENSI6N

....
~O--
DISPARO POR CONTROL DE FASE
f\
18000
SCR
ECG5496
100
SCR
ECG5496
1b
1a
CIRCUITO DIMMER
DISPARO CON TRIAC
0;1 JlF/600V
6T136
OPTOACOPLADOR
5V
-=-
1
ORDEN DE EJECUCION
01
02
03
04
Armar y verificar circuitos de disparo Resist: 18000, 1500 (02), 3.3 kO, 1 kO ,220
kn, 4.7 kn, 3301<.0
con tiristor
Condensadores:
0.1 j.1F/600V (02),
Armar y verificar circuitos de disparo
0.033f.1F/600V,
Potenci6metros: 2 1<0, 250 kn, 500kO,
con triac
Diac : ECG6408
Armarcircuitos Dimmer
Triac: BT 136
Circuito optocopladores Moe
. ,.. .
01
PZA .
01
C A
DENOMINACION
MOC:3020
Umparas de 24V dc, 220 Vac/40W
MATERIAL
OBSERVACIONES
NT.
ARMAR CIRCUITOS DE POTENCIA
SiENml
PERU
H.T.
07
REF
TIEMPO
HOJA 1/1
ESCALA:
2004
168
169
OPERACION
Armar
y verificar circuitos de disparo con tiristor
18000
R1
1500
R2
SCR
ECG5496
SCR
ECG5496
220VAC
VGT
Figura 1
a
1. Implemente el circuito de la figura 1a.

2. Conecte el terminal CH1 del osciloscopio previamente seccionado en VDC' en paralelo con
la carga RL de la figura 1a.
3. Dibuje 10 que aprecia en el osciloscopio cuando presiona el interruptor.
28V
24V
20V
16V
12V
8V
4V
169
170
ELECTR6NICA
4. Implemente el circuito de la figura 16.

5. Variar el potenctornetro y observar la carga RL.
6. Conecte el osciloscopio en paralelo a la carga RL seleccionado en VAC (V pop).
7. Dibuje el tipo de serial en la carga.
-----+--------------------------~t
170
171
ELECTR6NICA
OPERACION
Armaryverificarel
circuito de disparo con Triac.
1. Verificarcomponentes, equipos y accesorios.
2. Armar circuito y conectar osciloscopio .
O,11lF/600V
BT136
Figura 2.
3. Graficar la onda que aparece en el osciloscopio.
VAC (P_P)
171
172
ELECTR6NICA
OPERACI6N
Armar circuito Dimmer

1. Verificar componentes, equipos y accesorios.
2. Armar circuito y conectar osciloscopio .
tamoara
ECG6408
Figura 3.
3. Graficar la onda que aparece en el osciloscopio.

VAC (P-P)
172
173
OPERACION
Circuitos optocaptadores MOC
.................................................
'
:.
.... A~
1500
MOC3020
l.ampara
5V
2200/40W
-=-
BT136
Figura 4.
1. Implemente el circuito de la figura .
2. Medir con el multimetro selecconado como voltimetro en V AC' en la carga.
3. Colocar el SWen ON y despues en OFF para tomar lectura de la tensi6n en la carga.
173
174
ELECTRONICA
TIRISTORES
lntroducclon
A diferencia de los transistores bipolares y de los FETS, que operar como
amplificadores lineales 0 como interruptores. Los tiristores solo pueden trabajar como
interruptores.
Estos son dispositivos semiconductores de cuatro capas que mediente
retroalimentacion intema produce un enclavamiento 0 enganche. Sus principales
aplicaciones son de controlar grandes corrientes de carga en motores, calefactores,
sistemas de iluminacion, etc. y asl mismo como elementos auxiliares de disparo de otros
tiristores.
Clasificacion
Existen diferentes tipos de tiristores como se indica a contmuacton:
TIRISTOR 01000
OIAC
TIRISTOR SCR
TRIAC
Oiodo de CY,8trocapas (SHOCKLEY)

Tiristor diodo bidireccional
Tiristor triodo
Tiristor triodo bidireccional
EI tiristor Diodo 0 Diodo Shockley

Tarnoien recibe el nombre de diodo de cuatro capas, se Ie clasifica como diodo porque
solo tiene dos terminales de salicja, por tener cuatro regiones dopadas a veces se Ie llama
tarnoien: diodo PNPN. Este elemento puede ser visualizado separando en dos mitades como
en el grafico siqui-nte; una mitad es un transistor PNP y la otra mitad un NPN. Por 10 tanto el
diodo de cu,atro capas es equivalente ados transistores en una conftquracion de "candado".
C)
P
N
Ko
174
175
Funcionamiento
del diodo Shockley
Cuando se aplica una tensi6n inversa a este diodo, las dos uniones PN exteriores
quedaran al norte, osea, polarizando en sentido inverso y por el diodo solo circulara una debil
corriente inversa. Cuando se Ie aplica una tensi6n en sentido directo s610quedara al corte
la uni6n PN central.
M ientras la tensi6n aplicada sea menor que la tensi6n de encendido circulara tarnbien
una corriente de poca intensidad de igual valor que la inversa. Cuando se sobrepasa la
tensi6n de encendido (UE) el efecto de avalancha provocara la aparici6n de un gran numero
de portadores de carga libres en la uni6n PN polarizada inversamente, con 10que el diodo de
cuatro capas se ponora a conducir.
Una vez que un diodo de cuatro capas comienza a conducir (tensi6n de ruptura) la
tensi6n a traves de 131cae a un valor pequeno, dependiendo de que tanta corriente
este circulando por el.
Polarizaci6n directa
Polarizaci6n inversa
Los diodos SHOCKLEY sequiran conduciendo mientras circula una corriente mayor a
la (Ie) corriente de corte 0 corriente minima de mantenimiento, no siendo necesario lIegar a
(OA) para que deje de conducir.
Simbolo
~A
k>*---I
A
---------t
[>:+---1
175
176
ELECTR6NICA
Curvas caracteristicas
A Anodo
p
N
P
N
K
IF
Imax
50mA
en
senti do directo
Imanten.
1/S0mA
Catodo
U1
1S/3S~
Barrage
CD
_
~~----------~~~UF
Zona de bloque
en
senti do inverso
Umanten.
Umanten.
O.S/1.2V
20/200V
En la curva de caracteristicas se nota una zona de bloqueo en sentido inverso y una

zona de bloqueo y conducci6n en sentido directo notandose tarnbien el punto de tensi6n de
encendido 0 conmutaci6n y la corriente de mantenimiento.
ELDIAC
EI DIAC es un elemento sirnetrico que no po see portanto polaridad. Su estructura es
practicamente la uni6n de dos diodosSHCKLEY en antiparalelo.
.J..
--
.. -
Los DIAC son muy utilizados para realizar circuitos de disparo del SCR y TRIAC permitiendo
obtener, con condensadores de poca capacidad y volumen corrientes elevadas de disparo.
Estos elementos tienen el mismo principio de funcionamiento
que el diodo se cuatro capas
con la (mica diferencia que el DIAC puede disparar y conducir hacia ambos sentidos.
ELECTR6NICA
Las tensiones de disparo suelen darlo los fabricantes
entre20V y 32V.
176
177
ELECTRONICA
Simbolo
Curva caracteristica
Zona de conduccion
del diodo de cuatro
capas izquierdo
Zona de conduccion
del diodo de cuatro
capas derecho
-/
ELSCR
Estos elementos pueden considerarse como una evolucion de los diodos de cuatro capas, a
los que se les ha aJiadido un electrodo de mando, tarnbien denominado puerta.
Cuando el electrodo de mando 0 puerta no esta conectado el SCR se comporta como un
diodo de cuatro capas.
Este elemento actua como interruptor de alta velocidad y se utiliza generalmente en circuitos
que funcionan con potenciales de varios cientos de voltios y por que puedan pasar hasta
varios cientos de amperios. Siendo su mayor uso en regulaci6n de velocidad de motores de
corriente continua.
Principio de funcionamiento del SCR
A un transistor SCR puede hacersele trabajar como circuito abierto (dejandolo
bloqueado en sentido directo) 0 puede hacersele disparar a un estado de conducci6n en
sentido directo, aplicando un impulso corto de potencia relativamente bajo el terminal de
puerta.
177
178
ELECTR6NICA
Una de las ayudas para entender mejor su funcionamiento es utilizado el circuito

equivalente de dos transistores. Dividiendo el tiristor en dos transistores uno PNP y el otro
NPN como se muestra enel siguiente graftco.
Terminal de Anodo
Metal
p
G
p
Puerta
Terminal
de Puerta
Terminal de catodo
EI funcionamiento puede dividirse de la siguiente manera:

Polarizaci6n inversa.- La polarizaci6n negativa del anode respecto del catodo, el
tiristor se encuentra en estado de bloqueo inverso y solamente pasa una corriente de fuga de
valor bajo. en estas condiciones las uniones J1 y J3 estan polarizadas en senti do inverso.
Polarizaci6n directa.- La polarizaci6n positiva del anode respecto del catodo, pero
sin serial de puerta. En este caso se dice que el SCR esta bloqueado en sentido directo,
puesto que se comporta como una resistencia elevada.
Solamente pasa una pequena corriente de fuga. Puede verse tamblen que aunqueJ,
y J3 esten polarizadas en sentido directo la uni6n central J2 esta invertida. Por 10que respecta
al circuito equivalente, se puede explicar el bloqueo en sentido directo porque al no tener la
puerta serial aplicada. Tr2 se bloquea. Solamente puede pasar una corriente de fuga
pequeria.
Polarizaci6n en senti do directo con senal aplicada a la puerta.
Si se aplica un
impulso de polarizaci6n directa entre la puerta y catodo mientras el anode sea polarizando
en forma positiva respecto del catodo, el SCR estara obligado a conducir.
EI tiempo de conmutaci6n es rapido (microsegundos) y puede pasar por el
componente una corriente grande, limitada solamente por la resistencia externa. La tensi6n
de anode a catodo cae a un valor bajo, normalmente 1V.
Esta acci6n puede explicarse empleando el circuito equivalente, serialando que un impulso
de polarizaci6n en sentido directo hace quaTr, conduzca.
178
179
EI circuito de los dos transistores tiene un lazo de realimentaci6n positiva, puesto que cada
uno tiene su colector cableado a la base del otro. Por este motivo los dos transistores
conducen rapidamente y permaneceran as! aun cuando se retire la serial.
EI conjunto solamente puede dejar de conducir por reducci6n de la corriente de anode por
debajo de un valor conocido como "corriente de retenci6n" 0 corriente de mantenimiento. En
los circuitos de corriente altema los SCR dejan de conducir todos los semiciclos, cuando la
tension de la fuente de alimentaci6n pasa por cera y se hace negativa; esto autornaticarnente
hace que deje de conducir. En los circuitos de corriente continua se emplean tecnicas
especiales para reducir la corriente de anode a cero, para hacer que no conduzca ese
componente.
Existen otras dos condiciones, aparte de la serial de la puerta, que haran que el SCR
bloqueado en sentido directo entre en conducci6n.
Sobrepasando la tension directa maxima de ruptura en sentido directo.
Aplicando una onda de tension de subida rapida entre anode y catodo, normalmente mayor
de 50 V por microsegundo. Este "efecto de rapidez" se explica porque la capacidad interna
(uni6n J2) puede alimentar una parte de una tensi6n de {modo de subida brusca a traves de la
puerta. Esto hace que el SCR conduzca.
Siendo estos dos efectos indeseables.
Simbolo del SCR
EI simbolo del SCR es el mismo que el de un diodo rectificador al que se Ie anade un terminal
lIamado puerta (G).
G
K
Curvas de caracteristicas
del SCR
En el siguiente grafico se tiene representado la curva caracterlstica de la IFen funci6n

de (UF)donde podemos observar que conduce en el primer cuadrante conducci6n directa y
bloquea en el tercercuadrante.
179
180
Corriente
directa
Corriente de retenci6n
directa
Tension directa
maxima de ruptura
en sentido directo
<,
------------------_.tt
Tension Inversa
'"
Conducci6n
Regi6n de descarga
inversa
Bloque en sentido directo
Reverse current
Especificaciones tecnlcas del SCR

Las especificaciones
Corriente
SCR.
tecnicas mas importantes
del SCR son:
media en directo (IFAV).- Es la maxima corriente
Tension de pico inverso (URWM).en potanzaclon inversa.
Es la maxima tension de pico que puede soportar el SCR
Asl mismo, existen otros parametres que los fabricantes

cada tipo de SCR; entre ell os podemos citar:
media que puede circular por el
proporcionan
para un mejor uso de
Corriente maxima de puerta (IGT)

Tension maxima de cebado de la puerta (UGT)
Corriente de mantenimiento (1 M)
Tension de mantenimiento (UH)
Corriente de enganche (IL)
Tension de enganche (UL)
Tension de disparo (UO)
Tension de cresta al estado bloqueado (UOWM)
Tension directa de pico repetitivo (UFRM)
Tension inversa de pico no repetitivo (URSM)
Corriente maxima de pico no repstitivo (IFSM)
Asl mismo en la curva de caracteristicas

corriente de comando.
del SCR podemos notar regiones en la ausencia de
180
181
ELECTRONICA
1. Region de gran impedancia y condtclon de bloqueo de la estructura PNPN, siendo la union

central polarizada en inversa.
2. Aumentando la tension directa se presenta la tension de avalancha
esto es la tension de disparo 0 ruptura con UG= 0
de la union central,
3. Region de resistencia negativa no observable con el osciloscopio.

4. Region de pequena impedancia,
es la region de conduccion directa.
Si se aplica una corriente de comando sobre la puerta, se desplaza hacia la izquierda

la tension de ruptura (UD),
CORRIENTE
DE ANODO
(IF)
2
UOWM TENSION
ANODO-cATODO
Hoja de datos tecnlcos del SCR.

Estos datos son proporcionados por el fabricante, aqrupanoolos y formando cataloqos con
las caracteristicas de cada componente asl como tamoien su forma, dimensiones y uotcacion
de terminales.
181
182
ELECTRONICA
Hoja de datos de SCRs de potencia.

THOMSON SEMICONDUCTEURS
thyri~tors
thyristors
V.....
...
Types
(V)
TN 03101
TN 931 02
TN 931 04
TN 931 06
TN 931 08
TN 93110
Tfl931 12
TNP311~
TN 93116
TN ~3118
TN 93120
= 80
TN 933 08
n'l933l0
11'193312
TN 933
I.
T. = 125C
T, = 125C
= 1125
100 Aeff
T"",=25C
I.T
V".
max
max
max
(V)
(mAi
(V)
(rnA)
I't
;?:
V.T
max
(A)
100 Arms
I"..
{rnA}
dv I dt
@60%
V"""
min
Case
(Vi~IS)
COOA' s
100
200
400
600
800
891
1000
1200
40
15000
200 .
1.95
300
2000
1400
1600
1800
2000
1900 AnnSlT.,... = 80 C
TI-I !13:l 01
TN 93302
Tt/9J304
TN !13:l 06
I.",@V,,: ....
'",,@Voo ...
V'--
(A)
1400 Arm&'T"""
'rSM
to ms
;?:
T. = 125C
1'1;;;; 3125000A'
40
100
200
4(j()
1210
600
800
1!)(Xl
25000
200'
1.35
2000
300
1200
1400
eT.~125'C
CB - 265 (MU 169)
068max
Gale
Gale lead : 'tmile

Cathode lead : red
Approx. Length : 300 mm
"~ 1.5
074max
Cathode
Hole '.~ 3.6 depth - 2.1

(anode and cathode sides)
Los tiristores de potencia 0 de gran corriente, tienen que trabajar necesariamente

acoplados a disipadores, tarnoien de grandes tamarios, para as! evitar su destrucci6n por
efecto de la temperatura.
182
183
EL TRIAC
Es un elemento semiconductor de tres electrodos, perteneciente a la familia de los
tiristores, uno de sus electrodos es su terminal de controillamado
puerta (G) y los otros dos
son los electrodos principales de conducci6n.
Este dispositivo puede pasar de un estado de bloqueo a un regimen de conducci6n, en
los dos sentidos de polarizaci6n (1er y 3er cuadrantes) y volver al estado de bloqueo por
inversi6n de la tensi6n 0 por disminuci6n
de la corriente por debajo del valor de
mantenimiento IH.
EI TRIAC es pues la versi6n bidireccional del SCR, en su representaci6n electrica se Ie
puede comparar con la asociaci6n en antiparalelo de dos SCR como se indica en el qrafico
siguiente.
EI funcionamiento
es similar
al de los SCR.Asi
el TRIAC
dejara pasar la corriente
la
bloqueara en ambas direcciones y puede ser disparado para que produzca, en una u otra
direcci6n, las senates de puerta positivas 0 negativas.
EI TRIAC conoucira correctamente
a)
si:
T2 (+)
T1 (-)
G(+)
b) T2 (-)
T1 (+)
G(-)
Primer cuadrante
Tercer cuadrante
183
184
Simbolo
T1
Curvas Caracteristicas
Corriente
directa
Conducci6n
directa
Bloqueoen
sentido directo
Bloqueo en
sentido inverso
Tensi6n
inversa
Tension
directa
Conducci6n
inversa
Corriente
inversa
Ejemplo de aphcacton del DIAC yTRIAC

mando de potencia (corte por fase)
1
u-
C
t
184
185
Prueba del SCR
y TRIAC
Un SCR es un diodo conmutable que en la conducci6n no activada, bloquea la corriente en

ambos sentidos de circulaci6n. Aplicando un pulso positive de tensi6n al electrodo de control,
el SCR pasa al estado de conducci6n.
Un circuito de prueba se basa en estas propiedades del SCR.
Proeba con e/ ohmimetro. EI polo positive del instrumento se conecta anode y el

polo negativo al catodo del SCR. Uniendo ahora mornentanearnente
el electrodo de control
(puerta) al anode (que corresponde al polo positivo del ohmlrnetro), el SCR debe pasar al
estado de conducci6n.
Este estado debe mantenerse aun interrumpiendo la conexi6n entre
el electrodo de control y el anode. EI SCR s610 vuelve al estado de bloqueo interrumpiendo
(aunque sea rnornentaneamente)
la conexi6n con el ohmfmetro.
E-
A
K
Proeba con probador de continuidad.

un probador
procedimiento
de continuidad formado
de prueba es el mismo.
E-
A
K
En lugar del ohmfmetro, puede emplearse

por una larnpara en serie con una baterfa. EI
Para probar un TR lAC se pueden emplear los mismos procedimientos que para el SCR con la
unica diferencia de que se puede hacer con ambas polaridades de la baterla, es decir primero
positiva y despues negativa.
185
186
ELECTR6NICA
,...-------r-_--.-----
,------r-~--,------
E-
E-
La tension e intensidad de mando que necesitaria para el encendido depende del tarnano y
tipo del SCR, valores que son especificados por el fabricante para cada tipo de dispositivo.
186
187
ELECTRONICA
BIBLIOGRAFiA
ELECTRONICA: "Teorta de circuitos"
Robert L Boylestad. Sexta Ed.

Prentice - Hall Hispanoamericana,
S.A
PRINCIPIOS DE ELECTRONICA
Paul Maluino. Editorial Esmeralda

Mora.
ELECTRONICA
Hambley 2a Ed.
Prentice - Hall Hispanoamericana,
S.A
ill ELECTRONICA DE POTENCIA
J. Garcia Villarreal. SENATI
187
188
PROPIEDAD INTELECTUAL DEL SENATI PROHIBIDA

SU REPRODUCCIN Y VENTA SIN LA AUTORIZACIN
CORRESPONDIENTE
CDIGO DEL MATERIAL

0645
EDICIN
AGOSTO 2005

Electronica

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SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO INDUSTRIAL

Tcnico de Nivel Medio.

MATERIAL DIDCTICO ESCRITO

Con la finalidad de facilitar el aprendizaje en el desarrollo de la formacin y capacitacin en la

DOCUMENTO APROBADO POR EL

Registro de derecho de autor:

~ Verifica la ley de Kirchoff

~ Armar circuitos de potencia

EI presente manual de aprendizaje

corresponde a la asignatura ELECTRONICA.

para fuentes de alirnentacion, circuitos con

circuitos de operaciones matematicas.

Arma circuitos resistivos

zs, Verifica la Ley de Ohm

de alimentacion estabilizada fija

zs, Armar circuitos de pulso

Este manual de aprendizaje,

que permittran tener mas habilidad teorica y practica en

los diferentes circuitos de corriente continua y altema.

Lambayeque Cajamarca Norte

Ing. Juan Garcia Angeles

ARMA CIRCUITOS RESISTIVOS

CIRCUITO RESISTIVO SERlE

CIRCUITO RESISTIVO PARAlElO

CIRCUITO RESISTIVO MIXTO

DENOMINACION - NORMAl DIMENSIONES

2. Medir resistencia equivalente con el multitester seleccionado como ohmimetro y lIenar la

paralelo cuando estsn

1. Monte el circuito de la figura 3.

con el multitester seleccionado

Armar circuito resistivo mixto

2. Medir la resistencia equivalente con el multitester seleccionado como ohmimetro y lIenar

fijas se pueden distinguir las de carbon, de pelicula metalica y alambre

Estas se indican en el mismo componente mediante c6digos de colores 0 altanumencos.

disipar la resistencia a una temperatura ambiente al interior del

Cuando son dos resistores:

VERIFICA LA LEY DE OHM

Determinar el valor de la resistencia

Medir resistencias aplicando la Ley de

Resistencias: 4.7kQ, 10kQ, 4.7Q,

DENOMINACION - NORMAl DIMENSIONES

mediante el c6digo de colores

La resistencia y la tolerancia puede indicar se mediante numerosos signos de color en forma

Seleccione 10 resistencias y mediante el c6digo de colores determinar su valor nominal y

Haga lectura en cada resistor y anote en la tabla 1 el valor nominal, la tolerancia y la

2. i Que es 10 que determina el valor 6hmico en un resistor de pelicula de carb6n?

Medir resistencias aplicando la ley de Ohm

= f(I) para cada resistor.

Con los valores obtenidos, levante el qrafico V

Determine, a traves del grafico, el valor de cada resistencia anotando en la tabla 3.

Explique las discrepancias sobre los valores nominales.

En los circuitos de la figura 3 calcule el valor leldo por los instrumentos.

Determine el valor de la resistencia electrica, que cuando sometida a una tensi6n de 5V

Figura 4. C6digo de colores

para resistores de pelicula:

Serie: 5%, 10% Y20% de tolerancia.

Seguidamente, mostramos algunos ejemplos de lectura, utilizando el c6digo de colores:

10x1+/~ 10% = 10 Q +/-10%

22x10"1+/- 5% =2,2 Q +/- 5%

56x105+1- 5% = 5,6 MQ +1- 5%

Cuando el circuito es alimentado, este presenta las siguientes propiedades:

es la misma e igual a aquella

2. La sumatoria de las tensiones de los resistores es igual a la tension de la fuente: